最新刊期
      2002年第23卷第4期

        论文

      • 范希武
        2002, 23(4): 317-329.
        摘要：本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍.取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实现了利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性.  
        关键词：Ⅱ-Ⅵ族半导体;低维结构;光学性质   
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        更新时间：2020-08-11

      • Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长

        赵晓薇, 范希武, 张吉英, 单崇新, 张振中, 羊亿, 吕有明, 刘益春, 申德振
        2002, 23(4): 330-334.
        摘要：以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量.在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜.在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少.ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比.在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小.77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近.  
        关键词：ZnSe外延膜;Si衬底;低压MOCVD   
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        更新时间：2020-08-11

      • 超细0.4nm直径单壁碳管的光学特性

        汤子康, 李赵明, 萧旭东, 葛惟琨
        2002, 23(4): 335-340.
        摘要：由于纳米碳管的优异机械特性及其丰富多采的光学和电学特性,它自1991年被发现以来一直受到科学家的青睐.纳米碳管研究已成为当今世界上发展最迅速,竞争最激烈的科学前沿领域之一.怎样才能把纳米碳管做得更细小,尺寸更均匀以及如何使众多的纳米碳管排列规整,一直是纳米碳管研究中的难题.我们利用多孔的沸石晶体作为载体,首次成功地研制出了尺寸均一,排列规整的超细单壁纳米碳管.这些超细纳米碳管具有独特的性能,低温下(<20K)甚至呈现出前所未有的一维超导现象.详细介绍了这些超细单壁纳米碳管的制备过程,并着重介绍其在可见光区的光吸收,光发射以及二次谐波的倍频特性.  
        关键词：碳纳米管;光学特性;偏振吸收;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 晶体中离子质量差异与激活离子光谱线热加宽和热位移

        罗遵度, 黄艺东, 陈学元
        2002, 23(4): 341-343.
        摘要：证明了基质晶体离子的质量差异对其中的激活离子光谱线的热加宽和热位移有贡献.对于单声子吸收或发射机制产生的热加宽和热位移而言,其贡献可以用一个乘积因子D2表示,对于喇曼散射机制引起的热加宽,其贡献可以用乘积因子D4表示.文中分别给出两种离子组成的晶体和三种离子组成的晶体的D的表示式.  
        关键词：谱线加宽;谱线位移;声子;质量差异   
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        更新时间：2020-08-11

      • 稀土掺杂光学超晶格的自变频激光模型与应用

        陈学元, 罗遵度, 黄艺东, 黄妙良
        2002, 23(4): 344-346.
        摘要：通过结合准相位匹配理论和空间分布自混频(或自倍频)激光模型提出了稀土掺杂光学超晶格材料自变频激光理论模型.该模型计入了弱聚焦的高斯光束空间分布,泵浦耦合以及非理想周期结构的影响.并应用该理论模型对Nd3+离子掺杂非理想周期极化铌酸锂(Nd3+:APLN)晶体同步自变频多波长激光进行了模拟计算.计算结果,尤其是阈值、可见激光总输出功率和同步可见激光谱线相对强度分布等与实验结果符合得很好,从而表明该模型的有效性.  
        关键词：自变频激光;光学超晶格;稀土   
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        更新时间：2020-08-11

      • 多原子极性晶体中表面磁极化子的内部激发态

        许战胜, 张鹏, 肖景林
        2002, 23(4): 347-351.
        摘要：研究多原子极性晶体中表面磁极化子的内部激发态的性质,采用线性组合算符和幺正变换方法计算多原子极性晶体中表面磁极化子的第一内部激发态的能量.  
        关键词：多原子极性晶体;表面磁极化子;内部激发态   
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        更新时间：2020-08-11

      • MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

        万凌云, 莫春兰, 彭学新, 熊传兵, 王立, 江风益
        2002, 23(4): 352-356.
        摘要：采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品.实验结果表明:GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品,其PL谱的带边峰却很弱,这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系.同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS/沟道结果.  
        关键词：GaN;MOCVD;透射光谱;X射线双晶衍射;PL谱;RBS/沟道   
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        更新时间：2020-08-11

