最新刊期
      2000年第21卷第4期

        研究报告

      • 有机-无机体系EL中的固体CR和不同激发机制的共存

        徐叙瑢, 许秀来, 杨晓辉, 徐征, 侯延冰
        2000, 21(4): 285-287.
        摘要：在有机-无机复合体系的电致发光中发现了固态阴极射线发光,并证明了不同激发过程的共存现象。这些激发过程可附加、 放大并相互补偿,其综合效应肯定可进一步增强电致发光的性能。  
        关键词：发光;多色显示;稳定性   
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        更新时间：2020-08-11

      • NaZnLa(PO4)2中Ce3+和Tb3+的发光

        曹金全, 王淑彬, 铁绍龙, 苏锵
        2000, 21(4): 288-292.
        摘要：采用高温固相反应合成了NaZnLa(PO4)2中掺杂Ce3+、Tb3+的荧光体,对其晶体结构、发光行为进行了研究,并尝试对NaZnLa(PO4)2:Ce,Tb荧光体进行调制。NaZnLa(PO4)2是LaPO4的同构物,为单斜晶系独居石结构,从XRD谱数据得到NaZnLa(PO4)2基质的晶胞参数为a=0.6823nm,b=0.7045nm,c=0.6497nm,β=1039°,v=0.303nm3,其晶胞参数与单斜LaPO4的晶胞参数相似。在NaZnLa(PO4)2:Ce,Tb荧光体中,Ce3+对Tb3+有良好的敏化作用,掺杂适量的BO33-、Al3+、Dy3+,可以增强发光亮度。  
        关键词：二磷酸镧锌钠;铈;铽;发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究

        范希武, 于广友, 张吉英, 杨宝均, 申德振
        2000, 21(4): 293-298.
        摘要：用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱(ADQW)结构。通过ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果:在弱激发下,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象;在强激发下,在ADQW结构中发现了一个内建电场,它将影响激子隧穿;首次观测到由激子隧穿引起的在一定温度范围内宽阱的发光强度随温度上升而增加的现象;首次观测到该ADQW结构中来自宽阱的光泵受激发射。  
        关键词：ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱;激子隧穿;受激发射   
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        更新时间：2020-08-11

      • 非共振激发条件下微腔中激子自发辐射的时间分辨光谱

        刘宝利, 徐仲英, 王炳新, 邓元明, 杨富华
        2000, 21(4): 299-304.
        摘要：低温下,测量了InGaAs量子阱平面微腔的时间分辨光谱。在非共振激发条件下,观察到上下两支腔极化激元光荧光的衰退时间与失谐无关;下支腔极化激元光荧光的上升时间也与失谐无关;而上支腔极化激元光荧光的上升时间却与失谐有强烈的依赖关系,随着从负失谐到正失谐的增加,上升时间逐渐减小。对实验结果的物理根源进行了讨论。  
        关键词：半导体平面微腔;InGaAs量子阱;时间分辨光谱   
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        更新时间：2020-08-11

      • 有机低维结构EL器件的特性

        刘式墉, 黄劲松, 杨开霞
        2000, 21(4): 305-307.
        摘要：近年来,有机电发光器件已经有了很大进展,寿命也已突破万小时,尽管如此,如何更进一步提高发光效率仍是人们所关注的热点。通过与无机半导体低维结构特性的类比,指出对某些有机材料体系,低维结构同样可以改善器件的性能。  
        关键词：低维结构;有机EL短程有序;发光效率   
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        更新时间：2020-08-11

      • 多色有机薄膜电致发光器件及其稳定性

        张志林, 蒋雪茵, 张步新, 朱文清, 赵伟明, 许少鸿
        2000, 21(4): 308-313.
        摘要：研究了绿色、红色、蓝色和白色四种有机薄膜电致发光器件。通过掺杂得到了高稳定性的绿色及红色器件,绿色器件的半寿命达14000h(初始亮度100cd/m2),红色器件的半寿命为7500h(初始亮度50cd/m2)。还研究了具有空穴锁定层及非锁定层的两种不同结构的蓝色及白色器件。研究表明无论蓝色还是白色器件,具有空穴锁定层的器件稳定性较差,老化过程中界面势垒的变化很大。非锁定层的蓝色及白色器件的半寿命分别为450h(初始亮度50cd/m2)和300h(初始亮度50cd/m2)。在稳定性改善的基础上研制成功96×60线,分辨率为2线/mm的绿色矩阵显示屏,设计和研制了驱动及控制电路,实现了动态显示。  
        关键词：有机薄膜电致发光;多色;稳定性   
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        更新时间：2020-08-11

      • MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性

        林秀华
        2000, 21(4): 324-329.
        摘要：评述利用MOCVD技术在α-Al2O3衬底上生长GaN薄膜及InGaN/AlGaN双异质结(DH)结构的工艺与特性;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件(温度、气流束源等)对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响。分析表明,GaN薄膜生长速率主要依赖于反应炉温度,气流束源摩尔流量速率。若生长温度太高,引起PL发光谱峰向长波侧移动;GaN缓冲层生长温度必须控制在550℃。高的Ⅴ/Ⅲ双气束流比率能够抑制GaN发光谱中550nm辐射峰产生。为了获得高质量p-AlGaN、GaN层,控制生长温度和以Cp2Mg为杂质源的Mg受主掺杂量,并在N2气氛中800℃快速退火,有助于提高InGaN/AlGaN双异质结辐射复合效率。  
        关键词：InGaN/AlGaN;工艺条件;发光二极管;生长动力学   
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        更新时间：2020-08-11

      • 金刚石粉末淀积层的场发射特性研究

        周江云, 徐静芳, 茅东升, 柳襄怀
        2000, 21(4): 330-333.
        摘要：采用电镀方法和直接刷涂的方法在钨针衬底和硅衬底上沉积高压合成的金刚石粉末形成冷阴极。将这种冷阴极与荧光阳极组成真空二极管结构。通过该结构电流-电压特性的测量和发光特性的观察研究了金刚石粉末冷阴极的电子场发射性能。实验显示,这些冷阴极都具有很高的电子发射能力,最低开启场强达到3.25V/μm。用热电正反馈和电导调制效应解释了电子场发射点呈随机分布的现象。  
        关键词：金刚石粉末;场发射   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnCdSe-ZnSe组合超晶格的受激发射

        于广辉, 范希武, 郑著宏, 关郑平, 张吉英, 申德振
        2000, 21(4): 334-337.
        摘要：77K下首次观测到了来自ZnCdSe-ZnSe组合超晶格的受激发射过程。在组合超晶格中由于载流子转移过程的存在,受激发射出现在具有宽阱的超晶格中。  
        关键词：MOCVD;ZnCdSe-ZnSe组合超晶格;受激发射   
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        更新时间：2020-08-11

      • GaN发光二极管的负电容现象

        沈君, 王存达, 杨志坚, 秦志新, 童玉珍, 张国义, 李月霞, 李国华
        2000, 21(4): 338-341.
        摘要：采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性,由此可以同时测量结电容和串联电阻,并能判断二极管是否有界面层。首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下,GaN二极管的结电容具有负值,并且测试频率越低,正向偏压越大,负电容现象越显著。这种负电容效应可能与大正向电压下强注入造成的电子-空穴复合发光有关。  
        关键词：GaN;发光二极管;负电容   
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        更新时间：2020-08-11

      • 通过形变势弱耦合表面极化子的性质

        乌云其木格, 肖景林, 额尔敦朝鲁
        2000, 21(4): 342-344.
        摘要：采用Huybrechts线性组合算符和幺正变换法,导出了晶体中电子与表面光学声子和表面声学声子均为弱耦合极化子的有效哈密顿量,并对两种极限情况进行了讨论。  
        关键词：表面极化子;弱耦合;有效哈密顿量   
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        更新时间：2020-08-11

      • Er, Yb共掺杂氟氧混合物玻璃的紫色上转换发光研究

        肖思国, 阳效良, 刘政威
        2000, 21(4): 359-362.
        摘要：制备了Er3+:Yb3+共掺杂氟氧混合物玻璃,利用R-500型分光光度计,在He-Ne激光器632.8nm波长激光激发下,观测到了Er3+离子的绿色与紫色上转换荧光,并就其上转换机制进行了讨论。  
        关键词：稀土掺杂;能量上转换   
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        更新时间：2020-08-11

      • LB膜的电致发光及其器件

        欧阳健明
        2000, 21(4): 363-368.
        摘要：Langmuir-Blodgett(LB)膜具有超薄、均匀、取向和厚度可控及在分子水平上可任意组装等特点,以LB膜为发光层所制备的电致发光(EL)器件,发光层的组成和厚度精确可控,制备条件温和,给发光层的制备开辟了一条新途径。论述用作EL器件的发光层、电子传输材料(ETL)和空穴传输层(HTL)的LB膜材料。并以8-羟基喹啉的两亲配合物LB膜为重点,介绍了LB膜的层数、沉积压等制膜参数对EL器件性能的影响,讨论了LB膜EL器件的发光机理,最后,对LB膜EL器件存在的问题及今后的发展前景进行了评述。  
        关键词：LB膜;电致发光;器件   
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        更新时间：2020-08-11

