最新刊期
      2003年第24卷第1期

        论文

      • 黄昆对物理学的贡献

        朱邦芬
        2003, 24(1): 1-7.
        摘要：黄昆是晶格动力学的奠基人和权威,声子物理学科开拓者.他是多声子光跃迁和多声子无辐射跃迁理论学科的开创者,是“极化激元”概念的最早阐述者.他的姓氏也与晶格振动长波唯象方程、X光漫散射理论联系在一起.在多年离开科研第一线后,黄昆70岁还建立了半导体超晶格光学声子的“黄朱模型”.本文简要介绍黄昆先生在科学研究领域的几项主要贡献.  
        关键词：声子物理;多声子光跃迁;极化激元;X光漫射;黄方程   
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        更新时间：2020-08-11

      • 超分子有机薄膜

        李亚军
        2003, 24(1): 8-18.
        摘要：利用超分子有机薄膜技术能制成新的传感分子电子器件、光学器件和生物分子器件等,受到跨学科高技术研究领域的重视.本文描述了超分子有机薄膜的制备方法以及在各应用领域的研究状况.重点介绍了我们研究组在近20年工作中,利用LB膜技术,在光电器件、气体传感技术和光学非线性,特别是在生物传感技术方面的研究成果.按照生物体系提供的信息,模拟合成功能分子,建造有组织的分子组装体,以便用来研究依赖于分子排列的生物物理化学效应.  
        关键词：超分子有机薄膜;生物传感器;分子识别   
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        更新时间：2020-08-11

      • 稀土元素掺杂长余辉发光材料研究的最新进展

        李成宇, 苏锵, 邱建荣
        2003, 24(1): 19-27.
        摘要：介绍了长余辉材料的历史和近几年的发展.对长余辉材料中的一些问题,如余辉机理等进行了总结和探讨.从稀土元素变价化学的角度出发讨论了稀土离子在长余辉材料中的作用,介绍了长余辉材料设计的一些想法.提出了对长余辉材料今后发展的看法.  
        关键词：长余辉材料;稀土离子;变价化学   
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        更新时间：2020-08-11

      • 强耦合表面激子内部激发态的性质

        肖景林
        2003, 24(1): 28-32.
        摘要：采用线性组合算符和幺正变换方法,研究极性晶体中强耦合表面激子内部激发态的性质.计算了表面激子的激发态能量、激发能量和平均声子数.  
        关键词：表面激子;内部激发态;平均声子数   
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        更新时间：2020-08-11

      • 强耦合表面极化子的激发能量

        张鹏, 肖景林
        2003, 24(1): 33-38.
        摘要：采用线性组合算符方法及幺正变换方法研究了电子与表面光学(SO)声子和体纵光学(LO)声子均为强耦合的表面极化子的激发态性质.计算了体系的有效哈密顿量、振动频率和体系由基态向第一激发态跃迁所需的激发能量.  
        关键词：强耦合;表面极化子;激发能量   
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        更新时间：2020-08-11

      • 一维有限超晶格的电子态与透射问题的转移矩阵方法研究

        廖清华, 徐旭明, 刘念华
        2003, 24(1): 39-43.
        摘要：采用转移矩阵方法,研究了一维有限超晶格的电子态与透射问题.计算了一维有限超晶格含单个缺陷层或少量缺陷层的透射谱和波函数,以及当电子被束缚在一维有限超晶格中电子的本征值和相应的定态本征函数.给出的方法对于研究电子通过任意排列的一维有限超晶格的输运具有普适性.  
        关键词：超晶格;转移矩阵;透射谱;本征函数   
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        更新时间：2020-08-11

