最新刊期
      2004年第25卷第1期

        研究论文

      • 石墨表面吸附钾系统电子性质的理论研究

        伍勇, 王爱华
        2004, 25(1): 1-8.
        摘要：基于集团模型电荷自洽的EHT(Extended Hückel Tneory)方法对K在石墨(0001)表面吸附态进行了优化计算.在3种不同的覆盖度(Θ)下,对k-石墨系统的电荷转移量△Q、吸附能△E、态密度PDOS和TDOS、Mulliken集居数和成键性质进行了比较.认同K/石墨吸附系统是石墨插层化合物(GIC)的雏型.并用LMTO方法对KC8完成电子结构的第一性原理研究,得到与EHT完全一致的结果:K4s-Ca杂化态主要位于低能区域远离费米能级,构成反键轨道其电子转移到费米能级附近K3d-Cπ成键的杂化轨道上.空的3d轨道在目前EHT方法和LMTO方法计算中扮演了关键角色.这与其他文献K-4s态处在EF能级的结果不同,但与早期Fischer(1984),Johnson(1986)XPS,ARUPS的实验结果吻合.  
        关键词：表面电子结构;碱金属;石墨;吸附;EHT;LMTO   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnO薄膜的自组织设计及形貌控制

        周小燕, 邓宏, 姜斌, 李燕, 王恩信
        2004, 25(1): 9-13.
        摘要：采用单源化学气相沉积(SSCVD)法,在Si(100)基片上通过改变前驱反应体与基片的入射角度,获得了可控柱状取向的ZnO薄膜.研究发现,入射角度的改变可使沉积薄膜中的柱状结构的生成方向倾斜.但X射线衍射(XRD)分析表明:ZnO薄膜的c轴(002)取向与入射角无关,且不沿ZnO柱状结构的生长方向取向.由于ZnO的(002)面为其表面自由能最低且原子密度高的晶面,ZnO薄膜的生长更易于在垂直于基片表面的方向c轴取向生长.  
        关键词：ZnO薄膜;柱状结构;c轴取向   
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        更新时间：2020-08-11

      • 一种特殊的非对称量子阱中的电光效应

        俞友宾, 郭康贤, 于凤梅
        2004, 25(1): 14-18.
        摘要：运用密度矩阵方法推导出了特殊非对称量子阱中电光系数的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱为例进行了数字计算.计算结果表明,量子阱的非对称性随着参数a的增大而增强,随着参数V0的增大而减小.电光系数的最大值也随着参数a的增大而增大,随着参数V0的增大而减小,表明电光系数将随着量子阱非对称性的增大而增大.在取不同的参数a和不同的参数V0时,电光系数和入射光子能量的关系分别被绘制成曲线图.在图中分别有三个不同的峰,而且系统的非对称性越大,峰值就越大.随着量子阱非对称性的增大,曲线中的峰向能量低的方向移动.另外,在这种量子阱中得到了比较大的电光系数,大约在10-6m/V量级.随着近来纳米制作技术的进步,使得在实验上制作这种特殊非对称量子阱并得到较好的非线性材料成为可能.  
        关键词：电光效应;非线性;量子阱   
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        更新时间：2020-08-11

      • 非完整超晶格中电子透射问题的计算机模拟

        廖清华, 徐旭明, 刘念华
        2004, 25(1): 19-23.
        摘要：采用转移矩阵方法,模拟研究了垒高无序和阱宽无序非完整超晶格的电子态问题.计算了垒高无序有限超晶格的透射谱和其局域态波函数以及阱宽无序有限超晶格的透射谱和本征值,直观地给出了垒高无序和阱宽无序非完整有限超晶格其电子态行为的物理图像.模拟结果表明:垒高无序和阱宽无序这两种常见非完整一维有限超晶格的子带带隙间均存在强烈的电子运动定域化,且电子波的布喇格散射对周期性势场更敏感;这两种非完整性引起的局域,通过计算电子局域态波函数和有限系统的本征值得到了证实;对本文讨论的这种类型和周期的超晶格,如果控制阱宽在9.1～10.9nm间随机变化,即阱宽的值最大相差1.8岫时,计算机模拟的结果是,阱宽的这种非周期性开始使子带的带隙消失.  
        关键词：垒高无序;阱宽无序;局域态波函数   
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        更新时间：2020-08-11

