最新刊期
      2005年第26卷第5期

        研究论文

      • 碳纳米管场发射显示器的研究进展

        朱长纯, 刘兴辉
        2005, 26(5): 557-563.
        摘要：碳纳米管因具有良好的电子发射特性而成为理想的场发射阴极材料,利用碳纳米管作阴极的场致发射平板显示器件的研究是目前显示技术领域的研究热点之一。报道了场发射显示器(FED)的结构及工作原理、阴极发射材料应具有的特点及碳纳米管在场发射领域中的应用情况。详细地论述了碳纳米管的场致发射特性,包括开启电场、发射电流密度、电流稳定性及发射点密度等,对国内外碳纳米管场发射显示器的发展现状及趋势作了回顾和展望,并对目前所面临的主要问题作了分析,同时提出了一些改进的思路。  
        关键词：碳纳米管;场致发射;显示器   
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        更新时间：2020-08-11

      • 抛物量子点中弱耦合束缚极化子的性质

        陈英杰, 肖景林
        2005, 26(5): 564-568.
        摘要：研究了抛物量子点中弱耦合束缚极化子的性质。采用线性组合算符和幺正变换方法导出了束缚极化子的振动频率和基态能量。讨论了量子点的有效受限长度、电子-LO声子耦合强度和库仑场对抛物量子点中弱耦合极化子的振动频率和基态能量的影响。数值计算结果表明:弱耦合束缚极化子的振动频率和基态能量随有效受限长度的增加而减小,振动频率随库仑势的增加而增加,基态能量随耦合强度、库仑势的增加而减小。  
        关键词：抛物量子点;弱耦合;束缚极化子;有效受限长度   
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        更新时间：2020-08-11

      • Morse势阱中线性和三阶非线性光折射率的改变

        于凤梅, 郭康贤, 王克强
        2005, 26(5): 569-574.
        摘要：利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法,导出莫尔斯(Morse)势阱中线性和三阶非线性光折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs Morse势阱为例进行数值计算。数值结果表明,随着入射光强度增强,总的折射率改变将减少;随着势阱参数a的增大,总的折射率改变将减小;而随着载流子浓度的增加,总的折射率改变将增加。结果表明要获得较大的折射率改变,则需选取较小的入射光强度,较小的参数a,较大的载流子浓度,从而为实验研究提供理论依据。  
        关键词：非线性光学;光折射率改变;Morse势阱;密度矩阵方法   
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        更新时间：2020-08-11

      • 量子阱中极化子的声子平均数

        刘伟华, 肖景林
        2005, 26(5): 575-580.
        摘要：采用有效质量近似下的变分法,考虑到电子同时与表面光学声子和体纵光学声子相互作用,研究了无限深量子阱中极化子的表面光学声子平均数,体纵光学声子平均数和光学声子平均数。讨论了电子与体纵光学声子耦合强度α,阱宽L和势垒材料AlxGa1-xAs中Al的含量x对上述光学声子平均数的影响。以GaAs/AlxGa1-xAs量子阱为例进行了数值计算。结果表明:量子阱中表面光学声子平均数随耦合强度α,阱宽L和Al含量x增大而增大。量子阱中体纵光学声子平均数随耦合强度α,阱宽L的增大而增大。光学声子平均数随耦合强度α,阱宽L和Al含量x的增大而增大。  
        关键词：量子阱;变分法;声子平均数   
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        更新时间：2020-08-11

      • Ce3+离子激活的SrB4O7的VUV光谱

        叶祥, 梁宏斌, 苏锵, 陶冶, 徐建华, 黄艳
        2005, 26(5): 597-601.
        摘要：Ce3+只有一个4f电子,具有最简单的4f15d0基态结构,其激发光谱直接反映了5d轨道的能量状态。由于同一基质晶格相同格位上不同稀土离子受基质晶体场影响相近,所以根据Ce3+离子的光谱可以推测和分析其他稀土离子的5d轨道能量,是研究其他稀土离子f-d跃迁的基础。采用高温固相法合成了Ce3+离子激活的SrB4O7发光体,测定了样品在130~350nm波长范围的激发光谱和相应的发射光谱。指认了VUV激发光谱上Ce3+离子的5个4f1→4f05d1跃迁激发带,讨论了SrB4O7的基质吸收带和Ce3+的5d轨道在SrB4O7中的晶体场劈裂、5d轨道能级重心及SrB4O7:Ce3+的发射光谱和Stokes位移。  
        关键词：发光;四硼酸锶;铈;真空紫外光谱   
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        更新时间：2020-08-11

