最新刊期

    1998年第19卷第4期

      论文

    • 蔡淑惠, 王仁智, 郑永梅, 郑金成
      1998, 19(4): 293-299.
      摘要:采用基于原子球近似下线性Mufin-Tin轨道(LMTO-ASA)的平均键能计算方法,研究了以ZnSxSe1-x为衬底,沿(001)方向外延生长的应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnSxSe1-x和ZnSe/ZnSxSe1-x的价带带阶值ΔEv(x).研究表明,ΔEv(x)值随衬底合金组分x单调变化。且两者的关系是非线性的。在此计算结果与其它理论计算和实验结果符合较好。  
      关键词:ZnS/ZnSe、ZnS/ZnSxSe1-x和ZnSe/ZnSxSe1-x异质结;价带带阶;平均键能   
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      更新时间:2021-03-18
    • 声子之间相互作用对磁场中表面极化子的诱生势的影响

      张鹏, 李子军, 肖景林
      1998, 19(4): 300-305.
      摘要:研究极性晶体中电子与表面光学(SO)声子和体纵光学(BO)声子耦合弱的表面磁极化子的性质,采用线性组合算符和微扰法导出了极性晶体中表面磁极化子的有效哈密顿量。讨论了反冲效应中不同波矢声子之间相互作用对表面磁极化子诱生势的影响。  
      关键词:表面磁极化子;有效哈密顿量;诱生势   
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      更新时间:2021-03-18
    • Cr3+掺杂的Ca3Al2Ge3O12石榴石的光谱性质

      刘行仁, 张晓, 袁剑辉, 鄂书林
      1998, 19(4): 306-311.
      摘要:在此报告钙铝锗石榴石Ca3Al2Ge3O12中Cr3+离子的光谱特性,依据不同浓度的样品在不同温度下发射光谱的实验结果,分析了不等价Cr3+发光中心零声子线R1,R2的位置变化情况。通过对Cr3+吸收和发射光谱的分析,估算了Cr3+所处格位的晶场强度参数Dq和Racah参数,同时,对低温下Cr3+R线边带振动光谱的精细结构的起因进行了分析和指认。在室温和低温下测得Cr3+4T24A22E4A2能级跃迁的荧光衰减为单指数规律。  
      关键词:R线振动光谱;Cr3+离子;光学光谱;锗酸盐石榴石   
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      更新时间:2021-03-18
    • CaxSr1-xS:Bi,Tm,Cu和CaS:Eu荧光材料的研究

      贾冬冬, 姜联合, 刘玉龙, 朱静
      1998, 19(4): 312-316.
      摘要:所作的一部分工作是对长余辉的荧光材料CaxSr1-xS,Tm,Cu(x=0,0.75,1)进行了研究。CaS和SrS两种基质材料高温互溶后,因为基质的晶体微结构上的变化引起Bi3+离子荧光效应的变化,即发光的发射波数发生改变。另一部分工作是对CaSEu加入陷阱机制后发光效应的研究。新的陷阱机制的引进,使得其余辉效应有较大的延长。  
      关键词:混合荧光材料;混合基质;发射峰;波数位移;陷阱机制   
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      更新时间:2021-03-18
    • 电子俘获型红外上转换屏

      范文慧, 侯洵, 王永昌, 刘英, 过晓晖, 杜力
      1998, 19(4): 317-321.
      摘要:利用溶液悬浮分层提取技术获得粒度较为一致的电子俘获材料(ETM)粉末,考虑ETM屏空间分辨率、红外→可见发光亮度、ETM化学稳定性和膜层均匀性等主要因素,采用不同方法制作了ETM屏,较好地解决了ETM膜层均匀性及器件封装后的化学稳定性等问题,并通过测试比较,提出了一种兼顾空间分辨率和红外上转换发光亮度的微镶嵌屏制作技术方案。  
      关键词:电子俘获材料;红外上转换;微镶嵌   
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      更新时间:2021-03-18
    • 李丹, 郭兴巴图, 刘俊业, 吕少哲, 窦凯, 许武, 孟继武, 虞家琪
      1998, 19(4): 322-327.
      摘要:报导了ZnSCu水溶液和ZnSCu/PVA复合膜的制备过程,分析了分散剂所起的作用。研究了室温下复合膜的激发光谱和发射光谱,以及室温和液氮温度下的分时光谱。初步探讨了ZnSCu纳米超微粒的发光过程。  
      关键词:超微粒;PVA复合膜;施主受主能级;时间分辨发射光谱   
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      更新时间:2021-03-18
    • 纳米PIC-I/azaPIC-I混合分子聚集体光学非线性的Z-扫描研究