      • 表面极化子光学声子平均数的磁场和温度依赖性

        薛惠杰, 刘伟华, 肖景林
        2004, 25(1): 24-28.
        摘要：采用变分法、幺正变换和拉格朗日乘子法,研究了有限温度下纯二维晶体中表面磁极化子的性质.讨论了表面光学声子平均数、磁极化子振动频率λ与磁场B、温度T及Lsgrange乘子u之间的关系.对KCl晶体进行了数值计算,结果表明:磁极化子振动频率、表面光学声子平均数均随磁场B的增强而增加,且随温度T升高而增加.当bgrange乘子u超出慢电子范围时磁极化子振动频率、表面光学声子平均数均随u增加而增大且变化越来越显著.  
        关键词：表面磁极化子;光学声子平均数;有限温度   
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        更新时间：2020-08-11

      • 束缚磁极化子的性质

        陈英杰, 肖景林
        2004, 25(1): 29-33.
        摘要：采用线性组合算符和幺正变换方法分别导出弱、强耦合情形下束缚磁极化子的振动频率和基态能量.结果表明库仑场的存在使得磁极化子的基态能量的绝对值变小.  
        关键词：弱耦合;强耦合;束缚磁极化子;基态能量   
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        更新时间：2020-08-11

      • 效率增强的新型蓝色有机发光器件

        张积梅, 蒋雪茵, 张志林, 朱文清, 吴有智, 许少鸿, 姜标, 付克洪
        2004, 25(1): 34-38.
        摘要：使用一种新型空穴传输材料J003制备了不同结构、不同发光层厚度的两组蓝色发光器件,其结构为:ITO/CuPc/J003/JBEM:perylene/Alq3/LiF/Al和ITO/CuPc/J003/JBEM:perylene/TPBi/Alq3/LiF/Al,这里CuPc(Copper phthalocyanine)和LiF分别为空穴注入层(HIL)和电子注入层(EIL),J003为空穴传输层(HTL),JBEM(9,10-bis(3,5'-diaryl)phenylylanthracene)为发光层(EML),TPBj(1,3,5-tri(phenyl-2-benzimidazole)-benzene)为空穴阻挡层(HBL),Alq3(tris(8-quinolinolato)aluminium complex)为电子传输层(ETL).两种结构中前者为无阻挡层的普通型结构,后者在发光层和电子传输层中加入了空穴阻挡层,是新型阻挡层结构.研究了空穴阻挡层的引入在不同厚度发光层时对器件发光性能的影响,结果表明,新型阻挡层结构能明显提高器件的亮度和效率,但依赖于发光层厚度,利用能级图分析了其中的原因.  
        关键词：蓝色发光;阻挡层;发光层厚度   
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        更新时间：2020-08-11

      • 液晶性噁二唑类载流子传输材料

        杨国波, 孙晓波, 吴英, 田文晶, 李敏
        2004, 25(1): 39-43.
        摘要：将液晶基团引入到载流子传输材料中合成了新型液晶性噁二唑类衍生物E3和E6,利用偏光显微镜、差热扫描和广角X射线衍射的方法对其液晶性进行了研究,结果表明,E3为单向近晶型液晶,E6为双向近晶型液晶.同时,利用紫外-可见吸收光谱和电化学方法测定了材料的能级结构参数,其高的LUMO能级,低的HOMO能级(相对真空能级)及较大的带隙表明,它们不仅有利于电子从阴极的注入,还对空穴和激子具有一定的阻挡作用.由于材料在有序的近晶相比在无序的各向同性相将具有高的载流子迁移率,因此将液晶性与传输性相结合对提高材料载流子迁移率具有非常重要的意义.  
        关键词：有机电致发光;液晶;二唑类衍生物   
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        更新时间：2020-08-11