      • MOCVD生长的InGaN合金的发光特性

        竹有章, 陈光德, 谢伦军, 唐远河, 邱复生
        2005, 26(5): 602-606.
        摘要：研究了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石基底上生长的InGaN样品的发光特性。样品XRD谱中存在InGaN、In、InN相,表明样品中存在相分离;透射谱能看到由于F-P腔调制引起的震荡;相对氙灯激发发光谱,激光激发的发光谱其发光峰位置发生蓝移。由于样品上下表面形成F-P腔,对发光谱产生强烈的调制,在较高强度激发下,在室温下带边峰分成三个峰,其中波长较短的两个发光峰表现出相同的特征,其发光机制可能为以In量子点为局域中心的局域化激子复合发光,而波长较长的发光峰,是一个超线性受激发光峰,其发光机制可能是电子-空穴等离子的散射。不同温度的PL谱表明两个主要的发光峰表现出不同的温度特征,利用F-P干涉理论分析可知,当温度高于120K后样品折射率随着温度的升高而增大。  
        关键词：InGaN;光致发光;F-P腔;受激辐射;折射率   
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        更新时间：2020-08-11

      • 多量子阱超辐射发光二极管(SLD)热分布计算

        李岚, 傅丽伟, 张纳, 陶怡, 李光旻
        2005, 26(5): 607-610.
        摘要：对由8个量子阱所组成的条形超辐射发光二极管(Super luminescent diode,SLD)进行了热分析,计算了不同器件结构下的热阻和温度分布。计算结果表明,热阻变化受芯片宽度和长度的影响较大,可以达到两个数量级;当注入功率达到1W时,有源区的温度将接近50K。该分析对有效地设计芯片的结构,减少温度升高对SLD稳定性的影响具有指导意义。  
        关键词：超辐射发光二极管;热阻分布;有源区   
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        更新时间：2020-08-11
      • 陈玉凤, 温战华, 王立, 戴江南, 方文卿, 江风益
        2005, 26(5): 611-616.
        摘要：研究了氧气退火和氮气退火对ZnO薄膜发光特性的影响。ZnO膜是采用常压金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上生长的。原生样品1有一很强的紫外峰及较强的绿光峰(525nm附近);原生样品2有很强的紫外峰,深能级发光几乎观察不到。然后从不同原生膜上取两块小样品,分别在氧气和氮气中退火,退火温度是400,500,600,700,800℃。结果表明,在700℃以下退火,退火气氛对ZnO膜的深能级发光影响较大;超过700℃后,退火温度对ZnO薄膜的发光影响大,但退火气氛影响不太明显。通过退火对ZnO薄膜发光特性的影响,讨论了ZnO膜中525nm附近绿光峰的起源。  
        关键词：退火;薄膜;ZnO;金属有机化学气相沉积;绿光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 白光LED的加速老化特性

        林亮, 陈志忠, 陈挺, 童玉珍, 秦志新, 张国义
        2005, 26(5): 617-621.
        摘要：对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均增加,而串联电阻段则变化较小,这是位错密度升高和金属杂质沿着螺旋位错聚集及移动的结果;电容-电压(C-V)曲线中反向偏压下电容减少,正向偏压下电容增大,这是由于螺位错和混合位错产生了漏电的通道;电致发光光谱中黄光荧光成分比重增加;光通量随时间开始缓慢降低,在某一个时刻突然急剧降低,显示各个老化因素累积的影响会在某一时刻导致白光LED突然失效。最后使用阿列纽斯关系计算出所用白光LED的寿命为2.3万小时。  
        关键词：GaN基白光LED;老化;电流-电压;电容-电压;光通量;寿命   
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        更新时间：2020-08-11

      • CdSe纳米晶的制备条件对发光特性的影响

        唐爱伟, 滕枫, 高银浩, 梁春军, 王永生
        2005, 26(5): 622-626.
        摘要：以巯基乙酸为稳定剂,在水相中制备了CdSe纳米晶水溶胶,并用X射线光电子能谱和透射电子显微镜对其进行了表征,证明了CdSe纳米晶的形成。研究了在不同反应时间所制备的CdSe纳米晶的XRD谱以及吸收光谱和发射光谱的变化情况,并且还研究了不同反应物配比情况下的发射光谱的变化,结果表明改变CdSe纳米晶的制备条件,将会对CdSe纳米晶的发光特性有显著的影响。  
        关键词：CdSe纳米晶;制备条件;发光特性   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnS纳米棒阵列的结构和光学特性

