最新刊期
      2005年第26卷第2期

        论文

      • 掺稀土离子的电子俘获材料

        苏锵, 李成宇, 王静, 李娟, 张彦立, 郭崇峰, 吕玉华
        2005, 26(2): 143-148.
        摘要：可利用不等价离子取代法或高能射线辐照法制备电子俘获材料,如长余辉发光材料znO-SiO2-B2O3-MnO、CaS:Eu2+,Tm3+、CaGa2S4:Eu2+,Ho3+和固体剂量材料Zn0.96(BO2)2:0.04Tb,Sr0.93Dy0.07B4O7等.利用俘获在缺陷中的电子-空穴对的复合,并把能量传递给Eu2+或Mn2+等激活离子而产生长余辉发光或热释光.它们将在弱光照明与显示,信息存储和辐射治疗与探测、监控等方面获得应用.  
        关键词：稀土;电子俘获材料;缺陷   
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        更新时间：2020-08-11

      • 白色有机发光器件及其稳定性

        张志林, 蒋雪茵, 朱文清, 许少鸿
        2005, 26(2): 149-152.
        摘要：报道了一种稳定的白色有机薄膜电致发光器件.电流效率6cd/A,在电流密度20mA/cm2驱动下,亮度为1026cd/m2;最高亮度21200cd/m2,色度(x=0.32,y=0.40).该器件具有较平稳的效率电流关系,即具有弱的电流荧光猝灭.初始亮度100cd/m2下,半亮度寿命达22245h.  
        关键词：有机电致发光器件;白光器件;稳定性   
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        更新时间：2020-08-11

      • 用紧束缚理论研究压力对固体能带结构的影响

        李德俊, 叶伏秋, 赵鹤平, 周秀文, 唐翌
        2005, 26(2): 153-158.
        摘要：应用紧束缚理论,计算了体心立方结构1s能带和2s能带,讨论了外界压力对能带结构的影响.研究结果表明,压力使固体的晶格常数发生变化,导致体心立方晶格的1s和2s能带的宽度以及两带之间的禁带宽度发生变化.利用所得结果,具体计算了外界压力对锂金属能带结构的影响,在晶格常数附近,随着压力的增大,锂金属的1s和2s能带将变宽,两带之间禁带宽度将变小,理论计算结果与实验观察结果在数量级上是一致的.  
        关键词：外界压力;能带宽度;禁带宽度   
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        更新时间：2020-08-11

      • 柱型量子点中极化子的重整化质量

        赵翠兰, 丁朝华, 肖景林
        2005, 26(2): 159-162.
        摘要：应用线性组合算符方法和幺正变换方法,研究在量子阱和抛物势作用下的柱型量子点中极化子的重整化质量.结果表明,量子点中极化子的重整化质量随量子点高度的增加而减小;随耦合强度的增加而增加,这是由于电子与晶格振动之间的相互作用增强所致.而基态能量与量子点的尺度、特征频率、耦合强度、磁场等均有关,当极化子运动速度不变时,基态能量随量子点柱高的增加而减小;随特征频率和磁场强度的增加而增加.  
        关键词：量子点;极化子;重整化质量   
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        更新时间：2020-08-11
      • 谭永明, 邵明珠, 罗诗裕, 邓立虎
        2005, 26(2): 163-167.
        摘要：在经典力学框架内,描述了带电粒子自发辐射谱分布与最大辐射频率;引入反比相关的双曲余弦平方势,讨论了超相对论电子的面沟道辐射,导出了电子能量E=5.0GeV时,一次谐波的最大辐射能量ε=57MeV,与其他工作比较基本一致.沟道辐射与自由电子激光十分类似,它的方向性极好,大都集中在粒子运动方向、角宽Δθ≈γ-1/2范围内;且能量高、连续可调,偏振度也很好.指出了利用超晶格沟道辐射与超晶格的多层薄膜结构相互作用,可望把自发的沟道辐射改造为相干辐射,从而得到X激光或γ激光.  
        关键词：超相对论;沟道辐射;电子   
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        更新时间：2020-08-11

