最新刊期
      1997年第18卷第4期

        论文

      • 双功能配体在ZnSTb乙醇溶胶合成中的应用

        严纯华, 刘昌辉, 孙聆东, 廖春生
        1997, 18(4): 277-279.
        摘要：以双功能团配体SCN-链接ZnS和稀土离子Tb3+,制备了ZnSTb乙醇溶胶,以紫外吸收和光致发射光谱研究了其光学性质.该溶胶经紫外激发得到了Tb3+的四个特征发射,分别对应于Tb3+的5D4→7FJ(J=6,5,4,3)跃迁;Tb3+的特征发射可能来自ZnS到Tb3+的能量传递,即ZnS纳米微粒吸收能量,并将其通过SCN-桥传递给稀土离子Tb3+,从而导致Tb3+的特征发射.文中还讨论了对双功能团桥联配体的一般要求.  
        关键词：ZnS纳米微粒;双功能团配体;季铵盐   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnSⅩⅣMn水溶胶的合成

        孙聆东, 李正鹏, 刘昌辉, 廖春生, 严纯华
        1997, 18(4): 280-282.
        摘要：在不同条件下合成了ZnSⅩⅣMn水溶胶,ZnSⅩⅣMn微粒的尺寸与溶液pH、S2-浓度等有关.pH>7时所得样品因氧化致使其颜色随pH的增加而由白色向棕色变化.Mn2+离子的特征发射强度亦受合成条件影响.掺杂浓度为4%时,可获得最大的发射强度.样品在酸性及碱性范围内均有最强发射峰,碱性条件下的最大发射强度约为酸性下的两倍.此外,过量的S2-可引起Mn2+发射的猝灭.  
        关键词：ZnSⅩⅣMn;水溶胶;酸度;荧光猝灭   
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        更新时间：2020-08-11

      • 低温扩散Mn2+制备ZnSⅩⅣMn,Cu电致发光材料

        韦志仁, 李志强, 董国义, 杨志平, 左阳
        1997, 18(4): 283-285.
        摘要：研究了不同Mn的化合物掺杂在不同退火处理条件下对ZnSⅩⅣMn,CuACEL粉末的发光亮度的影响.在低温下扩散Mn2+掺杂的方法,有效降低了Mn盐中其它杂质对发光的影响,和直接高温法制备的ZnSⅩⅣMn,CuACEL材料相比,提高了材料的发光亮度.  
        关键词：电致发光;粉末;低温扩散   
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        更新时间：2020-08-11

      • 蓝色低压阴极射线荧光粉ZnSⅩⅣZn,Pb的研究

        李岚, 张东, 熊光楠, 姜春香, 张飒飒
        1997, 18(4): 286-288.
        摘要：研制的阴极射线用低压蓝色荧光粉ZnSⅩⅣMn,Pb的亮度高于现行使用的ZnSⅩⅣMn,与ZnOZn相近,且发光峰值位置接近ZnSⅩⅣMn.当与粒径为荧光粉颗粒的二分之一的In2O3混合时,其临界电压从80V降低到8V.这种荧光粉将适用于场发射显示器件中.  
        关键词：场发射;ZnSⅩⅣMn;Pb;临界电压   
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        更新时间：2020-08-11

      • 薄膜电致发光器件中SiO2层加速机制的研究

        王平, 刘勇, 马义, 杨波, 楼立人, 夏上达
        1997, 18(4): 289-291.
        摘要：研究非晶SiO2缺陷能级上电子的隧道效应,移植实验的XPS芯能级谱技术,用DV-Xα计算界面SiO2/ZnS的能带断错,认为该界面处的能带断错是电子加速的主要机制.  
        关键词：TFEL;隧道效应;能带断错   
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        更新时间：2020-08-11