        冯秋菊, 申德振, 张吉英, 梁红伟, 吕有明, 范希武
        2005, 26(5): 627-630.
        摘要：采用等离子体辅助的低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在没有引入任何金属催化剂的条件下,在c平面的蓝宝石衬底上制备出高取向的ZnS纳米棒阵列。从样品的场发射扫描电镜(SEM)和透射电镜的照片(TEM)中可以看到,获得的ZnS纳米棒具有均一的直径和长度,其直径和长度约为60,400nm;X射线衍射(XRD)和选区电子衍射(SAED)谱指出获得的ZnS纳米棒为单晶的六角结构。此外,在光致发光(PL)谱中还观测到了发光峰位于335nm强的近带边发射。  
        关键词：ZnS纳米棒;金属有机化学气相沉积;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 多孔氧化铝模板制备ZnS纳米线阵列及其光致发光谱

        艾汉华, 万淼, 任璐, 段金霞, 黄新堂
        2005, 26(5): 631-635.
        摘要：利用阳极氧化铝(AAO)模板,采用电化学沉积方法制备出了ZnS纳米线阵列。扫描电子显微镜(SEM)结果显示,AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致(约50nm),孔口呈六边形。TEM结果显示硫化锌纳米线的直径约50nm(与AAM模板孔径一致),长度约为20μm(与AAM模板厚度一致)。电子衍射结果表明ZnS纳米线为多晶结构。比较了AAO模板组装ZnS纳米线阵列前后的光致发光谱,所得光谱显示,组装了ZnS纳米线阵列的模板的光致发光谱比没有组装的空模板相比多出两个发射峰,分别位于409,430nm,且其发光强度随激发波长的增长而增强。解谱分析表明,这即为ZnS纳米线阵列的发光光谱的两个发射峰,是由导带与受主能级间的跃迁发光和施主与受主能级间的复合跃迁发光共同作用所致。发现由于纳米线尺寸的单一性,发射峰窄化明显,半峰全宽较小,这种现象在其他文献中未曾报道过。  
        关键词：AAO;硫化锌;纳米线;阵列;光致发光谱   
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        更新时间：2020-08-11
      • 王莉, 赵艳娥, 赵福利, 陈弟虎
        2005, 26(5): 636-640.
        摘要：利用金属蒸汽真空弧离子源(MEVVA)进行离子束合成,制备了过剂量C+离子注入到单晶硅衬底的样品。然后利用热退火,在表层制备了连续β-SiC层,形成表层SiC/Si的异质结构。利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)对其成键特征和微结构进行了分析,通过光电子能谱分析(XPS)和原子力显微镜(AFM)分析了样品的成分分布及其表面形貌。最后对其室温下的光致发光特性随热退火的时间和温度的变化进行了研究。结果表明:光致发光谱(PL)表现出430,560nm两个发光峰,分别对应于纳米碳化硅和块状立方碳化硅发光的特征峰。我们认为小颗粒的晶化碳化硅的尺寸及其相对比例对PL发光峰位和强度有较大的影响,用纳米晶粒量子效应(NSUQC)理论和表面态理论对发光现象及其变化规律进行了初步的解释。  
        关键词：纳米SiC;离子注入;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 聚合物前驱体衍生SiC纳米棒的光学性质

        褚明辉, 金华, 杨为佑, 谢志鹏, 安立楠, 张立功
        2005, 26(5): 641-646.
        摘要：采用聚硅氮烷前驱体热裂解方法制备SiC纳米棒,并利用SEM、XRD和EDX表征了SiC纳米棒的结构和组成,表明得到的SiC的组分比C:Si接近1:1。用微区Raman和光致发光方法研究了纳米棒的光学性质。观测到SiC的TO模式对应的Raman峰和相邻肩峰。对SiC纳米棒观测到其紫外3.25eV附近强的光致发光峰,我们认为它归结为α型SiC带间的跃迁。通过XRD、Raman和光发射谱,我们推测前驱体热裂解得到的SiC纳米棒是一个混晶,纳米棒的表层是立方晶,而内层主要为a-SiC。  
        关键词：SiC;纳米棒;拉曼光谱;光致发光;光吸收   
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        更新时间：2020-08-11

