最新刊期
      2005年第26卷第6期

        发光学的一般问题

      • 含色散介质的一维光子晶体微腔中简正耦合模的物理图像

        陈淑文, 汪先明, 李鸿, 何弦, 吴评
        2005, 26(6): 699-703.
        摘要：对一维光子晶体中的色散介质采用洛伦兹振子模型,对线性层及色散δ层均采用传输矩阵的方法,研究了一维含色散介质的光子晶体微腔中的简正耦合模.通过改变洛伦兹振子和微腔之间的失谐频率,分析了简正耦合模频率的变化情况.在失谐频率比较大时,光与洛仑兹振子间的耦合作用较小,简正耦合模中的一个接近腔模频率,而另一个则接近洛仑兹振子的共振频率;在失谐频率比较小时,光与洛仑兹振子间的耦合作用较大,简正耦合模与未耦合的腔模频率和洛仑兹振子的共振频率之间的差别较为明显.最后通过引进该结构的复有效折射率,对含色散介质的系统,由于带隙中间的共振模被湮灭并分裂为左右两个耦合模,其复有效折射率虚部在原共振峰处跃变为一较大值,而在新生成的两个耦合模附近趋近于零,光与色散介质相互耦合而形成的腔极化激元的物理图像十分清晰.  
        关键词：光自晶体;色散介质;复有效折射率;透射谱   
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        更新时间：2020-08-11

      • 抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量和光学声子平均数

        丁朝华, 赵翠兰, 肖景林
        2005, 26(6): 704-708.
        摘要：讨论电子与体纵光学(LO)声子弱耦合时对抛物量子线中极化子性质的影响.采用Tokuda改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,导出了抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量和光学声子平均数随拉格朗日乘子变化的规律及极化子振动频率随量子线约束强度的变化规律.并以ZnS量子线为例进行了数值计算,结果表明:抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量m*和光学声子平均数N随着拉格朗日乘子u的增加而增大;该结论与体材料中结论基本一致,但量子线中的效应比体材料更明显,表明量子线对电子约束的增强,使极化子效应更明显.同时,极化子振动频率λ随约束强度ω0的增强而增大.  
        关键词：抛物量子线;极化子;有效质量;光学声子平均数;弱耦合   
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        更新时间：2020-08-11

      • 抛物量子阱中束缚极化子的极化势和结合能

        元丽华, 王旭, 安张辉, 马军
        2005, 26(6): 709-713.
        摘要：利用改进的Lee-Low-Pines(LLP)方法,用变分法计算了无限深抛物量子阱中同时考虑与体纵光学声子和界面纵光学声子相互作用的束缚极化子的极化势和结合能.数值计算得出:阱宽较大时极化势很小,阱宽较小时极化势较大,所以对于较窄的抛物阱必须考虑极化势.对于给定阱宽的抛物阱,随着远离阱中心极化势迅速减小,当到达阱的界面附近极化势又开始增大.阱宽较小时,束缚极化子的结合能随着阱宽L的增大而急剧减小;阱宽较大时,结合能减小的非常缓慢,最后接近体材料中的三维值.  
        关键词：抛物阱;极化子;电子-声子相互作用   
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        更新时间：2020-08-11

      • 柱形量子线中体纵光学声子平均数

        薛惠杰, 肖景林
        2005, 26(6): 714-718.
        摘要：考虑电子与体纵光学声子相互作用时,采用LLP变分方法,研究柱形量子线中极化子性质,导出了柱形量子线中极化子光学声子平均数随量子线截面半径和电子-LO声子耦合强度的变化关系.结果表明柱形量子线中极化子的光学声子平均数随量子线截面半径减小而减小,随电子-LO声子耦合强度增强而增加.  
        关键词：光学声子平均数;柱形量子线;量子线截面半径   
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        更新时间：2020-08-11