      • 关于第三代电致发光器件加速层的一些探讨

        刘勇, 王平, 马义, 楼立人, 夏上达
        1997, 18(4): 292-294.
        摘要：通过简化的三角势垒模型计算发现在第三代电致发光器件中,CdS层确实对提供初电子有利.用计入非晶效应的Monte Carlo方法进行模拟计算,证明非晶SiO2层比ZnS层有更好的加速作用,从而有利于提高器件蓝红比.  
        关键词：薄膜电致发光;初电子源;SiO2层电子加速;Monte Carlo模拟   
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        更新时间：2020-08-11

      • LaF3晶体中Ho3+离子的上转换发光机理研究

        张晓, 刘行仁, Jouart J P, Mary G
        1997, 18(4): 295-297.
        摘要：首次系统研究了在连续可调谐红色染料激光激发下,掺杂Ho3+离子的氟化镧LaF3晶体的上转换发光特性.根据对样品的激发、发射光谱和发光的上升、衰减等动力学过程的分析,仔细地研究了Ho3+离子上转换发光的机理,并建立了不同上转换发光过程的动力学模型.以这些模型为基础,对实验结果进行了分析和验证.  
        关键词：上转换发光;激发态吸收;能量传递;氟化镧;Ho3+离子   
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        更新时间：2020-08-11

      • 玻璃陶瓷材料中Tm3+离子红外到蓝色上转换发光

        许武, 黄世华, 孔祥贵, 秦伟平, 陈宝玖, 刘俊业, 李丹, 吕少哲
        1997, 18(4): 298-300.
        摘要：系统研究了PbF2+GeO2+WO3ⅩⅣTmF3玻璃陶瓷材料中,在近红外光(1.06μm)激发下,Tm3+离子的发光特性.实验中观测到Tm3+离子的两组峰值位置分别在20920cm-1和22173cm-1的蓝色上转换发光,并证实这两组上转换发光分别与吸收三个和四个光子有关,同时建立了上转换发光的模型.为了选择最佳掺杂浓度,详细地测量了Tm3+离子峰值为20920cm-1的蓝色上转换发光强度与TmF3浓度的关系.  
        关键词：上转换发光;玻璃陶瓷   
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        更新时间：2020-08-11
      • 侯延冰, 徐征, 张光寅, 陈晓波, 徐叙瑢
        1997, 18(4): 301-303.
        摘要：对经特殊退火后的Er3+和Yb3+离子共掺杂氟氧化物微晶玻璃的上转换发光特性进行了研究.研究结果表明,在960nm激光泵浦下,这种玻璃具有较高的上转换发光.通过我们的研究,弄清了在这种材料中Er3+的发光行为、上转换通道和Er3+和Yb3+离子之间的能量传递过程.  
        关键词：微晶玻璃;上转换   
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        更新时间：2020-08-11

      • 温度对稀土离子掺杂ZBLAN玻璃上转换发光的影响

        李云白, 王虹, 徐征, 张光寅, 陈晓波, 徐叙瑢
        1997, 18(4): 304-306.
        摘要：研究了Er3+,Pr3+和Yb3+共掺杂ZBLAN玻璃在960nm激光泵浦下的上转换发光的温度特性.温度变化范围为室温到300℃.结果表明Pr3+离子的发光强度随温度的增加,先增加;达到极大后,随温度的增加下降.Er3+发光强度随温度增加单调下降.  
        关键词：上转换发光;温度特性   
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        更新时间：2020-08-11

      • 强磁场下红宝石中光谱烧孔的模拟

        王海宇, 黄世华
        1997, 18(4): 307-309.
        摘要：用Monte Carlo方法模拟了强磁场下红宝石中的光谱烧孔过程.假设光学失相完全由晶格Al核自旋的随机跳变引起,并考虑到“冷冻核”效应,较好地解释实验结果.  
        关键词：光谱烧孔;Monte Carlo模拟;红宝石   
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        更新时间：2020-08-11

