最新刊期
      2005年第26卷第4期

        研究论文

      • 集成光学波导光栅研究进展

        徐迈
        2005, 26(4): 415-425.
        摘要：报道了20世纪80年代以来,研究组在集成光学波导光栅研究领域的主要工作及研究成果。其中包括集成光学波导光栅的制备研究;若干非线性波导光栅器件研究;高效体相位全息布拉格光栅-光导板的耦合互连;单片集成波导光栅波分复用等。这些研究工作为光通信、光计算、光传感和光学信息处理等应用领域提供小型化、低功耗、超快速全光型器件奠定了技术基础。  
        关键词：光波导;周期结构;光栅耦合器;全息布拉格光栅;光学互连   
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        更新时间：2020-08-11

      • 抛物量子点中强耦合束缚极化子的光学声子平均数

        王东民, 肖玮, 陈英杰, 肖景林
        2005, 26(4): 426-430.
        摘要：采用线性组合算符和幺正变换方法研究了在库仑场束缚下抛物量子点中强耦合束缚极化子的振动频率和光学声子平均数,并对其进行了数值计算。结果表明:强耦合束缚极化子的振动频率和光学声子平均数随量子点的有效受限长度的增加而减小,随电子-LO声子耦合强度的增强而增加,束缚极化子的振动频率随库仑势的增加而减小。  
        关键词：抛物量子点;强耦合;束缚极化子;光学声子平均数   
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        更新时间：2020-08-11

      • 正弦平方势与沟道辐射谱线的自然展宽

        罗诗裕, 邵明珠
        2005, 26(4): 431-435.
        摘要：指出了非线性效应、多普勒效应、晶格热振动、电子多重散射和偶极效应等对沟道辐射谱线宽度的影响;强调了辐射反作用对谱线宽度的影响是不可避免的。比较了不同的粒子-晶体相互作用势,并从正弦平方势出发,在小振幅近似下讨论了沟道粒子的运动行为;用摄动法求解了系统的特征方程,计算了沟道辐射谱线的自然展宽和频率漂移。最后,以正电子的Si(110)面沟道辐射为例,计算了它的辐射频率。结果表明,对于能量为E=56MeV的正电子,沟道辐射能量E=ω=36.0keV。  
        关键词：正弦平方势;沟道辐射;非线性;谱线   
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        更新时间：2020-08-11

      • 无限深量子阱中强耦合极化子的基态结合能

        李亚利, 肖景林
        2005, 26(4): 436-440.
        摘要：研究了无限深量子阱中极化子的基态性质,采用线性组合算符和变分相结合的方法导出了强耦合极化子的振动频率λ、基态能量E0和基态结合能Eb,讨论了阱宽L和电子-LO声子耦合强度α对强耦合极化子的振动频率λ、基态能量E0和基态结合能Eb的影响。通过数值计算,结果表明:强耦合极化子的振动频率和基态结合能随阱宽L的增大而减小,随电子-LO声子耦合强度α的增强而增大;基态能量随阱宽L的增大而减小,其绝对值随电子-LO声子耦合强度α的增强而增大;当量子阱阱宽L趋近于无限大和无限小两种极限情况下,分别与三维和二维极化子的结果相一致。  
        关键词：线性组合算符;强耦合极化子;无限深量子阱   
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        更新时间：2020-08-11

      • 含联二萘的PPV类共轭聚合物发蓝光材料的设计合成

        周庆成, 滕枫, 黄红敏, 贺庆国, 白凤莲
        2005, 26(4): 441-447.
        摘要：利用Wittig和Wittig-Horner反应合成了四种含有联二萘和不同芳香基团的具有线性或超支化结构的发光共聚物,并对共聚物的光物理性质和电化学性质进行了研究。结果表明,这些线性共聚物都具有较高效率的蓝光发射。具有超支化结构的共聚物BN-TPPV在氯仿溶液中的荧光量子效率高达95%,在氯仿溶液和膜中的发射光谱峰值分别位于393,428nm,实现了高效率的蓝光发射。说明将联二萘生色团引入聚合物是一种实现发蓝光材料的重要途径。  
        关键词：联二萘;Wittig反应;超支化共聚物   
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        更新时间：2020-08-11