      • 正电子面沟道辐射的非线性特征

        韦洛霞, 李勇, 邵明珠, 罗诗裕
        2005, 26(2): 168-172.
        摘要：经典物理学指出,在电磁场中作加速运动的带电粒子将不断向外辐射能量.在晶体沟道中运动的带电粒子也不例外,晶格场可以使带电粒子的辐射能量达到很高.对于10MeV的正电子,辐射能量可达keV量级.粒子在沟道中的运动行为决定于粒子晶体的相互作用势,常用的相互作用势有Lindhard势、Moliere势和正弦平方势.由于粒子在沟道中的运动行为十分类似于震荡器中运动的自由电子,可望把沟道辐射改造为Χ射线激光或γ射线激光.从Lindhard势出发,将其展开到四次项,在经典力学框架内,粒子的运动方程可以化为含立方项的二阶非线性微分方程,并利用Jacobian椭圆函数和第一类全椭圆积分解析地表示了系统的解和粒子运动周期,导出了正电子面沟道辐射的瞬时辐射强度、平均辐射强度和最大辐射频率,指出了利用沟道辐射作为γ激光的可能性.  
        关键词：沟道辐射;非线性;相互作用势   
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        更新时间：2020-08-11

      • 含负折射率材料的一维光子晶体的光学传输特性

        尹承平, 刘念华
        2005, 26(2): 173-177.
        摘要：采用光学传输矩阵方法,模拟研究了由正折射率材料和负折射率材料交替组成的一维光子晶体的光学传输特性.计算了这种含负折射率材料的一维光子晶体的透射谱和色散关系.结果表明,在正入射时,含负折射率材料的光子晶体的带隙要比传统的光子晶体要大得多,并具有狭窄的透射带,从光学薄膜理论的色散关系出发解释了形成上述现象的原因.讨论了在不同的偏振模式下,光以中心波长入射时,反射率随着入射角度的变化关系.发现含负折射率材料的一维光子晶体具有更好的角度特性,可以用来实现对中心波长的全方位反射.  
        关键词：光子晶体;负折射率材料;传输矩阵   
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        更新时间：2020-08-11

      • 发光寿命在发光特性表征中的重要影响

        张福俊, 徐征, 滕枫, 侯延冰, 徐叙瑢
        2005, 26(2): 178-182.
        摘要：吸收是发光的前提条件,吸收变了,发光的其他特性也就随之而变.但是发光寿命的长短又会反过来影响吸收的多少,这不仅存在于光致发光中,而且是一个普遍规律.从电场引起的场致发光中发现,在同一种材料中掺入两种发光寿命长短相差悬殊的发光中心Cu和Mn,利用激发电源频率的变化,明确地显示出发光寿命短的Cu的发光与发光寿命长的Mn的发光强度之比随频率的增加而增大,而且也显示了Cu的两种发光也有这种规律.实验结果说明,这种规律只取决于发光中心的寿命长短,而与激发方式及猝灭原因无关.  
        关键词：发光中心寿命;共掺杂;场致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 纳米ZnS基白光发射材料的制备和表征

        岳利青, 周禾丰, 郝玉英, 刘旭光, 许并社
        2005, 26(2): 189-193.
        摘要：利用溶胶凝胶法,通过直接掺杂Mn2+获得白光发射且操作工艺简单的纳米ZnS:Mn荧光粉,使用XRD、UV、PL及FT-R等方法研究了ZnS:Mn纳米微粒的粒径、结构及荧光特性.结果表明:ZnS:Mn纳米微粒的平均粒径约为7nm,为闪锌矿晶体结构;所制备样品的荧光发射光谱有强度相当的两个峰,一个是峰值位于480nm的基质发光,另一个是峰值位于590nm的橙色光,样品总体发白光;Mn2+的掺杂量对ZnS:Mn纳米白光荧光粉发光性能的影响很大;在纳米微粒的形成过程中,聚甲基丙烯酸将该纳米粒子包覆.  
        关键词：纳米ZnS:Mn微粒;白光发射;Mn的掺杂量   
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        更新时间：2020-08-11

      • 三价镧系离子掺杂的Cd3Al2Ge3O12的长余辉发光

        刘正伟, 刘应亮, 黄浪欢, 袁定胜, 张静娴, 容建华
        2005, 26(2): 211-214.
        摘要：系统地研究了三价镧系离子在Cd3Al2Ge3O12基质中的长余辉发光.总结了余辉性能与激活离子电负性的关系.研究发现该体系中易失电子的激活离子产生的余辉效果较好.在254nm紫外光激发下,基质和所有镧系离子(Pm除外)掺杂的样品都有发光和余辉.按照发光和余辉性质的不同可以将激活离子分为三类:Pr3+、Tb3+和Dy3+等是有特征余辉发光的离子;Eu3+和Sm3+等是有特征发射,但没有特征余辉发光的离子;Ce4+、La3+、Nd3+以及其他是没有特征发光的镧系离子.长余辉的产生是由缺陷引起的.由于Cd2+离子在高温下容易挥发,基质中存在大量的Cd2+离子空位,这种空位可以作为俘获电子的陷阱.同时为了补偿Cd2+所产生的正电荷,在Cd2+离子空位周围会有相应的负离子空位产生,比如氧离子空位.这种补偿作用的存在使得基质本身的缺陷种类和数量十分丰富,使得该体系的余辉性能比较优越.  
        关键词：长余辉;Cd3Al2Ge3O12;热释光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 双量子阱中的子带光吸收

