最新刊期

    2005年第26卷第1期

      专文

    • 有机场致发光中能带模型与分子理论的讨论

      徐叙瑢, 徐征, 曲崇, 滕枫, 娄志东
      2005, 26(1): 1-7.
      摘要:在有机场致发光中,能带模型及分子理论从20世纪就存在尖锐的矛盾。在分层优化方案中,经SiO2加速后的电子能量可以到达10eV,这足以激发发光材料发光,将分层优化方案应用到有机场致发光材料中。发现了固态阴极射线发光(SSCL),经过对它的交叉证明、普适性的验证,肯定了固态阴极射线的发光确实是在发光二极管,无机及有机场致发光之外的一种完全新型的电场诱导的发光。SSCL的特征是在它的光谱中出现短波发光峰,实验证明长波发光峰的减弱是由于电场离化效应。研究了这种效应出现的电压阈值并和SSCL的短波峰出现的电压相比,发现短波峰的出现是在激子的电场离化之后,从而找出了电子处于局域态与扩展态的分水岭,解释了在有机场致发光中能带模型和分子理论并不矛盾,只是适用的条件不同。激子的离化是随电场强度而渐进的变化,因此会有一个两种过程并存的范围。  
      关键词:激子的场离化;辐射复合;能带理论与分子模型   
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      更新时间:2020-08-11
    • 以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性

      范希武, 单崇新, 羊亿, 张吉英, 申德振, 吕有明, 刘益春
      2005, 26(1): 9-14.
      摘要:用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)技术,以Stranski Krastanow(S-K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs)。用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效应和应变弛豫效应的联合作用。依据理论计算外延层临界厚度值的指导,用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上生长了ZnCdSe量子点,详细观测了ZnCdSe量子点的形成和演变,这些过程可用Ostwald熟化过程和形成过程的联合作用来解释。用LP-MOCVD技术,以Volmer Weber(V-W)模式,在GaAs衬底上生长了ZnSeS量子点,随着生长时间的增加,量子点尺寸增大,而量子点密度减少,这些现象可用表面自由能来解释。  
      关键词:CdSe量子点;ZnCdSe量子点;ZnSeS量子点;量子点的形成   
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      更新时间:2020-08-11

      研究论文

    • 无机/有机稀土配合物杂化发光材料研究进展

      孙丽宁, 符连社, 刘丰祎, 彭春耘, 郭俊芳, 张洪杰
      2005, 26(1): 15-26.
      摘要:近年来材料的发展趋势是功能互补,性能优化。稀土配合物发光强度大、单色性好,缺点是光稳定性和热稳定性较差,因此须将其掺入一定基质中,这样所得到的有机 /无机杂化发光材料,兼备了有机、无机材料的优点。根据杂化材料中稀土配合物与基质之间作用力不同,可分为第一类杂化材料(两相间以弱键如氢键等结合)和第二类杂化材料(两相间以强键如共价键等结合)。对这两类杂化材料近年来国内外的研究情况作了综合评述,并展望了其发展趋势。  
      关键词:稀土配合物;无机/有机杂化;发光;溶胶-凝胶   
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      更新时间:2020-08-11
    • 量子点中强耦合极化子的性质

      陈时华, 肖景林
      2005, 26(1): 27-31.
      摘要:采用Pekar类型的变分方法研究了抛物量子点中强耦合极化子的基态和激发态的性质。计算了基态和激发态极化子的结合能、光学声子平均数和极化子的共振频率。讨论了这些量对有效限制强度和电子 体纵光学声子耦合强度的依赖关系。结果表明:抛物量子点中极化子的共振频率、基态和激发态极化子的结合能以及光学声子平均数都随量子点的有效束缚强度的增大而减小。光学声子平均数随电子 体纵光学声子耦合强度的增加而增大。  
      关键词:量子点;强耦合;极化子   
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      更新时间:2020-08-11
    • 抛物量子线中强耦合极化子的有效质量

      丁朝华, 赵翠兰, 肖景林
      2005, 26(1): 32-36.
      摘要:采用改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,在考虑电子与LO声子相互作用情况下,研究了抛物量子线中强耦合极化子的有效质量和光学声子平均数。通过数值计算,讨论了约束强度ω0和拉格朗日乘子u对极化子的有效质量m*和光学声子平均数N及极化子振动频率λ的影响。计算结果表明:有效质量m*和光学声子平均数N及极化子振动频率λ都随着约束强度ω0和拉格朗日乘子u的增加而增大。  
      关键词:抛物量子线;极化子;有效质量;光学声子平均数   
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      更新时间:2020-08-11
    • 抛物量子点中强耦合束缚磁极化子的声子平均数

