最新刊期
      2000年第21卷第1期

        研究报告

      • 不同偏压下Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究

        于广辉, 范希武, 关郑平, 杨春雷, 张吉英, 申德振, 胡德宝
        2000, 21(1): 1-5.
        摘要：首次研究了在室温和不同直流偏压下Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格结构的电调制反射谱(ER)的变化。当器件处于弱场范围时,随着电场的增加,ER谱的信号幅度增加,而线型不变;在强场区,随着电场的增加,ER谱的线型发生变化,激子跃迁能量红移,继续增加反向偏压出现来自于1c-2hh的禁戒跃迁,且其强度随反向偏压的增加迅速增加。不同偏压下组合超晶格结构的ER谱研究表明,势垒高度较低的超晶格结构中的激子较易受到电场的调制。  
        关键词：Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格;电调制反射谱;电光调制   
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        更新时间：2020-08-11

      • 温度对Si衬底上低压MOCVD外延生长ZnS薄膜质量的影响

        赵晓薇, 张吉英, 杨宝均, 范希武, 羊亿, 申德振
        2000, 21(1): 6-10.
        摘要：用低压MOCVD系统在(111)Si衬底上,用两步生长方法(改变/流量比)在300～400℃时外延生长了ZnS单晶薄膜。随着衬底温度的降低,ZnS薄膜结晶质量提高,并在300℃生长时获得结晶完整性较好的(111)ZnS单晶薄膜。文中讨论了衬底温度对薄膜质量的影响。  
        关键词：ZnS外延膜;Si衬底;低压MOCVD   
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        更新时间：2020-08-11
      • 李子军, 王成舜, 肖景林
        2000, 21(1): 11-15.
        摘要：采用改进的线性组合算符法研究极性晶体中强耦合磁极化子的有效质量与温度的关系。详细讨论了在不同的近似计算程度情况下有效质量的温度特性。结果表明:不同的近似计算程度可给出磁极化子有效质量随温度的升高而增加和减小两种截然相反的结论。  
        关键词：不同的近似程度;强耦合;磁极化子;有效质量;温度特性   
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        更新时间：2020-08-11

      • 碟型量子阱微腔激光器的低阈值激射

        宁永强, 武胜利, 王立军, 刘云, 刘星元, 赵家民, 吴东江, 金亿鑫
        2000, 21(1): 16-19.
        摘要：利用反应离子刻蚀(RIE)和湿法腐蚀方法在InGaAs/InGaAsP多量子阱材料上研制出直径为8μm、4.5μm和2μm的碟型半导体微腔激光器。其中2μm直径的微碟在液氮温度下其光泵浦激射阈值仅为3μW左右。对高光功率密度下泵浦时出现的多模激射、跳模和激射光谱强度饱和现象进行了研究。并对微碟激光器的激射光谱线宽特性进行了初步的分析。  
        关键词：微碟;微腔激光器;激射   
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        更新时间：2020-08-11

      • Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性

        2000, 21(1): 20-23.
        摘要：首次细致地研究了InAs量子点中直接掺杂Be对其发光特性的影响。光致发光(PL)谱的研究表明,较低掺杂浓度时,发光峰蓝移,同时伴随着发光谱线变窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响,发光强度明显变弱。相信该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有很重要的意义。  
        关键词：InAs量子点;光致发光;掺杂   
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        更新时间：2020-08-11

      • 非晶Si/SiO2超晶格结构的交流电致发光

        孙甲明, 钟国柱, 范希武
        2000, 21(1): 24-28.
        摘要：设计并用磁控溅射方法制备了非晶Si/SiO2超晶格结构,以高纯多晶Si为靶材,当以Ar+O2为溅射气氛时,得到SiO2膜,仅以Ar为气氛时,得到Si膜。重复地开和关O2气,便交替地得到SiO2和Si膜。衬底在靶前往返平移,改变平移的速度或者改变溅射的功率,可以控制膜的厚度。通过透射电镜的照片可以看出SiO2和Si膜具有均匀的周期结构,用低角X-射线反射谱表征了超晶格的周期结构和各层的厚度。透射光谱表明,光学吸收边随Si层厚度的减小向短波方向移动;从退火前和退火后样品的喇曼光谱的变化可判断硅量子点的存在及其尺寸。利用双绝缘层的交流电致发光器件结构,首次获得非晶Si/SiO2超晶格的蓝绿色电致发光,在发射光谱中存在几个分立的发光谱带,随Si层厚度的减小,短波发光谱带的相对强度增加。  
        关键词：超晶格;电致发光;Si量子点   
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        更新时间：2020-08-11

      • MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究

        李述体, 王立, 辛勇, 彭学新, 熊传兵, 姚冬敏, 江风益
        2000, 21(1): 29-32.
        摘要：对实验室用MOCVD方法生长的未掺杂GaN单晶膜的发光性能进行了研究。结果表明:在室温时未掺杂GaN单晶出现的能量为2.9eV左右蓝带发光与补偿度有较强的依赖关系。高补偿GaN的蓝带发射强,低补偿GaN的蓝带发射弱。对蓝带发光机理进行了探讨,认为蓝带为导带电子跃迁至受主能级的发光(eA发光)。观察到降低GaN补偿度能提高GaN带边发射强度。  
        关键词：GaN;MOCVD;光致发光;补偿度   
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        更新时间：2020-08-11

      • MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究

        辛勇, 熊传兵, 彭学新, 王立, 姚冬敏, 李述体, 江风益
        2000, 21(1): 33-37.
        摘要：对本实验室用MOCVD方法生长的未故意掺杂的GaN单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究。结果表明,室温时GaN的X射线双晶衍射半高宽与其补偿度有较强的依赖关系。高补偿的GaN的X射线双晶衍射半高宽较宽,低补偿的GaN的X射线双晶衍射半高宽较窄。  
        关键词：GaN;补偿度;X射线双晶衍射;MOCVD   
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        更新时间：2020-08-11
      • 陈宝玖, 王海宇, 秦伟平, 许武, 黄世华
        2000, 21(1): 38-42.
        摘要：利用J-O理论和吸收光谱实验数据计算了Er3+掺杂的氟硼酸盐玻璃材料的光学跃迁参数,从而得到了一些能级间跃迁的振子强度、跃迁几率、分支比、及寿命等数据。在室温下观察到了在970nmLD激发下红色和绿色上转换发光,讨论了红色上转换发光强度与LD电流的关系。  
        关键词：Er3+;硼酸盐玻璃;J-O理论;上转换   
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        更新时间：2020-08-11

      • Ca0.9Sr0.1S:Bi3+,Tm3+荧光材料的光学性质

        贾冬冬, 吴伯群, 姜联合, 朱静
        2000, 21(1): 43-47.
        摘要：Ca0.9Sr0.1S:Bi3+,Tm3+是一种复合掺杂复合基质荧光材料。在此给出了440nm和520nm发射的激发谱,250nm到350nm的激发的发射谱,以及400nm到520nm的荧光衰减谱。紫外光区域的激发谱表明,Ca0.9Sr0.1S:Bi3+,Tm3+有两个主要的能量传递体系,325nm的复合掺杂中心Tm3+的CT跃迁激发体系,和Bi3+的自身激发体系。紫外激发的荧光发射谱的中心发射波长在453nm处。在电子和空穴陷阱同时存在时,It=I0[(1+γet)(1+γht)]-n,对于Ca0.9Sr0.1S:Bi3+,Tm3+材料γh=0.0168,γe=0.0001,n=1.1。Tm3+的电子陷阱深度约为0.5eV,比复合基质中的正离子空位的空穴陷阱要深。考虑复合基质材料的线性关系,电子陷阱的深度可表示为De=βe-αx;空穴陷阱的深度可表示为Dh=(βhc-αhx)x+(βhs-αhx)(1-x)。  
        关键词：荧光粉;复合基质;复合掺杂   
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        更新时间：2020-08-11

      • LB膜中聚集体的类型及其荧光特性研究

        王文军, 徐建华, 刘秀, 姜永强, 王恭明, 陆兴泽, 蔡志岗, 杨佩青, 周建英
        2000, 21(1): 48-52.
        摘要：采用稳态和时间分辨荧光研究了不同类型的LB多层膜中分子聚集特性。在半花菁/花生酸交替膜中,花生酸层的隔离使得半花菁分子之间的相互作用主要发生在同一层中,形成H聚集体,荧光光谱蓝移;在纯半花菁Y型和Z型膜中,较强的层间相互作用使分子形成J聚集体,导致荧光光谱发生显著红移。  
        关键词：Langmuir-Blodgett(LB)多层膜;聚集体;时间分辨荧光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 硅衬底阳极氧化铝膜的荧光发射研究

