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    1998年第19卷第1期

      论文

    • 极性晶体中与形变势相互作用的表面极化子

      赵翠兰, 王子安, 肖景林
      1998, 19(1): 1-7.
      摘要:有不少的极性晶体,电子与表面光学(SO)声子耦合强,但与表面声学(SA)声子耦合弱.研究电子与SO声子耦合强,与SA声子耦合弱的极性晶体中与形变势相互作用的表面极化子的性质.采用改进了的线性组合算符和微扰法导出了极性晶体中与形变势相互作用的表面极化子的有效哈密顿量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论对表面极化子的有效哈密顿量、有效质量和有效相互作用势的影响.  
      关键词:形变势;表面极化子;有效哈密顿量   
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      更新时间:2020-08-11
    • 单分子荧光过程的Monte-Carlo模拟

      陈宝玖, 黄世华, 许武, 秦伟平
      1998, 19(1): 14-18.
      摘要:从单分子发光过程中电子在激发态上的停留时间t服从P(t)=γe-γt分布出发,对单分子荧光过程进行M-C(Monte-Carlo)随机试验,得到了单分子的激发态相邻两次发光的时间间隔的统计结果以及单分子荧光强度的自相关函数,并对其进行了详细地讨论,这些结果与目前文献报道的实验结果相一致.  
      关键词:单分子荧光;Monte-Carlo模拟;自相关函数   
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      更新时间:2020-08-11
    • 氟锆酸盐玻璃中Tm3+离子的红外光谱性质

      李毛和, 祁长鸿, 林凤英, 胡和方
      1998, 19(1): 24-30.
      摘要:根据Tm3+离子的吸收光谱,计算了在氟锆酸盐玻璃中Tm3+的Judd-Ofelt参数和红外跃迁3F43H4,3H43H63F43H5的自发跃迁几率,研究了Tm3+的红外发射光谱和它的交叉弛豫过程,讨论了离子浓度对红外发光强度的影响,并计算了这些跃迁的发射截面.  
      关键词:红外发光;Tm3+激活离子;氟锆酸盐玻璃   
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      更新时间:2020-08-11
    • ZnSe-ZnS多量子阱光学吸收非线性时间特性及其机制

      赵福潭, 苏锡安, 王淑梅, 陈进军
      1998, 19(1): 41-44.
      摘要:利用飞秒泵浦-探测技术,在77K温度下测量了ZnSe-ZnS多量子阱材料的光学吸收非线性时间特性,其上升时间为10ps,恢复时间为14ps.讨论了其产生机制为带填充.  
      关键词:量子阱;非线性;时间特性;带填充   
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      更新时间:2020-08-11
    • 全固化SHG蓝光激光器的研究

      黄元庆, 杜晖
      1998, 19(1): 45-49.
      摘要:介绍了一种新型结构的全固化二次谐波(SHG)蓝光激光器.该器件用波长860nm的激光二极管作基频光源,采用KTP晶体作为非线性倍频器并装在半共焦谐振腔内.由一个偏振器与一个λ/4波片组成光隔离器,而偏振器的一个端平面与一个球面输出镜组成半共焦腔.可获得功率2mW、波长430nm的蓝光激光的稳定输出,且二次谐波激光束为高斯分布.  
      关键词:半导体激光;KTP倍频器;蓝光激光器   
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      更新时间:2020-08-11
    • 中子辐照GaAs快速退火行为的低温光荧光研究

