最新刊期
      2002年第23卷第6期

        专文

      • 粉末厚膜(交)直流电致发光(DCEL)平板显示器

        周连祥
        2002, 23(6): 529-539.
        摘要：我国是继英国之后世界上第二个独立自主研究并全面掌握DCEL技术的国家,其基本技术已赶上英国,达到世界先进水平。近年来,我国在DCEL核心关键技术———包铜和形成工艺方面又开发出独特的新工艺,使生产效率和DCEL显示器最大单元发光面积均提高十至几十倍,彻底克服了对产业化的严重制约,处于世界领先水平。我国首先发现并深入研究了DCEL器件的ACEL特性,其ACEL发光亮度在市电工作条件下比传统ACEL器件提高十倍以上。深入地研究了DCEL形成过程的物理图像和机制、亮度衰减特性;发光区的成因及其随机性;DCEL器件在交流(AC)电压下的光电特性等。1985年完成世界上首台计算机控制大面积(1m2)镶嵌式DCEL终端显示器,并成功用于全国人大常委会会务信息显示;同年还完成我国首台高分辨率便携式固体平板化DCEL微机终端显示器。利用DCEL器件的ACEL特性还成功开发出多种非矩阵DCEL显示器。  
        关键词：厚膜(交)直流电致发光平板显示器;包铜;形成过程;交流电致发光特性   
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        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1579517 false
        更新时间：2020-08-11

        研究论文

      • InGaAs(P)/InP量子阱混合处理对其光电特性的影响

        赵杰, 王永晨
        2002, 23(6): 540-548.
        摘要：用离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空位扩散诱导无序(IFVD)方法研究了InGaAs(P)/InP量子阱结构的混合造成材料光电特性变化、带隙蓝移的规律。研究结果发现,IICD造成的带隙蓝移与离子注入的种类、剂量、注入后退火温度、时间有关,也和样品存在的应力有关。具有压应力的样品产生的蓝移量比具有张应力的大。IFVD方法造成的带隙蓝移量与介质膜的种类、后继退火温度、退火时间有关。同时还发现,蓝移量与半导体盖层成分和介质层成分的组合有关,InGaAs与SiO2组合产生的蓝移比InGaAs与Si3N4组合产生的蓝移大;与此相反,InP与Si3N4组合产生的蓝移比InP与SiO2组合的大。介质层的掺杂也影响蓝移量,掺P的SiOxPyNz可以产生高达224meV的蓝移,目前尚未见其他报道。二次离子质谱(SIMS)研究说明,量子阱层元素的互扩散可能是造成带隙蓝移的主要原因。  
        关键词：超晶格;量子阱;离子注入;无杂质空位扩散   
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        110
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1579619 false
        更新时间：2020-08-11

      • InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究

        孔令民, 蔡加法, 林雪娇, 杨克勤, 吴正云, 沈文忠
        2002, 23(6): 549-553.
        摘要：分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快,这是由激子-声子耦合引起的。通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁,多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长。我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算,很好地解释了实验结果。  
        关键词：InGaAs/GaAs应变量子阱;形态势模型;时间分辨谱   
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        112
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1580366 false
        更新时间：2020-08-11

      • MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用

        李树玮, 缪国庆, 蒋红, 元光, 宋航, 金亿鑫, 小池一步, 矢野满明
        2002, 23(6): 554-558.
        摘要：用MBE设备以Stranski-Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点,在生长过程中通过对量子点形状、尺寸的控制来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性。用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,并利用光致发光(PL)和深能级瞬态谱(DLTS)对InAs量子点进行观测。所用Al0.5Ga0.5As势垒外延层,对镶嵌在其中的InAs量子点有很强的量子限制作用,并产生强量子限制效应,可以把InAs量子点的电子和空穴能级的热激发当作"深能级"的热激发来研究,这样可用DLTS方法进行测量。在垂直堆垛的InAs量子点的HFET器件中,由充电和放电过程的IDS-VGS曲线可以看到阈值电压有非常大的移动,这样便产生存储效应。  
        关键词：垂直堆垛的InAs量子点;分子束外延(MBE);深能级瞬态谱;场效应管(FET);非挥发存储器   
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1580332 false
        更新时间：2020-08-11

      • ZnO薄膜的反射、透射光谱及能带结构测量

        傅竹西, 林碧霞, 何一平, 廖桂红
        2002, 23(6): 559-562.
        摘要：采用正入射的方法研究了生长在硅基片上的氧化锌薄膜的反射光谱,测量出氧化锌薄膜的光学吸收边在370nm,所对应的能量值为3.35eV。测量生长在石英玻璃基片上的氧化锌薄膜的透射光谱,得到相同的吸收边。表明ZnO薄膜的光学禁带宽度与体材料的禁带宽度一致。反射谱中,在550～600nm之间观察到一个吸收峰,吸收峰的位置以及吸收边的陡峭程度都随薄膜的结晶状况的不同而有所不同。  
        关键词：氧化锌薄膜;反射光谱;透射光谱;能带结构   
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        7
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1580427 false
        更新时间：2020-08-11