      • 依赖于激光线宽的信息写入效率的研究

        张家骅, 黄世华, 虞家琪, Le Gouet J-L, Tian M, Lorgere I, Galaup J P, Grelet F
        1997, 18(4): 310-312.
        摘要：本工作研究了在聚苯乙烯八乙基卟啉永久性光谱烧孔材料上进行光谱相位编码时域光全息读写中信息写入效率随激光谱带变宽而降低的现象,建立了分子转动引起光谱再分布模型,并计算了不同写入激光线宽下信号衍射效率随曝光量的变化规律,很好地符合了实验结果.  
        关键词：光谱烧孔;时域光储存   
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        更新时间：2020-08-11

      • 频率受随机电报过程调制的系统的相干瞬态过程

        黄世华, 王海宇
        1997, 18(4): 313-316.
        摘要：由随机电报过程的性质出发,给出了频率受一个随机电报过程调制系统的Bloch方程,得到了这种系统中的自由感应衰减和光子回波衰减.  
        关键词：随机电报过程;光学Bloch方程;自由感应衰减;光子回波   
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        更新时间：2020-08-11

      • 氟化铈晶体抗辐照机理的探讨

        胡关钦, 冯锡淇, 徐力, 殷之文
        1997, 18(4): 317-319.
        摘要：比较研究了氟化铈晶体、CeO2、草酸铈CeAc3粉末中Ce离子外层3d电子的X射线光电子能谱,给出了三种样品的X射线光电子光谱参数.CeF3中的Ce离子可能是混合价态,用电荷自补偿观点解释CeF3晶体抗辐照机理.  
        关键词：氟化铈晶体;X射线光电子能谱;辐照损伤   
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        更新时间：2020-08-11

      • La在La:PWO闪烁晶体中的作用机制探讨

        张明荣, 胡关钦, 李培俊, 徐力, 殷之文
        1997, 18(4): 320-322.
        摘要：根据掺La的PWO晶体(LaPWO晶体)的透射光谱和发射光谱随La浓度的变化特性及其电子顺磁共振(EPR)谱,作者认为,掺La使晶体产生了新的以(LaPb)2/3(VPb)1/3WO4为主的缺陷,LaPWO晶体的透光性能的改善主要是由于Pb空位(VPb)"的增加.而发光性能的降低则主要是(LaPb)和(VPb)"的共同作用.  
        关键词：钨酸铅晶体;La掺杂;点缺陷;闪烁性能   
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        更新时间：2020-08-11

      • 玻璃基质中ZnS纳米晶Mn2+掺杂的两种组态下载流子限域

        刘俊业, 刘春旭, 许武, 李丹
        1997, 18(4): 323-325.
        摘要：用融熔法制备了分散有ZnSⅩⅣMn2+纳米晶的钠硼硅(Na2O-B2O2-SiO2)玻璃.对样品在不同温度和时间下进行退火处理,获得不同尺寸的纳米晶.通过激发和发射光谱测量发现样品中的Mn2+有两种组态,即替位组态(Mn2+)替位和间隙组态(Mn2+)间隙.用有效质量模型计算了纳米晶的粒径.结果表明在一些样品中存在着载流子限域即R<Ra.  
        关键词：纳米微晶;替位和间隙杂质;载流子限域   
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        更新时间：2020-08-11

      • 聚氧化乙烯介质中的掺杂硫化锌纳米晶的制备及光学性质

        李振钢, 王向军, 熊光楠
        1997, 18(4): 326-328.
        摘要：简述了聚氧化乙烯介质中的铽、铕、铥、钆、钇、镓、锰掺杂的硫化锌纳米晶的制备方法以及紫外吸收光谱、激发光谱和光激发发射光谱.制成的硫化锌纳米晶直径为3.0～3.5nm.  
        关键词：掺杂;纳米晶   
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        更新时间：2020-08-11

