最新刊期
      2001年第22卷第2期

        研究报告

      • Ag-BaO薄膜在垂直表面电场作用下的光吸收增强

        吴锦雷, 张琦锋, 许北雪, 吴全德
        2001, 22(2): 99-102.
        摘要：Ag-BaO薄膜是金属纳米微粒埋藏于半导体介质中的功能复合薄膜,它具有超快的光电时间响应,可以检测超短激光脉冲,在Ag-BaO薄膜表面加入垂直电场,可以提高薄膜的光电发射效率,在垂直表面电场作用下近紫外波段光吸收有较明显增强现象,在波长λ=303nm处15V电压作用下光吸收增强6.5%,30V电压作用下增强18%。这种光吸收增强是由于在电场作用下,薄膜的能带结构发生倾斜,以及在强电场下能级分裂。光吸收涉及被激发电子在倾斜能带间隧穿几率的增加,和被激发电子在这些分裂能级间的跃迁。  
        关键词：薄膜;垂直表面电场;光吸收   
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        82
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1578523 false
        更新时间：2020-08-11
      • 曾文光, 邓雪儿, 林长净, 冯稷, 程玮, 吴木营
        2001, 22(2): 103-106.
        摘要：通过对BiTm)3(FeGa)5O12膜施工加低频交变磁场,匀速率增加的直流磁场和同时对该膜施加这两种磁场(复合外场),用照相划线读数方法和通过电荷耦合器件(CCD)-计算机作数字化处理获得磁畴壁(DW)的相对百分数。结果表明:(1)复合外场下DW运动规律中存在交互作用项;(2)低频交变磁场幅值(140A/m)远低于等效阻力场(103A/m)时,DW可以运动,但不同步,频率大于1Hz时明显滞后,(3)利用图像转换有利于提高实验结果的分辨率。  
        关键词：磁光膜;畸壁运动;相互作用   
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        47
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1577778 false
        更新时间：2020-08-11

      • 三元合金Ga0.52In0.48P的喇曼散射谱

        高玉琳, 吕毅军, 郑健生, 李志锋, 蔡炜颖, 王晓光
        2001, 22(2): 107-110.
        摘要：采用室温下微区Raman散射方法,观测到了GaInP2的LO双模行为和禁戒的TO模,由于晶格有序导致晶体对称性从Td降低为C3v,从而使禁戒的TO模变为Raman活性。在所有的样品中都观测到了由晶格无序激活的DALA模。在有序样品中,除观测到了二级Raman散射峰LO1+LO2以外,还观测到了由超晶格效应所导致的FLA折叠模和LO模的分裂。对LO模峰谷比b/a的分析表明,随着晶格有序度的增加,b/a值减小。这是因为:一方面主要是由于禁戒的TO模变为Raman活性所引起的,另一方面,还可能有LO1模和LO2模分裂的贡献。在实验上,可以用b/a值或FLA的强度来表示样品的有序度。  
        关键词：Ⅲ-Ⅴ族半导体;喇曼散射;有序度   
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        57
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1578535 false
        更新时间：2020-08-11

      • 多孔铝激光染料镶嵌膜的荧光光谱研究

        袁淑娟, 赵莉丽, 潘志峰, 李清山
        2001, 22(2): 115-118.
        摘要：以多孔阳极氧化铝为基底,将激光染料分子RhB有效地嵌入多孔铝的孔中,获得多孔铝激光染料镶嵌膜。镶嵌膜的荧光光谱类似于低浓度液相染料的荧光光谱,但光谱线型更趋于对称。通过改变多孔铝孔的直径和深度及染料溶液浓度,研究光谱的变化关系,初步提出了多孔铝镶嵌染料膜的理想模型。  
        关键词：多孔铝;阳极氧化;染料镶嵌膜   
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        92
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1577791 false
        更新时间：2020-08-11