      刘亚民, 王成舜, 陈英杰, 肖景林
      2005, 26(1): 37-41.
      摘要:采用线性组合算符和幺正变换方法导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率和声子平均数。讨论了量子点的有效受限长度、磁场、库仑场和电子-LO声子耦合强度对抛物量子点中强耦合束缚磁极化子振动频率和声子平均数的影响。数值计算结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率和声子平均数均随量子点的有效受限长度、回旋共振频率的增加而减小,随库仑束缚势的增加而增加,声子平均数随电子-LO声子耦合强度增加而减小。  
      关键词:抛物量子点;强耦合;束缚磁极化子;有效受限长度;声子平均数   
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      更新时间:2020-08-11
    • 张国有
      2005, 26(1): 47-50.
      摘要:在过去的几十年人们对Er3+掺杂的玻璃材料进行了广泛的研究,因为Er3+4I13/24I15/2跃迁能够给出适合红外光通讯窗口的1.5μm的发射。据我们所知,目前关于脉冲激光激发下Er3+掺杂材料1.5μm发射的动力学行为研究报道仍很少。我们引入了转移函数理论,研究了980nm脉冲激发下Er3+4I13/2能级荧光的动力学行为。发现在980nm脉冲激发后,其荧光衰减遵循双指数规律,4I13/2能级布居分为指数上升和指数下降两个过程。  
      关键词:Er3+掺杂材料;转移函数;瞬态荧光特性   
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      更新时间:2020-08-11
    • YAG及其掺杂纳米粉体的结构与光学特性

      张立功, 范翊, 罗劲松, 褚明辉, 安立楠, 王义光, 王重民, McCREADY D E
      2005, 26(1): 51-55.
      摘要:由于透明多晶钇铝石榴石(YAG)陶瓷在高功率全固态激光器中巨大的应用价值,所以其研究在近几年引起了广泛的关注。YAG陶瓷与其单晶材料相比,可以实现大尺寸激光晶体,高掺杂浓度,并且制备的成本低。我们报道水热方法制备的纯YAG和硅、铷掺杂YAG陶瓷纳米粉体中掺杂与煅烧温度对陶瓷相组分、晶格参数和晶粒尺寸的影响。通过XRD和透射电子显微镜表征了YAG陶瓷及掺杂粉体的结构及其受到掺杂和烧结的作用,利用光吸收和发射谱研究了共掺杂和煅烧温度对YAG陶瓷粉体光学特性的影响。结果表 Si4+和Nd3+的共掺杂提高了Nd3+在YAG纳米体中的可溶度,促进了YAG相的生成,单相纳米Si/Nd:YAG粉体在920℃煅烧温度即可获得。它的光学特性与报道的单晶Nd:YAG一致。  
      关键词:YAG;纳米粉体;光学特性;掺杂   
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      更新时间:2020-08-11
    • 侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文)

      杨志坚, 胡晓东, 章蓓, 陆敏, 陆羽, 潘尧波, 张振声, 任谦, 徐军, 李忠辉, 陈志忠, 秦志新, 于彤军, 童玉珍, 张国义
      2005, 26(1): 72-76.
      摘要:在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4.5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同。在所有的SiO2 掩膜上方都形成了空洞。样品在240℃熔融的KOH中腐蚀 13min。在SiO2 掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度)减少到几乎为零。而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到108cm-2量级。同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的GaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关。室温光荧光结果表明侧向外延法生长的GaN中的晶格失配应力已被部分释放。  
      关键词:氮化镓;侧向外延生长;金属有机化学气相沉积   
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      更新时间:2020-08-11
    • GaPN混晶的瞬态发光特性