      刘健, 王佩璇
      1998, 19(1): 50-55.
      摘要:用低温(10K)光荧光(PL)的方法对中子辐照砷化镓中的缺陷及嬗变掺杂进行了研究.结果表明:低温PL实验可观察到中子嬗变掺杂效应,嬗变掺杂使近导带施主增加从而使与CAs有关的跃迁峰向低能移动.辐照剂量较低时,嬗变原子Ge占居Ga位;当辐照剂量较大时,部分嬗变原子Ge占居As位.在高剂量(1017n/cm2)辐照情况下,经800℃(20秒)退火,仍有反位缺陷CaAs(EV+200meV)和复合缺陷IGa-VAs存在,在低剂量(1014n/cm2~1016n/cm2)辐照情况下,经此退火过程,未观察到这两种缺陷的PL峰.  
      关键词:GaAs;中子辐照;光荧光   
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      更新时间:2020-08-11
    • 钱国栋, 王民权, 吕少哲, 黄世华
      1998, 19(1): 60-65.
      摘要:在无水乙醇溶液中分别合成了Eu3+离子、Tb3+离子与2,2'-联吡啶(Dipy)、1,10-邻菲罗啉(Phen)的四种配合物,研究了配合物的荧光性质.由于Phen含有较大范围的共轭π键和较好的刚性平面,含Phen配合物的荧光强度均要比含Dipy配合物的强;配合物的高分辨荧光光谱表明,Eu3+离子在Eu(Dipy)2Cl3·2H2O和Eu(Phen)2Cl3·2H2O配合物中处于C1或C2或CS的对称性位置.  
      关键词:稀土有机配合物;荧光性质;格位对称性   
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      更新时间:2020-08-11
    • 褪黑素清除活性氧作用的研究

      陈季武, 朱振勤, 张慧
      1998, 19(1): 66-71.
      摘要:采用多种分析体系检测了褪黑素清除活性氧的作用.结果表明,褪黑素能有效地清除包括O2··OH、H2O2在内的多种活性氧,能显著地抑制·OH对DNA的损伤,是一种有效的抗氧化剂.  
      关键词:褪黑素;活性氧;DNA损伤;化学发光;抗氧化剂   
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      更新时间:2020-08-11
    • LED微集成矩阵组件研制

      侯凤勤, 卢景贵, 张富文
      1998, 19(1): 72-76.
      摘要:采用发光二极管混合集成技术,研制成功了用于信息记录和显示的6×21LED微集成矩阵组件.本文介绍了组件的设计结构、制备方法和主要技术参数  
      关键词:发光二极管;混合集成;微型组件   
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      更新时间:2020-08-11
    • 制备波导光栅的相位掩膜技术

      马少杰, 李燕, 徐迈, 林久令
      1998, 19(1): 77-79.
      摘要:自从70年Dakss等人首次报道了集成光波导光栅器件以来[1],波导光栅已被广泛地应用于多种不同的目的,如光波导输入输出耦合器、波分复用器、分束器、分布布拉格反射器等[2]..而在光波导光栅的制备方面,大都采用双光束干涉的全息方法[3~5].众所周知,在制备全息光栅时,在光路上每增加一个光学元件都将影响制备光栅的质量.为了减少光路上的光学元件个数,降低制备全息光栅的苛刻要求,我们采用红敏光致聚合物制备的体相位全息光栅作为相位掩膜板,用氩激光的448.0nm波长作为光源,用相位光栅等强的0级和-1级衍射光的近场干涉区曝光,在光波导的表面制备了光致抗蚀剂光波导光栅.  
      关键词:光波导;光栅耦合器;全息光栅   
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      更新时间:2020-08-11
    • 集成光学亚微米光栅的原子力显微镜表征

      李燕, 徐迈, 张玉书, Burger J, Parriaux O
      1998, 19(1): 80-81.
      摘要:具有亚微米空间周期的波导皱折光栅,耦合结构和制备技术与平面光回路制备工艺相兼容.作为分布反馈激光器的光栅反射镜、波导光栅耦合器、滤波器等,在集成光学研究和应用中一直有着十分重要的意义.  
      关键词:集成光学;光栅;原子力显微镜   
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      更新时间:2020-08-11
    • 光外差电信号接收机

      李晴棉, 李也凡, 何大伟, 许承杰
      1998, 19(1): 82-84.
      摘要:我们利用光学外差的原理和声光集成的技术手段,成功地研制出我国第一台集成光学外差电信号接收机,添补了国内空白.该整机的外型尺寸为:400×160×50mm3,中心频率为140MHz,带宽为80MHz,动态范围为52dB,频率分辨率为10kHz,这个接收机完全符合军事对抗通讯中需要达到的各种指标.由于集成光外差电信号接收机小型化,便于携带,跟踪信号灵敏度高,远远优越于单纯的雷达探测系统.光外差接收机可用于空中、海上、地面对敌信号的监测.  
      关键词:光外差;电信号;接收   
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      更新时间:2020-08-11
    • 掺杂Cu2+的ZnS纳米超微粒的荧光衰减

