最新刊期
      1996年第17卷第3期

        论文

      • 复合绝缘层交流薄膜电致发光显示屏的综合设计

        孙甲明, 钟国柱, 付国柱, 郑陈玮, 张曙芝, 范希武
        1996, 17(3): 191-196.
        摘要：本文从交流薄膜电致发光(ACTFEL)显示屏的稳定性与可靠性角度出发,兼顾其发光亮度以及驱动电路对屏的RC响应的要求,对ACTFEL矩阵屏的结构进行了综合优化设计.从理论上分析了复合绝缘层SiO2/Ta2O5击穿方式的转变条件并计算了其合理的厚度比例及ZnS:Mn发光层的厚度和衬底ITO方块电阻的取值范围.通过实验对理论结果进行了验证,并在理论设计的指导下研制了640×480(10英寸)ZnS:MnACTFEL单色计算机终端显示器.  
        关键词：薄膜;电致发光;矩阵显示   
        102
        |
        74
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567603 false
        更新时间：2020-08-11
      • 刘俊业, 孙聆东, 陈一民, 窦恺, 黄世华, 虞家琪, Otto Berg, Douwe Wiersma
        1996, 17(3): 197-203.
        摘要：用双调制(斩波器和驻波调制器)和外差检测累积光子回波技术,研究了PIC-I和azaPIC-I混合分子集体有机纳米材料中一维Frenkel激子的位相弛豫过程.观测到激子失相时间T2随azaPIC-I克分子数的增大从60ps变为224ps.这与在含能量陷阱的分子聚集体中激子失相时间T2随陷阱的增加而变短的现象刚好相反.并且对在脉宽为4ps和相于时间为1ps的相干脉冲和非相干脉冲的不同激发条件下的实验结果进行了分析和讨论.  
        关键词：有机纳米材料;混合分子聚集体;Frenkel激子失相;累积光子回波   
        94
        |
        56
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567523 false
        更新时间：2020-08-11

      • 室温下ZnS-ZnTe应变超晶格的带间跃迁

        吕有明, 杨宝均, 关郑平, 陈连春, 杨爱华, 范希武
        1996, 17(3): 204-209.
        摘要：本文报导了ZnS-ZnTe应变超晶格中的载流子在室温下跃迁复合性质.通过测量室温下光致发光光谱,对载流子在超晶格带间跃迁的过程进行了研究.  
        关键词：ZnS-ZnTe;Ⅱ型超晶格;光致发光;带-带跃迁   
        122
        |
        107
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1568180 false
        更新时间：2020-08-11

      • ZnCdTe/ZnTe超晶格的近带边发射特性

        郑伟, 范希武, 吕有明, 郑著宏, 张吉英, 杨宝均, 申德振
        1996, 17(3): 210-214.
        摘要：本文通过不同激发光强度下的光致发光实验,把Zn0.67Cd0.33Te/ZnTe超晶格(SLs)样品的两个发光谱峰分别归结为与激子有关的和导带电子到受主的辐射复合过程.为进一步了解样品的发光特性,做了不同温度下的光致发光实验,得到了两个谱峰在高温区的激活能,即:高能峰为127meV,低能峰为132meV.  
        关键词：超晶格;近带边光致发光;激活能   
        111
        |
        89
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1568164 false
        更新时间：2020-08-11

      • Cr,Tm:YAG晶体中的能量转移

        李成, 曹余惠
        1996, 17(3): 215-218.
        摘要：通过对Cr:YAG、Tm:YAG和Cr,Tm:YAG晶体吸收光谱和发射光谱的比较,研究了Cr,Tm:YAG晶体中的能量转移过程.指出Cr3+→Tm3+能量转移过程中,无辐射能量转移占绝对优势.  
        关键词：Cr;Tm:YAG晶体;能量转移   
        109
        |
        85
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567563 false
        更新时间：2020-08-11