      • 氧化锌可见区发光机制

        刘益春, 张喜田, 张吉英, 吕有明, 孔祥贵, 申德振, 范希武
        2002, 23(6): 563-569.
        摘要：探究与缺陷相关的氧化锌可见区发光机制对获得高效激子发光和实现紫外激光有重要的意义,也是该领域研究的基本问题之一。本文用X射线衍射、X射线光电子能谱、电子顺磁共振和光致发光谱研究了ZnO:Mn纳米薄膜的结构和发光性质,证明了氧空位或缺陷分布于纳米晶表面,提出了可见发光中心是Vo**和[Vo*,electron]或[Vo**,two electrons]复合体的发光模型。  
        关键词：纳米氧化锌薄膜;光致发光;界面;表面钝化   
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        11
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1580396 false
        更新时间：2020-08-11

      • 微波吸收法研究(ZnCd)S:Cu发光材料光生载流子的衰减过程

        李志强, 吴峰, 董国义, 韦志仁, 杨少鹏, 李晓苇
        2002, 23(6): 570-574.
        摘要：采用微波吸收法,测量了(ZnCd)S:Cu及ZnS:Mn,Cu粉末材料受到超短脉冲激光激发后,其自由电子和浅束缚电子的衰减过程。发现Cd2+的浓度对导带电子和浅束缚电子的寿命影响较小,而Cu+的浓度对导带电子和浅束缚电子的寿命有明显的影响,提高激活剂掺杂浓度会使自由电子的寿命大大缩短。  
        关键词：发光材料;硫化锌;光生载流子;微波吸收技术   
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        61
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1579525 false
        更新时间：2020-08-11

      • 发光聚合物中光激发引起磁化率改变的新现象

        傅柔励, 傅丽伟, 杨爱龄
        2002, 23(6): 575-578.
        摘要：揭示了发光聚合物中光激发引起的一个新现象:光激发即吸收一个光子使发光聚合物中的正双极化子分裂成两个带正电的极化子,从而使发光聚合物中的磁化率改变。  
        关键词：发光聚合物;光激发;磁化率   
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1580301 false
        更新时间：2020-08-11

      • 铕-铽-柠檬酸-1,10-菲咯啉配合物的合成及荧光性质研究

        陈野, 蔡伟民, 于英宁, 孙晓君, 崔丹
        2002, 23(6): 579-584.
        摘要：分别合成了稀土(Eu3+和Tb3+)与柠檬酸、1,10菲咯啉配位的稀土配合物。通过元素分析和红外分析确定了配合物的组成。通过荧光光谱与荧光寿命的测试,研究了它们的荧光性质。结果表明当铽掺入配合物后,铽能极大地增强铕的特征荧光,而铽的荧光被严重猝灭,其荧光强度以指数形式衰减。铕的荧光在铽荧光猝灭最严重时,被增强的效果最好,铕的荧光强度是荧光增强效果和铕的含量共同作用的结果,当铕与铽的浓度比为6:4时能得到相应的铕的荧光最强的配合物。  
        关键词：稀土;荧光;柠檬酸;1;10-菲咯啉   
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        3
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1579586 false
        更新时间：2020-08-11

      • MPD掺杂的共聚合物薄膜的发光特性

        孔祥贵, 胡斌, 安利民, 王新, 单桂晔, 刘星元
        2002, 23(6): 585-588.
        摘要：研究了由噻吩乙烯发色团单元和惰性寡甲撑单元组成的交替嵌段聚合物与小分子量染料[2-methyl-6-[(2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benxo[ij]quinolixin-q-yl)ethenyl]-4H-pylidene]-丙烷二腈(MPD)共混物薄膜的光致发光。这种共混物在645nm处产生增强的红光发射。发射增强的部分原因是来源于晶化共聚合物与染料之间有效的能量传递。  
        关键词：共聚物;光致发光;能量传递   
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        80
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1579629 false
        更新时间：2020-08-11

