最新刊期
      2006年第27卷第2期

        研究论文

      • (2+1)维光学孤子在饱和非线性介质中的模式特征

        刘雅洁, 陆佩, 杨性愉
        2006, 27(2): 143-148.
        摘要：从非线性Schrdinger方程出发,应用数学解析的方法,详细讨论了在饱和非线性介质中(2+1)维空间光学孤子存在满足物理意义的自洽解的条件,给出数值计算所需要的边界条件。通过数值计算,给出了基模和一阶模在某一组参数下的部分模式的光场慢变包络、光强度的二维和三维分布的直观图形,以及相应能量(无量纲)。结果表明,孤子的存在不是任意的,而是依赖于一定的能量。当光脉冲能量不足以支持孤子的存在时,其解呈振荡形式,说明不存在孤子解。同时还给出介质的饱和参数、孤子在传播方向上的波矢k对孤子模式的影响等有意义的结论。  
        关键词：空间孤子;饱和非线性;模式   
        105
        |
        147
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1575503 false
        更新时间：2020-08-11

      • 弱耦合多原子半无限晶体中磁极化子的激发能量

        胡文弢, 赵向军, 戈华, 肖景林
        2006, 27(2): 149-153.
        摘要：近年来国内外对多原子极性晶体中磁极化子性质的研究十分活跃,Zorkani等采用变分法计算了束缚磁极化子的基态能量,Kandemir等采用束缚朗道态讨论了二维大磁极化子的基态和第一激发态能量,国内一些学者采用微扰法和新颖算符法讨论了多原子极性晶体中表面和体磁极化子的性质。采用线性组合算符和幺正变换,研究磁场中多原子半无限极性晶体中电子和光学声子弱耦合相互作用所产生的极化子的第一激发态能量及平均声子数。结果表明:当电子无限接近晶体表面时,磁极化子的基态能量仅为Landau能量;第一激发态能量为Landau基态能量的2倍;平均声子数等于各支与电子耦合的体光学声子数和表面光学声子数之和。而当电子处于晶体深处时,磁极化子的基态能量却为Landau基态能量与各支体光学声子以及表面光学声子分别耦合的能量之和;第一激发态能量仍为Landau基态能量的2倍;平均声子数等于各支与电子耦合的体光学声子数和与所处深度有关的各支体光学声子数之和,而与各支表面光学声子无关。  
        关键词：多原子半无限晶体;磁极化子;弱耦合;激发能量;平均声子数   
        99
        |
        63
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1576313 false
        更新时间：2020-08-11

      • 分析指认固体中稀土离子4f-5d跃迁光谱的简单模型

        夏上达, 段昌奎
        2006, 27(2): 154-158.
        摘要：概要介绍和总结最近由段昌奎等人提出,并经发展扩充的用以分析指认固体中稀土离子f-d跃迁光谱的简单模型,以及对Nd3+、Sm3+、Eu3+、Eu2+、Tb3+、Ho3+、Er3+的f-d激发光谱及Nd3+的d-f辐射谱的成功应用。也论及值得进一步研究的其他离子的f-d谱。  
        关键词：f-d跃迁;稀土离子;简单模型;能级;强度   
        135
        |
        118
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1575635 false
        更新时间：2020-08-11