      • 氮化物抛物量子阱中类氢杂质态能量

        赵凤岐, 萨茹拉, 乌仁图雅
        2005, 26(6): 719-722.
        摘要：采用变分方法研究氮化物抛物量子阱(GaN/AlxGa1-xN)材料中类氢杂质态的能级,给出基态能量、第一激发态能量、结合能和跃迁能量等物理量随抛物量子阱宽度变化的函数关系.研究结果表明,基态能量、第一激发态能量、基态结合能和1s→2p±跃迁能量随着阱宽L的增大而减小,最后接近于GaN中3D值.GaN/Al0.3Ga0.7N抛物量子阱对杂质态的束缚程度比GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱强,因此,在GaN/Al0.3-Ga0.7N抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子比在GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子稳定.  
        关键词：氮化物抛物量子阱;类氢杂质态;结合能   
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        更新时间：2020-08-11

        稀土和过渡族离子的发光

      • Yb:YAG晶体的闪烁特性

        杨培志, 邓佩珍, 徐军, BELOGUROV S
        2005, 26(6): 723-726.
        摘要：通过不同Yb3+掺杂浓度(5%~30%,原子数分数)的Yb:YAG晶体的阴极射线发光谱、衰减时间、光输出及其温度依赖关系的测量,研究了Yb:YAG晶体的闪烁性能.不同Yb3+掺杂浓度的Yb:YAG晶体具有不同的光输出和猝灭温度,光输出随Yb3+掺杂浓度的增大而降低,猝灭温度则随掺杂浓度的增大而升高.室温下Yb:YAG晶体的发光衰减时间较短,均小于50ns.Yb3+掺杂浓度为5%的Yb:YAG晶体具有较高的光输出和较低的猝灭温度.  
        关键词：Yb:YAG;闪烁性能;中微子;光产额;浓度猝灭   
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        更新时间：2020-08-11

      • 基质组成对Eu,Dy共掺杂铝酸锶发光性能的影响

        吕兴栋, 方勤, 舒万艮
        2005, 26(6): 727-732.
        摘要：研究了基质组成对xSrO·yAl2O3:Eu2+,Dy3+体系长余辉发光性能的影响,并对其影响机理进行了探讨.XRD分析结果和长余辉发光性能表明,改变Al2O3/SrO比率可以获得长余辉发光性能较好的三种基质相:SrAl2O4:Eu2+,Dy3+、Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+和SrAl4O7:Eu2+,Dy3+.激发与发射光谱性能分析和余辉衰减特性分析结果表明,随着基质中Sr/Al比例的减小,激发光谱向短波方向延伸,发射峰蓝移,初始余辉亮度越高,余辉持续时间越长.热释光谱分析表明,贫锶相晶格中的陷阱深度与密度较大,因而显示出较好的长余辉发光性能.  
        关键词：相组成;铝酸盐;发光;余辉   
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        更新时间：2020-08-11

      • 退火处理对ZnS:Cu,Mn电致发光材料亮度的影响

        董国义, 林琳, 韦志仁, 窦军红, 葛世艳, 李军, 刘超, 李志强
        2005, 26(6): 733-736.
        摘要：ZnS系列电致发光已经在低亮度照明、液晶显示、汽车和航空仪表等领域得到广泛的应用.Mn、Cu是ZnS电致发光材料常用的激活剂,Mn2+在晶体中形成橙色发光中心,发光中心波长580nm;Cu+在晶体中不但形成发光中心,还形成发光所必需的CuxS,因此二者对发光亮度有明显的影响.由于ZnS:Cu,Mn橙色发光材料中的Mn掺杂量较大,影响了发光材料的内在结构,在灼烧过程中Mn化合物的其他成分还可能对发光材料的亮度产生了不利的影响,导致发光材料的亮度远低于蓝绿色材料.采用在退火过程中添加适量的Mn、Cu化合物,通过低温扩散的方式,使Mn2+均匀进入到ZnS晶格,获得了亮度较高的ZnS:Cu,MnACEL粉末材料.并对制备工艺中Cu、Mn含量、掺杂Mn化合物的形式、退火温度等对发光亮度的影响进行了讨论.实验中发现,在三种Mn化合物中(碳酸锰、乙酸锰、硫酸锰),以乙酸锰掺杂的材料亮度最高.得到Mn(以乙酸锰为添加物)的添加量为2%、Cu的添加量为0.1%、退火温度为700℃时,所制备的材料亮度最高.低温退火时掺杂Mn的材料亮度比常规材料的亮度高出1倍.  
        关键词：高亮度;橙色;电致发光;硫化锌   
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        更新时间：2020-08-11