      • Ru(bpy)32+聚电解质光致发光电致发光性质

        夏虹, 张成波, 刘晓冬, 阚士董, 马於光, 沈家骢
        2004, 25(1): 44-46.
        摘要：以Ru(bpy)32+作为发光材料研制聚合物电致发光器件,分别以水溶性聚乙烯基氯化铵(PAA)和聚苯乙烯基磺酸钠(PSSTS)作为母体材料,研究了聚阴阳离子对器件性质的影响.通过对器件结构、母体浓度、掺杂浓度进行优选,得到结构为ITO/PVK/Ru:PAA/LiF/Al的器件.这一器件开启电压为3.5V,效率为1.1lm/W.  
        关键词：聚合物电致发光器件;磷光材料;红光发射   
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        更新时间：2020-08-11

      • 异金属Cu-Ag有机配位聚合物的光物理性质

        闫冰
        2004, 25(1): 47-50.
        摘要：通过分子组装的方法,在相同的反应条件下,调节控制反应物铜银前驱体的反应配比,设计合成了1,8-二异氰-萜烷(L)的异金属铜银配位聚合物{[CuxAg1-x(L)2][BF4]}n(x=1.0,0.95,0.78,0.52,0.19,0.05,0),详细研究了配合物的光物理性质.发现紫外吸收光谱和荧光发射光谱随着不同金属配比的配位聚合物分子链长的改变,最大吸收和发射位置呈现谱带移动.  
        关键词：异金属铜银;有机配位聚合物;光物理性质   
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        更新时间：2020-08-11
      • 廖显威, 梁晓琴, 王莹, 吴雪梅, 范志金
        2004, 25(1): 51-54.
        摘要：采用量子化学半经验方法RHF/AM1对3种有较高杀霉活性的2-苯乙烯基苯并噻唑类化合物的电致发光性质进行了理论研究,对探索新型有机发光材料以及设计具有特定光电转换功能材料的分子提供了一种新的研究方法.对各化合物进行的构型优化表明,分子具有一定的平面结构,且具有较大的离域π键.对优化后的构型进行振动分析,其最小振动频率分别为13.50,9.66,7.53cm-1,均未出现虚频率.种化合物的HOMO和LUMO之间的能量差△E分别为7.838,7.706,7.288eV,△E较小,离域电子容易激发.在此基础上用RHF/CIS方法分别计算了它们的荧光光谱,选用1153个组态进行计算,所得结果与实验值基本符合.  
        关键词：2-苯乙烯基苯并噻唑;量子化学;荧光光谱;CIS   
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        更新时间：2020-08-11

      • 溶胶-凝胶法制备小颗粒(Y,Gd)BO3:Eu及其表征

        蒋凯, 余兴海, 叶明新, 黄玮石, 黄京根
        2004, 25(1): 55-61.
        摘要：用溶胶-凝胶方法制备了平均粒径为1～2μm的小颗粒、高发射效率的(Y,Gd)BO3:Eu红色发射荧光体.用XRD、SEM、粒度分析和PL光谱对荧光体作了表征和研究.常规固相反应合成(Y,Gd)BO3:Eu需在1200℃以上才能形成均一的固溶体.而溶胶-凝胶法制取稀土正硼酸盐800℃灼烧已可形成均一的单相(Y,Gd)BO3:Eu,在1100℃可得到发光亮度最高的荧光体.它的亮度是常规固相反应于1200℃制得的荧光体的120%.采用溶胶-凝胶法制取(Y,Gd)BO3:Eu荧光体,可在相当宽的实验条件范围内得到小粒径、窄分布和高亮度的荧光体,且有良好的颗粒形貌.  
        关键词：正硼酸盐;溶胶凝胶法;等离子体显示板;荧光粉   
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        更新时间：2020-08-11

      • 纳米Y2O3:Eu3+中S6格位电荷迁移带的光学特性

        贾明理, 张家骅, 吕少哲, 孙江亭, 骆永石, 任新光, 宋宏伟, 王笑军
        2004, 25(1): 62-66.
        摘要：在Y2O3:Eu3+体材料和纳米材料中,观察到紫外激发下处于S6格位的Eu3+的5Do→7F1发射(82nm)的强度,相对处于C2格位的5Do→7F1发射(80nm)的强度,随着激发波长在200～300 nb紫外区由长变短而增强.这一现象说明Y2O3:Eu3+中两种格位的电荷迁移带及基质激发的性质不同.光谱分解得出S6格位的电荷迁移带位于C2格位电荷迁移带的高能侧,Y2O3基质倾向于向S6格位进行能量传递.与体材料相比,两种格位的电荷迁移带在纳米材料中都发生红移;相对于C2格位的电荷迁移带,S6格位的电荷迁移带强度在纳米材料中比在体材料中明显降低,并对结果进行了讨论.  
        关键词：格位;电荷迁移带;能量传递;红移   
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        更新时间：2020-08-11

