最新刊期
      2004年第25卷第6期

        论文

      • 束缚极化子有效质量的温度特性

        尹辑文, 于毅夫, 李亚利, 肖景林
        2004, 25(6): 615-619.
        摘要：采用改进的线性组合算符和幺正变换方法研究强、弱耦合束缚极化子的有效质量的温度特性,对RbCl晶体进行数值计算。结果表明,强耦合束缚极化子的振动频率和有效质量随温度的升高而增加,随库仑势的增加而增大。  
        关键词：束缚极化子;改进的线性组合算符;有效质量;温度特性   
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        更新时间：2020-08-11

      • 非线性一维光子晶体波导光双稳

        陈明, 李淳飞, 马少杰, 徐迈, 王维彪, 夏玉学
        2004, 25(6): 620-624.
        摘要：利用非线性折射率系数较大且非线性时间响应较快的CdSxSe1-x玻璃为材料,设计并制备了非线性一维光子晶体波导光双稳器件,该器件的折射率空间分布呈正弦形式。实验测得双稳开关的阈值功率密度为1.60×105W/cm2,开关时间为63ps。采用时域有限差分方法讨论了光子晶体带隙随入射光强变化而移动的情况,随着入射光功率密度的增加,光子晶体的带隙中心向短波方向移动。同时计算了该器件的双稳特性,理论计算得到双稳开关的阈值功率密度为1.40×105W/cm2,开关时间约为50ps。获得了理论与实验基本一致的结果。  
        关键词：一维光子晶体波导;光双稳;非线性   
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        更新时间：2020-08-11

      • 抛物形量子点中弱耦合极化子的性质

        王立国, 丁朝华, 肖景林
        2004, 25(6): 625-628.
        摘要：采用线性组合算符和幺正变换方法研究了抛物形量子点中弱耦合极化子的基态能量和束缚能。计算结果表明,基态能量和束缚能随有效束缚强度增加而减小。随着有效束缚强度逐渐加大,最后逐渐趋于体结构极化子的基态能量。当有效束缚强度给定,基态能随电子-体纵光学声子耦合强度增加而减小。由于有效束缚强度与量子点受限强度平方根成反比,所以量子点受限越强,基态能和束缚能越大,电子-体纵光学声子耦合强度的变化对量子点的影响越小。当量子点受限变弱时,电子-体纵光学声子耦合强度变化对量子点的影响变大。所以在量子点弱受限区域,极化子对量子点的影响不容忽略。  
        关键词：量子点;线性组合算符;弱耦合   
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        更新时间：2020-08-11

      • 含Kerr非线性的一维光子晶体中的类孤子

        徐旭明, 唐小迅, 刘念华
        2004, 25(6): 629-632.
        摘要：研究了含Kerr非线性的一维光子晶体中的类孤子。计算了光子晶体中加入Kerr非线性材料后,类孤子和入射光强、Kerr系数以及线性势阱的关系。随着线性势阱的降低,对应于在线性带隙中开始出现类孤子本征模所需要的最小入射强度也降低,即降低了非线性阈值;尽管非线性是产生类孤子的根本原因,但非线性系数对产生类孤子及孤子环中环的影响不如线性势阱高度的影响显著。  
        关键词：光子晶体;Kerr非线性;类孤子   
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        更新时间：2020-08-11

