最新刊期
      2000年第21卷第2期

        研究报告

      • 张立功, 申德振, 王海宇, 王希军, 范希武
        2000, 21(2): 85-88.
        摘要：用飞秒泵浦-探测方法测量了ZnCdSe量子阱/ZnSe/CdSe量子点复合结构样品的透射特性。样品中ZnSe垒层厚度为15nm,泵浦-探测结果得到上升沿时间为367±60fs,下降沿时间为1.3±0.2ps。获得ZnCdSe量子阱中激子寿命约为1ps。  
        关键词：ZnCdSe量子阱;CdSe量子点;激子;泵浦-探测   
        134
        |
        81
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1572098 false
        更新时间：2020-08-11
      • 李子军, 王成舜, 肖景林
        2000, 21(2): 89-93.
        摘要：在考虑电子自旋和声子之间相互作用的同时,采用线性组合算符和微扰法研究半无限TlBr晶体内表面磁极化子处于基态时的振动频率和诱生势与磁场Ｂ和距晶体表面距离(坐标)ｚ之间的依赖关系。  
        关键词：表面磁极化子;自旋;声子之间相互作用;振动频率;诱生势   
        89
        |
        127
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1571509 false
        更新时间：2020-08-11
      • 秦伟平, 陈宝玖, 秦冠仕, 杜国同, 许武, 黄世华
        2000, 21(2): 94-98.
        摘要：在能量传递型激光制冷中,对于非均匀线宽比较窄的情况,引起最大制冷效率的激发光频率不随温度的变化而变化最大制冷效率与温度呈三次暴的关系。对于非均匀线宽比较宽的情况。随着温度的降低,最佳激发光频率与非均匀线形的中心频率差越来越大,并在较低的温度下迅速拉大它们间的距离。由能量传递机制所引起的荧光制冷最大效率也随着温度的降低而越来越低,并在最后趋于零。它们随温度的降低而降低的规律与实验中得到的结论相符合。  
        关键词：激光制冷;反斯托克斯荧光制冷;泵浦频率;制冷效率;能量传递   
        101
        |
        133
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1572203 false
        更新时间：2020-08-11

      • 激光制冷中能级间距的选择

        秦伟平, 陈宝玖, 秦冠仕, 杜国同
        2000, 21(2): 99-103.
        摘要：激光制冷问题的核心是材料的选择。荧光中心能级的间距是其中的一个关键指标。确定合理的能级间距有助于选择合适的激光制冷材料。能级间距决定了对激光制冷至关重要的两个因素:量子效率和无辐射跃迁速率。如果单纯地从制冷功率的角度来看,能级间距越大量子效率越高,也越有利于荧光制冷。但当能级间距宽到某一值后,制冷功率基本上保持不变。如果从热一光转换效率的观点来考察激光制冷的效率问题,能级间距宽度的合理取值就应该小得多。如果在选择激光制冷材料时,确定制冷功率具有第一位的重要性,那么,能级间距选择在5000cm-1左右的宽度是比较合适的、这不仅可以确定较大的热－光转换效率,同时也基本上保证了很高的制冷功率。  
        关键词：激光制冷;反斯托克斯荧光制冷;能级间距;热-光转换效率   
        90
        |
        104
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1572115 false
        更新时间：2020-08-11

      • 多孔硅的表面碳膜钝化

        李宏建, 彭景翠, 颜永红, 瞿述, 向建南
        2000, 21(2): 105-108.
        摘要：报道对多孔硅(PS)进行碳膜(CF)钝化处理的结果。红外吸收光谱表明,经钝化处理样品的表面由Si—C、Si—N和Si—O键所覆盖;荧光光谱表明,经钝化处理的样品较未处理的样品发光强度提高4～4.5倍,且发光峰位明显蓝移;存放实验显示,经钝化处理的样品发光强度稳定、发光峰位不变。这些结果表明,正丁胺可以在多孔硅表面形成优良的钝化碳膜,是一种十分有效的多孔硅后处理途径。  
        关键词：多孔硅;碳膜;表面钝化;荧光光谱   
        101
        |
        114
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1571481 false
        更新时间：2020-08-11

      • GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究

        姚冬敏, 王立, 熊传兵, 彭学新, 江风益
        2000, 21(2): 110-114.
        摘要：用RBS/沟道技术对MOCVD生长的未故意掺杂的GaN的结构性能进行了测试,同时用霍耳方法测试了样品的电学性能。结果表明:GaN薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比χmin和其补偿度存在一定的依赖关系。补偿度小的样品,其χmin小;随着样品补偿度的增大,χmin也逐渐增大;但它们之间的关系变化是非线性的。对这些结果给予了一定的解释。  
        关键词：GaN;离子束沟道;补偿度   
        87
        |
        111
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1571467 false
        更新时间：2020-08-11