      • 退火对ZnS纳米晶结构相变及发光的影响

        张小波, 宋宏伟, 于立新, 孙宝娟, 吕少哲, 任新光, 谢宜华, 王晓君, 曹健林
        2004, 25(1): 67-71.
        摘要：采用共沉淀法制备了ZnS及ZnS:Eu纳米晶粉末,并对其在不同温度进行了退火处理.通过X射线粉末衍射(XRD)技术及差热分析实验(DTA)对ZnS纳米粒子在退火过程中的从立方到六角晶相的结构相变进行了研究.实验结果表明,同体材料相比,由于ZnS纳米晶具有较大的表面活性,其相变温度大大降低了.在由纳米粉末退火制备的样品中,观察到峰值位于460nm和20nm的两个发光带.前者是ZnS的自激活发光;后者归因于纳米晶制备过程中引入的缺陷或者在退火过程中形成了杂质能级.在退火温度低于800℃条件下,由纳米粒子制备的样品和由商用生粉制备的荧光粉相比较,前者的发光明显较强.铕的掺杂并没有形成新的发光中心,但却极大的增强了ZnS的缺陷发光.  
        关键词：纳米晶;相变;自激活发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 金属离子表面修饰对纳米ZnS:Mn2+溶胶发光性质的影响

        陈力, 张家骅, 骆永石, 吕少哲, 王笑军
        2004, 25(1): 72-76.
        摘要：利用胶体化学共沉淀方法制备了纳米ZnS:Mn2+乙醇溶胶,观察到Zn2+的引入对内部Mn2+的4T1→6A1跃迁的80nm橙色发光有激活作用,而外加的Mn2+对该橙色发光有猝灭作用.Zn2+的吸附通过形成单层ZnS壳,减少了表面猝灭中心,从而使发光强度增加,这种表面猝灭中心最有可能是来自表面S2-孤对电子的悬空键.Mn2+的猝灭过程不能用纯粹动态的猝灭过程来描述,Mn2+本身很可能就是橙光的猝灭中心.考虑到Mn2+在颗粒表面上的按泊松分布,并假设单个Mn2+能100%猝灭Mn2+80nm发射,理论与实验数据很好地符合.通过对猝灭数据的拟合,估算出的颗粒尺寸小于用有效质量近似模型算得的3.1nm,分析了可能的原因.  
        关键词：纳米ZnS:Mn2+;表面修饰;激活;猝灭中心;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性

        陈松岩, 谢生, 何国荣, 刘宝林, 蔡加法, 陈丽荣, 黄美纯
        2004, 25(1): 77-80.
        摘要：用电化学腐蚀法制备了多孔硅(PS),在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理,并进行了光致发光(PL)谱和原子力显微镜(AFM)表面形貌的测量.不同退火温度给PS表面形态带来较大变化,也影响了其PL谱特性.在退火的样品中观察到的PL谱高效蓝光和紫光谱带,我们认为主要源于量子限制发光峰和非平衡载流子被带隙中浅杂质能级所俘获而引起的辐射复合所产生的.在420～450℃退火处理的多孔硅的PL谱上观察到了一个未见诸于报道的紫光新谱带(3.2eV,382 nm),其发光机理有待于进一步研究.  
        关键词：多孔硅(PS);热退火;紫光发射;蓝光发射;原子力显微镜   
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        更新时间：2020-08-11