      李丹, 刘俊业, 孟继武, 窦凯, 许武, 孙聆东, 李振鹏
      1998, 19(1): 85-88.
      摘要:1994年R.N.Bharagava首次报道了过渡金属离子掺杂纳米半导体超微粒ZnS:Mn的光学性质[1].发现ZnS:Mn的585nm(Mn2+4T16A1跃迁)的发光效率提高和寿命缩短5个数量级.并预计它可能成为一种新的发光材料.掺杂纳米材料的出现为纳米科学的研究开辟了新的领域,揭示了超微粒中杂质离子与基质之间的相互作用问题中的新的物理内容,这引起人们的广泛兴趣.  
      关键词:超微粒;量子尺寸效应;发光寿命   
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      更新时间:2020-08-11
    • 有机稀土Eu(DBM)3bath配合物电致发光

      梁春军, 李文连, 洪自若, 彭俊彪, 虞家琪, 赵丹, 赵东旭
      1998, 19(1): 89-91.
      摘要:近几年来,有机电致发光(EL)由于驱动电压低,发光亮度高,色彩丰富等优点得到了迅猛发展.其中以稀土配合物作为发光层的EL器件具有较高的发光色纯度,因而在彩色显示方面具有特殊的意义.  
      关键词:有机电致发光;稀土配合物;窄带发射   
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      更新时间:2020-08-11
    • 镉铝硅酸盐玻璃中Eu3+离子的荧光

      袁剑辉, 刘行仁, 林海, 王晓君
      1998, 19(1): 92-94.
      摘要:近年来,随着光纤通讯,上转换发光和激光,非线性光学等光电子学迅速发展,新的光学玻璃成为人们瞩目的研究课题.由于稀土离子特殊的4f电子内壳层结构,稀土离子的吸收和发射光谱复盖从紫外到红外光谱很宽范围,这是半导体材料和其它光电材料所无法比拟的.稀土掺杂的玻璃及其光学性能研究受到人们的关注[1,2].尽管掺Er3+光纤放大器,稀土掺杂的ZBLAN氟锆酸盐上转换激光玻璃等已取得重大成果[3],但是,随着新技术发展,新的性能优良的玻璃功能材料依然馈缺.  
      关键词:Eu3+离子;荧光;玻璃   
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      更新时间:2020-08-11
    • 交流电激发下的聚合物PPV单层薄膜发光器件的电致发光

      张凤玲, 杨志敏, 徐征, 黄宗浩, 徐长远, 王永生, 徐叙瑢
      1998, 19(1): 95-97.
      摘要:自1987年,观察到有机电致发光器件在较低直流电压驱动下有较强的发光以来[1],短短几年的时间,该领域的研究已经取得了很大的成就.有机薄膜电致发光器件由于其驱动电压低,发光效率高,色彩丰富而越来越受到人们的关注.有机薄膜电致发光正在走向实用.目前,人们正致力于解决几个关键问题.人们在提高发光效率、提高器件工作的稳定性等方面进行了大量的探索,从小分子到聚合物、从单层结构到多层结构,有机电致发光器件的性能被不断提高.但有机电致发光的机理仍然是一个尚需研究的问题.  
      关键词:聚合物;电致发光;交流驱动   
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      更新时间:2020-08-11

