最新刊期
      2001年第22卷第3期

        研究论文

      • 高N2气流下在GaAs(001)上用MBE法生长InN

        秦志新, 陈志忠, 张国义
        2001, 22(3): 209-212.
        摘要：在N2气压为2.67×10-2Pa,500℃的条件下,用MBE方法在GaAs(001)衬底上生长了InN的外延层。生长期间,In流量以3×1014到24×1014atoms/cm2·s范围内变化。用X射线衍射(XRD)和反射高能电子衍射(RHEED)法对InN膜进行了表征。发现在生长的初始阶段,所生长的InN属立方相,但随着外延层厚度的增加出现了InN层由立方相向六角相的相变。X射线倒易空间图形测量表明的在GaAs(001)衬底上生长的六角相InN其c-轴主要沿GaAs的〈111〉B方向取向。  
        关键词：RHEED;X射线倒易空间图形;hInN   
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        更新时间：2020-08-11

      • 有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究

        王立, 李述体, 彭学新, 熊传兵, 李鹏, 江凤益
        2001, 22(3): 213-217.
        摘要：采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了测试。获得了合金层的组分、厚度、结晶品质及发光性能等信息。研究表明:在以N2作主载气的情况下,有机源的载气对InxGa1-xN膜的In组分和生长速率影响很大。生长温度为760℃时,以70ml/min的N2作有机源载气得到的InxGa1-xN膜的In组分为0.10,生长速率为60nm/min;而以70ml/min的Hx作有机源载气得到的InxGa1-xN薄膜的In组分为0.06,生长速率为10.6nm/min。本文首次报导了载气中含有少量Hx能增大InxGa1-xN薄膜的生长速率的现象。  
        关键词：MOCVD;InGaN;卢瑟福背散射/沟道技术;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响

        刘磁辉, 朱俊杰, 林碧霞, 陈宇林, 彭聪, 杨震, 傅竹西
        2001, 22(3): 218-222.
        摘要：利用深能级瞬态谱(DLTS)和光致发光谱(PL),研究了ZnO/pSi异质结的两种不同温度(850℃,1000℃)退火下的深能级中心。发现850℃退火的样品存在3个明显的深中心,分别为E1=Ev+0.21eV,E2=Ev+0.44eV,E3=Ev+071eV;而1000℃退火样品仅存在一个E1=Ev+021eV的中心,且其隙态密度要比850℃退火的大。同时,测量了两个样品的PL谱。发现1000℃退火可消除一些影响发光强度的深能级,对改善晶格结构,提高样品的发光强度有利。  
        关键词：深能级瞬态谱(DLTS);PL谱;缺陷;新施主   
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        更新时间：2020-08-11

      • 纳米荧光粉的余辉研究

        郭常新, 李碧琳
        2001, 22(3): 223-226.
        摘要：用无机材料在室温下通过溶胶法制成了纳米ZnS:Mn荧光粉,立方晶形,平均粒径为3nm,它的橙色发光(峰值608nm,半宽75nm)亮度与同晶型(立方)的体ZnS:Mn荧光粉的亮度相同,而余辉缩短。在Nd:YAG四倍频266nm脉冲激光激发下,仔细对立方纳米、纯立方微米、纯六角微米ZnS:Mn荧光粉进行了余辉的对比测量。它们的余辉主要遵循指数衰减规律,其1/e余辉时间的结果如下:(1)纯立方纳米ZnS:Mn:两个指数衰减,余辉时间分别为186μs和1078μs,其幅度比为4:1,前者是主要的,决定了1/e余辉时间,(2)纯立方微米体ZnS:Mn:944μs,(3)纯六角微米体ZnS:Mn:1.2ms(还有幅度很小的极长余辉成分)。结果表明纳米ZnS:Mn荧光粉的光致发光余辉的确比对应的体材料(不管是六角还是立方)都短,但余辉仅缩短了几倍,而不是五个数量级。  
        关键词：纳米荧光粉;ZnS:Mn;光致发光;余辉   
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        更新时间：2020-08-11

      • Y2O2S纳米晶中Tb3+发光的浓度猝灭

        李丹, 吕少哲, 王海宇, 陈宝玖, 鄂书林, 张家骅, 黄世华
        2001, 22(3): 227-231.
        摘要：制备了Tb3+浓度不同而粒径相同的一系列纳米晶Y2O2S。由于表面态对发光的猝灭作用,Tb3+离子5D3发光的寿命与体材料比较明显缩短。研究了5D3和5D能级发光的浓度猝灭,发光强度与浓度的关系以及发光的衰减曲线都表明:5D3的浓度猝灭是电偶极电偶极相互作用引起的,而5D的浓度猝灭是交换相互作用引起的。  
        关键词：能量传递;Y2O2S:Tb3+纳米晶;浓度猝灭   
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        更新时间：2020-08-11