      • 两种蓝色有机电致发光材料

        郑新友, 吴有智, 朱文清, 张步新, 蒋雪茵, 张志林, 许少鸿
        2002, 23(4): 357-360.
        摘要：重点研究以两种蓝色OEL材料蒽类衍生物JBEM和联苯乙烯衍生物DPVBi分别作基质,以perylene作掺杂剂的器件的电致发光性能,特别研究了它们的稳定性.在亮度和效率方面,两种器件并没有很大差别,然而在稳定性方面却有很大差别,蒽类衍生物JBEM的器件在100cd/m2初始亮度下,半亮度寿命可达1035h,而DPVBi的器件在同样条件下,半亮度寿命为255h.通过分析两种器件的能级图,认为稳定性的差别可能源于两种蓝光材料本身的热稳定性不同,JBEM优于DPVBi,是一种很有前途的蓝色发光材料.  
        关键词：蓝色有机发光材料;稳定性   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnS:Mn纳米荧光粉的制备

        王之建, 张海明, 张立功, 李玉琴, 元金山
        2002, 23(4): 364-368.
        摘要：介绍一种制备ZnS:Mn纳米荧光粉的化学合成方法.本合成通过调节甲基丙烯酸与巯基乙酸的摩尔比,可在1.8~3nm范围内对纳米粒径进行很好的控制.生成的聚甲基丙烯酸包敷了ZnS:Mn纳米微粒,从而防止了纳米微粒团聚,同时增强了纳米微粒的抗氧化性,大大提高了纳米荧光粉的发光效率和发光稳定性.通过透射电镜(TEM)、X射线粉末衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对所制得的纳米粉末进行了表征.  
        关键词：ZnS:Mn;纳米荧光粉;合成   
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        更新时间：2020-08-11

      • CdS纳米粒子的自组装单分子膜制备研究

        张海明, 王之建, 张立功, 元金山
        2002, 23(4): 369-372.
        摘要：利用巯基乙酸与草酸的混合自组装单分子膜成功制备了粒径分布均匀的CdS纳米粒子,并用SEM,XRD,XPS,PL对样品进行了表征.SEM表明形成在自组装单分子膜表面上的CdS纳米粒子的平均粒径约为45nm.XPS表明在自组装单分子膜表面形成了CdS纳米粒子.PL谱表明CdS纳米粒子在675nm有一峰值波长,我们认为这一发光是由表面缺陷造成的.  
        关键词：自组装单分子膜;CdS纳米粒子;成核中心   
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        更新时间：2020-08-11

      • 低束流Nd3+注入硅基薄膜结构及光致发光的研究

        曾宇昕, 王水凤, 元美玲, 程国安, 肖志松, 徐飞
        2002, 23(4): 377-380.
        摘要：采用金属蒸气真空弧离子源(MEVVA)制备了掺Nd3+硅基薄膜材料.用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000℃退火处理形成NdSi相钕硅化合物.测试了样品的光致荧光谱,在254nm(~5.0eV)光激发下获得了紫蓝光区(410~430nm)和红光区(746nm)荧光发射,随着退火温度的升高,荧光强度增大.746nm红光光谱显示了Nd3+特征光发射跃迁(4F7/2,4S3/2→4I9/2),讨论了注入层结构与荧光发射的相关性.  
        关键词：离子注入;Nd3+;结构;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • M2CeO4(M=Ca,Sr,Ba)的结构与发光特性

        洪广言, 张雷, 孙小琳
        2002, 23(4): 381-384.
        摘要：Sr2CeO4是一种新型的一维结构发光材料,其特殊的结构对其发光特性有决定性的作用.Sr2CeO4体系中可以顺利地进行能量传递,产生较强电荷迁移发光.合成了M2CeO4(M=Ca,Sr,Ba),发现与Sr2CeO4具有类似结构的Ba2CeO4也可以发光,而结构完全发生了变化的Ca2CeO4则不发光.  
        关键词：Sr2CeO4;一维结构;发光特性   
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        更新时间：2020-08-11