      • Ir(PPY)3掺杂PVK的电致发光机理

        李云白, 滕枫, 徐征, 侯延冰, 徐叙
        2004, 25(6): 633-638.
        摘要：近几年来发展起来的电致磷光(electrophosphorescence)是有机发光二极管(OLED)研究的新生长点。对电致磷光发光机理的研究随即得到了人们普遍的关注。比较了不同正向偏压条件下Ir(PPY)3掺杂聚乙烯基咔唑(PVK)的光致发光(PL)和电致发光(EL)光谱。研究结果显示在电场和注入电流的共同作用下,PL光谱中基质PVK发光的相对强度并没有发生显著的变化。电场或注入载流子不会影响PVK向Ir(PPY)3的能量传递。磷光掺杂聚合物EL主要是由于载流子在掺杂磷光分子上的直接复合,而不是由基质向磷光掺杂分子的能量传递。  
        关键词：聚乙烯基咔唑;Ir(PPY)3;电场诱导光致发光;电致发光   
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        更新时间：2020-08-11
      • 章践立, 夏海平, 王金浩, 张约品, 徐键, 宋宏伟, 张家骅
        2004, 25(6): 644-648.
        摘要：用高温熔融法,把Eu2O3掺入到P2O5-BaO-Na2O-K2O与Na2O-TeO2-ZnO系统玻璃中。测定了玻璃的荧光光谱与激发光谱。结果表明,Eu离子在P2O5-BaO-Na2O-K2O玻璃中呈现出Eu3+态。然而在Na2O-TeO2-ZnO系统玻璃中,尽管在空气气氛下,大部分的Eu离子在玻璃中以二价的状态存在。从玻璃的结构及化学组分解释了产生Eu2+的原因。在磷酸盐玻璃配料中加入适量的硅粉(Si)作还原剂,能有效地把玻璃中的极大部分Eu3+还原成Eu2+,获得含Eu2+的优质透明磷酸盐玻璃。  
        关键词：Eu2+离子;P2O5-BaO-Na2O-K2O玻璃;Na2O-TeO2-ZnO玻璃;光谱   
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        更新时间：2020-08-11
      • 孙江亭, 张家骅, 吕少哲, 骆永石, 任新光, 陈宝玖, 王笑军
        2004, 25(6): 649-654.
        摘要：报道了一种新型可作为掺铒光纤放大器(EDFA)基质材料的Er3+掺杂B2O3-SiO2-Gd2O3-Na2O(BSGN)体系玻璃及其玻璃陶瓷。对材料中铒的4I13/2→4I15/2跃迁的1.5μm发射光谱、吸收光谱、时间分辨光谱及寿命进行了测量和分析,讨论了热处理对玻璃材料带宽和寿命的影响。结果表明,铒掺杂玻璃1.5μm发射的带宽和J-O参数Ω6都随B2O3含量的增加而增加,寿命随B2O3含量的增加而减小。经过热处理后得到的玻璃陶瓷比具有相同组分的玻璃具有更高的1.5μm发射效率。同时,差热分析的数据表明,该玻璃体系具有极好的热稳定性。  
        关键词：钆硼硅酸盐玻璃;Er3+离子;宽带发射   
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        更新时间：2020-08-11

      • 铽激活碱土硼硅酸盐玻璃的长余辉发光性质

        赵建军, 李成宇, 王淑彬, 苏锵
        2004, 25(6): 655-660.
        摘要：首次报道了一种新型的长余辉发光材料,即Tb3+激活的钡硼硅长余辉发光玻璃。经254nm的紫外灯(辐照度为4.07mW/cm2)照射30min后,该玻璃发出明亮的绿色长余辉,其余辉在黑暗中持续8h以上仍肉眼可辨。比较样品的余辉光谱和荧光发射光谱,发现两者的峰形、峰位基本相同,说明玻璃样品的绿色余辉发射中心,来自于Tb3+的特征发射。余辉发射的峰值波长位于543nm,对应于Tb3+的5D4→7F5跃迁。我们通过吸收光谱、荧光的激发和发射光谱、余辉衰减曲线、余辉发射光谱及热释光谱等表征方法,系统地对这种玻璃材料的荧光和长余辉发光性质进行了研究,并讨论了可能的长余辉发光的机理。  
        关键词：长余辉;玻璃;铽离子;陷阱   
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        更新时间：2020-08-11
      • 李家成, 李顺光, 胡和方, 干福熹
        2004, 25(6): 661-666.
        摘要：制备了掺杂浓度相同而厚度不同的Er3+/Yb3+共掺杂碲钨酸盐玻璃样品,测量了样品的吸收光谱和970nmLD激发下的Er3+离子1.5μm发射的荧光光谱和荧光寿命,计算了Er3+离子的发射截面,研究了荧光俘获效应对Er3+离子1.5μm发射的光谱性能的影响。结果表明,样品中Er3+离子存在很强的荧光俘获效应,且荧光俘获效应随样品厚度的增加而增强。荧光俘获效应使测得的荧光寿命比计算的自发辐射寿命要长,随样品厚度的增加,Er3+离子1.5μm发射的荧光寿命增加;其荧光有效线宽Δλeff与次峰值强度和主峰值强度的比值Is/Ip也增加,且Δλeff与Is/Ip存在很好的线性关系。首次提出采用Er3+1.5μm波段荧光谱的次峰值强度和主峰值强度的比值Is/Ip与从McCumber理论计算得到的次峰值发射截面和主峰值发射截面的比值(σes/σep)的差值或比值来判断基质中Er3+1.5μm波段荧光俘获效应强弱的方法。  
        关键词：铒离子;荧光俘获效应;碲钨酸盐玻璃;光谱性质   
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        更新时间：2020-08-11