        邓永晴, 郭康贤, 于凤梅, 俞友宾, 王瑞强
        2005, 26(2): 215-219.
        摘要：由于微制造技术的不断发展,如液相外延(LPE),气相外延(VPE),金属有机化学气相沉积(MOCVD)以及分子束外延技术(MBE)等先进的材料生长技术方法也日趋完善,从而使得各种低维半导体量子器件(如半导体、超晶格、量子阱、量子线和量子点等)制造日趋成熟.由于这些低维半导体量子器件具有很强的非线性光效应,而且随着材料、外形、尺寸等的不同,非线性光效应也有很大的差别,更由于其可能存在的广泛的应用前景,所以近年来,一直是人们研究的重点.近来,由于人们相信,利用GaAs/AlGaAs量子阱有可能制造出一些新型的光学仪器,如光开关、光限幅器、光调制器等,所以,对不同势形的GaAs/AlGaAs量子阱的非线性光学特性一直吸引着人们进行理论和实验的研究.而在最近几年,对双量子阱的研究也成为了人们的研究重点.通过密度矩阵和迭代的方法,得到双量子阱中的第一、第三阶子带光吸收表达式,我们将用一个典型的GaAs/AlGaAs双量子阱代入其中进行数值计算,并进行讨论.我们的计算结果显示,阱的光吸收峰不但与中间的势垒宽度有关,更与入射光强有关.  
        关键词：双量子阱;子带光吸收   
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        更新时间：2020-08-11

      • 氧化锌薄膜Zn/O比和发光性能的关系

        林碧霞, 傅竹西, 廖桂红
        2005, 26(2): 225-228.
        摘要：用直流反应溅射在硅基片上生长具有高取向晶粒的氧化锌薄膜,在氧气、氮气、空气气氛和不同温度下进行热处理,对所得到的样品用俄歇谱(AES)仪进行元素深层分布分析,并测量光致发光光谱.研究结果表明:1.经热处理的薄膜表面全部为缺氧表面,不同深度Zn和O含量分布(Zn/O)有所不同;2.当在氧气氛中1000℃下热处理后,在薄膜的深层可产生比较明显的氧过量;而在空气中950℃下热处理后,则可产生局部氧过量;3.光致发光谱表明,薄膜中全部为锌过量时产生纯紫外发射,而具有局部氧过量的薄膜则在产生紫外发射的同时产生绿色发光,绿光和紫外的强度比则随局部氧过量增多而增大.  
        关键词：ZnO薄膜;俄歇谱;光致发光;锌氧比   
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        更新时间：2020-08-11

      • 铝阳极氧化多孔膜制备及Eu3+组装

        阳福, 刘应亮
        2005, 26(2): 233-236.
        摘要：在草酸体系中,采用二次阳极氧化法可制备大面积有序铝阳极氧化多孔膜(AAO),用X射线粉末衍射(XRD)仪进行物相分析,利用扫描电子显微镜(SEM)表征多孔膜的形貌.研究表明,低温条件下制备的多孔膜孔径大小分布均匀,有序性好.微孔在膜的表面沿二维空间规则排列,具有一定的六方对称准周期性,孔道相互平行且与铝基底垂直.低温条件下,草酸体系中电解获得的AAO膜以无定形结构存在,经过800℃高温退火后转化为γAl2O3.通过水热反应法,获得了Eu3+的铝阳极氧化多孔膜组装体(AAO:Eu3+),研究了组装体系的光谱特性.结果表明,这种方法制备的发光材料具有非常高的组装浓度,其发光具有很高的色纯度.  
        关键词：阳极氧化;多孔膜;退火;Eu3+;水热反应法   
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        更新时间：2020-08-11