      • Eu,Dy共掺铝硼硅酸盐的长余辉发光玻璃

        陆晓军, 肖志义, 张希艳, 叶伟光
        2005, 26(6): 819-822.
        摘要：选择铝硼硅酸盐玻璃体系,高温熔融法制备了Eu,Dy掺杂的铝硼硅酸盐基质透明的玻璃,并对其进行了激发光谱和发射光谱的表征分析.实验结果表明:在空气气氛条件下制备的Eu3+,Dy3+掺杂的铝硼硅酸盐基质玻璃样品并不具备长余辉发光特性;而经过还原气氛处理后,Eu离子以二价形式存在,样品具有长余辉发光现象.其激发光谱是位于250~450nm的宽带谱,发光光谱峰值位于462nm处.  
        关键词：长余辉;发光玻璃;Eu2+;Dy3+共掺   
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        更新时间：2020-08-11

        无机、有机电致发光

      • 以LiF修饰阴极的有机电致发光器件性能的提高

        黄永辉, 李宏建, 代国章, 谢强, 潘艳芝, 戴小玉
        2005, 26(6): 737-742.
        摘要：提出了用一种无机半导体的模型来计算有机电致发光器件(OELDs)的J-V特性.通过在金属/有机物界面插入薄LiF层,由此引入的偶极子能极大地降低了电子的注入势垒和OELDs的开启电压.从而,载流子的注入得到了平衡,OELDs的性能得到了较大提高.经过数值计算,发现LiF插入层有一个约为1.5~5.0nm的最优厚度.LiF层太厚或太薄都会提高器件的开启电压、降低器件的性能.结果表明:这一模型可以用来解释OELD通过LiF修饰阴极后性能的提高.  
        关键词：有机电致发光器件;电极修饰;界面偶极子   
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        更新时间：2020-08-11

      • 新型蓝光OLED材料和器件

        陈志坚, 李福山, 龚旗煌
        2005, 26(6): 743-747.
        摘要：基于有机材料的电致发光技术可以应用于超薄平面显示和有机固体激光器等方面,在近20年来取得了飞速的发展,基本实现了红、绿、蓝三基色发光.绿色材料发展最快,基本达到了商业化实用阶段,而红色和蓝色材料的问题较多,特别是稳定、高效率的蓝光更具有挑战性.综述了近期我们对蓝光材料的分子设计与合成,以及蓝光器件的一些研究.主要包括金属络合物2,3-二甲基-8-羟基喹啉锂和聚芴衍生物树枝状的聚芴化合物的蓝光材料,以及利用基激复合态实现蓝光的电致发光器件.通过光致发光、电致发光光谱以及电压-电流-发光亮度特征曲线等研究了这些发光材料和器件的性质.现在蓝光器件的色纯度和工作寿命还有待提高.  
        关键词：有机电致发光;金属络合物;聚芴衍生物   
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        更新时间：2020-08-11

      • 开链冠醚Schiff碱-锌配合物的合成与表征及其PL和EL特性

        俞天智, 苏文明, 李文连, 洪自若, 华瑞年, 初蓓, 李明涛, 李斌, 辛琦
        2005, 26(6): 823-826.
        摘要：合成了一种含萘酚基的开链冠醚Schiff碱-锌配合物ZnL(其中配体化合物H2L是N,N'-双(2-羟基-1-萘亚甲基)-3,6-二氧杂-1,8-三甘醇二胺).通过元素分析、红外光谱、差热-热重分析、紫外吸收光谱、荧光光谱和循环伏安法对其结构和性质进行了表征,并成功地制备了基于该材料的电致发光器件.结果表明,ZnL配合物的溶液或固体薄膜在385nm紫外光激发下发光峰为455nm,电致发光器件的最大亮度达到650cd/m2,在电压为9.5V左右,最大效率达到0.63cd/A.  
        关键词：开链冠醚;Schiff碱-锌配合物;荧光光谱;有机电致发光   
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        更新时间：2020-08-11