      • Cd3Al2Ge3O12锗酸盐石榴石中Cr3+的宽发射带和R线

        刘行仁, 袁剑辉, 田军
        1996, 17(3): 219-224.
        摘要：本文首次报道了掺杂不同浓度Cr3+的Cd3Al2Ge3O12锗酸盐石榴石在295K和77K温度下的荧光光谱、Cr3+的鲜红色宽带发射强度与激励功率的关系及荧光衰减.发现在Cr3+的荧光光谱中存在从15400cm-1延伸到11400cm-1附近的宽带、两组R线及R线的Stokes和反Stokes振动光谱.295K时以宽带发射为主,77K时宽带明显减弱,R线发射显着增强.在Cd3Al2Ge3O12石榴石中,Cr3+离子的光谱是由两个性质上稍有差异的Cr3+中心发射组成的.  
        关键词：宽带发射;R线;R线振动光谱;Cr3+离子;锗酸盐石榴石   
        135
        |
        69
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567589 false
        更新时间：2020-08-11

      • 高频溅射生长ZnS:Tb,F薄膜的结构与发光

        余庆选, 班大雁, 张纪发, 方容川
        1996, 17(3): 225-229.
        摘要：本文采用X射线衍射和阴极射线发光技术对溅射法生长的ZnS:Tb,F薄膜的发光光谱和薄膜的微观结构进行了研究,得出了激晶薄膜的晶粒尺寸与发光强度的关系.讨论了稀土离子的价态对掺杂稀土微晶薄膜的发光性质与晶粒尺寸的关系的影响.  
        关键词：ZnS:Tb;F薄膜;微观结构;发光光谱   
        84
        |
        68
        |
        4
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1568108 false
        更新时间：2020-08-11

      • PECVD介质膜性能研究

        崔翔天, 楚振生, 高鹏涛, 王志军, 常威, 郑喜凤, 孟宪信
        1996, 17(3): 230-234.
        摘要：本文讨论了等离子体化学气相沉积(PECVD)方法生长的氮化硅薄膜的电学性能随生长条件的变化关系,得到了性能良好的氮化硅薄膜.结果表明这种介质膜达到了薄膜电致发光器件所要求的各个性能指标,是一种具有重要应用价值的介质薄膜材料.  
        关键词：PECVD;氮化硅;薄膜;介电性质   
        95
        |
        125
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567540 false
        更新时间：2020-08-11

      • Eu(o-MBA)3phen配合物的荧光光谱和喇曼光谱

        王瑞芬, 金林培, 吕少哲
        1996, 17(3): 235-239.
        摘要：配合物Eu(o-MBA)3phen(o-MBA:邻甲基苯甲酸酸根离子;phen:1,10-二氮杂菲)在紫外或可见光激发下,能发出很强的红色荧光.以Eu(Ⅲ)离子为光谱探针,77K下测得其高分辨激发和发射光谱.选择激发配合物的5D0能级,得到两组不同的5D0→7F2发光光谱,表明配合物中Eu(Ⅲ)离子有不同的化学环境.配合物的喇曼光谱中,羧基阴离子的反对称伸缩振动(γas(COO))和对称伸缩振动(γs(COO))谱带是明显分裂和带肩峰的宽带,说明配合物中羧基同时存在多种配位方式,这与它的晶体结构测定结果一致.  
        关键词：铕配合物;发光光谱;喇曼光谱   
        119
        |
        54
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1568120 false
        更新时间：2020-08-11

      • 铽标记人血清白蛋白的荧光光谱及应用

        史华红, 杨燕生, 龚孟濂, 陈泮藻, 李润华, 周达君, 周建英
        1996, 17(3): 240-244.
        摘要：本文研究了由对-氨基水杨酸衍生的铽资合物及其标记人血清白蛋白的荧光光谱;测量了它们的激发态寿命.首次提出铽资合物标记蛋白质中蛋白质对Tb3+离子发光无影响.建立了液相中竞争性的人血清白蛋白的荧光免疫分析法.  
        关键词：铽;标记;荧光;荧光免疫分析;螯合物   
        141
        |
        80
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567572 false
        更新时间：2020-08-11