      • CaSO4掺Eu和Ag,Mn的热释发光谱

        张纯祥, 唐强, 陈晶亮
        2004, 25(6): 679-685.
        摘要：用三维发光谱方法,研究了掺Eu和Ag,Mn的CaSO4热释光材料的发光特性。测定了CaSO4:Eu(0.1%,摩尔分数)经1kGy的60Co的γ射线照射后的热释发光谱,观察到Eu2+离子的波长为385nm,温度为120,154℃的两个发光峰,Eu3+离子在波长590,620,700nm处有多个发光峰。测量样品经不同温度热处理后的热释发光谱,发现Eu2+和Eu3+离子的发光强度随热处理温度变化规律极不相同,可见,Eu2+和Eu3+浓度比可通过热处理来改变,从而得到需要的Eu2+和Eu3+相对发光强度。通过CaSO4:Mn(0.5%)和CaSO4:Eu,Mn(0.1%,0.1%)热释发光谱的比较,观察到Mn2+不仅是发光中心,而且能起能量转移的作用。实验得到的CaSO4:Eu,Mn磷光体有很高的发光效率。实验结果表明Eu2+取代CaSO4中的Ca2+,不需要电荷补偿,有比较稳定和简单的结构,其热释光峰基本符合以一陷阱和一发光中心为前提的一级动力学模型,Ag和Mn的掺入不产生Eu2+的高温发光峰。当Eu3+在CaSO4中取代Ca2+离子时,因其价态不同,则需电荷补偿,可能产生缺陷复合体和局部跃迁发光,它的热释光发光机制不能用一级动力学方程表示,而Ag的掺入起电荷补偿作用,从而改变了Eu3+发光峰温,而对Eu2+的发光峰温影响极小。  
        关键词：硫酸钙;铕;热释发光谱;发光机制   
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        更新时间：2020-08-11

      • MOCVD-Ga0.4In0.6As0.85P0.15/InP分布布喇格反射镜的反射率

        蒋红, 金亿鑫, 宋航, 李军, 缪国庆
        2004, 25(6): 686-690.
        摘要：采用MOCVD方法在InP衬底上制备了高质量的四元合金Gao4In0.6As0.8P0.1和InP外延层,用椭圆偏光仪测得Gao4In0.6As0.8P0.1和InP外延层的折射率.由这两种具有不同折射率的半导体材料交替生长构成不同周期的分布布喇格反射镜(DBR).研究了不同周期的DBR结构的反射率与波长及反射率与DBR结构周期数的关系.根据多层膜增反原理,当中心波长为1.-μm时,反射率随周期数增加迅速增加,周期数为23时,反射率可达99.97%.利用MOCVD技术,通过Ga0.4In0.6As0.8P0.1/InP的交替生长,成功地获得周期数分别为3,4,7,11,1,19,23的分布布喇格反射镜(DBR).实验结果表明,已获得表面如镜面状的二元InP外延层,而组分x,y分别为0.4,0.8的四元合金,因其处于混溶隙,外延层表面较粗糙,未获得镜面状表面.反射率的测量结果表明,反射镜的反射率随周期数的增加而升高,当DBR的周期数为23时,反射率为4.44%,与理论结果尚存在一定差距.  
        关键词：金属有机化学气相沉积;分布布喇格反射镜;反射率   
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        更新时间：2020-08-11

      • 空气和氧气气氛下p-GaN/Ni/Au合金性质

        杨华, 秦志新, 陈志忠, 胡成余, 胡晓东, 于彤军, 杨志坚, 张国义
        2004, 25(6): 691-695.
        摘要：研究了p-GaN上的Au/Ni双金属层在空气气氛和氧气气氛下合金对其欧姆接触性质的影响。使用同步辐射高强度X射线衍射观察到明显的NiO衍射峰。随着合金时间的增加,NiO和Au的结晶性均明显变好,NiO的衍射峰强度随合金时间的增加而增强,同时发现Au(111)沿GaN的(0001)面择优形成单晶。测得Ni/Au-p-GaN-Ni/Au串联电阻在合金后明显降低,表明接触性质改善与结晶性的提高有关。同时发现氧气下合金比空气下合金形成NiO更快,相应的串联电阻也更快地下降。  
        关键词：氮化镓;欧姆接触;同步辐射X射线衍射   
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        更新时间：2020-08-11