      • 稀土掺杂硅基薄膜的高效发光特性

        元美玲, 汪庆年, 张晓峰, 王水凤, 姜乐
        2005, 26(5): 651-654.
        摘要：测量了在不同离子注入剂量,不同退火条件下的Nd注入Si基晶片室温光致发光谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。在实验室条件下,对掺杂硅片和单晶硅片进行电化学腐蚀制成多孔硅样片,同时用适当配比的HNO3对以单晶硅为基底的多孔硅进行处理,测试了腐蚀后各类样品的光致发光(PL)谱。发现掺稀土Nd的多孔硅和用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。  
        关键词：Nd掺杂;多孔硅;酸处理;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 不同形态MEH-PPV的构象及其光学特性

        袁仁宽, 孔凡, 欧昌刚, 郑怡, 张苏洋, 杨昌正, 鲍希茂, 吴兴龙
        2005, 26(5): 655-658.
        摘要：通过对在固溶体、稀溶液、薄膜和纳米孔中MEH-PPV的PL和PLE谱的测量分析,研究不同形态下MEH-PPV分子链的构象及其对电子能带和光学性质的影响。在THF稀溶液中,MEH-PPV分子链基本上皆为分立态;在MEH-PPV薄膜中,分子链基本上皆为聚集态;在MEH-PPV/PS固溶体中,MEH-PPV分子链为聚集态和分立态两构象并存,聚集态的比例随MEH-PPV浓度的增加而升高;在多孔氧化铝模板纳米孔中,MEH-PPV分子链形成链束。分立态、聚集态和链束这三种不同构象的分子链具有不同的电子能带结构和光学性质。  
        关键词：PPV及其衍生物;构象;光致发光;纳米材料   
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        更新时间：2020-08-11

      • 第二配体对Sm(DBM)3掺杂的PMMA样品发光的影响

        董宁, 陈彪, 郭海, 尹民, 张慰萍, 张其锦
        2005, 26(5): 659-663.
        摘要：分别使用phen(1,10-邻菲咯啉)、TOPO(三正辛基氧化磷)、TPPO(三苯基氧化磷)作为第二配体与Sm(DBM)3(DBM:二苯甲酰甲烷)相互作用,合成了相应的配合物,然后分别将其掺入MMA中,进行聚合得到了固体样品。测量了不同第二配体样品及无第二配体样品的激发和发射光谱,对谱峰做了指认。发射谱中主要发射峰均为Sm3+的特征发射,有机配体的发光带很弱,说明从有机配体到稀土发光中心的能量传递非常有效。监测Sm3+离子644nm发射峰(4G5/2→6H9/2)测量了样品的激发光谱。结果显示,第二配体的加入改变了有机配体的能级结构,激发边出现明显的移动,同时紫外区的激发效率发生了变化,对发光产生了显著的影响。还测量了上述样品中Sm3+的4G5/2能级的发光衰减曲线,拟合出该能级的跃迁寿命,针对不同第二配体的情况进行了比较分析。实验结果表明,第二配体的共轭性和化学键匹配对发光强度影响很大,在我们的结果中,第二配体为TPPO时发光效率最高。  
        关键词：发光性质;PMMA;第二配体;Sm(DBM)3   
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        更新时间：2020-08-11

      • 天然黄酮类化合物清除DPPH·的构效关系

        陈季武, 胡斌, 赵实, 邓玉, 秦海燕
        2005, 26(5): 664-668.
        摘要：应用DPPH·分光光度测定法研究了11种高纯度的天然黄酮类化合物清除二苯代苦味肼基自由基(DPPH·)的构效关系。结果表明,这11种天然黄酮类化合物都能有效地清除DPPH·,其清除DPPH·作用大小顺序依次为:槲皮素>泽漆新苷>儿茶素>金丝桃苷>芸香苷>山奈素>桑色素>异槲皮苷>黄芩苷>石吊兰素>金雀异黄素。发现这11种天然黄酮类化合物有如下构效关系:1.B环上和/或A环上具有邻位羟基可大大增强清除DPPH·作用;2.B环上4′位羟基和A环上6位羟基清除DPPH·的活性都很强;3.异黄酮清除DPPH·的活性弱于相应的黄酮;4.黄酮醇清除DPPH·的活性强于相应的双氢黄酮醇,提示C环具有C2-C3双键结构可增强清除DPPH·作用;5.黄酮类化合物对DPPH·的清除能力与其酚羟基位置密切相关;6.C环3位上羟基被糖基化时,其清除DPPH·的作用减弱。所得结果为进一步开发利用黄酮类化合物提供了理论依据。  
        关键词：黄酮类化合物;二苯代苦味肼基自由基;构效关系   
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        更新时间：2020-08-11