      • PVK/SiO2纳米粒子复合体系能量传递的研究

        安利民, 单桂晔, 王新, 刘益春, 孔祥贵
        2002, 23(6): 590-594.
        摘要：通过溶胶反应在乙醇溶液中合成了60nm的SiO2纳米粒子,将其与聚乙烯咔唑(PVK)共混,得到了不同质量分数的PVK/SiO2复合体系。利用荧光光谱、吸收光谱,研究了PVK/SiO2复合体系的荧光效应,光致发光的研究表明在PVK与SiO2纳米粒子之间存在界面能量传递过程,这种能量传递的必要条件是PVK的发射谱与SiO2纳米粒子的吸收谱有重叠。以上研究表明PVK/SiO2复合体系存在较强的界面效应,是研究有机与无机纳米体系界面效应的良好模型。  
        关键词：光致发光;纳米粒子;能量传递   
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        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1580413 false
        更新时间：2020-08-11

      • 有机电致发光器件量子效率测量系统的建立及其应用研究

        吴晓明, 华玉林, 罗经国, 冯秀岚, 李娟
        2002, 23(6): 595-598.
        摘要：有机电致发光器件(OLED)的量子效率是衡量器件发光性能的一个非常重要的参数。考虑到提高OLED量子效率的基本前提是能精确测得器件的量子效率,本文工作采用美国Keithley公司的系列产品,设计与组建了一套精确测量OLED量子效率的测量系统(主要由真空系统和测试系统组成)。应用本系统测量时,由测量软件通过数据采集卡来实时地对K-2400(稳压源)和K-485(微检流计)进行控制,得到流经器件的电流和器件输出的光电流,再经过换算得出注入器件的电子数和从器件输出的光子数,从而能够得到器件的量子效率值,最后由计算机动态地绘制出器件的性能曲线。此外,我们还利用本测量系统对以MEH-PPV为基质的橙红色OLED进行了测量,该测试样品在00117A/cm2的电流密度下,测得量子效率为0.39%。  
        关键词：有机电致发光;量子效率;橙红色光发射   
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        3
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1579550 false
        更新时间：2020-08-11

      • Al3+掺杂BaFBr:Eu2+中F(Br-)心的性质

        余华, 熊光楠, 陈士明, 严晓敏, 郑震, 张丽平
        2002, 23(6): 599-603.
        摘要：作为光激励发光的首选材料BaFBr:Eu2+,在其中掺杂一定量的Al3+后,其光激励发光谱向长波方向发生了较大的红移现象。红移的机理是掺杂的Al3+离子取代了BaFBr:Eu2+晶格中的Ba2+离子,且处于F(Br-)心的次近邻位所致。本文利用喇曼光谱和电子顺磁共振谱对受掺杂Al3+微扰的F(Br-)心的结构进行了研究,首次在喇曼光谱的高频移区观测到了由于掺杂Al3+所引起的新结构的产生,通过电子顺磁共振谱表征了在BaFBr:Eu2+中Al3+与F(Br-)心的相对位置,并且得出F(Br-)心与OF-心存在着空间相关性。  
        关键词：光激励发光;BaFBr:Eu2+;喇曼光谱;电子顺磁共振   
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1580380 false
        更新时间：2020-08-11

      • 燃烧法合成SrAl12O19:Eu2+

        刘胜利, 陈征, 郭舜之
        2002, 23(6): 604-606.
        摘要：利用相应的金属硝酸盐和尿素之间发生的氧化还原反应,在600℃的炉温下,制备了发蓝光的铝酸盐发光粉SrAl12O19:Eu2+,产物为六方晶系。研究结果表明,在制备Eu2+激活的铝酸盐发光粉时,适当过量的尿素用量和相对密闭的反应体系有利于获得纯相和单一发光颜色的产物。  
        关键词：燃烧合成;铕;铝酸锶;发光粉   
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        6
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1579575 false
        更新时间：2020-08-11

      • Eu3+和Tb3+掺杂的Y2SiO5体系发光特性研究

        赵凤英, 周建国, 赵宝林, 李振泉, 高世扬
        2002, 23(6): 607-610.
        摘要：采用溶胶凝胶法合成了Eu3+和Tb3+掺杂的Y2SiO5基发光材料。通过测量它们的激发光谱和发射光谱,研究了它们的发光特性,探讨了材料中Tb3+和Eu3+两种发光中心间的能量传递关系。结果表明,Eu3+在其中的特征发射以5D0→7F2电偶极跃迁为主,Eu3+处于非反演对称中心格位;Tb3+在其中的发射为5D4→7FJ(J=4～6)跃迁发射。当Eu3+和Tb3+共存于Y2SiO5基质中时,Eu3+的发射增强,Tb3+的发射减弱,存在Tb3+→Eu3+能量传递,Tb3+对Eu3+具有敏化作用。  
        关键词：Y2SiO5：Eu3+;Tb3+;发光;能量传递   
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        7
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1579601 false
        更新时间：2020-08-11
      • 曾文光, 邓雪儿, 林长净
        2002, 23(6): 611-614.
        摘要：用自组装系统记录了外场分别为匀速率增加的直流磁场、低频交变磁场和它们同时存在时,磁光薄膜(BiTm)3(FeGa)5O12一种缺陷周围磁畴壁的形貌特征。分析表明:三种不同取向磁畴壁的交界处往往是磁光薄膜的缺陷所在处;在低频交变场下,该缺陷区域出现无畴条块或区域,在直流场中无此现象。在低频交变场以及复合外场下该缺陷周围磁畴壁形成椭圆形图案。  
        关键词：磁光薄膜;缺陷;畴壁形貌;复合外场   
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1579539 false
        更新时间：2020-08-11