      • 稳定的蓝色及白色有机薄膜电致发光器件

        蒋雪茵, 张志林, 张步新, 朱文清, 郑新友, 许少鸿
        2000, 21(4): 369-372.
        摘要：报道了一种稳定的蓝色和白色有机薄膜电致发光器件,蓝色器件最大亮度为7526cd/m2,最大效率1.45lm/W,半亮度寿命1035h(初始亮度100cd/m2)。白色器件的最大亮度为14850cd/m2,最大效率2.88lm/W,色度x=0.31,y=0.38,且色度不随电流增大而变化,半亮度寿命为2860h(初始亮度100cd/m2)。  
        关键词：有机薄膜电致发光;蓝色、白色EL器件;稳定性   
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        更新时间：2020-08-11

      • PWG玻璃陶瓷中的喇曼选择定则的失效及其态密度

        孔祥贵, 陈宝玖, 许武, 黄世华, 范希武, 曹望和
        2000, 21(4): 373-375.
        摘要：提出了关于PbF2+WO3+GeO2(PWG)玻璃陶瓷中介电相关函数的计算。这个计算表明:在这类无序材料中,正则振动模的短相干长度使喇曼选择定则失效,并且在态密度函数以及随频率而变的正则振动模振幅基础之上分析推导得出一级喇曼散射强度的表达式。  
        关键词：玻璃陶瓷;喇曼选择定则;态密度   
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        更新时间：2020-08-11

      • 抗肿瘤药物代谢的荧光光谱分析

        孟继武, 许力军, 任新光, 掌蕴东, 侯尚公
        2000, 21(4): 376-379.
        摘要：采用水作为溶剂模拟尿液中药物并对其进行定量分析,探讨了荧光分析法对人体内药物代谢程度的研究。阐述了荧光猝灭剂、敏化剂及浓度效应对其的干扰,描述了荧光分析法药物定量分析的规程。从1×10-7g/mL血噗啉水溶液的荧光光谱实验中观察到含Fe#化合物浓度在10-4g/mL足以产生严重影响,引起荧光猝灭;图1、图2分别示出了浓度为1×10-3g/mL和1×10-4g/mL的盐酸阿霉素的荧光光谱和激发光谱。比较可以看到低于1个数量级的盐酸阿霉素的发光强度却高。浓度猝灭现象可以从光谱的移动来判断,随着样品浓度的降低,发光强度却增强,光谱发生蓝移或红移。排除浓度效应干扰的方法是增加不同浓度发光强度的测量点,找出线形区域后,应用实验结果和(1)式来分析;采用Förster理论讨论了能量施、受主之间的敏化机制。实验给出了噗啉、盐酸阿霉素、丝裂霉素、依托泊甙、硫酸醛长春碱的荧光光谱和激发光谱;检测限分别达到10-3～10-7g/mL;表明其完全可以满足此类药物对检测灵敏度的要求。  
        关键词：抗肿瘤药物;荧光光谱;激发光谱   
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        更新时间：2020-08-11

        稀土发光材料

      • 稀土掺杂的纳米发光材料的制备和发光

        张慰萍, 尹民
        2000, 21(4): 314-319.
        摘要：概述了用溶胶-凝胶法制备的纳米Y2SiO5:Eu及燃烧法合成的纳米Ln2O3:Eu(Ln=Y,Gd)的发光性质,包括它们的激发光谱、发射光谱、荧光寿命,以及这些性质随颗粒尺寸的变化。着重介绍了稀土掺杂的纳米发光粉中浓度猝灭受到抑制的现象,认为这一特性为纳米发光材料的实际开发应用展示了广阔的前景。文中还对X1型Y2SiO5:Eu纳米粉中的不同发光中心的发光,和它们之间的能量传递作了讨论。  
        关键词：纳米材料;稀土发光;Y2SiO5：Eu;Y2O3：EU   
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        更新时间：2020-08-11

      • 单晶Si Nd：YAG激光连续退火的数值计算

        傅仁武, 陈朝, Markevich M I
        2000, 21(4): 320-323.
        摘要：应用固相外延模型来模拟单晶Si的连续Nd:YAG激光退火过程,在低功率密度连续激光退火下,用准静态模型模拟辐照区向非辐照区的径向传导散热。在数值计算中,应用部分线性法处理非线性非齐次热传导方程,得到相应的隐格式差分方程,再用追赶法求解隐格式差分方程,得出绝热边界条件下的温度的时间和空间分布,从而得出激光退火的再结晶厚度。当激光波长λ=1.06μm、功率密度#em/em#0=700W/cm2,预热温度T0=523K时,经过0.7秒,表面温度度升到1290K左右,再结晶厚度约为0.5μm。  
        关键词：单晶Si;激光退火;固相外延;准静态模型;隐格式差分方程   
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        更新时间：2020-08-11