      • 转铁蛋白载体携带阿霉素的分子间结合作用

        杨培慧, 陈晓翔, 蔡继业, 曾慧兰
        2005, 26(5): 669-673.
        摘要：利用荧光光谱法和吸收光谱法研究阿霉素与转铁蛋白间的结合作用,确定了阿霉素对转铁蛋白的荧光猝灭过程的猝灭机理,测定了不同浓度下该结合反应的结合常数K=(0.98~89.1)×105,结合位点数n=1.09~1.37,并依据能量转移理论确定了药物和蛋白间的结合距离r=1.94nm。  
        关键词：阿霉素;转铁蛋白;荧光光谱法;吸收光谱   
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        更新时间：2020-08-11

      • PM-OLED带恒流源的驱动电路

        吴琦, 成建波, 张义德, 陈文彬, 扈艳丽
        2005, 26(5): 674-677.
        摘要：一种带恒流源的驱动电路,能实现对小尺寸OLED屏(30mm×38mm)的驱动,该屏分辨率为64×56。OLED属电流型器件,对该屏采用恒流源驱动,即在每一列电极上接一个恒流源,只要保证流过每个OLED像素的电流为一常数,就能保证其亮度一致。从而可消除因ITO阳极电阻压降所引起的显示亮度不均匀性问题。其中恒流源的设计是整个驱动电路设计的重点。采用的晶体管恒流源,以晶体三极管为主要组成器件,同时采用一定的温度补偿和稳压措施,通过计算分析和实验测试改进完成设计。该恒流源驱动电路的设计较为简单、成本低、而且易于集成,在改进PM-OLED驱动电路方面作了相应的尝试。  
        关键词：有机发光二极管;恒流源;驱动电路;无源矩阵   
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        更新时间：2020-08-11

      • 用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件

        李桦, 宋李梅, 杜寰, 韩郑生
        2005, 26(5): 678-683.
        摘要：在SynopsysTCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟。由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器件均采用LDMOS结构;根据RESURF技术,对于器件的漂移区进行了优化。器件模拟结果表明,高压NMOS器件源漏击穿电压为220V;阈值电压和驱动能力分别为0.8V和1×10-4A/μm。高压PMOS器件源漏击穿电压为-135V;阈值电压和驱动能力分别为-9.7V和1.8×10-4A/μm。高压CMOS器件的研制可为进一步研制FED和PDP平板显示高压驱动电路奠定基础。  
        关键词：显示驱动;高压CMOS器件;0.8μm CMOS工艺;模拟   
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        更新时间：2020-08-11

        材料合成及性能

      • Lu2O3：Tb纳米粉末的光致发光特性

        徐美, 张慰萍, 江寅, 董宁, 尹民
        2005, 26(5): 581-586.
        摘要：用燃烧合成法制备了Lu2O3:Tb3+纳米粉末。产物为立方相结构,粒径在3~40nm之间可控。对不同颗粒度的样品的激发光谱、发射光谱和荧光衰减特性进行了研究。在紫外光激发下,样品显示出较强的发光(来自于Tb3+的5D3,4→7FJ跃迁)。同时,样品的光致发光性质在很大程度上受到样品颗粒度的影响,对此现象给出了合理的解释。  
        关键词：纳米Lu2O3：Tb;光致发光;荧光寿命   
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        更新时间：2020-08-11

      • 纳米GdPO4：Eu3+的合成和光谱特性

        李艳红, 洪广言
        2005, 26(5): 587-591.
        摘要：采用EDTA二钠盐参加的共沉淀方法制备出纳米GdPO4:Eu3+,利用X射线衍射,荧光光谱和电镜等测试手段对GdPO4:Eu3+的相结构和发光性质进行了研究。XRD图谱结果表明700℃合成了纯的具有单斜晶系、独居石结构的纳米GdPO4:Eu3+。根据Scherrer公式计算,700,800℃热处理后样品的一次颗粒度分别为18,40nm左右。激发光谱和发射光谱的研究表明,电荷迁移态和Eu3+的特征发射峰的强度随GdPO4:Eu3+纳米粒子的增大而增强。在较小的纳米粒子中,存在结构扭曲的现象,315nm激发下的发射光谱研究表明,Gd3+和Eu3+具有较好的能量传递。  
        关键词：共沉淀方法;纳米GdPO4：Eu3+;激发光谱;发射光谱;能量传递   
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        更新时间：2020-08-11