      • 用CH3CSNH2钝化GaP表面特性的研究

        林秀华, 徐富春, 江炳熙
        2000, 21(2): 115-119.
        摘要：借助扫描电子显微镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)研究在不同处理条件下,GaP晶片表面硫化物钝化对其结构、形态以及表面形貌的影响。实验结果表明:经过CH3CSNH2溶液一定时间钝化处理后,GaP表面氧化物基本消失,形成薄的硫化物钝化层和较强的Ga—S、P—S键,并引起X光电子能谱的Ga、P芯能级化学位移,Ga的硫化物有较好的稳定性。  
        关键词：硫代乙酰胺;钝化;GaP;表面性质   
        82
        |
        112
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1572086 false
        更新时间：2020-08-11

      • (AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)PL谱的温度反常现象

        吕毅军, 高玉琳, 郑健生
        2000, 21(2): 125-127.
        摘要：对与GaAs晶格匹配的四元合金(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)作了变温和变激发功率密度的PL谱研究,发现了PL谱峰值位置不随激发功率密度的变化而移动,但是出现了随温度变化的反常行为。从19K开始升温,PL谱峰先向红端移动,到55K左右开始出现蓝移,在84K左右蓝移达到最大,而后随着温度的继续升高,PL谱峰再次向红端移动。整个过程与温度呈Z-型关系,而不是通常半导体样品所表现的线性红移的热猝灭规律。这是首次对四元合金(AlxGa1-x)0.51In0.49P中PL谱的温度反常现象的报道,从另一方面证实了有序结构在(AlxGa1-x)0.51 In0.49P中的存在。初步推测,这种温度反常现象是由于有序结构导致的超晶格效应所引起的。  
        关键词：Ⅲ-Ⅴ化合物;有序结构;光致发光   
        91
        |
        67
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1571542 false
        更新时间：2020-08-11

      • 非线性光学晶体铌酸钾锂的二次谐波产生

        万尤宝, 褚君浩, 黄芳朋, 于天燕, 余丙鲲, 潘守夔
        2000, 21(2): 129-132.
        摘要：铌酸钾锂晶体的近红外透过光谱;利用铌酸钾锂晶体对890～960nm的Ti:sapphire近红外激光进行倍频,获得蓝绿光输出;研究了晶体的倍频特性,探讨了提高晶体倍频效率的方法。  
        关键词：铌酸钾锂晶体;透过光谱;二次谐波发生   
        102
        |
        109
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1572145 false
        更新时间：2020-08-11

      • FAAS测定铜对CaS DCEL粉末包铜工艺的指导

        任新光, 许力军, 侯尚公
        2000, 21(2): 156-158.
        摘要：利用火焰原子吸收光谱法(FAASS),建立了以CaS为基质的粉末发光材料,包钢量的定量分析方法,回收率和相对标准偏差分别为99.4～100.6与0.4％。在准确度满足工艺要求的情况下,通过分析得到的测试数据及曲线,给出了在包钢过程中,包铜液的浓度,温度,时间等参数对包钢量的影响,改进了操作模式,使材料的性能得到了提高。  
        关键词：火焰原子吸收;直流电致发光(DCEL);包铜;硫化钙   
        75
        |
        98
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1572065 false
        更新时间：2020-08-11

      • 不同电致发光材料老化机理的探讨

        朱宁, 孟宪棫, 石磐
        2000, 21(2): 159-161.
        摘要：对比了HBr、HCl和S气氛三种方法制备的电致发光材料的热释光曲线和老化曲线。得出结论,三种材料老化速度不同的原因是由于俘获能级的分布不同而引起的。此外,杂质的离子半径大小也影响老化速度。  
        关键词：热释光;离子半径;电致发光;老化   
        109
        |
        183
        |
        3
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1572178 false
        更新时间：2020-08-11