      高玉琳, 吕毅军, 郑健生, ZHANG Yong, MASCARENHAS A, XIN H-P, TU C W
      2005, 26(1): 77-82.
      摘要:通过对GaP1-xNx混晶的瞬态发光特性的研究,揭示了在低组分下N杂质从NNi对束缚激子的特性逐渐向高组分下形成GaP1-xNx混晶的杂质带的演变。在较低组分下,样品的发光由NNi对束缚激子及其声子伴线构成,从NN1 到NN4 的衰减时间分别在 90~30ns变化。当组分提高到x~1.3%以上时,样品的发光呈现出一个宽带,并按单指数规律衰减,辐射复合寿命大约在数十个纳秒量级,且随着N组分的增加,寿命相对减小;但在最高组分(x~3.1%)时,其寿命仍与NN4 束缚激子的寿命相当(~30ns),说明GaP1-xNx混晶新形成的杂质带仍然保持束缚激子较长的辐射复合寿命。且该杂质带低能端载流子的寿命比高能端载流子的寿命长,导致了其时间分辨谱向低能端的移动。同时在低组分样品的时间分辨谱的测量中,直接观察到了从较浅NN对束缚激子向较深NN对束缚激子的能量传输现象。  
      关键词:GaPN混晶;时间分辨谱;能量传输   
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      更新时间:2020-08-11
    • ZnO亚微米和微米棒的晶体生长及发光性质

      陈建刚, 郭常新, 张琳丽, 胡俊涛, 郭鹏
      2005, 26(1): 83-88.
      摘要:用硝酸锌Zn(NO3)2·4H2O和六亚甲基四胺(CH2)6N4,通过化学溶液法在玻璃衬底上生长出ZnO六角形亚微米和微米棒(长5~6μm,直径0.8~5μm)。生长时间达两天后,ZnO棒呈中空六角形微米管。测量了样品的X射线衍射(XRD)谱,扫描电镜像和喇曼光谱。ZnO微米棒的光致发光为橙红色宽谱带发射(峰值630nm,半峰全250nm),其激发光谱除带间本征激发(短于370nm)外,还有很强的在导带底附近的室温激子激发峰(峰值387nm,半峰全宽 30nm)。而阴极射线发光有两个发射峰,橙色宽谱带强峰(峰值580nm,半峰全宽约为140nm)是缺陷发光峰,近紫外窄谱带弱峰(峰值395nm,半峰全宽约为20nm)是激子发光峰。  
      关键词:ZnO;微米棒;发光;水热法   
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      更新时间:2020-08-11
    • 徐芹芹, 张吉东, 陈江山, 马东阁, 闫东航
      2005, 26(1): 89-94.
      摘要:有机薄膜层的结晶是有机电致发光器件衰减的主要机理之一。研究发现以CuPc做为缓冲层时比没有缓冲层时NPB薄膜更容易结晶,CuPc对NPB薄膜具有诱导结晶作用。通过原子力显微镜(AFM)以及宽角X射线衍射(WAXRD)详细研究了不同厚度、不同颗粒大小的缓冲层CuPc薄膜对空穴传输层NPB薄膜的结晶诱导作用。这个发现为以下结论提供了证据, 以CuPc薄膜做为缓冲层的OLED器件的长期衰减可部分归结于由缓冲层CuPc引起的空穴传输层NPB薄膜的结晶。  
      关键词:有机薄膜;结晶;AFM;衰减;有机电致发光器件   
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      更新时间:2020-08-11
    • 咔唑衍生物能带结构的电化学方法研究

      宋继国, 刘旭峰, 周翔, 沈培康
      2005, 26(1): 95-98.
      摘要:有机电致发光材料能带结构的表征对于材料的优化选择和有机电致发光器件的研究非常重要。循环伏安法具有简单、操作方便的特点,被广泛地用于表征有机材料的能带结构。用循环伏安法研究了一系列咔唑衍生物的最高占有分子轨道(HOMO)能级。实验结果表明:给电子基团有利于提高咔唑衍生物的空穴传输能力;吸电子基团则会降低该类材料的空穴传输能力;而具有共轭作用的取代基的衍生物则可以作为空穴阻挡材料。这对咔唑衍生物的设计合成具有指导意义。  
      关键词:有机电致发光材料;HOMO能级;循环伏安法   
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      更新时间:2020-08-11
    • 无源矩阵驱动高分子发光显示屏的典型串扰分析