      • 不同气氛退火对PbWO4单晶发光的影响

        陈永虎, 施朝淑, 戚泽明
        2002, 23(4): 385-388.
        摘要：通过对不同气氛条件下退火的PbWO4(PWO)单晶样品的激发谱与发射谱的对比研究,发现真空退火从整体上抑制PbWO4的发光强度,氧空位(Vo)缺陷是420nm吸收和红光发射的原因,而空气退火可以有效抑制Vo缺陷,全面改善PWO的发光性能.另外,首次报道了310nm附近的激子激发峰发生劈裂的现象,其中波长较长的320nm激发对应于与Vo缺陷相关的激子激发态.  
        关键词：PbWO4晶体;退火气氛;晶体缺陷;氧空位Vo   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnO薄膜的制备和发光特性的研究

        梅增霞, 张希清, 衣立新, 韩建民, 赵谡玲, 王晶, 李庆福
        2002, 23(4): 389-392.
        摘要：用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜.在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱,探讨了气氛中氧气与氩气比对制备薄膜的影响.从XRD谱中可以看出,样品具有较好的结晶状态.另外,样品在紫外有较强的吸收,而其光致发光也是较强的紫外发射,这表明带间跃迁占了主导地位.以上结果说明:用溅射方法制备的ZnO薄膜结晶质量较好,富锌状态有所改善.  
        关键词：ZnO薄膜;光致发光;溅射   
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        更新时间：2020-08-11

      • 白光照明LED灯温度特性的研究

        金尚忠, 张在宣, 郭志军, 侯民贤
        2002, 23(4): 399-402.
        摘要：分析了荧光粉转换型白光LED照明光源色坐标、显色指数、色温和发光效率与驱动电流和温度的关系.驱动电流的增加将引起蓝光波峰的长移,并随电流的增大而增大;但其对色坐标、色温和显色指数并未引起较大的变化,而发光效率发生下降.主要原因为蓝光波峰的红移导致荧光粉与激发波长的不匹配,引起荧光粉发光效率的下降.这个现象在不同环境温度下的发光也得到证实.实验结果认为LED的驱动电流为20mA,温度低于50℃时具有较好的发光效率.而显色指数要通过增加红色成分来改善.  
        关键词：白光LED;照明光源;显色;发光效率   
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        更新时间：2020-08-11

      • PDP用荧光粉的真空紫外辐照特性

        牟同升, 洪广言
        2002, 23(4): 403-405.
        摘要：利用“等离子体显示用荧光粉光学测试系统”中147nm真空紫外光,对实用的(Y,Gd)BO3:Eu红粉,Zn2SiO4:Mn和(Ba,Sr,Mg)O·nAl2O3:Mn绿粉以及(Ba,Mg)O·nAl2O3:Eu2+蓝粉进行较长时间的辐照,以观察荧光粉的衰减特性,发现红粉衰减最小,蓝粉初始衰减较快,而绿粉亮度存在一个先升后降的现象.  
        关键词：荧光粉;辐照特性;真空紫外   
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        更新时间：2020-08-11

      • 涂布法制备碳纳米管场发射阴极及其性能的研究

        冯涛, 柳襄怀, 王曦, 李琼, 徐静芳, 诸玉坤
        2002, 23(4): 406-408.
        摘要：碳纳米管(CNT)作为场发射阴极(FEC)具有很好的性能.报导了利用粉末状碳纳米管制作CNT-FEC的方法,包括涂布方法、纯化方法和表面处理方法.主要关心的FEC性能为电子发射均匀性、电流密度和寿命.  
        关键词：碳纳米管;场发射;寿命   
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        更新时间：2020-08-11