      • 聚烷基芴电致发光特性的研究

        彭俊彪, 巴小微, 谢德民, 刘志斌, 李文连, 洪自若, 赵东旭, 梁春军, 刘星元
        1997, 18(4): 329-331.
        摘要：合成并研究了聚(9-丁基芴)的电致发光和光致发光特性.通过控制其浓度,可获得从黄到蓝不同颜色的发光,并分析了发光的性质.  
        关键词：聚烷基芴;电致发光;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 键合型DANS聚合物光波导电晕极化及其二阶非线性衰减

        高福斌, 金峰, 张平
        1997, 18(4): 332-334.
        摘要：对键合型DANS聚合物薄膜光波导的电晕极化过程及其二阶非线性衰减特性进行了研究.采用本文给出的电晕极化参数,制成了具有较长极化寿命的极化聚合物薄膜光波导,为进一步研究其二阶非线性光学性质奠定了基础.  
        关键词：DANS聚合物光波导;电晕极化;二阶非线性衰减   
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        更新时间：2020-08-11

      • 有机薄膜电致发光器件在反向偏压下的电致发光

        张凤玲, 滕枫, 杨志敏, 徐征, 赵雁, 侯延冰, 王永生, 黄宗浩, 徐叙瑢
        1997, 18(4): 335-337.
        摘要：合成了性能优良的聚合物--聚对苯乙烯,并采用甩胶方法制备了单层薄膜电致发光器件ITO/PPV/Al.在所制备的器件上观察到反向偏压下的电致发光现象,记录了在不同反向偏压下的电致发光光谱,测量了在反向偏压下的电流和发光强度,初步讨论了有机发光器件在反向偏压下的发光机理.  
        关键词：聚合物;电致发光器件;聚对苯乙烯   
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        更新时间：2020-08-11

      • 聚合物和小分子混合类型EL器件

        杨晓晖, 滕枫, 徐征, 侯延冰, 张凤玲, 王永生, 徐叙瑢
        1997, 18(4): 338-341.
        摘要：研究了旋涂溶液中组分的变化对聚合物分散小分子EL器件性质的影响,并分析了原因.  
        关键词：有机薄膜电致发光;聚合物;小分子材料;小分子材料分散聚合物器件   
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        更新时间：2020-08-11

      • 双层有机EL器件ITO/PPV/Alq3/Al发光稳定性的研究

        杨志敏, 张凤玲, 徐征, 孙力, 赵中龄, 朱懿, 王将魁, 王永生, 林铁生
        1997, 18(4): 342-344.
        摘要：制备了一组由PPV和Alq3组成的双层有机EL器件ITO/PPV/Alq3/Al;比较了两个发光层厚度不同时器件发光性能的差异.测试和分析了温度、真空度、工作电压和存放时间对器件衰减规律的影响.  
        关键词：有机薄膜电致发光;发光特性;衰减   
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        更新时间：2020-08-11

      • N-甲基-4-乙酰胺基-1,8-萘酰亚胺的合成与电致发光

        印寿根, 李晨曦, 黄文强, 何炳林, 刘星元, 彭俊彪, 李文连
        1997, 18(4): 345-347.
        摘要：合成了N-甲基-4-乙酰胺基-1,8-萘酰亚胺(MAAN).结果表明,以MAAN为发光层,聚乙烯咔唑(PVK)为空穴传输层的双层薄膜发光器件,在驱动电压为27.5V时,可获得亮度为150cd/m2的黄绿色发光.  
        关键词：激子;电致发光;有机薄膜器件   
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        更新时间：2020-08-11

      • 以ZnO为电子传输层PPV的发光

        滕枫, 杨晓晖, 徐征, 侯延冰, 徐叙瑢, 黄宗浩
        1997, 18(4): 348-350.
        摘要：以Ⅱ-Ⅵ族无机半导体ZnO为电子传输层,PPV为空穴传输层和发光层,得到的电致发光器件比单层PPV器件的发光亮度和效率都高.器件结构为ITO/PPV/ZnO/Al的电致发光光谱同单层PPV器件的光谱基本相同,但是启亮电压明显比单层器件低,最大亮度大约比单层器件高6倍左右,同时工作电流也比单层器件小.通过PPV层自吸收现象可判断出发光区域在PPV/ZnO界面处.电流-电压曲线表明,这种器件具有空间电荷限制电流特性,即J∝Vn,这里n大约为2,这器件的电流主要受到空穴的限制.  
        关键词：异质结;电致发光;聚合物   
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        更新时间：2020-08-11

