最新刊期
      2001年第22卷第1期

        研究报告

      • 强磁场下顺磁掺杂离子的光谱扩散

        王海宇, 陈宝玖, 黄世华, 孙聆东
        2001, 22(1): 1-4.
        摘要：采用一种简明的解析方法从纯粹频域的角度讨论强磁场下顺磁离子掺杂体系的光谱扩散过程。一般说来光谱扩散遵循[1-exp(-WTw)]x的形式,W是跳变速率,Tw为等待时间。在不存在冷冻核时,对于频域和时域x分别为1/2和1。考虑到冷冻核效应,光谱扩散的速率将近似地以因子(ωeff/ω0)2减慢,这里ω0是描述冷冻核的特征频率。当冷冻核充分大时,频域和时域的光谱扩散的行为趋于一致x≈0.22。  
        关键词：光谱扩散;随机频率调制;顺磁离子   
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        更新时间：2020-08-11

      • Cr4+在MgCaBa-铝酸盐玻璃中的发射及光学增益

        鄂书林, 张家骅, 陈宝玖, 黄世华
        2001, 22(1): 5-7.
        摘要：研究了四价铬离子掺杂的MgCaBa-铝酸盐玻璃在近红外区的发射光谱,既有源于1E—3A2跃迁,位于1.18μm处的窄带,又有源于3T2—3A2范围在1.1～1.4 μm内的宽带,利用ASE(Amplified Spontaneous Emission)方法研究了其增益特性,测量了在 632.8nm激发下不同激发长度下的发射光谱,得到其光学增益系数在1.18μm和1.24 μm处分别为BE=(0.7±0.04)mm-1和BT=(0.05±0.005)mm-1,并根据这种材料的光谱性质,对其作为近红外可调谐激光介质的可能作出评估。  
        关键词：四价铬离子;近红外发射;光学增益   
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        更新时间：2020-08-11

      • 自混频激光理论模型及应用

        陈学元, 罗遵度, 黄艺东
        2001, 22(1): 8-11.
        摘要：建立了在同一块非线性激光晶体上实现自混频激光的理论模型。该模型计入了具有任意腰斑大小的泵浦光和腔内基频光的空间分布,并将该模型应用到NYAB和Nd:GdCOB的自混频蓝光实验。理论分析预测和证实了一些实验结果,同时,讨论和总结了提高自混频激光输出效率的途径。  
        关键词：自混频激光;非线性激光晶体;NYAB;Nd:GdCOB   
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        更新时间：2020-08-11

      • 极化子在正弦色散声子场中的性质

        许战胜, 张鹏
        2001, 22(1): 20-23.
        摘要：本文计及纵光学声子的色散,在正弦近似下,用微扰法计算了多原子晶体中极化子的基态能量,有效质量和自能。  
        关键词：正弦色散声子场;多原子晶体;极化子   
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        更新时间：2020-08-11

      • 通过形变势弱耦合表面极化子的重整化质量

        乌云其木格, 额尔敦朝鲁, 肖景林
        2001, 22(1): 24-26.
        摘要：采用推广的线性组合算符法和拉格郎日乘子法研究了晶体中电子与SO声子和SA声子均为弱耦合极化子的重整化质量。结果表明,当电子接近晶体表面时,电子和表面声学声子耦合要比电子与表面光学声子的耦合弱。而且都与Debye截止波数有关;当极化子远离晶体表面时,电子-SO声子相互作用和电子-SA声子相互作用对极化子的重整化质量的影响可以不计,这时电子与体声子的相互作用对极化子重整化质量的贡献是主要的  
        关键词：表面极化子;弱耦合;重整化质量   
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        更新时间：2020-08-11

      • 多原子半无限晶体中表面极化子的有效质量

        照那木拉, 肖景林
        2001, 22(1): 27-29.
        摘要：本文采用线性组合算符和拉格朗日乘子法研究弱耦合多原子半无限晶体中表面极化子的有效质量及其性质。  
        关键词：多原子半无限晶体;表面极化子;有效质量   
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        更新时间：2020-08-11

      • 磁场中多原子极性晶体中体极化子的基态能量

        胡文弢, 冯友良, 丁朝华, 肖景林
        2001, 22(1): 30-32.
        摘要：研究磁场中多原子极性晶体中体极化子的性质。采用线性组合算符法,分别导出强、弱耦合情形下体极化子的基态能量。  
        关键词：多原子极性晶体;体极化子;线性组合算符;基态能量   
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        更新时间：2020-08-11