      刘春旭, 刘俊业, 王淑梅, 李丹, 许武, 虞家琪
      1998, 19(4): 328-332.
      摘要:引入胶体SP54,在室温下形成了PIC-I(1,1,diethy1-2,2-cyannine P-toluenesul-fonate-Iodide)/azaPIC-I的J-聚集体。用Z-扫描技术系统研究了室温下纳米PIC-I/azaPIC-I有机分子聚集体三种配比下的三阶光学非线性。观测到随着链长变短,样品的三阶非线性极化率增大。我们分析和讨论了这种非线性增强的机制。  
      关键词:纳米混合分子聚集体;三阶光学非线性;Z-扫描   
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      更新时间:2021-03-18
    • 蓝光波段染料Coumarin461掺杂的凝胶材料的光学性质

      武四新, 朱从善
      1998, 19(4): 333-337.
      摘要:采用溶胶-凝胶技术合成了掺杂蓝光波段激光染料Coumarin461的SiO2基固体材料。用波长为308nm的XeCl激光器做泵浦源,横向泵浦,获得了峰值波长为465nm的蓝光波段激光输出。在泵浦光强度为10mJ时激光输出达到0.53mJ,转换效率为5.3%。  
      关键词:溶胶-凝胶;染料;蓝激光;准分子泵浦   
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      更新时间:2021-03-18
    • 液体闪烁计数器用于化学发光测定SOD的研究

      朱咸中, 李颖, 曾伶
      1998, 19(4): 338-341.
      摘要:为了比较FJ-2115型液体闪烁计数器(液闪仪)和化学发光仪在SOD活性检测方面的异同,分别用液闪仪和化学发光仪检测了SOD活性。结果显示用FJ-2115测得SOD活性与用化学发光仪测得的结果一致,而且,液闪仪测得的发光强度大(15.5万cpm),本底低(0.95%),灵敏度高(检出2ng),批内变异系数6.4%,回收率为97.8%.研究表明,FJ-2115型液闪仪可替代发光仪用于SOD的分析。  
      关键词:液体闪烁计数器;SOD;化学发光   
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      更新时间:2021-03-18
    • 方酸菁染料在电致发光层中的能量传递研究

      赵为, 侯原军, 张宝文, 曹怡, 张志林, 蒋雪茵, 许少鸿
      1998, 19(4): 342-347.
      摘要:通过方酸菁与卟啉相互作用的研究证实,方酸菁可以作为很好的能量受体发红光。利用这一原理,用方酸菁掺杂于8-羟基喹啉铝作为发光层,获得了红光有机薄膜电致发光器件。为了说明相关器件的机理,我们考察了方酸菁和8-羟基喹啉铝在固体膜中相互作用的情况,把光致发光光谱和电致发光光谱结合起来,证实该器件的发光机制与激发态的8-羟基喹啉铝到掺杂剂方酸菁的能量传递过程有关。在驱动电压的作用下,TPD(一种有机材料)传输的空穴和8-羟基喹啉铝传输的电子在发光层复合,释放的能量激发8-羟基喹啉铝分子,8-羟基喹啉铝再把能量传递给方酸菁而观测到激发态方酸菁发射的红光。  
      关键词:方酸菁;卟啉;8-羟基喹啉铝;能量传递   
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      更新时间:2021-03-18
    • 导波声光频谱仪集成光路的研究

      鲁平
      1998, 19(4): 348-351.
      摘要:根据频率分辨率极限和光学分辨率极限,用解析理论的精确公式设计了导波声光频谱仪集成光路,用单点金刚石超精加工和凹面波导制备工艺,研制成Φ12mm双孔非球面短程透镜型导波声光频谱仪集成光路芯片。实验结果表明,器件集成光路在8mm宽输入光束下通光性能良好,双孔非球面透镜的焦点分别在左、右两端面上,且输出端面焦点衍射光斑半功率点宽度为≤4μm。  
      关键词:集成光学;频率分辨率;短程透镜   
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      更新时间:2021-03-18
    • 信道化声光外差频谱分析仪