        半导体发光、激光和光电性质

      • MOCVD侧向外延GaN的结构特性

        方慧智, 陆敏, 陈志忠, 陆羽, 胡晓东, 杨志坚, 张国义
        2005, 26(6): 748-752.
        摘要：侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的.观察ELO-GaN扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三角空洞,并且侧向接合导致上述小丘群.X射线衍射(XRD)曲线表明,掩膜边界处的GaN晶面有倾斜.拉曼散射谱表明,掩膜区GaN质量相对于窗口区大为提高.ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高.  
        关键词：侧向外延;金属有机化学气相沉积;氮化镓;原子力显微镜;拉曼散射   
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        更新时间：2020-08-11

      • 非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性

        邓浩亮, 贾国治, 姚江宏, 徐章程
        2005, 26(6): 753-756.
        摘要：非对称双量子阱中载流子动力学过程的温度依赖性研究,对于实现室温下高效的量子阱光电器件有着非常重要的意义.随着温度的升高,量子阱中的载流子被热激发到势垒层中后,部分载流子会被量子阱再俘获,即在不同的量子阱之间发生了载流子的耦合.利用耦合多量子阱载流子动力学模型,模拟了非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性.研究表明,在不同温度下,各量子阱的光致荧光强度比强烈地依赖于量子阱的激活能差.光致荧光强度比的最大值与激活能差成指数关系,而其所对应的温度与激活能差成线性关系.  
        关键词：非对称双量子阱;光致荧光强度比;热逃逸;再俘获   
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        更新时间：2020-08-11

      • Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触

        冯玉春, 张建宝, 朱军山, 杨建文, 胡加辉, 王文欣
        2005, 26(6): 757-760.
        摘要：通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了Ni层厚度和Ni层的高温退火对Ni/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了Ni/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化Ni金属层的方法.获得接触电阻率(ρc)小于9.5×10-5Ω·cm2,透过率达到74%(470nm)的Ni/ITO-p-GaN电极.  
        关键词：p型氮化镓;Ni-铟锡氧化物(Ni/ITO);欧姆接触   
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        更新时间：2020-08-11

      • 结温与热阻制约大功率LED发展

        余彬海, 王浩
        2005, 26(6): 761-766.
        摘要：LED结温高低直接影响到LED出光效率、器件寿命、可靠性、发射波长等.保持LED结温在允许的范围内,是大功率LED芯片制备、器件封装和器件应用等每个环节都必须重点研究的关键因素,尤其是LED器件封装和器件应用设计必须着重解决的核心问题.首先介绍pn结结温对LED器件性能的影响,接着分析大功率LED结温与器件热阻的关系.基于对器件热阻的分析,得出了结温与热阻已经制约大功率LED进一步向更大功率发展的结论,并提出了如下两个观点:1.要在保持低成本和自然散热方式下提高LED器件的功率,根本的出路是提高光转换效率;2.在目前没有提高光转换效率的情况下,发展超过5W的大功率器件对工程应用没有实质意义.  
        关键词：大功率LED;结温;热阻   
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        更新时间：2020-08-11