      • 纳米级介孔分子筛及其超分子发光功能材料的制备与表征

        尹伟, 张迈生, 康北笙
        2001, 22(3): 232-236.
        摘要：本文在超声波条件下以三甲基十六烷基溴化铵为模板剂、正硅酸乙酯为硅源合成了纳米级(10～40nm)的介孔分子筛(MCM-41),其筛孔直径在27nm左右。选择Eu(Phen)4为客体,纳米级介孔分子筛为主体,在无水乙醇中进行分子组装,制备具有强发光性能的超分子纳米材料MCM-41-Eu(Phen)4。采用HRTEM、TEM、XRD、TG、IR和荧光光谱检测手段对产物进行了表征。  
        关键词：纳米超分子功能材料;MCM-41介孔分子筛;MCM-41-Eu(Phen)4;发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 稀土Gd3+掺杂对PbWO4发光的增强

        周东方, 施朝淑, 张庆礼, 陈永虎
        2001, 22(3): 248-252.
        摘要：本文研究了稀土Gd3+掺杂于PbWO4的发射光谱、激发光谱及其浓度依赖。Gd3+在PWO4中的发光完全被猝灭,而PWO4的发射光谱形状不变。掺入约50ppm后PWO4的绿光带有所增强,掺入约100ppm后PWO4的蓝光带有所增强。Gd3+的激发态进入PWO4的导带并把能量反向传递给PWO4基质是其可能的发光增强机制。低掺杂的PWO4:Gd是一种性能优良的闪烁体材料。  
        关键词：PbWO4晶体;Gd掺杂;闪烁体材料;发光特性   
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        更新时间：2020-08-11

      • Eu3+掺杂的玻璃材料的黄昆因子与无辐射跃迁

        陈宝玖, 王海宇, 黄世华
        2001, 22(3): 253-257.
        摘要：本文提出了从Eu3+掺杂的玻璃材料激发光谱中声子边带确定黄昆因子的方法,并对制备的不同组份玻璃材料的黄昆因子进行了计算,研究了黄昆因子对玻璃组份的依赖关系,同时讨论了材料的无辐射跃迁行为。  
        关键词：黄昆因子;无辐射跃迁;声子边带;Eu3+离子   
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        更新时间：2020-08-11

      • 弱耦合多原子半无限晶体中的表面极化子的有效势

        尹辑文, 丁朝华, 肖景林
        2001, 22(3): 268-270.
        摘要：本文研究弱耦合多原子半无限晶体中表面极化子的性质。采用线性组合算符和幺正变换导出表面极化子的的有效势。  
        关键词：多原子半无限晶体;表面极化子;有效势   
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        更新时间：2020-08-11

      • 电化学方法在染料电致发光器件中的应用

        陈震, 郑曦, 陈日耀, 曲跃文, 程蔚, 张义康
        2001, 22(3): 271-275.
        摘要：本文用电化学循环伏安法(I-V)、紫外光谱法(UV)和荧光光谱法(PL),比较了Alq、PBD和BBOT的紫外吸收谱图及I-V曲线上的电化学行为。实验结果指出,Alq、PBD和BBOT的电化学行为均不可逆,均有大的阴极还原峰电流,表明它们是优良的电子传输体。从氧化还原峰的分析所得到的能带隙宽度的定性结果与UV图上的结果相一致。PL结果表明它们均具有良好的光致发光性能。  
        关键词：有机发光材料;电致发光;能带匹配;循环伏安法   
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        更新时间：2020-08-11

      • 含偶氮分子的ormocer固体薄膜制备及二阶光学非线性

        夏海平, 章践立, 陈红兵, 张新民, 王金浩, 聂秋华
        2001, 22(3): 276-279.
        摘要：利用溶胶凝胶(solgel)低温合成非晶态技术,以γ氨基丙基三乙氧基硅烷(3-aminopropyltriethox ysilane,KH550)与γ缩水甘油醚基丙基三甲氧基硅烷(3-glycidoxy-propltrimethoxysilane,KH560)为先驱体,把Disperse Orange3(DO3)偶氮分子以3wt%浓度掺杂到上述溶胶与ormocer(organic modified ceramic)体系中。在ITO片上制备成厚度为4μm的DO3/90KH560-10KH550薄膜。经高温电晕极化后,用二次谐波发生装置,测量出薄膜材料的二次谐波强度,并计算出经极化后薄膜材料的p→p的二阶有效极化系数deff=0.11pm/V。极化24小时后,其SHG强度基本保持不变,大约为刚极化后的80%大小。我们认为这主要是由于介质中KH550的引入,其中-NH2基团与DO3中的-NH2之间形成了氢键的作用,以及由氢键引起的介质材料进一步致密化作用,使得DO3分子不易发生弛豫作用,而保持极化后的分子状态。  
        关键词：DO3;有机改良介质;电晕极化;二阶光学非线性   
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        更新时间：2020-08-11