        吴俊辉, 邹建平, 朱青, 鲍希茂
        2000, 21(1): 51-54.
        摘要：报道了用电子束蒸发技术在硅衬底上沉积,并于15wt%H2SO4,温度25℃和40V直流电压条件下阳极氧化铝薄的制备(膜厚约400nm)。研究了该阳极氧化铝膜的红外吸收光谱(FTIR)、光致荧光光谱(PL)和荧光激发光谱(PLE)。发现其荧光光谱在280～500nm范围内由三个主发射带组成,其峰值分别位于312nm,367nm和449nm。所有这三个PL带,经分析都与阳极氧化铝膜中的氧空位缺陷有关。312nm和367nm的发射带分别来源于与氧空位相关的F+(1B→1A)和F(3P→1S)中心,而449nm带的来源仍须进一步的工作来证明。  
        关键词：阳极氧化铝;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • Cu2+对luminol-碱性水溶液声致荧光的影响

        李化茂, 罗序中, 谢锦平, 吕家鸿, 常勇, 于剑, 冯若
        2000, 21(1): 55-60.
        摘要：实验表明,Cu2+增强了luminol-NaOH水溶液和luminol-Ca(OH)2水溶液的声致荧光强度,并使这两种水溶液的最大声致荧光峰分别发生了6nm和9nm的红移;Cu2+减弱了luminol-Na2CO3水溶液的声致荧光强度,并使其最大声致荧光峰发生了5nm的蓝移;但是,Cu2+并未对上述三种溶液的声致荧光的发射波长范围370～750nm产生明显影响。上述结果至少可以证明,这三种luminol-碱性水溶液或许能成为一类声致荧光发光体系而用于检测Cu2+,甚至其他离子。  
        关键词：Cu2+;luminol-碱性水溶液;声致荧光;强度;红移;蓝移   
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        更新时间：2020-08-11

      • 紫外写入光纤光栅应变传感特性研究

        李燕, 徐迈, 王庆亚, 张玉书
        2000, 21(1): 61-63.
        摘要：采用紫外写入光纤Bragg光栅研究其应变传感特性。光纤光栅可借助外界应力引起轴向应变和折射率变化造成光栅Bragg反射波长移动。在温度20℃,利用波长在400～1800nm范围色散的光谱仪并用InGaAsP/InPELD作宽带光源,从实验上测量了光纤光栅的应变与Bragg反射波长间的关系,结果表明Bragg反射波长移动与光纤光栅外界应力变化在155.4～156.8nm波长范围呈线性。外界应力引起的光纤光栅灵敏度为1.211pm/με,与理论计算结果基本一致。利用光纤光栅的应变传感特性,设计并制备了压力传感头。它由上、下两金属板和上金属板上可精密调节的两螺旋组成。光纤光栅的两端被分别固定在上、下金属板的定点上。上金属板可通过精密调节螺旋产生微小升降并作为荷重台面。在光纤伸长应变范围内通过螺旋调节,使光纤光栅产生尽可能大的伸长,以保持测试有较大线性范围;同时在20℃恒温条件下,确定压力传感头的测试零点。用此压力传感头,在同一板材的不同厚度测量了压力变化引起Bragg反射波长的移动,表明:选择不同材料或同种材料不同厚度的金属板材可设计不同量程范围。这种压力传感头可适应不同量程的压力或荷载测量。  
        关键词：紫外写入;光纤光栅;应变传感   
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        更新时间：2020-08-11

      • 用新的紫外荧光光源对维生素D2的最佳光合成

        褚明辉, 郭建强, 高殿昆, 孙淑兰, 肖毅, 王连琴
        2000, 21(1): 64-67.
        摘要：介绍了维生素D2(以下简称VD2)的光化反应与光照时间的关系,即由麦角甾醇为原料,在与之转化所需的最佳匹配光谱照射下,找到VD2的最佳光转化时间。结果表明,在283nm波长的紫外荧光光源照射下,其转化效果最佳。在此条件下麦角甾醇转化率随照射时间的增加而逐渐上升,但同时VD2的异构体(副产物)也随之增多,因此综合以上两种因素,从而可确定18～21分钟是VD2光化反应的最佳时间段。  
        关键词：光化反应;麦角甾醇;维生素-D2;紫外光源;转化率   
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        更新时间：2020-08-11