      • 掺Er3+碲酸盐玻璃的光谱性质与Judd-Ofelt理论分析

        李广坡, 徐铁峰, 聂秋华, 沈祥
        2006, 27(2): 164-168.
        摘要：用高温熔融法制备了碲酸盐玻璃(70TeO2-9B2O3-6Nb2O5-5Na2O-10ZnO-1%(质量分数)Er2O3)样品。测试了玻璃样品的吸收光谱和荧光光谱。应用Judd-Ofelt理论计算了Er3+离子的谱线强度、自发辐射跃迁几率、荧光分支比、辐射寿命等光谱参数,并拟合了相应的强度参数Ωt(t=2,4,6)(Ω2=8.01×10-20cm2,Ω4=2.09×10-20cm2,Ω6=1.15×10-20cm2)。结果发现该碲酸盐玻璃具有较大的Ω2值,说明Er—O键的共价性强于它在硅酸盐、锗酸盐、氟化物、铋酸盐和磷酸盐玻璃中的共价性。Er3+在碲酸盐玻璃中4I13/2→4I15/2跃迁几率约为492s-1,表明Er3+可能有较强的1.5μm发射。分析了Er3+在碲酸盐玻璃中能级4I13/2→4I15/2发射的荧光半峰全宽(FWHM=73nm),并应用McCumber理论计算了Er3+的受激发射截面(σe=1.08×10-20cm2),发现其FWHM×σe远大于Er3+在铋酸盐、磷酸盐、锗酸盐和硅酸盐玻璃中的受激发射截面,说明碲酸盐玻璃是一种制备宽带光纤放大器的优良基质材料。  
        关键词：光学材料;碲酸盐玻璃;光谱性质;Judd-Ofelt理论   
        97
        |
        88
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1576256 false
        更新时间：2020-08-11

      • Eu,Dy共掺杂SrAl2O4长余辉材料制备新工艺

        胡劲, 孙家林, 刘建良, 施安, 徐茂, 高勤琴
        2006, 27(2): 179-182.
        摘要：活化Al-Sr合金粉末水解制备SrAl2O4长余辉材料的前驱体,并采用高温固相反应法制备出Eu,Dy共掺杂的SrAl2O4长余辉材料,对其微观结构和发光特性进行了研究。实验结果表明:前驱体中Al、Sr元素在微观状态下分布均匀,所制成的长余辉发光材料的发射主峰位于520nm附近,为典型的Eu2+离子4f5d-4f的特征发射,初始亮度达到18cd/m2,余辉时间长达46h。  
        关键词：长余辉发光;Al-Sr合金;水解;铝酸锶   
        100
        |
        53
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1576241 false
        更新时间：2020-08-11

      • (Y,G d)(P,V)O4:Eu3+荧光粉的发光特性

        赵晓霞, 谢宜华, 王晓君, 陈宝玖, 赖华生, 狄卫华
        2006, 27(2): 196-200.
        摘要：采用高温固相方法合成了(Y,Gd)(P,V)O4:Eu3+,经X射线结构分析确定为四方晶系,体心结构,空间群为I41/amd[141]。研究了(Y,Gd)(P,V)O4:Eu3+在VUV及UV激发下的光谱特性,讨论了激活剂Eu3+的浓度对发光亮度的影响。(Y,Gd)(P,V)O4:Eu3+荧光粉的发射主峰在619nm,证明Eu3+离子占据了非反演对称中心的位置。在(Y,Gd)(P,V)O4:Eu3+(监控619nm)的激发谱,有一个中心位于156nm的吸收带,它属于基质的吸收带。将(Y,Gd)(P,V)O4:Eu3+的发光性能与PDP商用红粉(Y,Gd)BO3:Eu3+进行了比较。(Y,Gd)(P,V)O4:Eu3+的发射主峰在619nm,比发射主峰为593nm的(Y,Gd)BO3:Eu3+色纯度好,是一种很有应用前景的发光材料。  
        关键词：VUV;激活剂Eu3+;色坐标;激发光谱   
        94
        |
        69
        |
        3
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1576224 false
        更新时间：2020-08-11

      • 白光LED用稀土荧光粉的制备和性质

        吴昊, 潘跃晓, 郭崇峰, 张新民, 徐剑, 王垚浩, 余彬海, 李绪峰, 苏锵
        2006, 27(2): 201-205.
        摘要：在还原气氛保护下利用高温固相法合成了化学组分为(M1,M2)10(PO4)6X2(M1=Ca,Sr,Ba;M2=Eu,Mn;X=F,Cl,Br)的可被紫光激发的蓝光、绿光和红光荧光粉,制备了紫光LED芯片+蓝光荧光粉+YAG荧光粉的二基色白光LED;紫光LED芯片+蓝光荧光粉+红光荧光粉的二基色白光LED,以及紫光LED芯片+蓝光荧光粉+绿光荧光粉+红光荧光粉的三基色白光LED。测试了所有制备的白光LED在不同的直流电驱动下的色度坐标、相关色温和显色指数。  
        关键词：白光LED;稀土荧光粉;色度坐标;相关色温;显色指数   
        150
        |
        99
        |
        10
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1576204 false
        更新时间：2020-08-11