      • Tb-Zn一维配位聚合物的合成及发光性质

        尹明彩, 李明, 袁良杰, 孙聚堂
        2005, 26(4): 448-454.
        摘要：采用流变相反应法合成了具有良好发光性能和可溶性的一维链结构配位聚合物Tb(Fur)3(H2O)2.DMF和Tb2Zn(Fur)8(H2O)2及四核异金属配位聚合物Tb2Zn2(tpca)10(phen)2,用单晶和粉末X射线衍射法表征了晶体结构。在这些配合物中Tb3+分别是8配位、9配位和7配位,金属离子之间都是通过羧酸根-CO2-基团成桥连结。研究了配合物的紫外-可见吸收光谱、荧光激发和发射光谱,讨论了配位结构对荧光光谱性质的影响。  
        关键词：铽;配位聚合物;发光;晶体结构;流变相反应   
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        更新时间：2020-08-11
      • 王妍, 罗洁, 陈军武, 汪锋, 曹镛
        2005, 26(4): 455-459.
        摘要：采用Pd催化偶联的方法合成了1,1-二乙炔基-2,3,4,5-四苯基Silole,并分别与2,1,3-苯并噻二唑(BT)和4,7-二(2-噻基)-2,1,3-苯并噻二唑(DBT)组成两种交替共聚物PS-BT和PS-DBT,并研究了两种共聚物的紫外吸收光谱、光致发光及光伏电池性能。PS-DBT具有更宽的可见光吸收范围和更强的吸收。两种共聚物溶液的光致发光光谱的最大发射波长均随着溶液浓度的增大逐步红移。光伏电池器件结构为ITO/PE-DOT/copolymers:PCBM(1:4)/Ba/Al。PS-BT和PS-DBT的开路电压分别为0.50,0.40V,填充因子(FF)分别为24%和33%,在模拟太阳光(AM1.5)照射下的能量转化效率(ECE)分别为0.009%和0.032%。  
        关键词：Silole;苯并噻二唑;交替共聚物;光致发光;光伏电池   
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        更新时间：2020-08-11
      • 吴赟, 史辰君, 谢玉卿, 杨伟, 曹镛
        2005, 26(4): 460-464.
        摘要：采用Pd(PPh3)4和CuI作为催化剂,在三乙胺和甲苯溶液中,采用2,7-二乙炔基-9,9-二辛基芴(PFE)和4,7-二溴-2,1,3-苯并噻二唑(BT),以不同配料比合成了一系列新型的聚芳炔聚合物。所有这些聚合物的数均分子质量Mn约为4000~12000,并在三氯甲烷和甲苯中都有很好的溶解性。研究了其紫外-可见吸收光谱、光致发光性能。随着共聚物中BT的增加,共聚物的光致发光的发射波长有少量红移,证明了由宽能带的2,7-二乙炔基-9,9-二辛基芴(PFE)和窄能带的4,7-二溴-2,1,3-苯并噻二唑(BT)组成的共聚物,由于激子在窄能带单元中的限制使得在宽能带单元和窄能带单元之间发生了有效的分子内的能量转移。因此在聚芴炔链中引入不同含量的窄带隙杂环单元可实现对聚芴发光颜色的调节。  
        关键词：2;7-二乙炔基-9;9-二辛基芴;4;7-二溴-2;1;3-苯并噻二唑;共聚物;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • DCM掺杂PVK体系的超快光谱