      • 用射频溅射技术在硅衬底上制备In掺杂ZnO薄膜

        朋兴平, 谭永胜, 方泽波, 杨映虎, 王印月
        2004, 25(6): 701-704.
        摘要：以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、热探针、四探针和荧光分光光度计分别对样品的结构、表面形貌、导电类型、电阻率和发光特性进行了分析表征。测试结果表明,实验中制备出的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向和小压应力(0.74GPa),薄膜表面平整。样品为n型导电,电阻率为1.6Ω·cm。在室温光致发光谱测量中,首次观察到位于415～433nm的强的蓝紫光双峰发射,发光双峰的半峰全宽约为400meV。讨论了In掺杂对薄膜发光特性的影响。  
        关键词：氧化锌薄膜;In掺杂;光致发光谱;射频反应共溅射   
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        更新时间：2020-08-11

      • 包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性

        王颖, 申德振, 刘益春, 张吉英, 张振中, 刘英麟, 吕有明, 范希武
        2004, 25(6): 705-709.
        摘要：采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在低温下制备了富硅氢化氮化硅薄膜。利用红外吸收(IR)谱,光电子能谱(XPS)和光致发光(PL)谱,研究了在不同温度下退火的薄膜样品的结构和发光特性。在经过低温退火的薄膜中观测到一个强的可见发光峰。当退火温度较高时,随着与硅悬键有关的发光峰消失,可见发光峰位发生了蓝移。讨论了退火对薄膜中硅团簇的形成及其对发光的影响。根据Raman谱,计算了氮化硅薄膜中硅团簇的尺寸大小。通过实验结果和分析,我们认为PL谱中较强的室温可见发光峰来自于包埋于氮化硅中的硅团簇。  
        关键词：等离子体增强化学气相沉积;光致发光;硅团簇;量子限制效应   
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        更新时间：2020-08-11

      • HFCVD法制备纳米晶态SiC及其室温下的光致发光

        王辉, 宋航, 金亿鑫, 蒋红, 缪国庆
        2004, 25(6): 721-724.
        摘要：用热丝化学气相沉积(HFCVD)法以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了纳米晶态6H-SiC。为减小6H-SiC与Si衬底之间的晶格失配,在HFCVD系统中通过对Si衬底表面碳化处理制备了缓冲层,确立了形成缓冲层的最佳条件。采用扫描电镜、傅里叶红外吸收谱和X射线衍射等分析手段对样品进行了结构和组分分析。结果表明,在较低的衬底温度下所沉积的是晶态纳米SiC,纳米晶粒平均尺寸约为60nm,并在室温下观察到所制备的纳米SiC位于380～420nm范围内的短波可见光。研究和分析了碳化时间对发光峰及红外吸收峰位置的影响。  
        关键词：纳米材料;碳化硅;光致发光;碳化;热丝化学气相沉积   
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        更新时间：2020-08-11

      • 纳米硅薄膜/多孔氧化铝复合体系光致发光的温度特性

        曹小龙, 李清山, 王清涛, 张利宁
        2004, 25(6): 725-730.
        摘要：利用高真空电子束蒸发方法在多孔氧化铝衬底上生长了纳米硅薄膜,经过650℃高温真空退火后,在10～300K温度范围内观测样品的荧光光谱特性,并对样品进行了场扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外吸收(FTIR)光谱、X射线衍射(XRD)谱的分析。PL谱结果表明,随着温度的升高,样品的发光峰位一般发生红移,但在50～80K范围内却出现了反常的蓝移现象;样品的发光强度基本是按逐渐减小趋势变化的,在60～80K之间,发光强度有少许变强。讨论了纳米硅薄膜的光致发光机理,用量子限制-发光中心模型对实验现象进行了解释。  
        关键词：纳米硅;光致发光;量子限制发光中心   
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        更新时间：2020-08-11

      • 链构象对稀溶液中MEH-PPV的光致发光的影响

        孔凡, 欧昌刚, 郑怡, 张苏洋, 杨昌正, 吴兴龙, 袁仁宽
        2004, 25(6): 731-736.
        摘要：聚(2-甲氧基-5-(2′-乙基己氧基)-1,4-对苯乙炔)(MEH-PPV)在溶液中的链构象依赖于溶剂的性质,共轭聚合物的发光特性受链构象影响明显。在稀溶液中,不良溶剂含量的增加使MEH-PPV分子链更加紧缩卷曲,单个分子链内更多共轭链段发生聚集,光激发形成的链间激子增加。通过对MEH-PPV稀溶液的光谱分析,发现链间激子的形成过程依赖于激发光的能量(hν)。在激发光能量大于聚合物的最低激发能(Ea)的情况下,大部分链内激子通过辐射复合发光,少部分链内激子沿分子链转移到聚集的共轭链段上形成链间激子。在hν<Ea的情况下,单个分子链内聚集共轭链段吸收光子能量形成链间激子并复合发光。  
        关键词：共轭聚合物;光致发光;链内激子;链间激子   
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        更新时间：2020-08-11