      • 荧光粉表面吸附汞的检测

        马林, 胡建国, 王惠琴, 刘兰花, 徐燕
        2002, 23(4): 409-412.
        摘要：在荧光灯的燃点过程中,荧光粉表面沉积吸附的汞对光衰有重要的影响.本文提出用冷原子吸收方法(CVAAS)直接检测荧光粉表面吸附汞量的变化,利用室温下原子汞对254nm共振线的吸收,且其吸收与汞原子蒸气浓度成正比进行汞量测定.测得方法的标准曲线回归方程为Y=0.4455X+0.2000,试样的加标回收率为92.3~99.8%,满足荧光粉含汞量测定的要求.对燃点不同时间后的铝酸盐蓝色荧光粉(BAM)进行测定,结果表明:荧光粉表面沉积吸附的汞量随点灯时间的延长而增加,与灯的光衰增大趋向一致,汞的吸附沉积确实是造成荧光灯光衰的主要原因之一.检测结果还表明:将未作表面包膜处理的BAM粉与经过表面包覆纳米Al2O3膜层处理的BAM粉作对照,前者的含汞量比后者的含汞量明显要高,可见:对荧光粉进行表面包膜处理,能够保护粉体、减少汞的沉积吸附,从而降低点灯过程中的光衰.  
        关键词：汞;冷原子吸收法;荧光粉;光衰   
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        更新时间：2020-08-11

        稀土发光材料

      • 稀土氟化物Y0.97Er0.03F3纳米材料的制备及上转换发光

        刘晃清, 秦伟平, 秦冠仕, 吴长锋, 赵丹, 邓文渊, 张继森, 任新光, 赵贵军
        2002, 23(4): 361-363.
        摘要：通过燃烧法和控温热反应法制备了稀土氟化物纳米材料,利用XRD和TEM对样品进行了分析和表征.测量了发射波长为980nm激光二极管激发下所得纳米材料的上转换发光性质.  
        关键词：稀土氟化物;制备;上转换发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 硫化锌纳米微晶锰掺杂最佳含量的一个简单的理论计算

        范志新, 陈玖琳
        2002, 23(4): 373-376.
        摘要：介绍一个从晶体结构出发建立的晶体结构配位数与最佳掺杂含量关系的一个简单的理论表达式,对硫化锌纳米微晶锰掺杂最佳含量作出理论计算,定量计算的结果与实验数据相符合.该理论也适用于其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题.  
        关键词：ZnS;纳米微晶;最佳掺杂含量;理论计算   
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        更新时间：2020-08-11

      • LiBaF3：Eu2+真空紫外光谱研究

        周映雪, 张新夷, 汪东升, 张国斌
        2002, 23(4): 393-395.
        摘要：在室温下,二价稀土离子铕掺杂的LiBaF3:Eu2+粉末样品中,Eu2+的发射呈现双峰结构,有一峰值波长约为410nm的宽峰,对应于Eu2+的5d-4f跃迁,以及另一峰值波长约为360nm的窄峰,对应于Eu2+的4f-4f跃迁.在50~400nm波长范围,测量了样品的反射光谱,并利用Kramers-Kronig关系,计算了吸收光谱.从吸收光谱中,可以看到在102nm处有明显的吸收边,得到LiBaF3材料的禁带宽度Eg约为12.1eV.在高能端有53.4,59.4,65.3,69.2和76.5nm的吸收峰,它们对应于Ba2+的5p电子和F的2p电子芯能级之间的跃迁.在低能量的183.4nm处,有很明显的吸收峰,推测这对应于本征缺陷的吸收.更低能量的吸收峰,则对应于禁带中的一些杂质能级.在未经紫外光或X射线辐照之前,用长波长(>450nm)光激发LiBaF3:Eu2+粉末样品,可以观测到Eu2+离子的360nm和410nm发光,亦表现出光激励发光特性.  
        关键词：真空紫外光谱;光激励发光;同步辐射;LiBaF3：Eu2+   
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        更新时间：2020-08-11

      • GdVO4：Eu3+的热释光研究

        刘波, 施朝淑, 张庆礼, 郭常新
        2002, 23(4): 396-398.
        摘要：GdVO4:Eu3+有着十分优良的发光特性,它发光强度高,特别是具有很好的温度特性,在室温以上发光强度随温度的升高而增强,很利于在高温下使用此材料.本文对它的热释光进行了研究,其热释光峰值分别位于193,235和304K,根据计算可知它们的陷阱深度分别为0.39,0.47和0.61eV.陷阱的主要来源可能是F+,F和钒空位;Eu3+掺入导致的晶格畸变,其中最主要的来源可能是空位导致的.  
        关键词：热释光;GdVO4：Eu3+;陷阱   
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        更新时间：2020-08-11
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