      • 电子横向运动对共振隧穿的影响

        宫箭, 班士良
        2001, 22(1): 33-36.
        摘要：讨论了电子横纵方向运动耦合时的隧穿现象。对CdSe/Zn1-xCdxSe方形双势垒结构和抛物形双势垒结构的数值计算表明,在零偏压和非零偏压情况下,电子横向运动对共振隧穿的影响是不容忽略的。  
        关键词：共振隧穿;耦合效应;透射系数   
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        更新时间：2020-08-11

      • 荧光制冷器的未来发展

        秦伟平, 陈宝玖, 张永旭, 秦冠仕, 杜国同
        2001, 22(1): 37-42.
        摘要：反斯托克斯荧光制冷的研究虽然在近几年发展得很快,但是还有许多基础问题和应用问题没有解决。因此,把荧光制冷技术推向实用还需要一定的时间。然而,几乎所有的研究者都认为在不久的将来荧光制冷技术将会在某些领域发挥重要的作用。因为基于荧光制冷技术的制冷器将具有体积小、重量轻、无振动、无电磁辐射、无污染、制冷效率可以长期保持不变等独特的优点。另外,它的制冷效率也可与现有的商业成品相比拟。现就荧光制冷器发展和应用的前景进行讨论。根据反斯托克斯荧光制冷的特点,研究荧光制冷器的不同构造和预期性能指标,探讨影响制冷器发展的关键因素。介绍Los Alamos第一代荧光制冷器的设计方案;给出基于光纤的线圈型制冷器件设计方案;研究用于大规模集成电路制冷的荧光制冷器件;最后,对单分子—光子制冷泵在单分子物理学及介观物理学中的应用加以探讨。  
        关键词：反斯托克斯荧光制冷;激光制冷;制冷器   
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        更新时间：2020-08-11

      • 氟氧化物玻璃材料中Er3+的光谱性质

        陈宝玖, 周伟, 秦伟平, 王海宇, 鄂书林, 许武, 黄世华
        2001, 22(1): 43-47.
        摘要：利用J-O理论计算了Er3+掺杂的氟氧化物玻璃材料MFT的光学性质,得到了一些能级间跃迁的振子强度、跃迁几率、分支比、及寿命等数据。并通过实验测量了吸收光谱、激发光谱和发射光谱等。  
        关键词：Er3+;氟氧化物玻璃;J-O理论   
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        更新时间：2020-08-11

      • Er玻璃近红外区上转换发光的研究

        宋峰, 王虹, 张潮波, 赵丽娟, 许京军, 张光寅, 姚建铨
        2001, 22(1): 48-50.
        摘要：研究了Er,Yb共掺磷酸盐玻璃的上转换发光。对于在800nm附近的近红外发光进行了分析,认为该发光带是由于三种跃迁引起的,除了常见的4F9/2→4I15/2跃迁以外,还存在着2H11/2→4I13/2,4S3/2→4I13/2的跃迁。还研究了Er3+掺杂浓度对这三种跃迁的影响。  
        关键词：Er离子;上转换发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 铒离子在氟氧化物玻璃陶瓷中的上转换发光特性研究

        赵丽娟, 吕少哲, 孙聆东, 许京军, 宋峰, 张光寅
        2001, 22(1): 51-54.
        摘要：用转移函数方法分析了Er3+在铒镱共掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷中的上转换发光过程,Er3+绿色辐射的上转换发光强度与泵浦激光功率的非平方关系是由于Er3+和Yb3+之间的强交叉弛豫过程引起的。讨论了在稀土离子共掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷中提高Er3+的上转换发光强度的几种方法。  
        关键词：转移函数;氟氧化物玻璃陶瓷;上转换发光;Er3+-Yb3+   
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        更新时间：2020-08-11

      • 铝酸盐类发光材料红外释光的研究

        郑岩
        2001, 22(1): 59-61.
        摘要：报道了铝酸盐类发光材料体系存在高效率的红外释光现象,成功地合成出对红外光束反应灵敏的铝酸盐类发光材料,研制出红外激光检测板。同时研究了该类发光材料红外与紫外发光及其荧光衰减特性,提出了该类发光材料的红外发光应属于红外释光过程,并展示了其实际应用前景。  
        关键词：红外释光材料;铝酸盐发光材料;红外激光检测   
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        更新时间：2020-08-11