      • 有机电致发光材料8-羟基喹啉铝的结构表征

        李海蓉, 张福甲, 郑代顺
        2003, 24(1): 44-50.
        摘要：叙述了制备高纯度有机电致发光材料8-羟基喹啉铝(Alq3)的方法;通过X射线衍射谱、核磁共振谱、红外吸收光谱、质谱、X射线光电子发射谱及荧光光谱测试分析,对Alq3的结构和特性进行了表征.标定了Alq3中喹啉环的存在;分析了Alq3中各个H原子的归属、Alq3 分子内部金属离子和配位体之间的相互作用以及该螯合物的分子构型.进一步证实Alq3分子中Al-O键为共价键而非离子键.通过X射线衍射谱分析了样品的化学成分;由X射线光电子发射谱分析了Alq3分子中的电子状态和晶体特性.得到了Alq3的荷质比为459.1以及由于金属Al本身的特性,使得在Alq3中Alq2+继续裂解为Alq+的几率很小.证实了Alq3的荧光发射光谱位于510nm处(绿光范围),光激发位于喹啉环上而不是金属铝离子.与镓、铟螯合物相比,Alq3中铝离子成键共价性弱,极化力较强.  
        关键词：Alq3;结构;特性表征   
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        更新时间：2020-08-11

      • 双8-羟基喹啉-席夫碱-锌高分子配合物的制备及发光性能

        谭松庭, 周建萍, 赵斌, 彭俊华
        2003, 24(1): 51-55.
        摘要：将5-甲酰基8-羟基喹啉分别与对苯二胺、联苯二胺、4,4'-二氨基二苯砜反应,得到了三种双8羟基喹啉席夫碱配体,然后与锌离子配位,制得了一类新型的双8-羟基喹啉-席夫碱-锌高分子配合物.利用红外光谱、紫外可见光谱、元素分析对配体和配合物的结构进行了表征,利用荧光光谱研究了高分子配合物的光致发光性能.  
        关键词：高分子配合物;8-羟基喹啉;锌;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 两层生物组织光学特性参数无损测量的模拟研究

        张连顺, 张春平, 王新宇, 祁胜文, 许棠, 田建国
        2003, 24(1): 56-60.
        摘要：生物组织的光学特性参数是与疾病的无损光诊断有关的重要的光学参数,一般的测量所应用的模型是假设生物组织为半无限厚的均匀结构.为了更能反映生物组织的真实特性,本文应用两层结构模型,即假设第一层为有限厚的均匀组织,第二层为半无限厚,由漫射方程经过傅立叶变换得到传输方程的漫射解.为检验漫射解的准确性,将漫射解的表面漫射光分布与MonteCarlo模拟结果进行了比较,结果表明两者符合得很好.为了研究由漫射解是否可以获得两层组织的光学特性参数,将漫射解与MonteCarlo模拟数据进行了非线性拟合,反演获得组织的光学特性参数,结果表明,由漫射解可以获得两层组织的有效散射系数和吸收系数.  
        关键词：生物组织;吸收系数;有效散射系数;蒙特卡罗模拟   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响

        王晓华, 范希武, 单崇新, 张振中, 张吉英, 刘益春, 吕有明, 申德振
        2003, 24(1): 61-65.
        摘要：研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响.当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退火条件变化时,从X射线衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)中可见,ZnSe(111)膜的晶体质量有较大的变化.变温的PL谱表明,Si衬底上生长的具有ZnO缓冲层的ZnSe膜的近带边发射峰起源于自由激子发射.  
        关键词：硒化锌薄膜;Si衬底;ZnO缓冲层;LP-MOCVD   
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        更新时间：2020-08-11

      • RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响

        刘渝珍, 石万全, 赵玲莉, 孙宝银, 叶甜春
        2003, 24(1): 66-68.
        摘要：在5.0eV的激光激发下,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰,其峰位分别为 2.97,2.77,2.55,2.32,2.10,1.9eV.经900~1100℃在N2气氛下快速退火(RTA)处理后,样品的六个PL峰变为3.1,3.0,2.85,2.6,2.36,2.2eV.本文对退火前后PL峰的产生和变化机制进行了初步探讨.  
        关键词：LPCVD;氮化硅薄膜;快速退火(RTA)   
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        更新时间：2020-08-11