      • 极化聚合物薄膜取向有序度及极化寿命的表征

        高福斌, 张平
        2000, 21(2): 165-168.
        摘要：研究了极化聚合物薄膜波导的退极化过程,提出了表征极化聚合物薄膜取向有序度和极化寿命的集成光学方法。采用集成光学中的棱镜耦合技术,测量极化前后聚合物薄膜光波导的各向异性有效折射率。通过求解各向异性介质光波导的模式本征方程,得到波导极化前后寻常光和非寻常光折射率的变化及其随时间衰减,进而得到取向有序度随时间的变化曲线。采用复合指数函数模型进行最小二乘曲线拟合,进而推测其极化寿命。实验中以键合型ＤＡＮＳ极化聚合物薄膜波导为例,叙述了波导制备和极化过程,给出了波导寻常光和非寻常光折射率随时间变化曲线以及取向有序度随时间变化曲线。通过对取向有序度随时间变化曲线进行最小二乘曲线拟合．确定其极化寿命约为1344天。  
        关键词：极化聚合物;有序度;极化寿命   
        116
        |
        287
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1571457 false
        更新时间：2020-08-11

      • 金属包覆聚合物平板波导的微扰分析

        张学亮, 金锋, 邢汝冰, 高福斌, 张平, 于斌
        2000, 21(2): 169-173.
        摘要：用理想波导耦合模理论为基础的微扰方法分析金属包覆聚合物平板波导,谁得波导传播常数的近似解。经数值计算,分别求得传播常数的正确解与近似解,二者相比较,证明近似解具有较高的精确度。从而将求解金属包覆聚合物波导本征值方程的复杂复数运算简化成实数运算。  
        关键词：金属包覆聚合物波导;传播常数;耦合系数   
        72
        |
        145
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1571554 false
        更新时间：2020-08-11

        稀土发光材料

      • MOCVD生长GaN：Si单晶膜的研究

        江风益, 李述体, 王立, 熊传兵, 彭学新, 辛勇, 姚冬敏
        2000, 21(2): 120-124.
        摘要：获得高质量的n型GaN单晶膜是制作GaN基光电子器件的关键之一。采用立式MOCVD系统生长GaN:Si单晶膜,通过优化生长工艺,获得了电子载流子浓度高达2×1019cm-3,迁移率达120cm2/V.s的n型GaN:Si单晶膜;并有效地抑制了GaN中由深能级引起的黄带发射,大大提高带边发光强度。研究结果还表明:随着Si掺杂量的增大,GaN:Si单晶膜的电子载流子浓度增加,迁移率下降,X光双晶衍射峰半高宽增大。首次报道了随掺Si量增大,GaN:Si单晶膜的生长速率显著下降的现象。  
        关键词：MOCVD;GaN;光致发光;X射线双晶衍射;Hall测量   
        81
        |
        99
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1571524 false
        更新时间：2020-08-11

      • Eu3+：Y2O3纳米微粒的尺寸效应和表面态效应的研究

        李丹, 吕少哲, 张继森, 刘俊业, 王海宇, 孙聆东, 黄世华
        2000, 21(2): 134-138.
        摘要：通过相同掺杂浓度但不同颗粒尺寸的Eu∶Y2O3纳米晶,和相同颗粒尺寸但掺杂浓度不同的纳米晶的发光衰减曲线研究了表面态和限域作用对能量传递的影响。纳米晶与体材料相比,有更高的猝灭浓度,分析了纳米材料中发光中心的猝灭浓度提高的原因。由于纳米材料与体材料相比,纳米晶中的缺陷密度很小,纳米晶中有较少的体猝灭中心。选择合适的颗粒尺寸并对其进行表面修饰,将获得较高发光效率和较高的猝灭浓度。  
        关键词：Eu3+：Y2O3;纳米晶;表面态效应;能量传递   
        106
        |
        138
        |
        14
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1571441 false
        更新时间：2020-08-11

      • Y(BO3,PO4)：Ce,Tb,Gd的发光特性研究

        丁士进, 张卫, 徐宝庆, 王季陶
        2000, 21(2): 139-144.
        摘要：用BPO4和稀土氧化物为原料,通过单步灼烧,首次合成了铈、铽、钆共激活的硼磷酸钇绿色荧光粉,利用发射光谱和激发光谱研究了基质中Ce3+、Tb3+、Gd3+的发光以及它们之间的相互作用。结果表明在铈、铽或钆、铽的双掺杂体系中存在Ce3+→Tb3+、Gd3+→Tb3+的能量传递,而在铈、钆双掺杂的体系中却观察到了Ce3+和Gd3+离子之间的竞争吸收和独自发射。在铈、铽共激活的硼磷酸钇钆体系中掺入钆后,Ce3+的发射强度比Tb3+的发射强度增加得更多,并认为Ce3+离子发射增强是由铈到铽的能量传递受阻引起的,Tb3+离子的发射增强是由于钆离子将吸收的能量有效地传递给铽离子所致。在上述体系中钆离子在铈离子到铽离子的能量传递过程中所起的阻碍作用可归因于铈离子的5d能级低于钆离子的6I和6P能级,使得钆离子不能从铈离子处吸收能量并传递给铽离子。若基质中的钇全部被钆代替,则所得到的荧光粉发光亮度增加,但色坐标x值稍有减小,所以适当控制基质中钆的掺入量对提高荧光粉的发光特性有利。  
        关键词：Y(BO3;PO3)：Ce;Tb;Gd荧光粉;发射光谱;激发光谱;能量传递   
        98
        |
        107
        |
        9
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1572130 false
        更新时间：2020-08-11