      • MOCVD方法生长的氧化锌薄膜及其发光特性

        傅竹西, 林碧霞, 祝杰, 贾云波, 刘丽萍, 彭小滔
        2001, 22(2): 119-124.
        摘要：近年来,随着近紫外光发射氧化锌薄膜研究的进展,许多先进的薄膜生长手段被广泛采用。本文探索了用MOCVD方法在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法,试验了用几种不同的有机金属源生长ZnO薄膜;研究了源材料及生长压力和温度对薄膜生长的影响;观察了样品的室温光致发光光谱。通过与溅射方法生长的ZnO薄膜的比较,提出了影响材料结构和发光特性的可能原因。  
        关键词：氧化锌;薄膜制备;结构特性;光致发光   
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        72
        |
        11
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1577826 false
        更新时间：2020-08-11
      • 周美娟, 何钧, 廖良生, 侯晓远
        2001, 22(2): 125-130.
        摘要：提出了一种简便易行、并与有机薄膜电致发光器件制备工艺完全兼容的工艺检测方法———覆膜加热观测法。这种方法是在器件的制备工艺过程中,同时在铟锡氧化物(ITO)电极和各层有机薄膜上覆盖一层不透气的薄膜(如金属Al膜等),接着进行快速加热,最后对器件表面进行形貌观测。采用这种方法,观察了器件表面气泡的形成过程,观察了加热温度、ITO表面处理以及有机物纯度对气泡形成的影响。实验表明,覆膜加热观测法能有效地对工艺进行对比检测,从而达到改进工艺、提高器件质量的目的。  
        关键词：有机薄膜;热处理;表面形貌;工艺检测   
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        80
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1577899 false
        更新时间：2020-08-11

      • 液氦薄膜表面上与涟波子耦合的电子的有效质量

        肖玮
        2001, 22(2): 131-134.
        摘要：研究在液氦薄膜表面上与涟波子(ripplon)相互作用的二维电子的性质。采用线性组合算符和拉格郎日乘子法,导出了强、弱耦合两种极限情况下二维电子的有效质量。  
        关键词：液氦;涟波子;二维电子;有效质量   
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        117
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1577843 false
        更新时间：2020-08-11

      • 量子盘中的三阶非线性光学极化率

        刘翠红, 郭康贤, 陈传誉, 马本堃
        2001, 22(2): 135-138.
        摘要：利用密度矩阵方法讨论了量子盘中的三阶非线性光学极化率,导出了近共振条件下的三次谐波的解析表达式,并以GaAs量子盘为例进行了具体的计算。结果表明,GaAs量子盘中的三阶非线性光学极化率要比GaAs量子阱的大几十倍。而且,选取适当的参量,可在吸收系数相对较小的情况下获得较大的折射率。  
        关键词：三阶非线性光学极化率;量子盘;密度矩阵算符   
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        96
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        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1577814 false
        更新时间：2020-08-11

      • 从Eu3+发射光谱获得J-O参数Ω2、Ω4

        陈宝玖, 王海宇, 鄂书林, 黄世华
        2001, 22(2): 139-142.
        摘要：测量了Eu3+掺杂的PbF2和H3BO3不同配比玻璃材料的吸收光谱、发射光谱及激发光谱,计算了各不同配比样品的折射率。根据稀土离子Eu3+光学跃迁矩阵元的特点,从发射光谱获得了Eu3+光学跃迁的JO参数Ω2和Ω4,并研究了Ω2和Ω4对xPbF2(795-x)H3BO305Eu2O5玻璃体系组分的依赖关系,提出了用Eu3+离子作为玻璃材料微观环境探针,并通过实验证实了其可行性。  
        关键词：稀土离子;光学跃迁;J-O理论   
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        95
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        14
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1578569 false
        更新时间：2020-08-11

      • 激光器稳定性分析

        安毓英, 曾小东
        2001, 22(2): 143-146.
        摘要：本文介绍一种分析激光器稳定性特性的线性化方程方法。由Poincar啨非线性理论,首先将非线性速率方程在阈值处线性化,再由线性方程的系数矩阵的特征量给出四种稳定性类型  
        关键词：激光器;稳定性   
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        98
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1577771 false
        更新时间：2020-08-11

      • 侧链型聚合物DANS-PMMA脊形条波导的制备

        张平, 高福斌, 邢汝冰
        2001, 22(2): 147-150.
        摘要：有机聚合物的紫外漂白,经过一系列复杂的光化学反应,会使聚合物薄膜的折射率和厚度降低。在此基础上,利用金属掩模对聚合物薄膜进行选择性紫外漂白,制备出聚合物脊形条波导。紫外漂白不需要对聚合物薄膜进行光刻和腐蚀便可获得边缘和表面比较整齐和光滑的脊形条波导,对减少波导的散射损耗十分有利。本文介绍了利用紫外漂白和金属掩模方法制备侧链型聚合物DANS(4-dimethylamino-4'nitro-stlibene)PMMA(polymethyl methacrylate)脊形条波导的工艺过程,并对关键工艺进行了讨论。  
        关键词：紫外漂白;侧链型聚合物DANS-PMMA;脊形条波导   
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        105
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1577888 false
        更新时间：2020-08-11