      • 射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的发光特性

        王卿璞, 张德恒, 薛忠营, 陈寿花, 马洪磊
        2003, 24(1): 69-72.
        摘要：利用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向的氧化锌薄膜,用波长为300nm的光激发,观察到在446nm处有一强的光致发光峰,它来自于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁.并讨论了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响,且给出了解释.  
        关键词：ZnO薄膜;磁控溅射;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和光学特性

        张源涛, 李万程, 王金忠, 杨晓天, 马艳, 殷宗友, 杜国同
        2003, 24(1): 73-75.
        摘要：采用射频(RF)反应磁控溅射法在nSi(001)衬底上外延生长ZnO薄膜.XRD谱测量显示出较强的(002)衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的.室温PL谱测量观察到了较强的紫外光发射和深能级发射.  
        关键词：ZnO薄膜;RF磁控溅射;光荧光谱   
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        更新时间：2020-08-11

      • 掺钇钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究

        梁玲, 顾牡, 段勇, 马晓辉, 刘峰松
        2003, 24(1): 76-80.
        摘要：通过透射谱、X射线激发发射谱(XSL)的测试,研究了Bridgman法生长的掺钇钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X光电子能谱(XPS)实验手段,对掺钇钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究.实验表明,钇掺杂能够提高钨酸铅晶体的发光快成分比例,并使得晶体中的正电子俘获中心浓度下降,低价氧浓度下降.提出掺钇钨酸铅晶体中钇的掺杂主要以Y3+占据VPb的形式存在.Y3+占据VPb可能是钨酸铅晶体吸收边得到改善的原因,而由于晶体内低价氧浓度的减少,作为绿光发光中心的(WO3+O-)基团的减少可能会使发光快成分比例有所增加.  
        关键词：掺钇钨酸铅晶体;微观缺陷;正电子湮没寿命谱;X光电子能谱   
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        更新时间：2020-08-11

      • Eu3+掺杂铌酸盐玻璃的光谱性质

        王绩伟, 宋宏伟, 夏海平, 孔祥贵, 许武, 张家骅
        2003, 24(1): 81-86.
        摘要：研究了Eu3+掺杂铌磷与铌硅系列玻璃的发射光谱,声子边带谱及5D0能级寿命,计算了样品的强度参数.随着Nb2O5浓度的增加,Eu-O键强增大,共价性增强,Eu3+的局域环境对称性降低,电声子耦合增强,5D0能级的无辐射过程加快,寿命变短,温度猝灭加剧.研究了从77~690K铌磷与铌硅系列玻璃中Eu3+离子在488nm激光激发下的变温荧光发射特性,求出了温度猝灭速率.分析了发光强度增强与减弱的原因,即热布居与无辐射过程随温度的变化关系,研究了谱线宽度与峰值位置随温度的变化关系.  
        关键词：Eu3+掺杂铌酸盐玻璃;强度参数;声子边带谱;电声子耦合;热布局;温度猝灭   
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        更新时间：2020-08-11

      • BaMgAl10O17:R2+R=Eu,Mn的真空紫外光谱特性

        尤洪鹏, 吴雪艳, 洪广言, 卞锺洪, 庾炳容
        2003, 24(1): 87-90.
        摘要：采用高温固相反应法合成了BaMgAl10O17:R(R=Eu,Mn)荧光体,测量了荧光体的真空紫外激发光谱和相应的发射光谱,观察到基质吸收带位于165nm附近,Mn2+离子的吸收位于170~240nm范围,Eu2+离子的4f→5d吸收位于210~400nm范围.真空紫外光谱特性的研究表明基质与激活离子之间存在较好的能量传递.  
        关键词：BaMgAl10O17;Eu2+;二价锰;真空紫外激发光谱   
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        更新时间：2020-08-11