      • 一种聚噻吩(Pt)衍生物在液氮条件下的电致发光性能

        佟拉嘎, 荣华, 藤井彰彦, 吉野胜美
        2001, 22(1): 62-65.
        摘要：成功地试制了用一种聚噻吩(Pt)衍生物作发光活性物质的发光二极管,报导了该元件在液氮(-200℃)中的电致发光特性。  
        关键词：聚噻吩衍生物;电致发光;发光二极管(LED)   
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        更新时间：2020-08-11

      • SiC纳米晶须的光致发光研究

        张洪涛, 徐重阳, 许辉, 朱长虹
        2001, 22(1): 66-70.
        摘要：纳米碳化硅晶须作为一维半导体,其光学性质一直受到关注。研究结果显示,在Ar+激光(514.5nm)激发下,纳米碳化硅晶须室温下发出极其强烈的红光,这种发光导致喇曼光散射消失,瑞利弹性散射极度减弱。由于低维半导体的体表面大,对称平移受到一定程度的破坏,应该产生大量的缺陷,其发光也应该是表面发光或缺陷发光。但分析表明这可能是低维半导体碳化硅室温下首次发现的极其稳定的强束缚激子或表面发光现象。对其发光机制给予讨论。并且探讨了合适条件下出现喇曼受激辐射,初步认为喇曼散射截面的增大会促进喇曼受激辐射的产生。  
        关键词：SiC纳米晶须;低维半导体;光致发光;量子效应   
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        更新时间：2020-08-11

      • 氧、氮掺杂非晶硅基薄膜的荧光

        石旺舟, 欧阳艳东, 吴雪梅, 姚伟国
        2001, 22(1): 71-74.
        摘要：采用PECVD方法分别沉积了SiOx:H和SiOxNy:H薄膜,测量了其荧光特性。在SiOx:H薄膜中观察到300～570nm强荧光辐射带,并发现其中心位置随着氧含量的增加而红移的现象。在合适的氧含量条件下,荧光带主峰位于蓝光波段,并具有分立峰结构。在SiOxNy:H薄膜中,荧光谱由250～400nm、500～700nm两个荧光带和370nm、730nm两组分立荧光峰组成。分立峰强度随薄膜中的氮含量增加而升高;荧光带中心位置受到沉积过程中氢的流量调制,当氢流量增加时,发射带的中心位置产生蓝移。  
        关键词：非晶硅基薄膜;氧和氮掺杂;荧光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 使用TEGa和TMGa为镓源MOCVD生长GaN的研究

        莫春兰, 彭学新, 熊传兵, 王立, 李鹏, 姚冬敏, 辛勇, 江凤益
        2001, 22(1): 75-79.
        摘要：采用自行研制的立式MOCVD生长系统,以TMGa、TEGa为Ga源,在不同的生长条件下生长GaN单晶膜。然后对样品进行室温光致发光光谱测试、范德堡霍尔测量和X射线双晶衍射测试。实验结果表明,缓冲层的Ga源不同对GaN单晶膜质量影响很大;以TEGa为Ga源生长缓冲层及外延层,外延层不连续;以TMGa为缓冲层Ga源、TEGa为外延层Ga源,在此得到室温载流子浓度为4.5×1017cm-3,迁移率为198cm2/V·s的电学性能较好的GaN单晶膜。研究结果表明:使用TEGa为外延层Ga源生长GaN,能有效地抑制不期望的蓝带的出现。  
        关键词：GaN;MOCVD;三乙基镓;三甲基镓   
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        更新时间：2020-08-11

      • 脊形聚合物光波导制备及理论分析

        邢汝冰, 张学亮, 张平, 高福斌
        2001, 22(1): 80-84.
        摘要：报道了利用铝膜作掩模,通过紫外光照射制备键合型聚合物DANS-PMMA脊形光波导的新方法。所制备的聚合物脊形光波导,其形状与通常的脊形波导相同,但内部折射率又与矩形波导类似。从理论上推导出该脊形波导的模式本征值方程,并给出相应的归一化通用曲线,可以供相应波导设计和制备作为参考。  
        关键词：脊形光波导;聚合物;本征值方程   
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        更新时间：2020-08-11