      • 热处理对ZnO:Zn荧光薄膜结晶性能的影响

        张晓松, 李岚, 王达健
        2006, 27(2): 206-210.
        摘要：用热处理方法对电子束蒸发制备的ZnO:Zn荧光薄膜分别进行400,600℃退火处理。采用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光光谱等方法,表征了ZnO:Zn荧光薄膜的结构、成分、形貌、发光性能。在ZnO:Zn荧光薄膜的X射线衍射谱和扫描电子显微镜照片中,可以看出经退火处理后结晶状况大大改善,多晶结构趋于规则,晶粒更加均匀且膜层结构更加致密。在ZnO:Zn荧光薄膜的光致发光谱中,检测到490nm处发光峰,认为一价氧空位(VO)充当发光中心,且薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大。实验表明随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,薄膜的发光性能不断提高。  
        关键词：热处理;ZnO:Zn薄膜;电子束蒸发;场发射显示器(FED)   
        104
        |
        74
        |
        3
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1576270 false
        更新时间：2020-08-11

      • Si衬底GaN基LED的结温特性

        刘卫华, 李有群, 方文卿, 莫春兰, 周毛兴, 刘和初, 熊传兵, 江风益
        2006, 27(2): 211-214.
        摘要：结温是发光二极管的重要参数之一,它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响。首次报道Si衬底GaN基LED的结温特性。利用正向压降法测量Si衬底上GaN基LED的结温,通过与蓝宝石衬底上GaNLED的结温比较,发现Si衬底GaNLED有更低的结温,原因归结为Si有更好的导热性。同时也表明:用Si作GaNLED的衬底在大功率LED方面具有更大的应用潜力。  
        关键词：Si衬底;GaN;发光二极管;结温   
        120
        |
        73
        |
        3
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1575558 false
        更新时间：2020-08-11

      • 激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性

        谢伦军, 陈光德, 竹有章, 张景文, 杨晓东, 徐庆安, 侯洵
        2006, 27(2): 215-220.
        摘要：研究了不同温度和不同光激发强度下激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜样品的发光性能,发现YAG脉冲激光激发,强度超过一定值时会在长波方向上出现一个新的发光峰,此峰可能起源于电子-空穴的复合。室温下氙灯激发的光谱中可以看到峰值位于381nm的近带边紫外发射峰和位于450nm的强的蓝绿带发射,根据光致发光激发光谱的特征给出了一个简单的蓝光发射模型。对比YAG脉冲激光激发和氙灯激发得到的实验光谱,我们认为不同的光谱特征和样品发光的激发机制有关,紫外峰发射需激发强度超过一定值才能观察到,而蓝带发射则在一定的激发强度下迅速饱和。  
        关键词：ZnO薄膜;光致发光;电子-空穴等离子体;蓝带发射   
        117
        |
        115
        |
        3
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1576342 false
        更新时间：2020-08-11

      • 两步溶液法制备亚微米ZnO棒阵列及其退火后的发光

        胡俊涛, 郭鹏, 梅嘉伟, 郭常新
        2006, 27(2): 221-224.
        摘要：通过改变溶液浓度、酸碱度等生长条件,用两步化学溶液沉积法在玻璃衬底上制备出有序排列的亚微米级ZnO棒阵列,棒的截面呈正六边形,直径约为200~500nm。测量了样品的XRD谱和扫描电镜像,证明这些样品都是六方纤锌矿结构的ZnO单晶,且以[002]方向择优生长。将样品退火前后的PL光谱进行比较分析,发现退火后样品的发射光谱中紫外峰消失而长波段的红色发光峰红移并且增强(峰位由630nm左右移到720nm),而其激发光谱中的室温激子激发峰也增强。当退火时间增加到6h后,出现了由430nm的蓝峰和505nm绿峰组成的宽谱带蓝绿色发射。并对发光机理进行了讨论。  
        关键词：氧化锌;光致发光;微米晶体棒;溶液法微晶生长   
        111
        |
        63
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1575575 false
        更新时间：2020-08-11