        刘彭义, 赵福利, 曹玲芳, 连加荣, 周翔, 宋继国, 谢虔, 许宁生
        2005, 26(4): 465-468.
        摘要：利用稳态荧光光谱和时间分辨超快光谱研究了DCM掺杂PVK(聚乙烯咔唑)体系的发光特性和能量转移。根据DCM的吸收光谱与PVK的荧光光谱,用Frster理论估算出DCM:PVK掺杂体系能量转移的临界半径及其效率。在DCM:PVK掺杂薄膜中,随着掺杂浓度的升高,DCM的发射强度增强,PVK的发射强度减弱,两者相对强度之比与估算结果一致。还利用时间分辨超快光谱研究了DCM:PVK掺杂薄膜体系的能量转移动力学过程,观察到DCM:PVK掺杂薄膜的荧光寿命随着掺杂浓度的升高逐渐变短。结果表明,在DCM:PVK掺杂薄膜中,存在从PVK到DCM较为有效的Frster能量转移。  
        关键词：DCM;PVK;荧光光谱;时间分辨超快光谱;能量转移   
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        更新时间：2020-08-11

      • 绝缘层LiF/Al电极对提高P-PPV发光器件发光性能的研究

        林海波, 徐晓轩, 吴宏滨, 王斌, 俞钢, 张存洲
        2005, 26(4): 469-472.
        摘要：为了提高聚合物电致发光器件中Ba(Ca)/Al阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly(2-(4-ethylexyl)phenyl-1,4-phenylenevinylene)(P-PPV)层之间插入一层7nm的LiF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数(发光器件的电压-电流特性、发光强度及外量子效率,以及电流效率等发光性能指标)上能够与工作性能优良但稳定性较差的Ba(Ca)/Al电极结构PLEDs器件的发光特性具有可比性。这对于研制高效率、高稳定的聚合物电致发光器件并最终将其用于商业目的,具有重大现实意义。  
        关键词：聚合物发光二极管;P-PPV;LiF;金属-半导体界面   
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        更新时间：2020-08-11

      • 纳米介孔分子筛Sm-MCM的合成与表征

        尹伟
        2005, 26(4): 473-479.
        摘要：利用有机相-水相界面共沉淀溶胶支持自组装方法制备了颗粒大小约为10~15nm稀土嵌入纳米介孔分子筛Sm-MCM(1:10)。其BET比表面积、孔容和孔径分别为621m2·g-1,1.25cm3·g-1和8.0nm。稀土掺杂能改善纳米分子筛的尺寸。29Si-MASNMR分析测试出样品的波谱峰-44,-58,-67,-76,-89,-107,-110ppm,分别对应七个不同化学环境q0,q1,q2,q3,Q2,Q3,Q4[(SiO)4-nSi-(O-Sm- )n(n=4,3,2,1),(SiO)4-mSi-(OH)m(m=2,1,0)]。表明稀土元素已嵌入分子筛的骨架。不同的样品的巨大比表面积和大的孔容比表明分子筛为典型的介孔结构,也说明这些介孔物质材料在800℃的高温下有非常好的热稳定性。把硅胶基质介孔分子筛的红外吸收峰970cm-1归属为硅羟基的扭曲振动。Sm-MCM的发射光谱归属于Sm3+离子的4L17/2→6Hn/2(n=11,13,15)跃迁发射。  
        关键词：Sm-MCM;纳米介孔分子筛;29Si-MASNMR;HRTEM;发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 掺铒钙铝硅玻璃的光学带隙

        张德宝, 唐景平, 柳祝平, 胡丽丽
        2005, 26(4): 485-488.
        摘要：玻璃中稀土掺杂的离子的光谱性质受其周围的玻璃结构和在玻璃基质中的分布影响很大。利用熔融法制备了组分为9SiO2·26Al2O3·65CaO·1.0Er2O3·0.3Yb2O3和分别加入MgO以及La2O3的掺铒钙铝硅玻璃,并研究了其吸收边和光学带隙。计算得出离子填充比随玻璃的平均摩尔质量的增大而减小,同时利用Judd-Ofelt模型计算出该玻璃体系的Ω2,Ω4和Ω6参数,并进行了分析。随着MgO或La2O3的加入,吸收边向短波长移动,光学带隙增大,同时Ω2和Ω6值也增大。对ln(α)和ω的曲线进行线性拟合可以计算Urbach能量,其值与光学带隙的变化趋势一致。  
        关键词：钙铝硅玻璃;铒;光学带隙;Urbach能量   
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        更新时间：2020-08-11

      • GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光

        屈玉华, 江德生, 边历峰, 孙征, 牛智川, 徐晓华
        2005, 26(4): 507-512.
        摘要：嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3~1.5μm光通信波段发光的潜力而受到关注,我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb/GaInAs量子阱样品的光致发光,发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1.3μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰。变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现,高能峰只有在150K以上的测试条件下才能观测到,并且其相对强度随着温度的升高而增加,其调制光谱显示出第一类跃迁的特征。他们建立了理论模型,计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁,并与实验数据吻合得很好。同时初步讨论了改善1.3μm的低能峰发光的方法。  
        关键词：量子阱;光致发光;GaAsSb/GaInAs   
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        更新时间：2020-08-11

      • 掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光

        宋淑芳, 陈维德, 张春光, 卞留芳, 许振嘉
        2005, 26(4): 513-516.
        摘要：利用背散射/沟道(RBS/C)技术、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱研究了掺镨GaN薄膜的微结构和可见光发光特性。RBS/C结果表明,注入Pr后,在注入层引入了晶格损伤;注入样品经1050℃退火后,部分损伤得到恢复,但是晶体质量没有恢复到注入前的状态。AFM结果表明,注入Pr后,表面凹凸不平,而且在注入区引起了膨胀,膨胀幅度达到23.368nm左右。PL结果表明,在850~1050℃退火,发光强度按e指数增加;当退火温度达到1050℃,发光强度最强,经过数据拟合可得Pr3+的热激活能为5.8eV。  
        关键词：GaN;Pr;背散射/沟道技术;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长

        胡加辉, 朱军山, 冯玉春, 张建宝, 李忠辉, 郭宝平, 徐岳生
        2005, 26(4): 517-520.
        摘要：利用LP-MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)进行分析。结果表明,有偏离化学计量比富GaHT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量和光致荧光特性均明显优于以LT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜,得到GaN(0002)和(101-2)的DCXRD峰,其半峰全宽(FWHM)分别为698s和842s,室温下的光致荧光光谱在361nm处有一个很强的发光峰,其半峰全宽为44.3meV。  
        关键词：氮化镓;Si(111);金属有机化学气相沉积;双晶X射线衍射   
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        更新时间：2020-08-11

      • 醋酸锌一步溶液法制备的各种形貌ZnO棒

        张琳丽, 郭常新, 陈建刚, 胡俊涛
        2005, 26(4): 521-525.
        摘要：采用一步化学溶液法在玻璃衬底上通过改变溶液浓度、酸碱度等影响因素生长出不同形貌和不同尺寸的ZnO棒。已生长出的ZnO棒的形貌有细长棒形,垂直于衬底的规则六角形,短而粗的六角形,橄榄形,圆头或平头对称双棒和花生米粒形。分析了酸碱度、溶液浓度、催化剂和温度对生成的ZnO样品形貌的影响,以及分析了其生长机理。随着溶液浓度的增加,生成的ZnO棒的长径比随之减小。溶液浓度为0.01mol/L时,细棒的长径比约为20~70,而当溶液浓度为0.5mol/L时,规则六角短棒的长径比约为0.5~1。当溶液浓度为0.1mol/L,可以生成截面十分规则的六角形且端面为平面的棒状ZnO。随着溶液酸碱性的增强,生成的ZnO棒由细长棒(弱酸性条件)过渡到圆头短棒(弱碱性条件),溶液的碱性继续增强,可以生成橄榄形。当碱性很强时,生成颗粒状。测量了样品的XRD,扫描电镜像和光致发光光谱。  
        关键词：氧化锌;纳米棒;发光;化学溶液法   
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        更新时间：2020-08-11