      • 不同矿化剂对水热法合成ZnO晶体形态的影响

        韦志仁, 葛世艳, 窦军红, 刘超, 李军, 林琳, 董国义
        2005, 26(6): 767-771.
        摘要：研究了在350℃,填充度为35%时,分别以不同浓度的NaOH和KOH为矿化剂,合成具有不同晶体形态的氧化锌晶体.当以KOH为矿化剂,浓度小于2mol·L-1时,只能合成出微米级晶体,随着矿化剂浓度增加,开始出现大的晶体,最大晶体的长度为50~100μm;如以NaOH作矿化剂,当矿化剂浓度为2mol·L-1时,即可以合成出个体较大的晶体长度,最大晶体的长度达到100μm.提高矿化剂浓度,有利于合成个体更大的晶体,其长度远远大于以KOH作矿化剂时的晶体长度,最长为200~300μm,证实在350℃,以NaOH作矿化剂比KOH更易获得个体较大的晶体.  
        关键词：水热法;氧化锌;矿化剂;晶体形态   
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        更新时间：2020-08-11

      • 常压MOCVD生长ZnO/GaN/Al2O3薄膜及其性能

        戴江南, 王立, 方文卿, 蒲勇, 莫春兰, 熊传兵, 郑畅达, 刘卫华, 江风益
        2005, 26(6): 772-776.
        摘要：以去离子水(H2O)和二乙基锌(DEZn)为源材料,生长温度是680℃时,利用常压MOCVD在GaN/Al2O3模板上成功生长了ZnO单晶薄膜,用原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(DCXRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜的表面形貌、结晶学性质、光学性质作了综合研究.双晶衍射表明,ZnO非对称(101-2)面ω扫描的半峰全宽(FWHM)仅为420arcsec,估算所生长ZnO膜的位错密度大约为108/cm2量级,这与具有器件质量的GaN材料的位错密度相当.在ZnO薄膜的低温15K光荧光谱中,观察到很强的自由激子和束缚激子发射以及自由激子与束缚激子的多级声子伴线.  
        关键词：金属有机化学气相沉积;GaN/Al2O3;原子力显微镜;X射线双晶衍射;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 表面预处理对氧化锌薄膜质量的影响

        闫小龙, 刘大力, 石增良, 董鑫, 高忠民, 杜国同
        2005, 26(6): 777-780.
        摘要：用MOCVD方法在c面蓝宝石衬底上生长ZnO薄膜.生长前衬底表面进行预处理,观察不同表面预处理对ZnO薄膜质量的影响.测量氧化锌的XRD谱,观察表面预处理后对氧化锌薄膜结晶质量的影响.室温下用325nm的He-Cd激光器作为激发源测量ZnO薄膜的紫外发光谱,观察表面处理后对ZnO薄膜发光特性的影响.用HL5500 Hall System分别对ZnO薄膜的电学特性进行了测试.得到了ZnO薄膜的电阻率和霍尔迁移率,并得到氧气气氛处理后电阻率变小,霍尔迁移率变大;氮气气氛射频处理后电阻率变大,霍尔迁移率变小的结果.  
        关键词：ZnO薄膜;金属有机化学气相沉积;表面预处理   
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        更新时间：2020-08-11

      • 气相沉积法生长不同结构ZnO纳米线及其发光

        胡俊涛, 郭常新, 陈建刚, 张琳丽
        2005, 26(6): 781-784.
        摘要：用Zn粉、Zn/In2O3/C粉作为不同锌源,通过气相沉积法在空气或N2/O2混合气氛下生长出多种形貌的ZnO纳米线(如:四脚状、多脚状、梳子状、绒棒状,以及纳米棒、纳米丝、纳米带等多种形貌),直径约为50~1000nm,长度约为1~20μm.测量了样品的XRD谱、扫描电镜、透射电镜和选区电子衍射像,证明这些样品都是六方纤锌矿结构的ZnO单晶.四脚状样品的PL光谱显示样品存在近紫外峰(380nm)和绿峰(500nm)两个发射带,半峰全宽分别约为15,90nm,其峰值强度比其他方法(如溶液法)制得样品的峰值强.样品的尺寸对光谱强度有一定影响,但对谱峰位置并无影响.用He-Cd激光器的325nm激光对四脚状样品进行发射光谱分析,发现其近紫外激子发光大大增强而绿色缺陷发光相对较弱,近紫外的峰值位于383nm,半峰全宽约为16nm;绿峰峰值位于515nm,半峰全宽约为76nm.  
        关键词：氧化锌;纳米线;发光;气相沉积法   
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        更新时间：2020-08-11