      郑晓斌, 彭俊彪, 韩绍虎
      2005, 26(1): 99-104.
      摘要:无源驱动对高分子发光显示屏质量要求较高,每个像素都应具有完好的二极管特性。为了在选通像素时,消除D.Braun串扰[1],无源驱动必须断绝选通像素与非选通像素之间的关联,所以需空闲行列上加以反向偏压。但研究表明,对于整流特性比较低的像素,在行扫描的空闲时间内,使驱动IC的VDD与VEE短路,产生相当大的漏电流并在显示屏的电阻网络上形成异常的压降,从而改变空闲行列上的原有电位。这样也就改变了非选通像素的偏置状态,使之正偏导通发光,形成了新的串扰。其表现为两种亮线:一是列串扰,亮度分布与阳极ITO及金属引线电阻有关;二是行串扰。从实验上讨论此两种串扰的产生原因,并提出减缓串扰的可能性。  
      关键词:无源驱动;行串扰;列串扰;有机电致发光器件   
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      更新时间:2020-08-11
    • 导电高分子场发射特性研究

      赖国洪, 彭俊彪, 李政林, 程兰, 曹镛
      2005, 26(1): 105-108.
      摘要:用掺杂樟脑磺酸的聚苯胺(PANI-CSA)形成的导电高分子制成的薄膜作为场致发射的阴极材料,用覆盖了荧光层(ZnO:Zn)的氧化铟锡(ITO)做阳极,由所制成的显示器件得到比较稳定的场致电子发射,并具有较低的场发射阈值电压。通过研究导电高分子薄膜形貌,初步分析了场发射电流机制。认为导电高分子薄膜产生场发射的原因是薄膜在高电场作用下,首先在平整的高分子薄膜表面形成了尖锥和凹陷,提高了场强增强因子(β)。  
      关键词:导电高分子;聚苯胺;薄膜;场发射   
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      更新时间:2020-08-11
    • 大功率半导体激光器叠层无氧铜微通道热沉

      刘云, 廖新胜, 秦丽, 王立军
      2005, 26(1): 109-114.
      摘要:建立了叠层无氧铜微通道热沉的散热模型,通过理论计算和近似分析,优化了微通道热沉的结构参数;在t=200μm,ωc=60μm,ωf=100μm,p=2.02×106Pa时,可获得最小热沉热阻Rthm=4.205×10-3 K·cm2/W。根据优化结果,考虑微通道取向对液压降的影响,设计了一种新型大功率半导体激光器叠阵用五层结构叠层无氧铜微通道热沉,并结合实际工艺制备了无氧铜微通道热沉。在实际工作中,优化结果往往要跟实际工艺相结合,如优化所得的水压降2.02×106Pa,这在实际工艺中较难实现。但在热沉实际工作的水压降条件下,热阻为4.982×10-3 K·cm2/W,它能满足高功率激光器叠阵的需要。  
      关键词:微通道热沉;散热模型;结构参数;液压降   
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      更新时间:2020-08-11
    • 吴金辉, 李丽娜, 潘玉寨, 王立军
      2005, 26(1): 115-119.
      摘要:半导体激光列阵的输出光束有较大的发散角和较强的不对称性,极大地限制了其在各领域中的应用。为了改善半导体激光列阵输出光束的质量,必须采用特殊的光学系统进行光束整形。一种简单有效的方法是利用光纤列阵实现光束由线性排列到圆形排列的转换。对三种特殊制备的光纤列阵和半导体激光列阵的耦合特性进行了数值模拟研究。结果显示,相对于球形端面光纤列阵和锥形端面光纤列阵,球顶锥形端面光纤列阵和半导体激光列阵有着更高的耦合效率(90%以上)。此外,利用球顶锥形端面光纤列阵还可以进一步压缩输出光束的发散角,从而获得更高质量的输出光束。  
      关键词:半导体激光列阵;光纤列阵;光束整形   
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      更新时间:2020-08-11
    • 常用农药荧光特性的理论与实验