      • BaMgAl10O17：Eu(BAM)蓝粉热劣化机理研究

        周波, 余兴海, 黄京根
        2000, 21(4): 345-348.
        摘要：提出了BAM的热劣化模型,该模型能较好地说明热处理气氛中含氧量同BAM热劣化程度的关系。BAM的热劣化程度ΔZ与气氛中氧分压的1/6次方(PO2)成正比,符合关系式ΔZ=α(PO2)1/6+β。α是与温度有关的参数,随温度升高,α增大;β在数值上等于氧分压为零时的ΔZ值。按照上述关系式,作者对热劣化实验数据作了拟合,两者能较好地吻合。  
        关键词：荧光粉;热劣化;稀土;铝酸盐   
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        更新时间：2020-08-11

      • Zn2SiO4：Mn的VUV和UV光谱特性

        尤洪鹏, 洪广言, 曾小青, Kim Chang-hong, Pyun Chong-hong, Park Cheol-hee
        2000, 21(4): 349-352.
        摘要：采用高温固相反应法以硅酸为原料合成了等离子显示用荧光体Zn2SiO4:Mn,研究了Zn2SiO4:Mn的VUV和UV光谱特性,表明波长小于200nm的部分的基质吸收带主要是氧的2p轨道到锌的3d轨道跃迁产生的,波长大于200nm的部分的基质吸收带是氧的2p轨道到硅的3p轨道跃迁吸收。在VUV和UV激发下,Mn2+的浓度与发射强度的相关性研究表明,在不同区域激发时荧光体的发射强度随着Mn2+的浓度的变化存在明显不同。  
        关键词：Zn2SiO4：Mn;VUV光谱特性;Mn2+的浓度   
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        更新时间：2020-08-11

      • GdVO4：Eu3+的激发光谱特性研究

        张庆礼, 郭常新, 施朝淑
        2000, 21(4): 353-358.
        摘要：测量了GdVO4:Eu3+在室温下的光致发光光谱;研究了不同掺杂方式和烧结气氛对多晶GdVO4:Eu3+发光性质的影响,探讨了GdVO4:Eu3+的激发光谱在200～350nm范围内激发带的来源和GdVO4:Eu3+中的能量传递。在200～350nm范围内的激发带可解释为来自于钒酸根团的配体O到V的电荷迁移跃迁吸收;硝酸溶液使部分正GdVO4形成多钒酸盐,还原气氛使GdVO4产生O空位和部分V变价,影响了钒酸根团间的电荷迁移跃迁吸收和钒酸根团间、钒酸根团与Eu3+间的能量传递,产生激发谱带蓝移和激发带间强度比例变化。GdVO4中VO43-的π轨道能使得VO43-和稀土离子(Gd3+、Eu3+)的电子波函数有效地重叠,从而VO43-和稀土离子可通过交换作用有效地传递能量。GdVO4:Eu3+在200nm处的吸收很弱,在此位置也没有Gd3+或Eu3+的4fn-15d的吸收和明显的4fn高能级吸收,而激发却十分有效,可解释为由于存在VO43-与Gd3+或Eu3+的4fn高能级间有效的能量传递所致;由于Gd3+的特征发射恰好在基质的强激发带,且Gd3+的特征发射没有出现,可存在Gd3+→VO43-→Eu3+的能量传递。Gd3+的6GJ、6PJ能级间隔与Eu3+的7F1、5D0能级间隔相近,处于6GJ态的Gd3+可通过共振能量传递激发Eu3+到5D0态,这可导致Gd3+→Eu3+离子的能量传递。  
        关键词：GdVO4：Eu3+;激发光谱;电荷迁移跃迁;能量传递   
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        更新时间：2020-08-11

        研究快报

      • 白光LED的最新进展

        尹长安, 赵成久, 刘学彦, 侯凤勤, 郑岩, 卢景贵, 蒋大鹏, 申德振
        2000, 21(4): 380-382.
        摘要：重点对近年来白光LED的进展进行评述,同时介绍一些在这方面的研究结果。  
        关键词：白光;LED   
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        更新时间：2020-08-11
      • 楚振生, 李炳生, 刘益春, 申德振, 范希武, 刘毅南
        2000, 21(4): 383-384.
        摘要：报道了用金属锌有机源和二氧化碳混合气源等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法成功地制备高质量择优取向(0002)的ZnO薄膜。通过X-ray衍射谱进行了结构分析得到六方结构,择优取向,晶粒尺寸大约在220nm。并通过原子力显微镜分析更进一步验证了晶粒的尺寸。通过透射谱分析观察到了典型的激子吸收线。这种方法的特点是可以在低温条件下在任何衬底上生长大面积均匀性好、结晶度高的ZnO薄膜。  
        关键词：氧化锌;薄膜;等离子体增强化学气相沉积   
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        更新时间：2020-08-11
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