      • 吩基吡啶铍(Bepp2)配合物的高效蓝光器件

        陆丹, 郭建华, 刘宇, 李艳琴, 吴英, 王悦
        2005, 26(2): 237-241.
        摘要：高荧光的吩基吡啶铍(Bepp2)作为发射层构成高效蓝色电致发光器件.这一由空穴注入层、空穴传输层、Bepp2发射层组成的多层器件,使用一电子传输层以获得高性能.这种器件结构,最大亮度达6 200cd·m-2、电致发光效率1.3cd/A(0.71lm/W),吩基吡啶铍(Bepp2)的电致发光光谱峰值在451nm.这些初步的结果表明配合物铍应用于电致发光是非常有前景的材料.在化学方面的进一步考察和新的羟苯基吡啶金属配合物电致发光器件的优化也在进行中.  
        关键词：有机电致发光;有机电致发光材料;铍配合物   
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        更新时间：2020-08-11

      • 硅片上顶发射的有机电致发光器件

        杨惠山, 陈淑芬, 吴志军, 赵毅, 侯晶莹, 刘式墉
        2005, 26(2): 242-246.
        摘要：为了更好地实现有机发光器件在硅片上的有源矩阵显示,有必要探讨在硅片上直接制作透明阴极的顶发射有机发光器件.在顶发射发光器件中,为了到达高的发光效率,底部阳极一般采用高反射率的金属.在通常所用的各种金属当中,金属银对可见光具有很高的反射率,然而由于其具有相当低的功函数,导致与有机材料间能级的不匹配,从而引起有机发光器件中阳极空穴注入的不理想而影响器件的性能.我们在硅片上制备顶发射的有机发光器件,用薄层QAD(quinacridone)作为发光层,表面修饰的银作为阳极,制备的有机发光器件的亮度在外加电压10V时达到13700cd/m2,器件的最大电流效率在7V时达到4.3cd/A,是没有薄层QAD器件的2倍多,是由在器件中存在Alq3与QAD之间Fster能量转移机制引起的.  
        关键词：有机发光器件;顶发射;亮度;电流效率   
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        更新时间：2020-08-11

      • 1,5-萘二胺衍生物的合成及发光行为

        李洁, 王华, 郝玉英, 周禾丰, 刘旭光, 许并社
        2005, 26(2): 247-252.
        摘要：通过在CuI的强碱溶液中Ullmann反应合成了纯度较高的1,5萘二胺衍生物NPN,制备了NPN薄膜.利用紫外/可见吸收光谱和荧光发射光谱的溶剂效应对化合物NPN的发光行为进行了研究,了解了该分子在基态和激发态时的性质.差热扫描法(DSC)测定其玻璃化温度(Tg)高达129.7℃,熔点达245.7℃.结果表明,NPN薄膜在365nm紫外光的激发下,产生发光峰在448.6nm附近、谱线带宽为72.6nm的蓝光发射,发光亮度高,色纯度高.该材料具有良好的热稳定性,期望通过设计合理的器件结构实现电致蓝光发射.同时NPN保持了TPD、NPB三苯胺的基本结构特征,具有较好的给电子性,而且引入1,5萘二胺结构单元,使结构更紧凑,有利于空穴迁移率的提高,也可望成为优良的空穴传输材料.  
        关键词：1;5-萘二胺衍生物;电致发光;热稳定性;空穴传输材料;蓝光发光材料   
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        更新时间：2020-08-11

      • 聚芳醚非共轭性电致发光材料与器件

        徐峰, 杨利营, 王辰, 陆燕, 孙媛媛, 华玉林, 印寿根
        2005, 26(2): 253-256.
        摘要：由单体Ma[2,5二(2乙基己氧基)1,4双{2,2〔5(对氟代苯基)〕1,3,4口恶二唑基}苯]分别与三组分单体(双酚A、砜代双酚A或混合的双酚A)在N,N二甲基乙酰胺/甲苯/碳酸钾的催化下于165℃进行亲核取代聚合反应得到淡黄色的固体,进一步纯化后得到含口恶二唑杂环的聚芳醚型非共轭的新型有机电致发光材料PE1、PE2、PE3.引入双侧链取代基增强了该类材料的溶解性能,通过控制反应条件及调节聚合温度获得了高收率的聚合产物.分别测得其化学物理性能,制备了聚合物PE1、PE2、PE3的简单结构器件(ITO/polymer/Ca/Ag),首次获得了该类材料单层器件的蓝色有机电致发光,且该类材料具有较优良的热稳定性.  
        关键词：有机电致发光器件;非共轭性;聚芳醚;口恶二唑杂环   
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        更新时间：2020-08-11