      • 变分方法研究ZnO量子点中激子的基态特性

        王志军, 李守春, 吕有明, 唐胜, 王丽红, 田云霞, 刘嘉宜, 王连元
        2006, 27(2): 225-228.
        摘要：ZnO是一种新型宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温激子束缚能高达60meV,远大于室温热离化能(26meV),因此ZnO是适于室温或更高温度下使用的高效紫外光电材料。ZnO半导体量子点材料与体材料相比具有崭新的光电特性,特别在紫外激光器件方面,与ZnO的激子特性密切相关,因此理论上对ZnO量子点中激子的基态特性进行研究就显得十分必要。采用有效质量近似(EMA)方法,提出新的比较简单的尝试波函数,对ZnO量子点中激子的基态特性进行了计算。计算结果与实验结果基本吻合,说明我们的计算结果比较真实、有效。对变分参数Ke、Kh,归一化常数Ne、Nh以及波函数ψ随粒径变化关系进行了计算。计算结果表明,当量子点半径较小(r≤4.0aB)时,激子的波函数ψ变化非常迅速,而由于此时量子点具有很大的比表面积,因此量子点所处的环境、体内的缺陷、杂质会对其产生非常强烈的影响,同时其表面(界面)的介质会对其基态特性产生影响,因此对量子点进行有效的修饰与掺杂以减少其表面缺陷及表面悬键,减少无辐射复合与界面发射是非常必要的。  
        关键词：激子;ZnO量子点;变分法;基态特性   
        101
        |
        70
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1576181 false
        更新时间：2020-08-11

      • ZnO/Zn界面对纳米ZnO薄膜光学性质的影响

        路丽霞, 季辉, 汤庆鑫, 童艳红, 刘益春
        2006, 27(2): 229-233.
        摘要：采用氧等离子体辅助电子束蒸发金属Zn后低温退火的方法制备纳米ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)谱、拉曼(Raman)谱、X射线光电子能谱(XPS)以及光致发光(PL)谱等手段,分析了退火温度及ZnO/Zn界面对样品的结构和发光性质的影响。Raman结果表明随着退火温度的升高,界面模式(Es)振动减弱并向低波数方向移动。当退火温度为400℃时,界面振动消失,Zn全部转化成具有六方纤锌矿结构的ZnO,得到化学配比的纳米ZnO薄膜。PL谱表明,经400℃退火处理的样品紫外发射最强,发光性质最好。  
        关键词：等离子体辅助电子束蒸发;纳米ZnO薄膜;ZnO/Zn界面;光致发光   
        110
        |
        106
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1576296 false
        更新时间：2020-08-11

      • 单核/双壳结构CdSe/CdS/ZnS纳米晶的合成与发光性质

        唐爱伟, 滕枫, 高银浩, 梁春军, 徐征, 王永生
        2006, 27(2): 234-238.
        摘要：以巯基乙酸为稳定剂,在水溶液中合成了单核/双壳结构的CdSe/CdS/ZnS纳米晶。在内核CdSe和外壳ZnS之间的内壳CdS作为晶格匹配调节层,能够很好的改善核/壳界面处的性能,而且,最外层ZnS能够最大程度地使激子受限。用TEM和XPS对纳米晶进行了表征,并且用光致发光光谱和吸收光谱对不同核壳结构的纳米晶的发光性能进行了比较,结果表明单核/双壳结构的纳米晶具有更加优异的发光特性。  
        关键词：单核/双壳;纳米晶;发光特性;表征   
        123
        |
        116
        |
        4
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1576152 false
        更新时间：2020-08-11