      • 单分子-光子制冷泵的热力学行为(Ⅰ)

        秦伟平, 秦冠仕, 张继森, 吴长锋, 赵丹, 刘晃清, 王继伟, 黄世华, 杜国同
        2001, 22(3): 281-288.
        摘要：建立了一般意义上的单分子-光子泵模型,并用计算机模拟了在不同能量的光子激发下单个分子作为制冷泵时的量子跃迁过程,研究了单分子-光子泵处于基态和激发态时的热激发过程以及在发生荧光辐射时的声子参与情况,得出了基态具有较强的制冷能力的结论。基态和激发态在光吸收和发射过程中热力学效应是不同的,因此在选择反斯托克斯荧光制冷材料时,发光中心的基态能级劈裂更具重要性。  
        关键词：单分子;离子;制冷泵;激光制冷;反Stokes荧光制冷   
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        更新时间：2020-08-11

      • 半导体/超晶格分布布拉格反射镜的特性研究

        晏长岭, 钟景昌, 赵英杰, 苏伟, 黎荣晖, 任春燕
        2001, 22(3): 289-293.
        摘要：在n+-GaAs(100)衬底上由分子束外延技术(MBE)生长了以[GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/[GaAs/AlAs]半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR),并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量。从实验获得的DBR的反射谱中得出,其反射谱中心波长为850nm,19周期此DBR的峰值反射率高达995%,反射带宽度为90nm左右。与此同时,由自行设计的二次钨丝掩模质子注入形成15×15μm2正方形电流注入区对p型DBR的串联电阻进行了测量,克服了化学湿腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点。实验得出此p型DBR的串联电阻仅为50Ω左右。由此可见,此DBR在保持高的反射率的同时具有较低的串联电阻。最后,对DBR的串联电阻与温度关系的实验研究表明,此DBR的串联电阻受温度的影响不大。  
        关键词：分布布拉格反射镜(DBR);超晶格;分子束外延(MBE);反射谱;串联电阻   
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        更新时间：2020-08-11

      • 电子束照射LiF薄膜有源沟道的宽带光致发光

        郑杰, 李燕, 徐迈, 范希武, Righini G C
        2001, 22(3): 294-296.
        摘要：用热蒸发在玻璃衬底上制备了多晶LiF薄膜,研究了由电子束照射产生的有源沟道的室温宽带光致发光特性。研究表明,室温下有源沟道F2和F3+色心具有较大的光增益和折射率增量,有望实现可见波段的可调谐有源光波导器件。  
        关键词：LiF薄膜;色心;光波导   
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        更新时间：2020-08-11

      • 光谱曲线拟合程序的开发与运行的技巧

        林秀华, 江炳熙, 谢素原, 陈丽容
        2001, 22(3): 297-302.
        摘要：针对固体中杂质发光光谱的特殊问题,以FORTRAN77语言编写了多套曲线拟合程序,可分别适用于光滑型,散粒噪音叠加型及混合型光谱曲线的分解。并介绍了正确使用程序的技巧。对如何获得正确、可靠的拟合结果进行了讨论。  
        关键词：发光光谱;曲线拟合   
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        更新时间：2020-08-11

      • 基于主观感觉理论的LED图像显示质量的简易测定评估方法

        王瑞光, 陈宇, 金福寿, 朴燕, 张建涛
        2001, 22(3): 303-308.
        摘要：研究了LED视频显示大屏幕的测定和评估方法。实验表明,对LED视频图像显示质量的评估应从主客观两方面进行,才能对屏幕的主要技术参数做出有效的测定评估。本文从生理物理学的角度提出了一种简易的屏幕亮度及全屏显示质量测定及评估理论。经过实验检验,此理论基本解决了LED视频显示屏测定及评估方面的诸多问题。  
        关键词：LED;参数测定;评估方法   
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        更新时间：2020-08-11