      • 一种有源有机发光显示屏(AM-OLED)驱动电路的设计

        司玉娟, 冯凯, 郎六琪, 刘式墉
        2005, 26(2): 257-261.
        摘要：介绍一种有源有机发光显示屏(AM-OLED)的驱动电路的设计方法.像素驱动电路采用常用的两管电路结构,依据此像素驱动电路,提出一种利用多晶硅TFT将部分外围驱动电路集成于衬底的设计方法和电路结构.采用互补的多晶硅TFT管设计屏上移位寄存器,传输门等模块,将部分外围驱动电路集成于OLED显示屏的衬底上,极大地减小了数据信号线的数目,降低了屏内信号线布线和屏外驱动电路的复杂程度.进一步讨论了利用复杂可编程逻辑器件(CPLD)设计驱动AM-OLED显示屏专用集成芯片的设计方案.  
        关键词：有源有机发光显示器;多晶硅;薄膜晶体管;驱动电路;复杂可编程逻辑器件   
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        更新时间：2020-08-11
      • 孙小燕, 李文连, 洪自若, 陈莉丽, 初蓓, 吕少哲, 李斌, 张志强, 胡知之
        2005, 26(2): 262-264.
        摘要：成功制备了铕配合物的微腔结构有机发光二极管(OLEDs),其发射层采用质量比为1:3的空穴传输材料(TPD)和电子传输材料(Eu(DBM)3bath)的混合层.该器件实现了Eu3+高色纯度红光发射,其色坐标为(x=0.651,y=0.338);并克服了微腔器件的发光颜色随探测角度增大而变化的缺点.在微腔器件中,最大亮度在19V时达到1 160cd/m2;在高电流密度时的EL效率得到明显提高.  
        关键词：有机电致发光二极管;微腔结构;铕配合物   
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        更新时间：2020-08-11

        材料合成及性能

      • 锗酸锌锰荧光体发光学与荧光瞬态衰减研究

        李映萱, 骆力扬, 王念夏, 陈登铭
        2005, 26(2): 183-188.
        摘要：制备一系列锗酸锌锰荧光体,并探讨其发光特性、瞬态荧光衰减与色度值与所掺杂锰离子含量之间的相互关系.本系列荧光体锰离子发射峰波长,随Mn2+含量由0增加0.05,由527nm红移至534nm.实验表明这可能与Mn2+所占据的四面体格位,遭扭曲而导致晶场强度变弱有关.本系列荧光体的CIE色度坐标值,则随所掺杂Mn2+含量,仅有微小改变.锗酸锌锰荧光体瞬态荧光衰减的研究结果表明:锗酸锌基质的衰减生命期在纳秒范围;随Mn2+掺杂量增加,在毫秒范围的锰离子荧光衰减生命期逐渐缩短.此现象可能与Mn2+-Mn2+离子对中,Mn2+的自旋交换相互作用有密切关系.  
        关键词：锗酸锌锰荧光体;荧光瞬态衰减;光致发光光谱;色度坐标值   
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        更新时间：2020-08-11
      • 夏天, 曹望和, 罗昔贤, 田莹
        2005, 26(2): 194-198.
        摘要：采用燃烧合成法,以稀土硝酸盐和二硫代乙二酰胺为反应物,通过控制两者的摩尔比例,在点燃温度为300~350℃时,制备了掺杂不同浓度稀土激活剂离子的硫氧化物X射线荧光粉.分别以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)光谱及X射线激发的发光(XEL)光谱对样品进行了表征.XRD分析表明,当热处理温度低于500℃时,可得到单一相的硫氧化物X射线荧光粉,这就避免了高温烧结的缺点;而当烧结温度较高时,开始有硫酸氧化物出现.从SEM图像中可以看到荧光粉粉末具有疏松和多孔连续的三维的网络块状结构,但其初级粒子尺寸较小,均小于50nm,这在一定程度上,可以提高成像系统的空间分辨率.PL光谱分析表明,所制备的荧光粉样品分别呈现出Eu3+,Tb3+离子的特征发射.XEL光谱结果表明,尽管它与光致发光的激发原理不一样,但同样呈现出Eu3+,Tb3+离子的特征发射;这些样品本身对X射线的吸收系数及掺杂浓度不一样,因此它们的光发射效率也有所差别.  
        关键词：燃烧法;X射线荧光粉;X射线激发;特征发射   
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        更新时间：2020-08-11