      • 微通道板离子壁垒膜及其特性

        姜德龙, 吴奎, 王国政, 李野, 高延军, 端木庆铎, 富丽晨, 田景全
        2004, 25(6): 737-742.
        摘要：介绍了微光像管中微通道板离子壁垒膜及其形成技术,研究了其粒子(电子和离子)透过特性。给出了死电压概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对比测试结果;给出采用X射线光电子能谱(XPS)进行成分分析的结果。介绍了离子壁垒膜的离子透过特性,给出了表征膜层对离子阻止能力的离子透过率的概念,提出了离子透过率测试的原理方案和相关技术等问题。  
        关键词：微通道板;离子壁垒膜;免污染成膜工艺;死电压;离子透过率   
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        更新时间：2020-08-11

      • 刻线镍膜上沉积的碳纳米管场发射特性

        樊志琴, 张兵临, 姚宁, 鲁占灵, 杨仕娥, 马丙现, 邓记才
        2004, 25(6): 743-747.
        摘要：利用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)方法,在刻线的镍膜上沉积碳纳米管膜。通过SEM和拉曼光谱表征,讨论了催化剂厚度、制备温度、反应时间以及甲烷浓度对碳纳米管场发射的影响。结果表明:不同条件下制备的碳纳米管的场发射性能有很大差异,保持氢气的流量(100sccm)不变,当甲烷流量为5sccm、生长时间为5min、催化剂膜厚为150nm、温度为700～800℃时,场发射性能最好,开启场强为1.3V/μm,最大发射电流达到6.8mA/cm2。  
        关键词：碳纳米管;微波等离子体化学气相沉积;场发射;拉曼光谱   
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        更新时间：2020-08-11

        稀土发光材料

      • ITO/BTEO-PPV：PUI/Al的光电特性

        欧昌刚, 孔凡, 郑怡, 张苏洋, 杨昌正, 袁仁宽
        2004, 25(6): 639-643.
        摘要：报道了用单离子导体聚氨酯酰亚胺磺酸钠(PUI)作为固体电解质和共聚[2,5-二(三乙氧基)-1,4-对苯乙炔]-[1,4-对苯乙炔](BETO-PPV)作为发光层的单离子聚合物发光电池(SLEC)的制作和测量。实验结果及其分析表明:不可移动阴离子的存在使SLEC的正反向稳态电流-电压(I-V)曲线不再对称;SLEC具有快速响应的主要原因是SLEC中固定的阴离子对阳离子的散射比LEC中运动的阴离子对阳离子散射小。SLEC的电容-频率(C-f)特性证实了阳离子在薄膜中具有较快的响应速度。  
        关键词：单离子聚合物发光电池;响应时间;离子输运   
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        更新时间：2020-08-11

      • 溶胶-凝胶法制备MgF2包覆BaMgAl10O17：Eu荧光粉及其发光特性

        李峰, 王育华
        2004, 25(6): 667-672.
        摘要：用溶胶-凝胶法在等离子显示屏(PDP)用蓝色荧光粉BaMgAl10O17:Eu(BAM)的表面上成功地包覆了MgF2膜,并研究了其发光与热衰减特性。XPS和SEM结果表明BAM荧光粉颗粒表面上形成了MgF2包覆膜。对包覆样品和未包覆样品的发光特性研究表明:在254nm激发下,最佳包覆量为0.2%(质量比),其在600℃热处理30min后包覆样品的发光强度比未包覆样品的发光强度约高12%。在147nm激发下,最佳包覆量为0.5%,其在600℃热处理30min后的发光强度比未包覆样品的发光强度高15%。这表明对BAM荧光粉进行表面包覆MgF2可以有效地稳定荧光粉的发光性能。这一结果不仅对提高PDP性能有重要意义,而且对开发无汞荧光灯用荧光粉等也具有指导意义。  
        关键词：无机非金属材料;热衰减;溶胶凝胶法;包覆;BaMgAl10O17：Eu   
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        更新时间：2020-08-11