      • In原子掺入对GaInNAs/GaAs单量子阱光致发光的影响

        王志路, 张志伟, 孙宝权
        2001, 22(2): 151-156.
        摘要：研究了In掺入GaNAs/GaAs单量子阱对其带间和低于带边发光性质的影响。实验结果显示,随着In浓度的增加,GaInNAs/GaAs量子阱带间发光得到改善,低于带边的发光强度大大地减小。这是由于GaInNAs合金生长在GaAs衬底上,为补偿In和N原子尺度的差异,N原子更倾向于与In原子形成共价健。GaInNAs/GaAs单量子阱的光调制光谱证实了高能端发光峰来自本征的带边发光。  
        关键词：GaInNAs/GaAs量子阱;低于带边发光;本征发光   
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1578622 false
        更新时间：2020-08-11

      • Si基沉积ZnO薄膜的光谱特性

        张国斌, 施朝淑, 韩正甫, 石军岩, 林碧霞, Kirm M, Zimmerer G
        2001, 22(2): 157-160.
        摘要：利用同步辐射真空紫外光研究了Si基沉积ZnO薄膜的发射光谱、激发光谱及其温度依赖。首次观测到高于ZnO禁带宽度的发射带(290nm),并初步指定其来源。  
        关键词：ZnO薄膜;光致发光;同步辐射   
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        91
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        4
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1578605 false
        更新时间：2020-08-11

      • 不同晶向SrTiO3上外延GaAs薄膜的光谱研究

        陈平平, 缪中林, 陆卫, 蔡炜颖, 李志锋, 沈学础
        2001, 22(2): 161-163.
        摘要：利用MBE生长技术,成功地在不同晶向SrTiO3(100)(111)(110)衬底上生长了GaAs薄膜,利用显微Raman和荧光光谱(PL)对此进行了研究。实验结果表明,在不同晶向SrTiO3上生长的GaAs薄膜有不同的晶向和应力状态。荧光光谱(PL)研究表明在SrTiO3(100)(111)晶面上生长的GaAs薄膜的PL峰发生明显的蓝移。研究表明在SrTiO3(110)面上生长的GaAs薄膜和体单晶基本上一致,有更好的光学质量。  
        关键词：GaAs薄膜;SrTiO3;荧光;Raman光谱   
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        74
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1577873 false
        更新时间：2020-08-11

      • BaFBr中O2-的发光研究

        周映雪, 汪东升, 张新夷
        2001, 22(2): 164-166.
        摘要：通过比较紫外和真空紫外光辐照前后,BaFBr以及BaFBr:O样品的发光,研究氧在光激励发光材料中所起的作用。未经辐照的样品,在240nm光激发下,BaFBr:O有峰值为330、345、540nm以及440、480、502nm肩峰的发光,而对BaFBr却探测不到发光。辐照后,在240nm激发下,BaFBr以及BaFBr:O样品都可观测到相近的发光,只是相对强度略有不同,指出样品的发光来源于氧。在100～400nm范围内,BaFBr以及BaFBr:O样品的吸收谱中存在四个宽的吸收带,表明紫外和真空紫外光可激发或电离占据氟离子格位的O2-离子,氧在BaFBr光激励发光材料中可充当空穴陷阱。  
        关键词：光激励发光;空穴陷阱;氧;BaFBr   
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        |
        66
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1578594 false
        更新时间：2020-08-11

      • 溅射方法生长的氧化锌薄膜的阴极射线和光致发光特性

        林碧霞, 傅竹西, 贾云波, 廖桂红
        2001, 22(2): 167-171.
        摘要：近紫外光发射氧化锌薄膜是一种新兴的发光材料,它的发光波长比氮化镓的蓝光波长更短,在光存储应用中可以进一步提高光存储的密度,因而在光电子领域具有重要应用价值而备受关注。在此介绍我们用直流反应溅射方法在硅衬底上生长的氧化锌薄膜,观察了它们的阴极射线发光和光致发光光谱,研究了发光与薄膜晶体结构,以及发光与激发电子束流的关系等。并从中推测出ZnO薄膜中的发光中心  
        关键词：氧化锌薄膜;阴极射线发光光谱;光致发光光谱;发光特性   
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        6
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1578493 false
        更新时间：2020-08-11