      • 低强度X射线影像系统的噪声分析及图像去噪处理

        但唐仁, 田景全, 高延军, 李野, 姜德龙, 端木庆铎, 富丽晨
        2002, 23(6): 615-618.
        摘要：新型低强度X射线影像系统主要是由平板式单近贴静电聚焦X射线像增强器和CCD数据采集系统构成。根据系统的组成,分析了图像噪声来源,指出了它们的噪声整体为泊松分布规律的随机白噪声,局部也有正负脉冲干扰等特点,以此提出了处理该图像噪声的"多帧平均滤波+极值中值滤波"的复合算法。即先根据随机噪声互不相关的特点,将多幅图像叠加平均,突出有用信息,压缩噪声。再在改进标准中值滤波基础上,采用极值中值滤波,更好地去除噪声,保留细节。通过对峰值信噪比的计算表明,该方法明显优于任何单一算法,取得较好效果。  
        关键词：X射线图像;噪声;多帧平均;极值中值滤波   
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        6
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1580441 false
        更新时间：2020-08-11

      • 可实现真空和气氛退火的高精度温控退火炉的研制

        梁玲, 顾牡, 许伟群, 陈玲燕
        2002, 23(6): 619-622.
        摘要：从退火炉的整体构造、管端配件的设计、控温电路和温度程序控制调节器的使用三个方面,介绍了由同济大学玻耳固体物理研究所自行研制的小型高精度温控退火炉装置。并针对典型的晶体退火过程,详细分析了温控系统中PID参数的选取和控温程序的调试工作。通过不同气氛条件下对钨酸铅(PbWO4)的退火处理实验证实,这套装置能够满足晶体生长后期退火处理的实际需要。  
        关键词：退火;可编程温度控制器;PID调节   
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        67
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1580351 false
        更新时间：2020-08-11

      • 等离子辅助镀膜技术

        贾克辉, 徐颖, 高劲松, 曹健林
        2002, 23(6): 623-626.
        摘要：传统的电子束蒸发工艺提供了高速率的沉积,但由于成膜分子的能量较低,使沉积的薄膜排列密度很低,其性能和块状材料区别很大,已有不少学者发现了很多金属和氧化物薄膜具有典型的柱状结构。薄膜的低排列密度造成了其光学常数和机械性能不如块状材料,近几年发展起来的高功率等离子体辅助镀膜技术解决了上述问题。本文报道了我国自己研制的等离子体源(GIS)的性能指标、用这个源所做的单层TiO2膜的成膜工艺与质量,以及用等离子辅助沉积的减反射膜的工艺。  
        关键词：等离子辅助沉积技术;光学镀膜   
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        66
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1579565 false
        更新时间：2020-08-11

      • 二氧化锆纳米材料中三价铒离子的上转换发光

        刘晃清, 吴长锋, 秦冠仕, 林海燕, 秦伟平, 张继森, 赵丹, 任新光, 吕少哲
        2002, 23(6): 627-630.
        摘要：固态蓝绿光源非常适合于高强度光存储、色平板、光电和医疗诊断。迄今为止,对各种晶体中上转换发光进行了广泛的研究。三价铒离子由于其相当高的上转换发光效率被作为一种激活离子而受到研究者的青睐。我们用共沉淀法制备了掺铒离子的二氧化锆纳米材料。并对纳米的结构、颗粒大小、声子能量进行了表征;用980nmLD和F-4500荧光分析仪测量了两种样品的上转换发射光谱,并观察到强的绿色发射和弱的红色发射;出现这种发射现象的原因是由于低的掺杂浓度和低的声子能量。通过发光强度与泵浦电流关系的实验。我们得到:蓝色、绿色和红色上转换发射分别来自三光子、双光子和双光子过程。  
        关键词：上转换发光;铒离子;二氧化锆;纳米材料   
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        73
        |
        3
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1580313 false
        更新时间：2020-08-11
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