      • 二氧化钛微晶结构相变与光致发光

        余海湖, 余丁山, 周灵德, 姜德生, 顾而丹
        2006, 27(2): 239-242.
        摘要：以钛酸四丁脂为前驱体制备了二氧化钛(TiO2)胶体,将其粉末在不同温度下作热处理,采用差热分析、X射线衍射、荧光光谱等手段对样品进行测试。结果表明,随着热处理温度升高,TiO2由板钛矿相经锐钛矿相向金红石相转变,在808℃左右出现一级相变。原始粉末样品以及在600℃以下热处理的样品,在400nm处可观察到TiO2纳米晶的带边发光,在470nm处可观察到表面态发光;当热处理温度达到850℃时,主晶相转变为金红石相,400nm处的带边发光峰消失,位于470nm处发光峰成为最强峰,但强度减弱,并且样品发光的波长范围明显变窄。其原因是,随着热处理温度升高,晶粒不断长大,量子限域效应减弱乃至消失,晶粒的表面状况发生变化,导致样品的荧光发射行为发生变化。  
        关键词：二氧化钛;热处理;结构相变;光致发光   
        148
        |
        109
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1576169 false
        更新时间：2020-08-11

      • 基于Alq3的有机发光器件的发光特性

        陈文彬, 刁庚秀, 吴琦
        2006, 27(2): 243-248.
        摘要：以Alq3作为发光层,在OLED串联型制作系统上成功制备出ITO/TPD/Alq3/LiF/Al结构的有机发光器件,并建立了一套OLED电流(J)、电压(V)、亮度(B)自动测试系统,在氮气和空气环境下测试并分析了OLED的发光特性。结果表明,基于Alq3的双层OLED的正向J-V特性可以用陷阱电荷限制流来描述;反向工作时,低压下的反偏电流可能是针孔产生的漏电流,高压下反偏OLED的J-V特性应满足F-N隧穿机制。随着电流进入快速增长阶段,B-J曲线近似地呈线性关系;在低场下,发光效率随电压升高而增大,在高场下,发光效率随电压升高而减小。实验中,还观察到了在电压V=4V左右时,器件具有明显的负阻特性(NDR),进一步的分析表明,由针孔引起的丝状电流可能是负阻特性的成因。  
        关键词：有机发光器件;发光特性;负阻特性   
        100
        |
        67
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1576358 false
        更新时间：2020-08-11

      • 两种以Znq2为基体的新型电致发光材料的合成与性能

        王华, 郝玉英, 李洁, 周禾丰, 刘旭光, 许并社
        2006, 27(2): 249-253.
        摘要：以8-羟基喹啉为配体的金属配合物是一种性能优良的有机电致发光材料,其中有关8-羟基喹啉铝(Alq3)研究已有大量报道,8-羟基喹啉锌(Znq2)研究还有待发展。介绍了两种以Znq2为基体的新型有机电致发光材料Znq2(H2O)2和(Znq2)4的合成方法。用IR、XRD、TG、DTA和荧光测试方法进行表征与分析表明:Znq2(H2O)2和(Znq2)4的玻璃化温度(Tg)分别为104.2℃和204.9℃;在161℃下Znq2(H2O)2脱去水分子成为Znq2,在361℃高温下四聚体(Znq2)4裂解为单体Znq2;Znq2(H2O)2和(Znq2)4具有很好的发光性能,在光致发光谱中λmax分别是505,550nm。  
        关键词：8-羟基喹啉锌;Znq2(H2O)2;(Znq2)4;热重分析;差热分析   
        101
        |
        55
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1575530 false
        更新时间：2020-08-11