      • SrO/Al2O3比率对Sr2AlO4：Eu,Dy发光性能的影响

        吕兴栋, 舒万艮, 黄可龙
        2004, 25(6): 673-678.
        摘要：采用高温固相法合成稀土离子掺杂碱土铝酸盐发光粉,通过改变原料配比分别合成出富Sr和富Al的Sr2AlO4:Eu,Dy发光粉样品。XRD分析结果表明,SrO/Al2O3比率的微小变化不会影响样品的晶相组成。样品的发光性能和长余辉特性测试结果表明,富Al的Sr2AlO4:Eu,Dy发光粉具有较高的荧光强度及较长的余辉时间,说明Sr2AlO4晶格中SrO/Al2O3比率对Sr2AlO4:Eu,Dy发光性能和长余辉特性有很大的影响。激发与发射光谱、发射峰余辉衰减以及热释光谱分析表明,SrO/Al2O3比率的微小变化,导致晶格中发光中心Eu2+浓度和陷阱的深度与密度发生改变。在富Sr体系中,稀土掺杂离子Eu2+,Dy3+较难进入Sr2+的晶格位置,晶格中发光中心Eu2+浓度和陷阱密度都较低,使得粉体发光强度较低,余辉时间较短。  
        关键词：光致发光;余辉;铝酸盐;陷阱   
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        更新时间：2020-08-11

      • a-SiCx：H/nc-Si：H多层薄膜的室温时间分辨光致可见发光

        王莉, 赵艳娥, 赵福利, 陈弟虎, 吴明娒
        2004, 25(6): 696-700.
        摘要：在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积非晶SiCx:H(a-SiCx:H)和非晶Si:H(a-Si:H)薄膜,然后经过高温热退火处理,成功制备了晶化纳米a-SiCx:H/nc-Si:H(多晶SiC和纳米Si)多层薄膜。利用截面透射电子显微镜技术分析了a-SiCx:H/nc-Si:H多层薄膜的结构特性。通过对晶化样品的时间分辨光致发光谱的研究,结果表明:随着退火温度的升高,发光峰位置开始出现一些红移现象;当退火温度为900℃时,样品的发光强度和发光衰减时间分别达到最大值和最小值;随着退火温度的继续升高,发光峰位置又开始出现蓝移现象。由此探讨纳米a-SiCx:H/nc-Si:H多层薄膜的发光特性和发光机理。  
        关键词：a-SiCx：H/Si：H多层薄膜;等离子体增强化学气相沉积;热退火   
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        更新时间：2020-08-11

      • Y2O3：Ho/Yb纳米晶的上转换发光性质

        杨林梅, 宋宏伟, 于立新, 刘钟馨, 吕少哲, 马丽群
        2004, 25(6): 710-714.
        摘要：采用燃烧法制备了不同尺寸和不同掺杂浓度的Y2O3:Ho/Yb纳米晶,并系统地研究了颗粒尺寸对Y2O3:Ho/Yb纳米晶发光性质的影响。研究发现,随着尺寸的减小,发射强度和荧光分支比均发生了显著变化,Ho3+的整体发射强度降低,但5F5→5I8的红光发射比5S2(5F4)→5I8的绿光发射的荧光分支比增强。尺寸减小,表面原子更易吸附空气中的水和二氧化碳,引入一些较大的振动模式,从而增大了无辐射跃迁的速率,荧光分支比随尺寸的变化被归因于表面效应引起的无辐射弛豫过程5S2(5F4)→5F5和5I6→5I7的增强。  
        关键词：Y2O3：Ho/Yb纳米晶;荧光分支比;表面缺陷;无辐射跃迁   
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        更新时间：2020-08-11

      • 共掺杂对Y2O3：Eu3+纳米晶结构和发光性质的影响

        孙宝娟, 宋宏伟, 吕少哲, 杨林梅, 刘钟馨, 于立新, 张小波, 王铁
        2004, 25(6): 715-720.
        摘要：采用燃烧法制备不同离子(M:Li+,Na+,K+,Mg2+,Sr2+,Ba2+,B3+,Al3+)共掺杂的纳米Y2O3:Eu3+粉末。系统地研究了各掺杂离子对纳米Y2O3:Eu3+材料的结构、发光性质及其寿命的影响。比较发现,掺杂不仅可以调节纳米材料的尺寸,还可以影响材料的结晶性,尤其是后者对发光性质和荧光动力学过程,如荧光强度、电荷迁移带的位置和5D0的寿命等有重要的影响。  
        关键词：Y2O3：Eu3+纳米晶;结晶性;电荷迁移带;表面缺陷   
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        更新时间：2020-08-11
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