        稀土发光材料

      • KCdF3晶体中Cr3+-Li+中心局域结构研究

        杨子元, 屈绍波
        2001, 22(1): 12-15.
        摘要：利用零场分裂参量与晶体结构之间的定量关系,研究了双掺杂晶体KCdF3:Cr3+,Li+的局域结构。指出,对于KCdF3:Cr3+,Li+晶体,四角晶场的形成包含两个方面:(1)由于电荷补偿而产生的等效电荷形成的四角对称晶场;(2)Cr3+的局域结构发生晶格畸变而产生的四角对称晶场。事实上,当Cr3+和Li+掺入KCdF3晶体时,Cr3+代替了Cd2+离子;由于Cr3+离子与Cd2+离子的半径不同、电荷不同、质量不同,导致Cr3+的局域结构发生晶格畸变,由此而产生四角对称晶场;由于电荷补偿,Li+离子取代了[001]方向与Cr3+离子邻近的Cd2+离子,由此产生的等效电荷而形成的四角晶场。这样,Cr3+的局域结构由Oh对称变为C4v点对称。文中建立了ZFS参量和晶体结构之间的定量关系。在考虑晶格畸变和等效电荷的基础上,研究了KCdF3:Cr3+,Li+晶体的ZFS参量,理论结果和实验符合很好。得到了F-离子向中心离子分别移动为ΔR1=0.00268nm,ΔR2=0.001nm,ΔR3=0.00165nm。  
        关键词：KCdF3：Cr3+;Li+;零场分裂;电荷补偿;局域结构   
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        更新时间：2020-08-11

      • BaMgAl10O17：Eu2+, RE(RE=稀土)荧光体的燃烧法合成和发光性质

        刘应亮, 冯德雄, 杨培慧, 陈喜德, 雷炳富
        2001, 22(1): 16-19.
        摘要：应用燃烧法在空气中在较低的温度(600℃)下成功地合成了铝酸盐荧光体BaMgAl10O17:Eu2+,RE。并研究了稀土离子对荧光体发光的影响和作用,第一次观察到荧光体的长余辉发光现象。  
        关键词：铝酸盐荧光体;燃烧法合成;长余辉发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • YP1-xVxO4：Eu3+在真空紫外区发光的优化

        曾小青, 洪广言, 尤洪鹏, 吴雪艳, 金昌弘, 卞钟洪, 庾炳容, 裴贤淑, 朴哲熙, 权一亿
        2001, 22(1): 55-58.
        摘要：系统地考查了Eu3+在YPO4-YVO4固溶体中的发光。当V5+的浓度低于0.3,出现VO43-离子团的蓝色发射;直到V5+的浓度等于或大于0.3时,VO43-离子团的蓝色发射才被Eu3+离子的红色发射所猝灭,发射主波长在619nm。在真空紫外线的激发下,Eu3+在YPO4-YVO4固溶体有较强发光,并随着P5+浓度的增加,Eu3+离子的发光增强。经过优化的组成为YP0.7V0.3O4:Eu3+的荧光粉在真空紫外激发下既具有较强的发光,又具有优良的色纯度,将是一种新型的良好的等离子体平板显示用荧光粉。  
        关键词：YP1-xVxO4：Eu3+;真空紫外光谱;PDP荧光粉   
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        更新时间：2020-08-11

        研究快报

      • 掺铒光纤放大器的增益特性

        李丽娜
        2001, 22(1): 85-87.
        摘要：采用980nm无铝InGaAs/InGAsP/InGaP高功率量子阱激光器泵浦掺铒光纤放大器。在泵浦功率为20mW时,增益为33dB,最大增益系数6.7dB/mW,饱和输出功率为6dBm。并给出掺铒光纤长度和泵浦功率与增益特性的关系,以及输出功率与增益特性的关系。  
        关键词：掺铒光纤;放大器;增益   
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        更新时间：2020-08-11

      • 多相基质中Cr3+→Nd3+能量传递

        卢耀华, 李野, 姜德龙, 孙秀平, 端木庆铎
        2001, 22(1): 88-91.
        摘要：根据分相成核原理,通过一步热处理过程,制备了双掺杂B2O3-Al2O3-SiO2系统透明玻璃陶瓷。XRD分析确定主晶相为莫来石固溶体;分别测定了材料的吸收光谱、发射光谱和荧光寿命,分析讨论了铬和钕格位分布及光谱特点。在双掺杂铬和钕玻璃陶瓷中存在较强的Cr3+→Nd3+的辐射能量传递和无辐射传递。Cr3+主要位于晶相格位中,Nd3+则全部保留在剩余玻璃相中,Cr3+的格位分布对光谱性能有很大的影响。  
        关键词：Cr3+和Nd3+掺杂;发射光谱;能量传递;玻璃陶瓷   
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        更新时间：2020-08-11
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