      • 2(水杨醛缩苯胺)-(1,10-邻菲罗啉)合钙的光谱特性

        郝玉英, 李洁, 高志翔, 王华, 周禾丰, 刘旭光, 许并社
        2006, 27(2): 254-258.
        摘要：合成了一种新型的蓝光发射材料2(水杨醛缩苯胺)-(1,10-邻菲罗啉)合钙,并利用红外光谱、X射线衍射谱、DSC热分析、UV-vis吸收谱、荧光激发光谱和荧光发射光谱研究了其结构、晶态、热稳定性以及光学特性,分析了它的能态结构和发光机理。结果表明,2(水杨醛缩苯胺)-(1,10-邻菲罗啉)合钙的热稳定性较高,是一种多晶粉末发光材料,禁带宽度2.93eV,在紫外光的激发下,固态荧光发射峰在449.7nm处,在乙醇溶液体系中的荧光发射峰在491nm处,均为蓝色荧光,色纯度高,荧光量子效率高,其荧光发射主要来源于长波吸收带,最大波长吸收带对荧光发射贡献最大。  
        关键词：2(水杨醛缩苯胺)-(1;10-邻菲罗啉)合钙;结构;性能   
        105
        |
        60
        |
        5
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1575484 false
        更新时间：2020-08-11

      • 微阵列芯片的荧光光漂白特性

        黄国亮, 朱疆, 杨阳, 肖明, 董中华, 邓橙
        2006, 27(2): 259-264.
        摘要：微阵列技术为大量基因表达水平的同时监控提供了一种高效的手段。随着微阵列芯片朝着小型化、高通量和弱信号方向发展,荧光检测技术以其易寻址和高灵敏度等优势越来越受到世人关注。在微阵列技术中,人们通过检测微阵列芯片上不同位置斑点的荧光信号强度,可以得知微阵列芯片不同位置固定的已知序列探针与荧光染料标记的cDNA样品的杂交情况。对一张微阵列芯片多次扫描后,荧光染料发生光漂白,荧光强度发生衰减变化,它将为微阵列的数据分析带来误差。使用荧光浓度梯度微阵列芯片研究了芯片经多次扫描后荧光斑点强度的衰减情况,通过拟合相同荧光斑点经多次重复扫描后得到的信号强度,得到了荧光斑点强度按指数形式衰减的规律,并在此基础上研究了荧光斑点强度衰减指数模型中的参数与荧光斑点初始浓度的关系,为进行微阵列芯片数据光漂白误差修正提供了实验依据。  
        关键词：微阵列;光漂白;荧光衰减   
        112
        |
        100
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1575647 false
        更新时间：2020-08-11

      • 光诱导分布反馈激发染料掺杂向列相液晶的放大自发发射

        卢鹉, 钟波, 马东阁
        2006, 27(2): 265-269.
        摘要：随着OLEDs的发展,有机/聚合物材料体系的放大自发发射也得到了广泛深入的研究。利用Lloyd镜面体系构建了分布反馈体系,研究了DCJTB在向列相液晶中的放大自发发射过程,利用布拉格方程计算了发射光谱的峰值波长。实验结果表明,DCJTB向列相液晶体系的放大自发发射阈值为与平面波导结构相比,分布反馈体系提供了良好的模式,半峰全宽明显变窄;随着电场的变化,不同角度的输出信号强度也变化明显,利用电场可以有效的对TE、TM两种模式的强度进行调制。  
        关键词：放大的自发发射;DCJTB;分布反馈(DFB);向列相液晶   
        100
        |
        225
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1576284 false
        更新时间：2020-08-11
      • 吴惠霞, 忻驰洋, 孙君燕, 曹卫丽, 王则民
        2006, 27(2): 270-274.
        摘要：合成了三个系列稀土掺杂镝乙酰丙酮(Hacac)邻菲咯啉(phen)三元配合物RExDy1-x(acac)3phen(RE=La,Y,Gd;x=0,0.10,0.20,0.30,0.50,0.70,0.90,1.00),通过紫外光谱、红外光谱、X射线粉末衍射对配合物进行了表征。对各系列配合物进行荧光光谱研究,发现La3+、Y3+、Gd3+对Dy3+离子均有荧光增敏作用,它们对Dy3+离子的荧光增强顺序为I(La3+)>I(Y3+)≈I(Gd3+)。当x=0.10~0.30,所有掺杂配合物的荧光强度都大于未掺杂的配合物Dy(acac)3phen的荧光强度。  
        关键词：镝(Ⅲ);乙酰丙酮;三元配合物;掺杂;荧光性质   
        120
        |
        56
        |
        5
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1575470 false
        更新时间：2020-08-11