      李也凡
      1998, 19(4): 352-356.
      摘要:为准确探测射频信号中所携带的全部信息,包括信号的幅度、频率和相位等,并有效地增加探测系统的动态范围,采用信道化体波声光外差探测方法。这里给出了这种体波声光外差接收机的基本原理、光路设计的基本方法以及实验样机的测试结果。  
      关键词:声光;外差;干涉;频谱分析   
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      更新时间:2021-03-18
    • 高功率程控微波反应系统合成钨酸钙荧光体的扩试研究

      李沅英, 蔡少华, 崔俊锋
      1998, 19(4): 357-360.
      摘要:首次采用5kW高功率程控微波反应系统合成了钨酸钙荧光体,结果表明:该微波反应系统能胜任荧光体合成扩试,反应时间短、节能潜力显着、操作简便、环境洁净,进一步证明微波热法合成荧光体具有推广应用价值。  
      关键词:程控微波系统;合成;荧光体   
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      更新时间:2021-03-18
    • Ga1-xAlxAs外延片有源区Al组份的测定方法

      刘学彦
      1998, 19(4): 361-363.
      摘要:由于GaAs与AlAs晶格常数相近,GaAs晶格常数为0.56535nm,AlAs的晶格常数为0.56605nm,当固熔体中Al组份x值从0变到1时,晶格常数变化约为0.15%.因此,在GaAs衬底上生长Ga1-xAlxAs时,在界面处的失配位错少,这对提高发光效率非常有利。  
      关键词:Ga1-xAlxAs外延材料;电致发光;x值   
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      更新时间:2021-03-18
    • 红色ZnS:Sm,Cl陶瓷厚膜电致发光器件

      唐春玖, 刘祖刚, 赵伟明, 朱文清, 蒋雪茵, 张志林, 许少鸿
      1998, 19(4): 364-366.
      摘要:94年国际电致发光讨论会上,报导了一种新型的显示器[1],引起了研究者广泛的兴趣。这类显示器的创新表现在采用丝网印刷的几十个微米量级的高介电常数的陶瓷厚膜来替代无机薄膜电致发光器件中的薄膜绝缘层。因为陶瓷厚膜的制备方法比较简单,采用丝网印刷技术,具有成本低、效率高,同时适用于大面积制作等优越性,非常适合平板显示器件制作,成为近年来推进薄膜电致发光实用化的一个活跃的新方向。  
      关键词:陶瓷厚膜;绝缘层;薄膜电致发光器件   
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      更新时间:2021-03-18
    • Plasma处理对有机薄膜电致发光器件性能及稳定性的影响

      张志林, 蒋雪茵, 赵伟明, 许少鸿, 李述汤, 孙鑫
      1998, 19(4): 367-369.
      摘要:有机薄膜电致发光是双极注入的发光器件,电极及注入界面是影响器件性能的重要因素,采用高功函数透明电极及低功函数金属电极是普遍使用的方法,人们还采用高离化势的有机透明电极[1],低离化势的CuPcBufer层[2],plasma处理ITO的方法[3]来改善器件的性能。  
      关键词:plasma;有机薄膜;电致发光器件   
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      更新时间:2021-03-18
    • 在有机电致发光中Tb(Ⅲ)对Eu(Ⅲ)的发光增强现象

      赵东旭, 李文连, 洪自若, 梁春军, 赵丹, 彭俊彪, 刘星元
      1998, 19(4): 370-372.
      摘要:稀土有机配合物,特别是铕和铽的配合物,以其独特的荧光性能在生物免疫荧光分析、痕量元素分析、临床医学等方面有着广泛的应用价值[1]。而在近年研究热点之一的有机电致发光研究中,铕和铽的窄带发射特性也吸引了人们的注意,多种配合物被用于这一领域[2]。  
      关键词:有机电致发光;发光增强现象   
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      更新时间:2021-03-18
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