      • 溶胶-凝胶法合成Sr2CeO4及其发光性能的研究

        于敏, 林君, 周永慧, 逄茂林, 韩秀梅, 王树彬
        2003, 24(1): 91-94.
        摘要：采用Pechini溶胶凝胶法合成了Sr2CeO4 粉末.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、热重及差热分析(TGDTA)以及发光光谱等测试手段对Sr2CeO4的结晶过程、发光性质进行了研究.XRD结果表明,用Pechini溶胶 凝胶法合成的样品 800℃时已开始结晶,900℃时可得到三斜晶系的Sr2CeO4多晶粉末.扫描电镜照片可以看出颗粒大小不均匀,粒径约为1~5μm.发光光谱测试表明Sr2CeO4粉末的激发光谱是一个宽带双峰结构,分别位于310nm和340nm.这个宽带属于Ce4+的电荷迁移带.用340nm激发样品,其发射光谱也是一个宽带,最大峰位于475nm,这个峰属于Ce4+的f→t1g跃迁.用310nm激发得到的发射光谱与用340nm激发得到的发射光谱相同.  
        关键词：Pechini溶胶凝胶法;发光;Sr2CeO4   
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        更新时间：2020-08-11

      • SrAl2O4:Eu,Dy的粉末粒度与发光性能的关系

        马伟, 万发荣, 龙毅, 尚成嘉
        2003, 24(1): 95-99.
        摘要：SrAl2O4:Eu,Dy发光材料是近年来发展起来的一种高效的长余辉发光材料,具有绿色余辉.本实验对发光材料的粉末进行了粒度分级,研究了粒度的大小对发光效果的影响,粒度越小发光效果越差.利用扫描电镜分析了发光粉末的化学成分,探讨了影响发光的原因.  
        关键词：长余辉;SrAl2O4:Eu;Dy;粒度   
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        更新时间：2020-08-11

      • 大功率半导体激光器的可靠性研究

        曹玉莲, 王乐, 廖新胜, 程东明, 刘云, 王立军
        2003, 24(1): 100-102.
        摘要：对InGaAs/AlGaAs和InGaAsP/GaAs有源区含铝的915nm和无铝的808nm腔面镀膜及未镀膜的大功率半导体激光器进行了老化实验.在老化前通过综合参数测试仪测试两种激光器的斜率效率、阈值电流,发现有腔面膜的激光器比无腔面膜的激光器的阈值电流降低25%以上.在12倍阈值电流下,恒流老化40h左右,老化后再分别测试它们的阈值电流、功率参数,我们发现在老化后未镀膜的激光器的阈值电流和镀有腔面膜的激光器相比增加25mA以上,输出功率也比镀过腔面膜的减小到了原来的1/2,可见腔面保护对于延长激光器的寿命是很重要的.  
        关键词：激光器;腔面膜;老化   
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        更新时间：2020-08-11

      • 共轭聚合物MEH-PPV的固态阴极射线发光

        刘明, 滕枫, 孙世菊, 刘姗姗, 徐征
        2003, 24(1): 103-106.
        摘要：在有机/无机异质结ZnS/MEHPPV/ZnS器件中,交流驱动条件下,实现了共轭聚合物MEHPPV的固态阴极射线发光,器件的发光光谱与MEHPPV的光致发光谱相同.电子经过ZnS层加速后,成为过热电子,这些过热电子直接碰撞激发MEHPPV而发光.在日光灯照明下,可以看到器件的均匀发光.  
        关键词：固态阴极射线发光;有机/无机异质结;聚合物发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED

        李忠辉, 杨志坚, 于彤军, 胡晓东, 杨华, 陆曙, 任谦, 金春来, 章蓓, 张国义
        2003, 24(1): 107-109.
        摘要：利用LPMOCVD系统生长了InGaN/GaNMQW紫光LED外延片,双晶X射线衍射测试获得了2级卫星峰,室温光致发光谱的峰值波长为399.5nm,FWHM为15.5nm,波长均匀性良好.制成的LED管芯,正向电流20mA时,工作电压在4V以下.  
        关键词：InGaN;量子阱;紫光LED;MOCVD   
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        更新时间：2020-08-11
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