      • YPO4：Tb荧光粉的制备及其VUV激发下的发光性能

        狄卫华, 王晓君, 陈宝玖, 谢宜华, 赖华生, 赵晓霞
        2005, 26(5): 592-596.
        摘要：采用共沉淀法制备了PDP用的绿色荧光粉YPO4:Tb。XRD、SEM等测试手段表明用此方法制备的YPO4:Tb相纯度高,所需的烧结温度低、颗粒分散性好、颗粒尺寸分布窄,且表面质量好。研究了YPO4:Tb在真空紫外光(VUV)激发下的发光性能,并对VUV激发下的发光机理进行初步探索。  
        关键词：稀土正磷酸盐;共沉淀法;等离子体显示板;真空紫外激光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 掺铒纳米晶硅和掺铒非晶纳米硅薄膜的发光性质

        2005, 26(5): 647-650.
        摘要：采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的SiO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-SiOx:H)薄膜。采用离子注入和高温退火方法将稀土Er掺入含有纳米晶硅(nc-Si)和非晶纳米硅(a-n-Si)颗粒的基体中。利用IFS/20HR傅里叶变换红外光谱仪和微区拉曼散射光谱仪研究含有纳米晶硅和非晶纳米硅颗粒的薄膜掺稀土前后的发光特性。结果表明来自nc-Si在800nm的发光强度比来自a-SiOx:H基体中非晶纳米硅的发光强度高近一个数量级,而来自a-SiOx:H在1.54μm的发光强度比NCSO高4倍。还研究了掺铒a-SiOx:H薄膜中Si颗粒和Er3+的发光强度随退火温度的变化,结合掺铒纳米晶硅和非晶纳米硅薄膜发光强度随Er掺杂浓度变化和Raman散射等的测量结果,进一步明确指出a-Si颗粒在Er3+的激发中可以起到和nc-Si同样的作用,即作为光吸收介质和敏化剂的作用。  
        关键词：稀土;离子注入;纳米硅;富硅氧化硅   
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        更新时间：2020-08-11

      • GdF3：Eu3+纳米晶的VUV荧光性质

        华瑞年, 牛晶华, 李文连, 李明涛, 俞天智, 初蓓
        2005, 26(5): 684-686.
        摘要：利用微乳液水热法制备出GdF3:Eu3+纳米晶及纳米棒。用X射线粉末衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)等手段对材料的结构、形态及粒径大小等进行了表征。室温下真空紫外(VUV)光谱及荧光光谱表明GdF3:Eu3+纳米晶中的Gd3+离子吸收一个光子,并将能量分两步传递给Eu3+,发生了双光子发射。从各跃迁的积分强度和量子效率表达式可以得到材料在160nm紫外光激发下的量子效率约为170%。  
        关键词：GdF3：Eu3+;纳米晶;量子剪裁;量子效率   
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        更新时间：2020-08-11

        研究快报

      • 李明涛, 李文连, 魏晗志, 徐茂梁, 初蓓
        2005, 26(5): 687-689.
        摘要：报道一种可用钆配合物[Gd(DBM)3bath]调节电致发光(EL)颜色的有机发光二极管(OLED)。该有机发光二极管是在空穴传输层(m-MTDATA)和电子传输层(TPBI)之间插入一薄层Gd(DBM)3bath。随着Gd(DBM)3bath厚度增加,二极管的发光颜色呈现出绿色(主峰525nm)-黄色-橙色(主峰593nm)变化。该二极管的电致发光主要来自界面激基复合物的发射而不是来自各有机功能层;而发光颜色的变化是由于两种激基复合物发射的相对强度的改变。  
        关键词：有机发光二极管;钆配合物;激基复合物   
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        更新时间：2020-08-11

      • 一种新型铱(Ⅲ)配合物及其有机电致发光器件

        徐茂梁, 李文连, 李天乐, 安忠维, 柴生勇, 周群
        2005, 26(5): 690-692.
        摘要：报道了一种新的基于2,5-二(4-乙基苯基)吡啶配体的铱(Ⅲ)配合物,并用于有机电致发光器件,得到λmax=548nm的绿光发射,其最大发光效率为23cd/A,最大亮度为10800cd/m2。与基于其他绿光铱(Ⅲ)配合物的器件相比,该器件的电流饱和特性也得到进一步改善。  
        关键词：铱(Ⅲ)配合物;有机电致磷光材料;有机电致发光器件(OLEDs)   
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        更新时间：2020-08-11
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