      • 黄嘌呤氧化酶-乙醛-吖啶酯化学发光分析新体系

        张帆, 庄惠生, 王琼娥
        1996, 17(3): 245-250.
        摘要：乙醛在黄嘌呤氧化酶催化作用下,被空气氧化生成乙酸和过氧化氢,酶反应生成的过氧化氢氧化新吖啶酯试剂[10-甲基-9-(对甲酰苯基)吖啶羧酸酯氟磺酸盐]产生化学发光,化学发光强度与己醛浓度在一定范围内成线性关系.由此建立了一种化学发光分析新体系,用于测定乙醇含量.线性范围2.0×10-7～1.2×10-3mol/L,测定5.0×10-7mol/L乙醛,相对标准偏差为6.8%,检测限为1.2×10-7mol/L,测定环境水样中乙醇含量,取得满意结果,回收率为95～106%.  
        关键词：黄嘌呤氧化酶;乙醛;化学发光分析;10-甲基9-(对甲酰苯基)吖啶羧酸酯氟磺酸盐   
        91
        |
        94
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1568086 false
        更新时间：2020-08-11

      • 一种布尔变换及解变换方法在数据处理中的应用

        陈宇, 王遵立, 王瑞光, 朴燕
        1996, 17(3): 251-256.
        摘要：通常情况下,由于计算机在字符显示状态下在内存中存在一个显示代码缓存区,此缓存区存放屏幕上显示内容的ASCⅡ码;因此在LED显示应用上,尤其在需要将控制机显示内容在另一区域的LED屏幕重现时所需要的数据传输方面上,上述代码缓存区具有重要的作用.但是当我们使用象pc-1500这样的机器作LED显示系统的控制机时,由于它无上述的系统有规律的顺序显示代码缓存区,同时鉴于LED与主控机点阵的不同及需传送的数据量等问题,我们在传输屏幕内容上存在一定的困难.本文提出并采用一种布尔变换及解变换方法来解决这个问题.  
        关键词：布尔变换;LED显示;Hash码;逻辑计算方法   
        109
        |
        86
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1568144 false
        更新时间：2020-08-11

      • 半导体异质外延薄膜质量的X射线衍射检测方法

        葛中久, 李梅, 张志舜, 冯禹臣
        1996, 17(3): 257-260.
        摘要：本文介绍了一种使用X射线宽角测角仪和双晶测角仪相配合的检测半导体异质外延薄膜的方法.其特点是快速且不损伤样品,特别适合大失配度的外延生长的条件试验检测,也可用于器件生产过程中的外延质量的监控.此法还可用于各种超晶格结构参数的测量.  
        关键词：X射线检测;外延薄膜   
        142
        |
        79
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1568155 false
        更新时间：2020-08-11

      • Ⅱ-Ⅵ族应变层超晶格的X射线衍射分析

        李梅, 葛中久, 关郑平, 范希武
        1996, 17(3): 261-265.
        摘要：本文报导了用计算机控制的衍射仪(CuKα辐射)测量的金属有机化学汽相沉淀(MOCVD)方法生长的Ⅱ-Ⅵ族应变层超晶格的X射线衍射曲线,观察到了超晶格结构的多级卫星峰,且卫星峰的强度随角度呈周期性变化.对这种卫星峰形成包络的衍射曲线,用X射线运动学衍射理论进行了分析和讨论,这种讨论有助于理解X射线衍射曲线中卫星峰的形成.同时用光致发光和包络峰宽度的方法估算了样品的结构参数.  
        关键词：X射线衍射;应变层超晶格;卫星峰   
        101
        |
        108
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1568133 false
        更新时间：2020-08-11

        研究快报

      • 利用相位掩膜技术制备光纤光栅的紫外曝光系统

        李燕, 梁国栋, 徐迈, 王庆亚, 孙英志, 张建, 张玉书
        1996, 17(3): 266-268.
        摘要：光纤布拉格光栅在光纤系统中起着反射镜的作用,它在光纤通信和光纤传感技术中应用十分广泛[1].特别是近年发展起来的利用相位掩膜技术,对掺杂光纤芯径的紫外诱导轴向折射率变化来制备光栅[2],方法简单,适于大规模生产,更具有强大的生命力.伴随该技术的成熟与开发,已促进全光纤技术范围内的科学进步.  
          