        研究快报

      • CdSe量子点的S-K模式自组装生长

        羊亿, 申德振, 张吉英, 范希武, 郑著宏, 赵晓薇, 赵东旭, 刘毅楠
        2000, 21(1): 68-70.
        摘要：近年来,由于半导体量子点(QD)材料可望提高器件的光电特性而成为研究的热点。如以量子点作为激活层的激光器(LD)与量子阱LD相比会有更低的阈值电流,更高的增益和特征温度。Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的研究主要集中在CdSe/ZnSe,近年来也有ZnSe/ZnS、CdTe/ZnTe的报道。  
        关键词：CdSe;自组装;量子点;S-K模式   
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        更新时间：2020-08-11

        研究简报

      • Alq/DCM薄膜中的放大自发发射

        赵家民, 王淑梅, 王立军, 刘云, 刘星元, 宁永强, 吴东江, 武胜利, 付德惠, 金长清, 王利祥, 景遐斌, 王佛松
        2000, 21(1): 71-73.
        摘要：自从在以8-羟基喹啉铝(Alq)掺杂小分子激光染料DCM为激活介质的波导结构中,光泵浦下观察到激光现象以来,这种以高效发光有机半导体材料代替以往的溶胶、凝胶或透明聚合物材料来稀释激光染料的方法,引起了人们广泛的关注和巨大的兴趣。因为Alq的发射谱和DCM的激发谱有很大的重叠,所以经光泵浦后的Alq:DCM薄膜中处于激发态的Alq分子很容易与附近的DCM分子形成能量迁移.从而其发射谱表现为DCM的荧光谱,而不是Alq和DCM的荧光谱的简叠加。  
        关键词：平板波导;受激辐射;放大自发发射;增益窄化   
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        更新时间：2020-08-11

      • 白色有机薄膜电致发光

        张步新, 朱文清, 赵伟明, 蒋雪茵, 张志林, 许少鸿
        2000, 21(1): 74-77.
        摘要：1987年柯达公司C. W. Tang 发表的有机薄膜电致发光 因其在平板显示技术中的巨大应用前景而成为当前研究的热点。白色发光因是实现全彩色平板显示的重要方案之一, 而倍受人们的关注。  
        关键词：白色显示;有机薄膜;电致发光器件   
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        更新时间：2020-08-11

      • 染料掺杂的红色有机薄膜电致发光器件

        赵伟明, 朱文清, 张步新, 蒋雪茵, 张志林, 许少鸿
        2000, 21(1): 78-80.
        摘要：近年来,有机发光二极管(OLEDs)得到了广泛深入的研究。研究工作主要集中在探索新的有机荧光材料、载流子注入和输运材料,以及器件的新结构,力求得到发光效率高和稳定性好的各种不同颜色的发光。从目前的研究来看,尽管蓝色和绿色发光材料的效率已经足够高到实用,但红色发光材料仍然存在问题,对红色发光进行研究是非常必要的。有两条实现红色发光的途径:掺杂能发红光的染料和用稀土离子配合物作基质或激活剂。利用能量传递的原理,在有机基质材料中掺杂荧光染料是获得高效、长寿命和所希望发光颜色的一种有效而简单的方法。  
        关键词：红色发光;有机薄膜;发光二极管   
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        更新时间：2020-08-11

      • 高效率的有机电致发光器件

        赵伟明, 李述汤, 张步新, 朱文清, 蒋雪茵, 张志林, 许少鸿
        2000, 21(1): 81-83.
        摘要：有机电致发光器件(OLEDs)的发光机理包括电子和空穴从电极的注入、激子的形成及复合发光,其中,空穴和电子的注入平衡是非常重要的。为了平衡载流子的注入以得到高效率和稳定性好的器件,人们不仅使用了电子注入更为有效的LiF/Al和CsF/Al等复合电极,同时也使用了空穴缓冲层,如S.A.VanSlyke等[在ITO和NPB之间使用CuPc,使得器件的稳定性得到了明显的提高;A.Gyoutoku等用碳膜使器件的半寿命超过3500小时;最近,Y.Kurosaka等和Z.B.Deng分别在ITO和空穴传输层之间插入一薄层Al2O3和SiO2提高了器件的效率。  
        关键词：缓冲层;有机薄膜;发光二极管   
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        更新时间：2020-08-11
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