      • 蓝光ZnO薄膜的特性研究

        朋兴平, 杨扬, 耿伟刚, 杨映虎, 王印月
        2005, 26(4): 531-534.
        摘要：采用反应溅射法在n型硅(100)衬底上制备了ZnO薄膜,分别用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计对样品的结构、表面形貌和光致发光特性进行了表征。X射线衍射结果表明,实验中制备出了应变小的c轴择优取向的ZnO薄膜;原子力显微镜观察表明,薄膜表面平整,颗粒大小约为50nm,为柱状结构,颗粒垂直于硅衬底表面生长;在室温光致发光(PL)谱中观察到了波长位于434nm处的较窄的强蓝光发射峰,该蓝光峰的半峰全宽约为50meV。对蓝光峰的发光机制进行了讨论,并推断出该蓝光峰来源于电子从Zn填隙缺陷能级向价带顶跃迁。  
        关键词：ZnO薄膜;硅衬底;光致发光;射频反应溅射   
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        更新时间：2020-08-11

      • 退火对ZnO薄膜质量的影响

        董鑫, 刘大力, 闫小龙, 张源涛, 杜国同, 高忠民
        2005, 26(4): 535-537.
        摘要：用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(0001)衬底上制备了c轴取向的高质量的ZnO薄膜,通过在生长温度下氧气和氮气中退火处理的比较,研究了退火对ZnO薄膜结构和发光特性的影响。通过X射线衍射测量得知,经过氮气和氧气退火都可以使其002峰增强,且在氧退火中表现得尤为明显。光致发光测量发现氮气中退火的ZnO薄膜的紫外发光峰明显增强,而深能级发光峰明显减弱;而氧气中退火的ZnO薄膜的紫外发光峰略有减弱,而深能级峰显著增强。  
        关键词：蓝宝石;氧化锌薄膜;金属有机化学气相沉积;X射线衍射;退火   
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        更新时间：2020-08-11

      • 聚合物微型谐振环波分复用器

        鄂书林, 邓文渊, 王鹏飞, 李晓强, 马春生, 张大明, 崔占臣, 孙德贵
        2005, 26(4): 538-541.
        摘要：研制出用于现代光通信密集波分复用(DWDM)系统的微型谐振环波分复用器(MRRWM)。微环与信道波导采用垂直耦合的方式,利用耦合模理论对器件参数进行了优化设计,设计出模板,并研制出符合器件光学性能要求的聚合物材料。利用反应离子刻蚀技术完成了硅基板上单级和八级的器件制作,波分复用器的中心波长为1.55μm,输出波长间隔Δλ=1.6nm,中心微环半径R=131.95μm,相邻微环半径差ΔR=500.0nm,器件测试结果表明实现了微环谐振输出。  
        关键词：密集波分复用(DWDM);微型谐振环;波分复用器;聚合物   
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        更新时间：2020-08-11

        材料合成及性能

      • 红色荧光粉Ca4(La1-x-yGdxYy)1-nO(BO3)3：nEu3+的发光和优化

        杨护成, 李成宇, 赫泓, 陶冶, 许建华, 王淑彬, 苏锵
        2005, 26(4): 480-484.
        摘要：用高温固相法合成了红色荧光粉Ca4(La1-x-yGdxYy)1-nO(BO3)3:nEu3+(LnCOB:Eu,Ln=La1-x-y-GdxYy),并对其在真空紫外至可见范围的发光性质进行了系统的研究,找出发光较好的组分范围并与某些商品红色荧光粉进行了比较。LnCOB:Eu在254nm紫外线激发下的发射光谱为Eu3+的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4)的特征跃迁。监测其最强的5D0→7F2发射线,其激发光谱在250nm左右有一个宽的激发带,归属于Eu-O电荷迁移带,适于用254nm汞线激发;在300~450nm有一些弱的归属于Eu3+的f-f跃迁的锐吸收峰;在真空紫外区184~188nm附近有一个宽带,为基质吸收带,并可能包含了Eu3+的f-d跃迁。在Ca4GdO-(BO3)3:Eu3+的激发光谱中,还包含了Gd3+的8S7/2→6GJ跃迁,此跃迁增强了荧光粉在184~188nm附近的激发强度。  
        关键词：Ca4(La1-x-yGdxYy)1-nO(BO3)3：nEu3+;红色荧光粉;真空紫外;组分优化   
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        更新时间：2020-08-11