        126
        |
        73
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567616 false
        更新时间：2020-08-11

      • 电场调制下Zn0.85Cd0.15Se-Znse应变层超晶格的受激发射

        郑著宏, 关郑平, 张吉英, 范希武
        1996, 17(3): 269-271.
        摘要：近几年,随着I-Ⅵ矶族宽禁带半导体二极管激光器取得突破性进展[1],对ZnSe基量子阱和超晶格结构的受激发射已进行了广泛的研究[2~3].但是迄今为止,人们尚未观测到电场调制下的受激发射增强现象.本文报道我们在Zn0.85Cd0.15Se-Znse应变层超晶格中观测到的电场调制的受激发射.  
          
        135
        |
        63
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567498 false
        更新时间：2020-08-11

      • 实现交叉光互连的全息元件的研究

        梁国栋, 徐迈, 郑杰, 虞家琪
        1996, 17(3): 272-275.
        摘要：光学互连与电互连相比,具有并行处理、传输速度快、信息容量大、空间频带宽、串音小和能量损耗低等优点,因此在光计算和信息处理领域中成为越来越吸引人的课题[1~4].在光信息处理中,光互连在实行多种函数及变换过程中具有重要的地位[5].在数字光计算中,光互连可实行多种算法和构造,其中自由空间规则光互连如全混洗(perfect shuffle)光互连、交叉(crossover)光互连及蝶(butterfly)光互连已得到广泛研究和应用[6~8].  
          
        112
        |
        89
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567554 false
        更新时间：2020-08-11

      • 一种新的Eu3+配合物有机薄膜电致发光

        王子君, 李斌, 范翊, 张洪杰, 蒋大鹏, 李亚君, 张立功, 关中素, 吕安德
        1996, 17(3): 276-278.
        摘要：自从C. W. Tang[1]百次发表高效、高亮度双层结构有机薄膜电致发光(EL)器件以来,由于其驱动电压低、可做成大面积及制作工艺简单等优点,使其在平板显示和显像领域具有巨大应用潜力而成为研究热点.可是大多数有机小分子和聚合物材料制作的有机薄膜电致发光器件的发射光谱谱带很宽,半高宽一般在100nm-200nm,色纯度不好,不利于显示和显像.于是寻找场致发光谱带窄、亮度高的有机材料就显得非常重要.  
          
        102
        |
        82
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567508 false
        更新时间：2020-08-11

        研究简报

      • 四元合金GaxIn1-xAs1-ySby的禁带宽度与组分关系的计

        田园, 张宝林, 金亿鑫, 周天明, 李树纬, 宁永强, 蒋红, 元光
        1996, 17(3): 279-282.
        摘要：GalnAsSb是直接带隙、窄禁带的半导体材料,其波长范围为0. 87-12μm,粗盖了2-4 m, 3-5μm和8-12μm三个重要的红外应用波段,可制作室温下工作的红外光电器件,在光纤通信、环境监测、资源勘探、空间技术及军事等方面有广泛的应用前景.  
          
        97
        |
        50
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1568097 false
        更新时间：2020-08-11

      • HD61830A在LED显示中的应用

        朴燕, 刘建, 罗锦, 金圣经
        1996, 17(3): 283-285.
        摘要：信息的交流是促进社会发展的必要手段.若要了解大量的信息,视觉的手段比通信的方法更为方便.由此LED显示屏备受人们的欢迎.人们可在很多地方观看到用LED显示屏显示的信息.LED显示屏作为传播信息的媒介应用在各行各业上.那么如何控制LED的显示也成为工程人员们非常关心的问题.人们希望用价格比较合理,控制手段又比较方便的芯片来制作LED显示器的控制电路.  
          
        90
        |
        100
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1568079 false
        更新时间：2020-08-11
      0