      稀土发光材料

    • 纳米晶体ZnS:Mn2+发光寿命异常减缩机理的探讨

      闫阔, 段昌奎, 马义, 夏上达
      1998, 19(1): 8-13.
      摘要:纳米晶体ZnS:Mn2+中Mn2+粒子4T16A1的发光寿命比晶体减缩了5个量级,这颇令人费解,因为通常解除自旋禁戒的磁作用远无如此强的效应.假定基质态的自旋不为零,且考虑了Mn2+的d电子和基质之间的交换库仑作用.若基质存在比Mn2+4T1激发态能量略高的某种激发态,则这种交换库仑作用将导致这两种激发态之间的混合,从而可解除发光能级弛豫中的自旋禁戒.这种混合随基质颗粒尺寸的减小而加强.我们并对此机制进行粗略的数值估计,给出了和实验相容的结果.  
      关键词:纳米晶体ZnS:Mn2+;发光;寿命;交换库仑作用   
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      更新时间:2020-08-11
    • 纳米晶Y2SiO5:Eu的浓度猝灭研究

      谢平波, 段昌奎, 张慰萍, 闫阔, 尹民, 楼立人, 夏上达
      1998, 19(1): 19-23.
      摘要:报道了分别用溶胶-凝胶法合成的Y2SiO5:Eu纳米晶和用高温固相法合成常规尺度的Y2SiO5:Eu材料的光致发光光谱和猝灭浓度的实验研究.结果表明:纳米Y2-xEuxSiO5比常规尺度的Y2-xEuxSiO5有更高的猝灭浓度和更高的发光亮度.理论分析认为这是由于在纳米材料中能量共振传递被阻断和猝灭中心在各个纳米晶内分布的涨落造成的.这个结果为高亮度的Y2SiO5:Eu纳米材料的实际开发应用展示了广阔前景.  
      关键词:高猝灭浓度;纳米微晶;能量共振传递   
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      更新时间:2020-08-11
    • 孙甲明, 钟国柱, 范希武, 郑陈玮
      1998, 19(1): 31-35.
      摘要:首次报道了射频磁控溅射CaS:TmF3薄膜的蓝色交流电致发光.电致发光谱包含位于480、653、703和803nm的四组发光峰,分别对应着三价Tm3+离子的1G43H61G43H43F33H63F43H6的电子跃迁发光.通过对CaS:TmF3粉末的激发光谱的研究,我们发现由于蓝峰和红外峰的激发峰的能量不同导致不同能量的光子激发下的光致发光光谱的红外/蓝峰的强度比有较大的差别.通过对电致发光光谱中红外/蓝峰强度比与不同波长的激发光激发下CaS:TmF3粉末的光致发光光谱的红外/蓝峰强度比的对比研究,我们判断主要激发过程为从基质到Tm3+中心的能量传递.  
      关键词:电致发光;硫化钙;氟化铥;磁控溅射;激发过程   
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      更新时间:2020-08-11
    • 衬底温度对CaS:TbF3薄膜电致发光亮度的影响

      孙甲明, 钟国柱, 范希武, 郑陈玮
      1998, 19(1): 36-40.
      摘要:利用X射线衍射和扫描电子显微镜对不同衬底温度下电子束蒸发的CaS:TbF3电致发光薄膜的结晶性和表面形貌进行了研究.通过对薄膜的透射率和漫反射率的测量研究了薄膜的致密性.X射线衍射表明衬底温度在220到580℃范围之间,电子束蒸发的CaS:TbF3电致发光薄膜为多晶立方晶相.随着衬底温度的提高,CaS:TbF3薄膜的表面形貌发生显著的变化,薄膜的致密性增加,从而增加了电致发光亮度.  
      关键词:硫化钙;电致发光;衬底温度;表面形貌;结晶性   
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      更新时间:2020-08-11
    • 测试温度对nc-Si:H膜光致发光特性的影响

      彭英才, 刘明, 何宇亮, 江兴流, 李国华, 韩和相
      1998, 19(1): 56-59.
      摘要:利用常规等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了nc-Si:H膜,并对其光致发光(PL)特性从10~250K温度范围内进行了变温测量.实验结果指出,随着测试温度升高,PL峰值能量发生了54meV的红移,PL强度在T>80K后呈指数下降趋势.PL峰值能量的红移起因于带隙的收缩,而PL强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用.  
      关键词:nc-Si:H膜;光致发光;带隙收缩;非辐射复合;量子尺寸效应   
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      更新时间:2020-08-11
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