        稀土发光材料

      • Na3La2(BO3)3：Sm3+的合成及其光谱特性

        张国春, 傅佩珍, 王国富, 郭范, 官向国
        2001, 22(3): 237-242.
        摘要：本文采用固相反应法,合成了一系列掺Sm3+的Na3La2(BO3)3[Na3(La1-xSmx)2(BO3)3]发光体,X射线粉末衍射数据分析表明它们属于正交晶系,空间群为Amm2。测量了红外光谱、荧光光谱,观察到在599nm、645nm处有较强的荧光发射,并研究了发光强度与Sm3+离子浓度(x)的关系,确定了Sm3+离子在Na3La2(BO3)3基质中发光的适宜浓度。  
        关键词：Na3La2(BO3)3：Sm3+;合成;Sm3+的发光特性;浓度猝灭   
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        更新时间：2020-08-11

      • Gd2O3：(Ce3+, Eu3+)微晶中稀土离子间的级联能量传递

        魏亚光, 施朝淑, 王正, 陶冶, 王渭, 戚泽明
        2001, 22(3): 243-247.
        摘要：本文报道了纳米Gd2O3:(Ce3+,Eu3+)的紫外与真空紫外(UVVUV)激发谱及其选择激发下的荧光光谱。这些光谱实验表明,除了Gd2O3基质与Ce3+,Eu3+离子之间的能量传递外,还存在着Gd3+与Ce3+、Eu3+间的能量传递,即存在Gd3+→Ce3+→Eu3+三种稀土离子间的级联传递。  
        关键词：Gd2O3：(Ce3+;Eu3+);UVVUV激发谱;稀土发光;级联能量传递   
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        更新时间：2020-08-11

      • 紫外激光晶体Ce3+：LiSrAlF6发光温度依赖中的陷阱效应

        魏亚光, 施朝淑, 周东方, 陶德节, 汤洪高
        2001, 22(3): 258-262.
        摘要：在105～300K温区内,测量了X射线激发下Ce3+:LiSrAlF6晶体发光强度的温度依赖(IT),在237～300K温区内发光强度有特殊的增强结构,结合105～300K温区内热释光的测量,证实这种发光强度的增强效应是由于陷阱参与发光过程所导致。通过对热释光曲线的进一步分析,得到深度分别为051eV和055eV的陷阱能级,这些陷阱主要源于Ce3+取代Sr2+所形成的杂质缺陷和基质LiSrAlF6中的F-空位以及Li+空位所形成的本征缺陷。  
        关键词：Ce3+：LiSrAlF6晶体;发光强度的温度依赖;热释光;陷阱;紫外激光   
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        更新时间：2020-08-11

      • Ln7O6(BO3)(PO4)2Eu(Ln=La, Gd, Y)的VUV-UV激发和辐射发光

        初本莉, 刘行仁, 王晓君, 金伟华, 陶冶, 王渭, 侯雪颖
        2001, 22(3): 263-267.
        摘要：本文报道了Ln7O6(BO3)(PO4)2:Eu(Ln=La,Gd,Y)在VUVUV区的激发光谱及Eu3+在可见区的发射光谱。其激发光谱包括基质在真空紫外区的激发带和激活剂离子在紫外区的Eu3+-O2-电荷迁移带,随La3+,Gd3+,Y3+离子半径逐渐减小,Eu3+-O2-电荷迁移带的重心位置逐渐向高能量方向移动,Gd7O6(BO3)(PO4)2:Eu和Y7O6(BO3)(PO4)2:Eu在真空紫外区的吸收与Eu3+-O2-电荷迁移带位于紫外区的吸收的比值要高于在La7O6(BO3)(PO4)2:Eu中的这个比值。激发能可被基质吸收,传递给激活剂离子,得到Eu3+的红光发射。在Gd7O6(BO3)(PO4)2:Eu中,5D0→7F1的发射强度较强,在Y7O6(BO3)(PO4)2:Eu中,5D0→7F2和5D0→7F3的跃迁较强。  
        关键词：VUV-UV激发光谱;发射光谱;Eu3+离子;Ln7O6(BO3)(PO4)2   
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        更新时间：2020-08-11

        研究快报

      • 用电子束热蒸发技术制备ZnO薄膜

        张彬, 林碧霞, 傅竹西, 施朝淑
        2001, 22(3): 309-311.
        摘要：本文报道了用电子束热蒸发技术制备ZnO薄膜,薄膜具有(002)取向,通过电子扫描显微镜确认晶粒大小在150nm左右,现有的薄膜在525nm处有强的光致发光。  
        关键词：氧化锌薄膜;电子束热蒸发;光致发光光谱   
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        更新时间：2020-08-11
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