      王忠东, 王玉田
      2005, 26(1): 120-124.
      摘要:报道了一些有机农药的分子结构与荧光产生的关系,分析了西维因、克百威、啶虫脒等几种常用农药的分子结构和化学特性,揭示了它们产生荧光的机理特征。利用稳态荧光光谱仪,对西维因等农药分别在纯甲醇、80%水与 20%甲醇混合液和呈碱性(pH=13)的甲醇混合液等溶剂中进行了荧光光谱测量,并分析了它们的荧光光谱特性和其分子结构的关系。实验结果表明,分子结构中具有平面刚性结构或共轭体系的一些芳香环、杂环等基团的农药,如西维因、克百威、啶虫脒,在一定的溶剂或酸碱条件下是能够被激发而产生荧光的,可以通过荧光分析方法对它们进行直接或间接地分析检测。为进一步研究和开发用于农药的荧光检测仪器提供了可行性的理论依据。  
      关键词:荧光;农药;分子结构;荧光光谱实验   
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      更新时间:2020-08-11
    • 两种芳香植物非挥发性组分抗氧化和对DNA损伤的保护作用

      胡斌, 陈季武, 朱振勤, 秦海燕
      2005, 26(1): 125-130.
      摘要:采用6种化学发光体系和两种比色体系研究了芳香植物罗勒和香柠檬的非挥发性组分(简称罗勒、香柠檬)直接清除活性氧、活性氮和对·OH引起的DNA损伤的保护作用。结果表明,罗勒和香柠檬不仅能直接清除O2·,而且可抑制黄嘌呤氧化酶的活性从而减少O2· 的产生。罗勒和香柠檬也能有效清除·OH、H2O2、ONOO·和DPPH·,两者相比,香柠檬除对·OH的清除作用弱于罗勒外,清除以上各种自由基的能力均强于罗勒。结果还显示,罗勒和香柠檬都能抑制脂质过氧化,明显地抑制和延缓DNA损伤,起到预防型抗氧化剂和断链型抗氧化剂的双重作用。这些结果表明,罗勒和香柠檬的非挥发性组分是有效的、多功能的天然抗氧化剂和自由基清除剂。  
      关键词:罗勒;香柠檬;活性氧;活性氮;DNA损伤;抗氧化剂   
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      更新时间:2020-08-11
    • 含油岩屑固体粉末荧光的研究

      杨仁杰, 徐晓轩, 尚丽平, 许家林, 杨延勇, 张存洲
      2005, 26(1): 131-134.
      摘要:通过对含油岩屑固体粉末荧光的研究, 指出了在固体粉末中含油浓度在一定范围内时,其粉末荧光强度与含油的浓度成线性关系,对二者关系进行线性拟合,其相关系数R=0. 9936。当样品中的含油的浓度达到一定程度时,其荧光强度保持一个恒定的值。同时,研究了固体粉末荧光猝灭现象以及猝灭机制。指出含油岩屑粉末的荧光猝灭,主要是生荧团分子之间形成络合物以及由于激发光谱和发射光谱重叠所引起的交叉弛豫所致。最后比较了固体粉末中荧光浓度猝灭与溶液中浓度猝灭。这些对于研究和开发对含油岩屑直接进行荧光检测的录井技术具有重要的指导意义。  
      关键词:含油岩屑;固体粉末荧光;浓度猝灭   
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      更新时间:2020-08-11
    • ZnO肖特基势垒紫外探测器

      高晖, 邓宏, 李燕
      2005, 26(1): 135-138.
      摘要:以p-Si(111)为衬底,用水热法首次制得六棱微管ZnO。并以此为有源区利用平面磁控溅射技术沉积得到Ag叉指状电极,从而制作了Ag/n-ZnO肖特基势垒结紫外探测器。对该紫外光探测器的暗电流和365nm波长光照下的光电流、光响应和量子效率进行了测试。测试结果表明:Ag和ZnO六棱管间已形成肖特基接触,其有效势垒高度为0.35eV。无光照时,暗电流很小,当用λ=365nm的光照射Ag/n-ZnO肖特基结时,在5,9V偏压时,光生电流分别为25.6, 57.9μA。Ag/n-ZnO紫外探测器有明显的光响应特性和较高的量子效率,在 366nm波长处,光响应度达到最大值0.161A/W,量子效率为54.7%。  
      关键词:六棱微管ZnO;肖特基势垒结;紫外光探测器;I-V特性;光响应度;量子效率   
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      更新时间:2020-08-11