        材料合成及性能

      • 杨志平, 杨勇, 李兴民, 李旭, 李盼来
        2006, 27(2): 159-163.
        摘要：利用金属硝酸盐和尿素的氧化还原反应,通过燃烧法在600℃的炉温下合成了蓝紫色长余辉发光材料CaAl2O4:Eu2+,Nd3+。在金属硝酸盐溶液浓度不变的条件下,通过改变尿素与硝酸根的量的比,合成了多组长余辉材料样品。当尿素用量较少时,Eu3+不能完全被还原为Eu2+;随尿素用量增加,样品的Eu3+特征发射减弱,余辉初始亮度和持续时间均得到改善;当尿素的用量达到理论用量的5倍时,样品余辉特性最好,继续增加尿素用量,余辉亮度和持续时间反而下降。将燃烧法制备的各组样品用活性炭密封,在1000℃条件下反应2h,使Eu3+完全被还原为Eu2+,同时除去燃烧法反应不完全的杂质,可以一定程度提高材料的余辉发光性能。  
        关键词：燃烧法;长余辉;尿素;晶体结构   
        101
        |
        96
        |
        3
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1575589 false
        更新时间：2020-08-11
      • 张朋越, 向鑫, 沈华翔, 潘毓, 洪樟连, 王民权
        2006, 27(2): 169-173.
        摘要：采用高温还原法合成了一种新型无稀土掺杂Y2O2S:0.09Ti长余辉发光材料。基于助熔剂种类对长余辉发光材料特性的重要作用,选择了对余辉衰减初期和后期余辉强度有明显作用的Li2CO3和K3PO4两种助熔剂,研究了不同配比(以下用x表示,x=Li2CO3/(Li2CO3+K3PO4))的复合助熔剂对Y2O2S:0.09Ti磷光体晶体结构和发光性能的作用,以获得具有较好综合发光性能的Y2O2S:0.09Ti磷光体。采用PL光谱和余辉测试仪对材料的发光特性进行了表征,用XRD研究了其晶体结构的变化。XRD结果表明,在复合助熔剂范围内(x=0~1.0)均可获得单相性的Y2O2S:0.09Ti磷光体。同时发现复合助熔剂比例不同制备的样品中,Y2O2S:0.09Ti磷光体晶体择优取向也发生明显的变化,且高比例Li2CO3有助于Y2O2S:0.09Ti磷光体的晶体形成。复合助熔剂比例x对样品的激发峰与发射谱主峰位置(565nm)基本没有影响;但助熔剂比例x对发射峰强度则有明显影响,随着x增加,该磷光体的发光强度先增后减,在x=0.8时发光强度最大。  
        关键词：复合助熔剂;无稀土掺杂;Y2O2S：Ti;发光;长余辉材料   
        89
        |
        55
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1575513 false
        更新时间：2020-08-11

      • 荧光体CaSO4：Eu的近紫外发光性质

        张霞, 刘慎薪
        2006, 27(2): 174-178.
        摘要：CaSO4:Eu是一种人们早已较为熟知的发光材料,由于其优异的热释发光特性而被广泛应用于辐射剂量学方面。近年来由于崭新的光致发光液晶显示模式的出现,人们又对其近紫外发射特性产生了极大兴趣。考察了CaSO4:Eu的发光特性和材料的各种制备方法,以及制备条件对发光性能的影响,特别是对其近紫外发射性能的影响。实验表明,对于还原彻底、结晶良好的样品,激活剂Eu几乎全部以二价铕离子的形式存在,是一种很好的近紫外发射材料。该材料能被低压汞蒸气放电辐射有效激发,其发射带的峰值在386nm附近,随Eu的掺杂浓度不同而略有差异,半峰全宽约为16nm,基本满足了近紫外发射的要求,可应用于光致发光液晶显示器件的背照明光源中。  
        关键词：CaSO4：Eu;近紫外;发光   
        117
        |
        55
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1575549 false
        更新时间：2020-08-11