      • (Y,G d)BO3：Tb3+的真空紫外及紫外激发光谱特性

        赵晓霞, 王晓君, 黄春荣, 陈宝玖, 谢宜华, 赖华生, 狄卫华
        2005, 26(4): 489-492.
        摘要：采用传统的高温固相反应法合成出(Y,G d)BO3:Tb荧光体,对所制得的荧光体进行了晶体结构分析,分析结果表明结晶良好。(Y,G d)BO3:Tb在147nm真空紫外光激发下的发射主峰在544nm(Tb3+的5D4→7F5跃迁),是一种绿色发光材料。样品的真空紫外激发光谱及紫外激发光谱表明,(Y,G d)BO3:Tb的基质吸收带位于150nm附近。Gd3+离子对真空紫外区的光吸收有增强作用,存在着Gd3+→Tb3+的能量传递。测量了荧光粉在室温下的荧光衰减特性,其余辉时间约为8ms,能够满足显示显像技术的要求。因此,(Y,Gd)-BO3:Tb是一种有前景的PDP用绿色发光材料。  
        关键词：稀土;(Y;G d)BO3：Tb;VUV激发光谱;余辉   
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        更新时间：2020-08-11

      • CaTiO3：Pr3+长余辉玻璃的制备与发光性能

        杨志平, 刘冲, 郭智, 冯建伟, 杨勇, 李兴民, 李旭
        2005, 26(4): 493-496.
        摘要：用二次熔融法制备了CaTiO3:Pr3+红色长余辉玻璃。测量了样品的发射光谱,其发射光谱峰值为611.7,614.5nm,对应于Pr3+的4f-4f(1D2→3H4)跃迁,与CaTiO3:Pr3+晶态长余辉发光粉的发射光谱峰值相一致。玻璃粉与发光粉的质量配比在95:5~80:20时,都可以形成玻璃态并得到红色长余辉发光。研究了气氛和熔融温度对发光性能的影响,在空气环境下,800℃即可得到性能良好的样品。  
        关键词：长余辉;CaTiO3：Pr3+;发光玻璃;稀土   
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        更新时间：2020-08-11
      • 洪樟连, 彭丽霞, 张朋越, 周时凤, 王民权
        2005, 26(4): 497-501.
        摘要：采用高温固相反应法合成SrTiO3:Pr3+系发光材料,利用荧光光谱、XRD等分析手段,研究了工艺参数,如不同价态K、Ca和Al离子掺杂,以及1050~1300℃不同烧成温度对SrTiO3:Pr3+体系发光性能的影响,以获得具有较好综合发光性能的SrTiO3:Pr3+系发光材料。选择不同价态补偿离子掺杂是为了研究电荷补偿作用机制对该类材料发光性能的作用。结果表明:随着烧成温度的升高,磷光体发光强度先增加后减弱,在1150℃烧成的材料其发光强度最大。无补偿掺杂与K、Ca或Al离子掺杂的所有样品均发出源于Pr3+的1D2→3H4跃迁的610nm红色光。在不同价态补偿离子掺杂样品中,以掺Al的SrTiO3:Pr3+体系发光强度最好;其发光强度比无补偿离子掺杂SrTiO3:Pr3+材料的发光强度提高10倍左右。另一方面,与Al离子具有类似的引入阴离子电荷缺陷的K离子掺杂材料的发光强度则基本没有变化,其发光强度与没有电荷补偿作用的无掺杂及Ca离子掺杂SrTiO3:Pr3+材料相似。上述实验结果可从电荷缺陷及微观固溶结构两方面的联合作用机制进行解释。在引入电荷缺陷的掺杂体系中,只有在发光离子PrSr+最近邻的Ti格位引入的电荷缺陷才能有效地起电荷补偿作用,达到增强发光强度的作用。研究结果给出了合理的制备工艺条件,并且提供了一种可有效提高发光强度的补偿离子掺杂的选择依据。  
        关键词：电荷补偿;发光;掺杂;烧成温度;SrTiO3：Pr3+   
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        更新时间：2020-08-11