        纳米和无定型材料的发光

      • 纳米MEH-PPV阵列的光致发光

        孔凡, 黄高山, 杨益民, 杨昌正, 吴兴龙, 鲍希茂, 袁仁宽
        2005, 26(6): 785-788.
        摘要：以多孔氧化铝为模板,将可溶性发光聚合物聚(2-甲氧基-5-(2'-乙基己氧基)-1,4-对苯乙炔)(MEH-PPV)镶嵌在纳米孔中,制备出高发光效率的纳米发光聚合物阵列,其光学特性与MEH-PPV薄膜显著不同.纳米孔内的MEH-PPV分子链形成链束,链束中的分子链数目依赖于制备纳米MEH-PPV阵列所用溶液的浓度.相对于稀溶液,在由浓溶液制备的纳米MEH-PPV阵列中,MEH-PPV链束的分子链数目较多,链间作用使MEH-PPV的能带展宽,能隙减小,因而浓溶液获得的纳米MEH-PPV阵列的光致发光峰红移.热处理纳米MEH-PPV阵列的PL谱表明,纳米孔内的聚合物分子链的弛豫运动受到限制.  
        关键词：PPV及其衍生物;光致发光;纳米材料   
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        更新时间：2020-08-11

      • 980nmLD激发下Yb3+,Er3+:Y2O3纳米晶粉体的上转换发光

        章健, 王士维, 安丽琼, 刘敏, 陈立东
        2005, 26(6): 789-793.
        摘要：用共沉淀法合成出Yb3+,Er3+离子双掺杂的Y2O3粉体,X射线衍射结果表明所制备粉体为立方Y2O3结构.场发射扫描电镜照片显示其颗粒形状为球形,粒径为60~80nm;该粉体在波长为980nm的半导体激光器激发下发射出中心波长为562nm的绿色和660nm的红色上转换荧光,分别对应于Er3+离子的4S3/2/2H11/2→4I15/2跃迁和4F9/2→4I15/2跃迁.发光强度和激发功率关系的研究揭示其均为双光子过程,能量传递和激发态吸收是上转换发光的主要机制.由于其高效的上转换发光性能,这种材料有可能应用于荧光标记和红外探测方面.  
        关键词：Y2O3纳米晶粉体;上转换发光;激发态吸收;能量传递   
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        更新时间：2020-08-11

      • 聚合物前驱体制备氮化硅纳米纤维及其发光

        徐世峰, 王岩松, 范翊, 褚明辉, 罗劲松, 王文全, 安立楠, 张立功
        2005, 26(6): 794-798.
        摘要：由聚硼硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解得到氮化硅纳米纤维,确定了样品结构为α相,讨论了纳米纤维的生长模式属于气-液-固生长机制.在室温下用488nm激光对样品激发,观察到样品有很宽的强光致发光带,并有两个发光中心,这种强的可见光致发光主要来自氮化硅的内禀Si和N的悬键.测量了纳米纤维的室温吸收光谱,得到氮化硅纳米纤维的光学带隙为4.80eV.  
        关键词：聚合物前驱体;氮化硅;纳米纤维;吸收光谱;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

        有机和生物发光

      • 掺钙、钡苯甲酸铕配合物的红外光谱和荧光性能

        温孝春, 赵永亮
        2005, 26(6): 799-803.
        摘要：将苯甲酸钠分别加入到氯化钙和氯化铕以及氯化钡和氯化铕混合溶液中反应,制备了苯甲酸铕-钙和苯甲酸铕-钡两个系列的三元固体配合物,其化学组成式为(Eu1-xCax)L3-x和(Eu1-xBax)L3-x(其中L为苯甲酸根,x=0~1.0),研究了它们的红外光谱和荧光性能.由红外数据表明,配合物中对称和反对称伸缩振动吸收峰发生了分裂,而且羧基伸缩振动随钙离子(钡离子)含量的增加发生规律性变化.荧光光谱实验结果表明,在一定范围内,用不发光的钙离子或者钡离子取代苯甲酸铕中部分Eu3+离子,可以使Eu3+离子的特征荧光发射增强,表明碱土金属可以敏化Eu离子.  
        关键词：铕-钙配合物;铕-钡配合物;苯甲酸;荧光光谱   
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        更新时间：2020-08-11