      • Ca3La(BO3)3：Tb3+的合成与发光性质

        李其华, 刘利民, 曾立华, 雷春华, 曹小妹, 彭夷安, 廉世勋
        2006, 27(2): 183-186.
        摘要：高温固相反应法合成了Ca3La(BO3)3:Tb3+光致发光材料。利用扫描电镜和激光衍射分析仪测定了样品的晶粒形貌及粒径大小分布,利用荧光分光光度计研究了Ca3La(BO3)3:Tb3+的光致发光特性。确定了在Ca3La(BO3)3基质中Tb3+离子浓度对其发光强度的影响及其自身浓度猝灭机理;探讨了助熔剂Li2CO3、敏化剂Ce3+离子的加入对荧光粉发光强度的影响。  
        关键词：Ca3La(BO3)3：Tb3+;发光;浓度猝灭;稀土   
        94
        |
        58
        |
        3
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1575618 false
        更新时间：2020-08-11

      • 共沉淀法制备Y2O2S：Eu3+,Mg2+,Ti4+红色长余辉材料

        杨志平, 李兴民, 杨勇, 李旭, 李盼来
        2006, 27(2): 187-190.
        摘要：用共沉淀法制备了Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+红色长余辉材料。测量了材料的电子显微形貌、晶体结构和发射光谱。通过与固相法制备的Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+长余辉材料比较,发现两种方法都可以制备粒度基本相同的纯相Y2O2S基质晶体,但共沉淀法样品的颗粒结构更松散。研究了Eu3+浓度对两种方法制备样品的谱线发射强度的影响,通过比较共沉淀法和高温固相法制备的样品中Eu3+的5D1→7F3较高能级跃迁的587.6nm谱线强度随Eu3+浓度的变化,发现共沉淀法更有利于Eu3+均匀进入Y2O2S基质晶格而形成有效的发光中心。  
        关键词：共沉淀;发射光谱;Y2O2S：Eu3+;Mg2+;Ti4+   
        94
        |
        55
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1576327 false
        更新时间：2020-08-11

      • 不同波长激发下YLiF4：Er3+,Tm3+,Yb3+的发光

        赵谡玲, 侯延冰, 徐征
        2006, 27(2): 191-195.
        摘要：水热法合成了YLiF4:Er3+,Tm3+,Yb3+,其中Er3+、Yb3+和Tm3+的摩尔分数分别为1%、1.5%和2%。当用355nm光激发时,其发光为蓝色,峰值位于450nm,对应于Tm3+的1D2→3F4跃迁。用378nm激发时,发光为绿色,主要发光峰位于552nm。980nm光激发时,发光为白色,发光峰分别位于665(651),552(543),484,450nm处,并在648nm处还观察到了一个发光峰,其中最强的发射为红光。YLiF4:Er3+,Tm3+,Yb3+的蓝光来源于Tm3+的激发态1G4到基态3H6的跃迁,绿光来源于Er3+的4S3/2和2H11/2到基态4I15/2的跃迁,红光既来源于Tm3+的1G4→3F4的跃迁,也来源于Er3+的4F9/2→4I15/2的跃迁。在上转换发光中,还探测到了紫外光359nm的发射。监测665nm得到的激发光谱不同于监测552nm的激发光谱,在665nm的激发光谱中出现了对应Tm3+的1G4能级的峰。在双对数曲线中,蓝光484nm、绿光552nm和红光665nm的斜率分别为2.25、2.28和2.21,紫外光359nm的斜率为2.85。因此在980nm激发下,蓝光484nm、绿光552nm和红光665nm都是双光子过程,紫外光359nm的发射是三光子过程。  
        关键词：上转换发光;YLiF4：Er3+;Tm3+;Yb3+;水热合成   
        103
        |
        61
        |
        4
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1575603 false
        更新时间：2020-08-11
      0