      • SiH2Cl2-NH3配比对a-SiNx：H薄膜PL峰的影响

        王小波, 刘渝珍, 奎热西, 董立军, 陈大鹏
        2005, 26(4): 502-506.
        摘要：低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H薄膜,在3.75eV的激光激发下,室温下发射1~3个高强度的可见荧光。在相同的沉积温度下(900℃),选择不同的SiH2Cl2和NH3气体配比时,所得薄膜表现出不同的荧光属性,荧光峰的峰位和数目有着显著的变化。通过TEM、IR、XPS等分析手段对其原因进行了研究分析,认为不同配比下,生成的薄膜中缺陷态的种类和密度有所不同,这影响了其PL峰个数及其各峰的相对强弱。  
        关键词：纳米硅镶嵌结构;SiNx膜;光致发光;低压化学气相沉积   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnO：Al/p-Si的接触特性

        刘磁辉, 段理, 林碧霞, 刘秉策, 雷欢, 蔡俊江, 傅竹西
        2005, 26(4): 526-530.
        摘要：利用射频磁控溅射制备了ZnO:Al/p-Si接触,并对其进行C-V和I-V特性的77~350K变温测量。并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析。结果发现,未经热退火和经过热退火处理的样品在C-V和I-V特性上有很大差别。解释了两种样品的C-V和I-V测量结果的不同。对于未退火的样品,由于界面处的大量界面态的屏蔽作用,使得ZnO:Al/p-Si异质结的C-V曲线发生畸变。经800℃热退火,ZnO:Al/p-Si异质结的C-V特性恢复正常,说明热退火已经消除了异质结中的界面态和缺陷态。研究表明ZnO:Al/p-Si异质结经适当热退火处理有更好的整流特性同时对光致发光也更有利。  
        关键词：氧化锌异质结;C-V特性;I-V特性;界面态   
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        更新时间：2020-08-11

      • 核-壳结构ZnS：Tb/CdS纳米晶的电致发光

        华瑞年, 牛晶华, 李文连, 李明涛, 俞天智, 初蓓, 李斌
        2005, 26(4): 545-547.
        摘要：利用微乳液方法合成出粒径为4nm的核-壳结构ZnS:Tb/CdS纳米晶。用XRD、TEM及荧光光谱等手段对合成的纳米晶的结构、形态和光学特性分别进行了表征。将ZnS:Tb/CdS纳米晶制作成有机-无机杂化结构电致发光器件,其结构为ITO/poly(3,4-ethylene dioxythiophene):poly(styrene sulfonate)(PEDOT-PSS)(70nm)/poly(vinylcobarzale)(PVK)(100nm)/ZnS:Tb/CdS纳米晶(120nm)/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)(30nm)/LiF(1.0nm)/Al(100nm)。当驱动电压为13V时,可以测到Tb3+离子的两个特征峰。在电致发光光谱中未测到聚合物PVK的发光,说明电子和空穴是在纳米晶层上复合的。当驱动电压为25V时,得到器件的最大亮度为19cd/m2。  
        关键词：核-壳结构;ZnS：Tb/CdS;纳米晶;电致发光;器件   
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        更新时间：2020-08-11

        研究快报

      • 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管

        矫淑杰, 张振中, 吕有明, 申德振, 赵东旭, 张吉英, 姚斌, 范希武
        2005, 26(4): 542-544.
        摘要：用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管。在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的。在低温下,二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性,并且具有很低的开启电压(4V)。在实验中得到了位于蓝紫区的电致发光。  
        关键词：ZnO薄膜;p型掺杂;p-n同质结;分子束外延   
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        更新时间：2020-08-11
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