      • 一种由自由电子能带模型计算费米能级的方法

        李书平, 王仁智, 郑永梅, 蔡淑惠, 何国敏
        2001, 22(2): 172-174.
        摘要：对面心立方(fcc)、体心立方(bcc)和六角密堆积(hcp)三种不同结构的晶体,在假设它们的原胞中包含8个价电子并将价电子近似为自由电子的情况下,采用“自由电子气理论”和“自由电子能带模型”,研究其根据费米球确定的费米能级EF与根据自由电子能带模型计算的平均键能EmEm。研究结果表明,由自由电子能带模型计算所得3种不同结构晶体(因而电子密度也不一样)的平均键能Em等于各自自由电子系统的费米能级EF。平均键能Em是我们在异质结带阶理论计算中建议的一种参考能级,研究结果在深化对平均键能Em物理实质认识的同时,提供了一种借助于自由电子能带模型计算自由电子系统费米能级EFEF的新方法。  
        关键词：费米能级;平均键能;自由电子能带模型   
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        |
        122
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1577860 false
        更新时间：2020-08-11

      • Tm,Ho双掺杂YVO4晶体中Tm对Ho敏化发光现象

        杨文琴
        2001, 22(2): 175-181.
        摘要：报道了对Tm,Ho双掺YVO4晶体光谱性能的测量结果,包括用UV365型分光光度计测出单掺Tm:YVO4及Ho:YVO4吸收谱以及双掺Tm:Ho:YVO4的吸收谱;用Ar离子激光器488nm,LD激光器激发测量样品荧光光谱;用J-O理论进行光谱参数计算及对能级结构进行分析;研究了在λ=805nm的激光二极管激发下Tm对Ho的敏化发光过程。发现与YAG,YLF为基质的Tm,Ho双掺材料相比,该材料中的Tm3+离子具有大而均匀的吸收宽度(～26nm),大的峰位吸收截面和积分吸收截面(～14×10-20cm22和2745×10-20cm),能量转换效率高(可达87%),且泵浦阈值低(～15mW)。表明了YVO4晶体中Tm能有效地敏化Ho,并产生2μm的发射。文中对发射强度与泵浦功率及Tm,Ho之间掺杂浓度的关系进行了初步的分析与讨论。光谱的观察结果表明:在实现LD泵浦,全固体化,小型,高效的,2μm激光振荡的探索中,Tm:Ho:YVO4晶体将是一种很有实际应用潜力的材料。  
        关键词：Tm:Ho:YVO4晶体;敏化;2μm发射   
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        53
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        7
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1577852 false
        更新时间：2020-08-11

      • 平均键能方法在应变层异质结带阶计算中的简化模型

        廖任远, 蔡淑惠, 郑永梅, 王仁智, 李书平
        2001, 22(2): 182-186.
        摘要：将平均键能方法推广应用于应变层异质结的价带和导带阶研究。通过平均带阶参数形变势amv来研究带阶参数Emv随应变状态的变化关系,发现平均带阶参数Emv.av=Em-Ev.av在不同应变状态下基本上保持不变。因此,在应变层带阶参数Emv的计算中,只需计算其发生应变前体材料的带阶参数Emv.0值并引用形变势b和SO裂距Δ0的实验值,通过简便的代数运算即可得到应变层的Emv值,从而方便地预言不同应变层异质结的价带带阶。本文引入带隙形变势aGap来描述带隙改变量ΔEg随应变状态的变化。由导带带阶和价带带阶的关系ΔEc=ΔEg+ΔEv可以求出不同应变情况下的导带带阶。  
        关键词：带阶;平均键能;异质结   
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        |
        115
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1578633 false
        更新时间：2020-08-11

      • 硅酸锶中Pr3+的4f5d态的光谱特性及Pr3+→Gd3+的能量传递

        初本莉, 刘行仁, 王晓君, 张家骅, 蒋雪茵
        2001, 22(2): 187-191.
        摘要：本文研究了室温下Pr3+在Sr2SiO4中的发射光谱和激发光谱,在激发光谱中,最低激发峰位置低于1S0能级位置,属于5d态的吸收。发射光谱主要由5d→4f的跃迁构成,未观测到Pr3+的3P0和1D2的辐射跃迁。Pr3+的掺杂浓度在001mol左右时,其发射强度接近最大。在Sr2SiO4:Pr3+,Gd3+体系中,Pr3+的5d→3H4的跃迁与Gd3+的8S7/2→6I能级的吸收跃迁相匹配,因此发生了Pr3+→Gd3的高效无辐射能量传递。固定Pr3+的浓度时,随着体系中Gd3+离子浓度的增加,Gd3+的发射强度也随之增强,同时,Pr3+的发射强度则逐渐下降。  
        关键词：Pr3+离子;Gd3+离子;4f5d态;荧光光谱;能量传递   
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        |
        55
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1578508 false
        更新时间：2020-08-11