      • 溶剂效应对DCM发光特性的影响

        张洁, 曹玲芳, 陈丹, 连加荣, 刘彭义, 李树玮, 杨国伟, 周翔
        2005, 26(6): 804-806.
        摘要：有机发光二极管利用有机半导体光电功能材料的电致发光效应,具有许多优异性能,是新一代有发展前途的平板显示器件及光源.有机发光材料的光电特性、光物理、光化学过程直接决定了有机发光二极管的性能.利用荧光光谱方法观察典型高效有机小分子激光染料DCM在不同溶剂中的发光特性,研究其与溶剂分子的相互作用,即溶剂效应对其发光特性的影响.结果表明DCM溶液的荧光光谱中心波长随溶剂极性增大而红移,相对发光强度基本上随溶剂极性增大.同时,还观察了不同浓度DCM溶液的发光特性,研究DCM分子间相互作用导致的浓度猝灭效应,结果表明DCM溶液浓度为10-6mol/L时,DCM溶液相对发光强度最大.  
        关键词：有机发光材料;DCM;溶剂效应;浓度猝灭效应   
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        更新时间：2020-08-11

        其它

      • 射线探测用碲锌镉晶体及其器件研究

        黄晖, 潘顺臣, 姬荣斌, 杨文运, 赵增林
        2005, 26(6): 807-812.
        摘要：采用改进的布里奇曼(Bridgman)方法进行锌组分为0.15碲锌镉(Cd0.85Zn0.15Te)晶体的生长.通过严格控制晶体生长过程中Cd的蒸气分压,使得所生长的碲锌镉晶体在结晶质量方面达到了较好的水平.对其性能进行测试,红外透射比T>60%、沉积相密度<1×104/cm2、位错腐蚀坑密度DEPD<6×104/cm2、X射线衍射双晶回摆曲线半峰全宽FWHM<20arcsec、电阻率ρ>104Ω·cm.利用所生长的晶体初步制作了平面型单元碲锌镉射线探测器,所用晶体的尺寸为5mm×5mm×2.5mm,制成的探测器在室温下对125I和241Am放射源进行了探测测量.对125I放射源,探测出了强度为74.5%的27.5keV的γ射线特征峰,不能仔细分辨出强度为39.8%的27.2keV的γ射线特征结构;对241Am放射源,探测出了59.5keV的γ射线特征峰,分辨率优于6keV,半峰全宽FWHM<10%,同时还能检测出Te、Cd的X射线逃逸的混合峰以及241Am低能Te-K系、Np-L系的两个X射线特征峰.  
        关键词：射线探测器;碲锌镉晶体;布里奇曼(Bridgman)生长方法;X射线;γ射线   
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        更新时间：2020-08-11

      • CsI/MCPX射线阴极及其在低强度X射线影像仪中的应用

        吴奎, 新梅, 李野, 王国政, 姜德龙, 端木庆铎, 田景全
        2005, 26(6): 813-818.
        摘要：报道了X射线阴极的光电发射原理,给出CsI/MCPX射线阴极的制作方法.分析了反射式和透射式X射线阴极的量子效率和噪声特点,提出了改进工艺,给出CsI/MCP的输出特性和扫描电镜正面和剖面照片,且指出Lixiscope的发展以及在生物医学中的应用前景.  
        关键词：软X射线阴极;CsI/MCP结构;X射线像增强器;低强度X射线影像仪   
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        更新时间：2020-08-11
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