      • 闪烁体材料MBPO5：Ce(M=Ca,Sr,Ba)的制备及光谱性质

        曲广媛, 董宁, 郭海, 尹民, 张慰萍
        2005, 26(2): 199-204.
        摘要：报道了Ce3+掺杂的碱土金属硼磷酸盐的制备、结构和光谱性质.在助熔剂的作用下,用高温固相反应法制备了MBPO5(M=Ca,Sr,Ba)样品,并在还原气氛下成功地实现了Ce3+的掺杂.用X射线衍射(XRD)和傅里叶红外吸收谱(FT IR spectra)表征了样品的结构.X射线衍射结果表明,产物为六方相的菱硼硅铈矿(Stillwellite)结构.FT IR spectra给出了BO4、PO4 等基团的信息.测量并分析了材料在室温下的真空紫外紫外(VUV-UV)激发光谱及相应的发射光谱.在紫外光的激发下,观察到Ce3+的5d→2FJ(J= 7/2,5/2)的发射,分析了基质晶格对Ce3+的激发和发射谱的影响,并测量了BaBPO5基质中Ce3+的发光寿命.  
        关键词：闪烁体;硼磷酸盐;Ce3+   
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        更新时间：2020-08-11

      • 共沉淀法制备Y(P,V)O4：Tm3+荧光粉及其光致发光

        赖华生, 陈宝玖, 许武, 王晓君, 谢宜华, 狄卫华
        2005, 26(2): 205-210.
        摘要：采用氨水、双氧水和磷酸氢二铵溶液作沉淀剂,通过共沉淀法制备出Y(P,V)O4:Tm3+荧光粉,利用XRD、SEM、紫外以及真空紫外激发下的发射光谱对其进行研究.结果表明:共沉淀法制备的Y(P,V)O4:Tm3+荧光粉的颗粒形貌好,在147nm真空紫外光和254nm紫外光激发下,荧光粉发射主峰位于476nm,色坐标范围为:0.167≤x≤0.200;0.146≤y≤0.183.从这些结果来看,Y(P,V)O4:Tm3+体系还不能满足实际应用的要求,仍需进一步的深入研究以改善其性能.  
        关键词：共沉淀法;Y(P;V)O4：Tm3+;荧光粉;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 纳米晶ZrO2：Eu3+的制备及发光性质

        李秀明, 吕树臣, 刘金霞
        2005, 26(2): 220-224.
        摘要：利用共沉淀法制备了纳米晶ZrO2:Eu3+发光粉体.室温下观测到Eu3+离子的强特征发射,主发射分别在590,604nm处.观测到Eu3+离子电荷迁移态,并与其他研究系统观测到的Eu3+离子电荷迁移态基本相同.比较了不同掺杂比例和不同煅烧温度对Eu3+离子特征发射的影响.其他条件相同掺杂比例不同时,当n(Eu3+):n(Zr4+)为6%样品发射相对最强.而当掺杂比例相同改变煅烧温度时,600℃煅烧的样品发光较强.分析了Eu3+离子对ZrO2 晶相的稳定作用.铕掺杂的纳米晶二氧化锆样品,随着样品煅烧温度的升高,样品的晶相结构只发生了细微变化.而纯纳米晶二氧化锆在煅烧温度升高时晶相发生了明显的变化.说明Eu3+离子起到了稳定ZrO2 基质晶相的作用.研究发现二氧化锆掺铕样品有较高的浓度猝灭,发射较强且色纯度较好.  
        关键词：纳米晶ZrO2：Eu3+;共沉淀法;光致发光;掺杂;能量传递   
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        更新时间：2020-08-11

      • MOCVD生长的GaN和GaN：Mg薄膜的拉曼散射

        王瑞敏, 陈光德, LIN J Y, JIANG H X
        2005, 26(2): 229-232.
        摘要：通过显微拉曼散射对用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Al2O3衬底上生长的六方相GaN和掺Mg的p型GaN薄膜进行了研究.在两个样品的拉曼散射谱中同时观察到位于640,660cm-1附近的两个峰,640cm-1的峰归因于布里渊区边界(L点)最高声学声子的二倍频,而660cm-1的峰为布里渊区边界的光学声子支或缺陷诱导的局域振动模.掺Mg的GaN在该处的峰型变宽是Mg诱导的缺陷引起的加宽或Mg的局域模与上述两峰叠加的结果.在掺Mg的样品中还观察到276,376cm-1几个局域模并给予了解释.同时掺Mg的GaN中出现了应力弛豫的现象,掺Mg引起的失配位错和电子声子相互作用都有可能对E2模的频率产生影响.  
        关键词：氮化镓;拉曼散射;应力松弛   
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        更新时间：2020-08-11
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