      • 共轭聚合物中的量子限制效应和能量传递

        孔祥贵, 刘星元, 胡斌, 金长清
        2001, 22(2): 192-195.
        摘要：在共混的两种共轭聚合物中,采用分子自组装技术制备了嵌段共轭聚合物量子线的异质结构,通过室温下吸收光谱、发光光谱和激发光谱的研究证实了在这种嵌段共轭聚合物量子线的异质结构中存在很强的激子限制效应以及链内和链间的有效能量传递。  
        关键词：共轭聚合物;量子限制;能量传递   
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        105
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1577802 false
        更新时间：2020-08-11

      • 白光LED面阵及其主要参数指标

        蒋大鹏, 刘学彦, 尹长安, 赵成久, 侯凤勤, 赵建军, 卢景贵, 申德振, 范希武
        2001, 22(2): 196-198.
        摘要：本文主要利用白光LED单管制备了白光LED面阵,将制备的白光LED面阵与日亚公司的同类产品进行了对比。研究了不同电流条件下,亮度、流明效率、色坐标和显色指数的变化。  
        关键词：白光LED;色坐标;显色指数   
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        117
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        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1578551 false
        更新时间：2020-08-11

        稀土发光材料

      • GdVO4：Eu3+发光的温度效应

        刘波, 施朝淑, 张庆礼
        2001, 22(2): 111-114.
        摘要：研究了GdVO4:Eu3+在高压汞灯的313和365nm激发下室温以上(300～600K)发光的温度依赖关系。发现来自5D0的发射强度随温度的升高而显著增强,直到600K也未见饱和。其中5D0→7f2的619nm发射在600K温度时的强度是室温下的20多倍。我们认为Eu3+的电荷迁移态作为中间态是造成其发光增强的根本原因。激发过程中,先激发到Eu3+本身的5DJ(J=1,2,3…)激发态,然后在温度的作用下上升到电荷迁移态(CTS),温度升高时传递几率显著增强,并按5D3,5D2,5D1依次使被激发的电子转入CTS态,从电荷迁移态直接弛豫传递给5D0态,由于5D0态电子数不断增多,致使来自5D0的发射随温度升高而增强。  
        关键词：GdVO4：Eu3+;发光;温度特性;电荷迁移态   
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        58
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1578582 false
        更新时间：2020-08-11

        研究快报

      • 新有机材料的电致发光的研究

        徐维杰, 段恒勇, 邓振波
        2001, 22(2): 199-202.
        摘要：采用新合成的有机材料硅烷衍生物作为发光物质制备了发蓝、绿光的薄膜电致发光器件。其结构为glass/ITO/PVK+SiH/Alq/Mg:Ag。分别测量了SCSSiH,聚乙烯咔唑(PVK)薄膜的光致发光光谱以及器件的电致发光光谱。其中SCSSiH薄膜的光致发光谱峰位置在496nm,有机器件的电致发光光谱的峰值为500nm。随着驱动电压的增加发光谱峰蓝移,其变化范围为25nm。在电流密度为89mA/cm2下器件的发光亮度可达810cd/m2。  
        关键词：有机电致发光;硅烷衍生物;光谱蓝移   
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        115
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1578482 false
        更新时间：2020-08-11

      • 磁场中与形变势相互作用的表面极化子的有效质量

        丁朝华, 赵翠兰, 肖景林
        2001, 22(2): 203-205.
        摘要：近年来,磁场中极性晶体表面极化子的性质已引起人们的广泛关注。Larsen[1]采用四级微扰法计算了磁场中二维极化子的基态能量。Wei等[2]用格林函数方法研究了交界面磁极化子的回旋共振质量和频率。本文作者之一[3]用线性组合算符讨论了磁场中表面极化子的性质。  
        关键词：形变势;表面磁极化子;有效质量   
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        77
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1578645 false
        更新时间：2020-08-11
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