      材料合成及性能

    • ZBLAN玻璃中Pr3+掺杂离子3P01D2能级的发光特性和寿命

      杨海贵, 戴振文, 孙志伟, 孙桂娟
      2005, 26(1): 42-46.
      摘要:对ZBLAN氟锆酸盐玻璃中Pr3+掺杂离子3P01D2能级的寿命和发光特性进行了较详细的光谱学研究。首先测量了两种掺杂浓度(质量分数分别为1×10-3,5×10-3)的Pr3+:ZBLAN玻璃的吸收光谱,然后运用时间分辨激光光谱技术测量了3P01D2能级在激光单光子共振激发下的荧光发射谱和能级寿命。将不同荧光发射谱带的强度和文献报道的Judd Ofelt理论计算辐射跃迁几率数值做了比较分析,证明了文献中理论计算结果的可靠性。由于浓度猝灭效应,在相同的激发条件下,掺杂浓度为1×10-3样品的荧光发射强度明显大于5×10-3样品的荧光发射强度。但是从我们的测量结果看,掺杂浓度对3P01D2 的能级寿命值无显著影响。掺杂浓度为1×10-3时,Pr3+离子3P01D2能级的寿命值分别为46,322μs。  
      关键词:Pr3+:ZBLAN玻璃;稀土金属离子;荧光光谱;能级寿命   
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      更新时间:2020-08-11
    • BaAl12O19:Mn2+荧光粉的表面包覆与发光性能

      王晓君, 段桂花, 赵晓霞, 赵学平, 崔玉明, 申连春, 谢宜华, 杨华
      2005, 26(1): 56-60.
      摘要:采用传统的高温固相反应法合成出BaAl12O19:Mn2+荧光粉,利用乳胶法对荧光粉颗粒表面包覆MgF2。对包覆过程中的反应物浓度、反应过程进行研究,得到最佳包覆条件,确定荧光粉表面包覆的制备工艺。通过X射线衍射、透射电镜图、红外光谱等对表面包覆的荧光粉颗粒的结构性能进行分析,并在彩色等离子体平板显示器(PDP)上进行涂屏老化实验。结果表明在BaAl12O19:Mn2+荧光粉颗粒表面成功地包覆上MgF2 层,包覆后的荧光粉的初始发光亮度下降1.6%,而老化8h后,包覆的荧光粉亮度衰减明显优于不包覆的材料。  
      关键词:BaAl12O19:Mn2+;荧光粉;表面包覆;MgF2   
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      更新时间:2020-08-11
    • 均一球形PDP用荧光粉(Y,Gd)BO3:Eu的合成

      郑阿群, 宋晓平, 郗英欣, 刘宏彬
      2005, 26(1): 61-66.
      摘要:利用共沉淀法通过控制稀土离子浓度、沉淀温度等得到稀土氧化物前驱体沉淀,再将其和H3BO3按化学计量比混合煅烧制备出了平均粒径在0.5~1.0μm的球形、粒径分布较小和无团聚的(Y,Gd)BO3:Eu荧光粉,其性能在一些方面优于商用荧光粉。利用X射线衍射、SEM、粒度分析仪和PL光谱进行表征。研究了不同的煅烧温度对荧光粉性能的影响,结果发现用本实验方法在800℃煅烧即可得到纯相的(Y,Gd)BO3:Eu。而传统固相合成纯相的(Y,Gd)BO3:Eu反应温度高达1200℃。因本方法工艺较易控制,适于在工业生产上推广。  
      关键词:(Y;Gd)BO3:Eu;共沉淀;荧光粉;等离子显示屏;球形颗粒   
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      更新时间:2020-08-11
    • Zn2SiO4:Mn, Cd磷光体的长余辉特性

      雷炳富, 刘应亮, 叶泽人, 石春山
      2005, 26(1): 67-71.
      摘要:高温固相法合成Zn2SiO4:1.2%Mn,5%Cd长余辉磷光体,对样品进行了X射线衍射分析、光谱分析以及余辉衰减特性测量。分析结果表明,在1050℃下烧结3h的硅酸锌产物为单相。Zn2SiO4:1.2%Mn,5%Cd长余辉磷光体在243nm或260nm激发下,发射光谱最大峰值位于521nm处,其色坐标x=0. 2301,y=0.6915。在254nm紫外光激发5min后样品的余辉发光在暗室里可持续观察的时间约为1h,与Zn2SiO4:1.2%Mn磷光体比较,显示了更好的余辉特性。  
      关键词:硅酸锌;长余辉发光;锰离子;镉离子   
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      更新时间:2020-08-11
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