      • Y1.95-xGdxSiO5：Eu0.05的真空紫外光谱

        宋桂兰, 尤洪鹏, 洪广言, 曾小青, 甘树才, 金昌弘, 卞钟洪, 庾炳容, 裴贤淑, 权一亿, 朴哲熙
        2000, 21(2): 145-149.
        摘要：利用高温固相法合成了Y1.95-xGdxSiO5:Eu0.05(x=0.6mol%)荧光体。结构测定表明所合成的荧光体为单斜晶系的X2型Y2SiO5相,空间群为B2/b。真空紫外光谱表明:随着Gd3+含量的增加,在192nm附近,出现了Gd3+的激发峰,且此峰的强度随着Gd3+含量的增加而增大;同时位于150～185nm之间的基质吸收带的强度也增大;而位于200～300nm之间的Eu的电荷迁移带的强度却随着Gd3+含量的增加而降低。  
        关键词：Y1.95-xGdxSiO5：Eu0.05;真空紫外光谱;基质吸收带   
        81
        |
        99
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1572159 false
        更新时间：2020-08-11
      • 赵永亮, 赵凤英
        2000, 21(2): 150-155.
        摘要：合成了以邻苯二甲酸、2,2′-联吡啶为配体,分别以Eu3+-Tb3+离子和Eu3+-La3+离子为中心体的双核稀土配合物;在323nm紫外光激发下,测试了配合物的荧光光谱。结果表明,在该两系列双核稀土配合物中,无论是发光的Tb3+离子还是不发光的La3+离子,都对Eu3+离子的发光有增强作用。  
        关键词：邻苯二甲酸;联吡啶;稀土配合物;荧光光谱   
        111
        |
        71
        |
        9
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1572076 false
        更新时间：2020-08-11

        研究快报

      • 高稳定性的红色有机薄膜电致发光器件

        蒋雪茵, 张志林, 张步新, 朱文清, 赵伟明, 许少鸿
        2000, 21(2): 174-176.
        摘要：有机薄膜电致发光作为新型的平板显示器件受到人们广泛的关注。有机发光器件研究的一个目标是发展全色显示。目前绿色和蓝色器件都实现了高亮度和长寿命。  
        关键词：高稳定性;红色发光;有机薄膜电致发光   
        90
        |
        108
        |
        3
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1571495 false
        更新时间：2020-08-11

      • 铥配合物的红外有机电致发光

        洪自若, 赵丹, 梁春军, 李锐钢, 范镝, 李文连
        2000, 21(2): 177-178.
        摘要：合成了两种三价铥配合物,并将其制成双层结构器件。首次得到了直流低压驱动下,来自铥离子3H4→3H6电子跃迁红外(IR)发光。  
        关键词：铥配合物;红外发光;电致发光   
        90
        |
        98
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1571428 false
        更新时间：2020-08-11

        研究简报

      • 聚合物O—PPV的链间相互作用的研究

        陈晓红, 王振家, 印寿根, 侯延冰, 徐征, 徐叙瑢
        2000, 21(2): 179-181.
        摘要：近年来,聚对苯乙炔(PPV)及其衍生物作为一类性能优良的电致发光材料而受到人们的广泛关注,这是因为聚合物发光材料能通过化学裁剪方法来改善发光效率、颜色、成膜性等特性。载流子形成激子以及激子的辐射和非辐射衰减过程向来是聚合物发光二极管(LEDs)发光的重要环节,因此研究聚合物的光物理过程对提高器件的发光特性是非常重要的。在研究聚合物过程中,人们已提出几种模型来解释各种类型的聚合物的光物理过程。  
        关键词：光致发光;电荷转移;链内激发态   
        81
        |
        86
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1572188 false
        更新时间：2020-08-11
      0