      • 蛋白质、噗啉、癌细胞之间的相互作用

        孟继武, 任新光, 马焕璞, 徐叙瑢
        1997, 18(4): 351-353.
        摘要：通过牛血清蛋白、血噗啉、培养的SPC-A-1肺癌细胞的光致发光实验,研究了它们的发光及其之间的相互作用.阐述了癌患者噗啉代谢异常的机制.  
        关键词：蛋白质;噗啉;癌细胞;荧光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 电场对ZnCdSe-ZnSe应变超晶格光致发光的影响

        郑著宏, 关郑平, 张吉英, 申德振, 范希武
        1997, 18(4): 354-356.
        摘要：n=1重空穴激子和施主-受主(D-A)对的光致发光在常压MOCVD生长的Zn0.85Cd0.15Se-ZnSe应变超晶格中被观测到了.激子和施主-受主对发光峰值位置随着增加正向偏置电压都相继产生蓝移和红移.这是由量子限制斯塔克效应引起的,究竟是蓝移还是红移则取决于由肖特基势垒引起的内部自建电场与外加正向电压引起的外电场之间的竞争.  
        关键词：Zn0.85Cd0.15Se-ZnSe应变超晶格;电场;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • InAs/GaAs自组织量子点的DLTS谱

        杨锡震, 陈枫, 封松林
        1997, 18(4): 357-359.
        摘要：将DLTS用于对InAs/GaAsQD结构样品的测量,测定了QD能级发射载流子的热激活能;获得了QD能级俘获电子过程伴随有多声子发射(MPE)、QD能级存在一定程度的展宽、以及在某些特定的生长条件下,存在亚稳生长构形的实验证据.结果表明:DLTS在QD体系的研究中有其特有的功能  
        关键词：InAs;量子点;深能级;深能级瞬态谱   
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        更新时间：2020-08-11

      • 808nm无铝大功率量子阱激光器

        王立军, 武胜利, 刘云, 付德惠, 刘育梅
        1997, 18(4): 360-362.
        摘要：报导了用低压(LP)-MOCVD方法研制出808nm无铝InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱分别限制异质结构大功率激光器(SCHSQW),器件外微分量子效率为65%,阈值电流密度400A/cm2,特征温度120℃,对于100μm条宽、1000μm腔长宽接触激光器,室温连续输出光功率达1瓦以上,并讨论了无铝大功率激光器的阈值、光谱等特性.  
        关键词：半导体激光器;量子阱器件   
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        更新时间：2020-08-11

      • 量子阱微腔环型半导体激光器

        武胜利, 王立军, 宁永强, 刘云, 付德惠, 林久龄, 刘育梅
        1997, 18(4): 363-365.
        摘要：报道了用纳米制作技术,实现了InGaAs/InGaAsP环型微腔激光器.激光器的直径为3μm～20μm,环的宽度为0.4μm～3μm,环的厚度为190nm.其激射峰值波长为1403nm.  
        关键词：微腔激光器;量子阱   
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        更新时间：2020-08-11

      • 涡轮MOCVD技术中有机源高速均匀混合

        廖常俊, 刘颂豪, 陈俊芳, 刘剑, 赵寿南, 郑学仁
        1997, 18(4): 366-368.
        摘要：在用于发光器件制造的多层MOCVD外延技术中,用高速氢气流冲洗管路、混合有机源获得晶格匹配好,而且界面过度层薄的突变异质结界面.  
        关键词：MOCVD技术;突变异质结;高速扩散   
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        更新时间：2020-08-11
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