      • 催化剂对SiO2凝胶结构及复合体系发光性能的影响

        王桂珍, 李清山
        2004, 25(1): 81-84.
        摘要：用溶胶-凝胶的方法制备了染料掺杂的SiO2凝胶复合体系.无机基质制备过程中的各种条件对无机基质的微结构有很大影响,从而对复合材料的性能有很大影响.大量的研究表明,凝胶制备过程的诸多因素如催化剂、水的加入量及凝胶的后处理等因素影响最大,这些因素对凝胶结构的影响已有系统的研究,但其对有机-无机复合体系发光影响的研究还未多见.详细研究了在其他条件不变的情况下酸碱催化条件对复合体系结构及染料发光性能的影响.香豆素102(C102)在不同状态下的荧光分析表明,无论是碱还是酸催化所得薄膜复合材料,C102分子在其中基本都以单体的形式存在,与在溶液中相比发光移向短波.碱催化的样品其结构更有利于染料以单体的形式存在,但碱催化的膜表面粗糙,结构疏松,而酸催化的膜表面平整,结构致密.所以以HCl为催化条件的样品适合更进一步的应用.  
        关键词：硅凝胶基质;荧光光谱;单体法   
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        更新时间：2020-08-11

      • Nd:YAG晶体生长过程中熔体液流速度场的数值模拟

        苏伟, 钟景昌, 张丽波, 李林, 赵英杰, 岑学员
        2004, 25(1): 85-89.
        摘要：采用有限差分法对使用Cz(CzochralsKi)法生长Nd:YAG激光晶体过程中熔体中的液流速度场进行数值模拟研究.首先给出了Nd:YAG晶体生长系统的数学模型,然后对上述数学模型进行无量纲化处理,最后给出相应的边界条件,使用有限差分法求解上述方程.应用上述方法编制仿真程序,仿真了改变工艺条件后熔体中液流速度场的变化情况,分析了各种工艺条件对液流速度场变化的影响.  
        关键词：晶体生长;Cz法;速度场;数值模拟;有限差分法   
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        更新时间：2020-08-11

      • 基于蒙特卡罗模拟方法的光源用LED封装光学结构设计

        颜峻, 于映
        2004, 25(1): 90-94.
        摘要：为满足正在兴起的LED照明光源的设计优化要求,必须探索适合LED光学结构设计的有效方法.引进蒙特卡罗(Monte Carlo)随机模拟方法对常规形式发光二极管(LED)的光学封装结构进行模拟,得出了LED的光强分布,并进行实际测量,模拟结果与实验所得结果吻合较好,证明蒙特卡罗方法是进行LED光源光学结构设计的一种有效工具,可以以此作为LED光源的设计优化手段.重点探讨了此方法模拟中的随机数构造、优化;LED模型;仿真的计算机实现,仿真结果的验证;结构优化的思路等问题.  
        关键词：蒙特卡罗方法;计算机模拟仿真;LED光源;封装光学结构设计   
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        更新时间：2020-08-11

      • 大功率半导体激光器远场特性研究

        李丽娜, 吴金辉, 宋俊峰
        2004, 25(1): 95-97.
        摘要：由于半导体激光器输出光束的不对称性,使得它在许多应用过程中必须采用特殊的光学系统进行光束整形.在设计光学系统的光学元件及进行光学耦合时需要了解激光器的远场特性.通过用量子阱激光器的解理面上的边界条件解亥姆霍兹方程,获得关于远场强度分布、光束散角,并用计算机给出各种理论曲线及数据.用自行设计制作的测试装置测量,获得激光器的远场分布曲线给出了测试数据.计算机给出的理论远场分布曲线与实验测试获得的远场分布曲线完全一致.  
        关键词：大功率半导体激光器;光束质量;远场特性   
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        更新时间：2020-08-11

      • 显示量化误差对色域转换的影响

        陈宇, 丁铁夫
        2004, 25(1): 98-102.
        摘要：彩色显示的研究或设计人员经常面对不同显示系统之间的色域转换,由于多种因素的影响,转换后的色域往往存在着偏差.阐述了不同色域之间转换的基本原理和量化形式确定情况下的具体转换方式;同时在色域的三维模型上对转换误差进行了分析,并在这种偏差分析的基础上,详细论述了量化误差给色域变换带来的影响.其中结论可以用来评估色域转换的质量;同时,针对于确定的显示基色参数,是否能正确获得转换的颜色,以及这种相互关系可以由确立的三维模型更清楚地表现出来.  
        关键词：彩色显示;量化误差;色域转换   
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        更新时间：2020-08-11
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