最新刊期
      1996年第17卷第2期

        论文

      • 玻璃中Cr离子E和T状态混杂对发射线形的影响

        黄世华, 吴兴坤, 严懋勋, 贾惟义, 刘慧民
        1996, 17(2): 97-103.
        摘要：本文考虑玻璃中能级间距的分布以及自旋-轨道耦合引起的E和T状态混杂,计算了Cr发射谱线的线形。用此模型计算得到的结果与实验得到的三价Cr掺杂的铝红柱石(mullite)陶瓷和硅酸盐玻璃以及四价Cr掺杂的Mg-Ca-Ba铝酸盐玻璃的发射光谱符合得很好。  
        关键词：Cr离子;波函数混杂;线形   
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        65
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        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567417 false
        更新时间：2020-08-11

      • 氟锆酸盐玻璃中Tm3+对Er3+可见发光的猝灭

        王劼, 陈一竑, 干福熹, 明海, 刘宇, 孙晓泉
        1996, 17(2): 104-110.
        摘要：本文研究了氟锆酸盐玻璃中Tm3+与Er3+的能量转移,在不同激发彼长激发下,能量转移的机制有不同之处。Tm3+对Er3+的作用表现在使得2H11/2和4S3/2的发光减弱,4F9/2和4I11/2的发光增加,即将Er3+高能级的粒子搬运至低能态上。在一定条件下甚至可以完全猝灭4S3/2的荧光。  
        关键词：能量转移;Er3+荧光;氟化物玻璃   
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        60
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        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1566991 false
        更新时间：2020-08-11

      • 高温氧化多孔硅的电子束辐照效应

        张学兵, 郭常新
        1996, 17(2): 111-115.
        摘要：通过高温氧化处理得到的多孔硅,其阴极射线发光谱呈现明显的三峰结构。峰强随电子束辐照时间而下降。对光致发光很弱的样品,电子束辐照后光致发光明显地增强。红外透射谱及Raman谱分析表明样品基本上成为SiOx.进一步分析指出三峰可能来源于SiOx中的缺陷中心发光。电子束辐照在SiOx禁带中引进了一些缺陷能级,通过这些能级使得紫外线可激发样品发光,出现光致发光增强的现象。  
        关键词：多孔硅;阴极射线发光;高温氧化;缺陷中心   
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        78
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1568027 false
        更新时间：2020-08-11

      • 二维非极性晶体中声学形变势表面磁极化子

        张鹏, 肖玮, 肖景林
        1996, 17(2): 116-121.
        摘要：本文研究磁场中二维非极性晶体通过形变势与声学声子强、弱耦合的表面极化子的性质。采用线性组合算符和拉格朗日乘子法导出表面磁极化子的基态能量。讨论了表面磁极化子的振动频率、基态能量和有效质量与磁场的关系。  
        关键词：二维非极性晶体;形变势;声学声子;表面磁极化子   
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        67
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567395 false
        更新时间：2020-08-11

      • MOCVD技术制备的ZnS:Mn电致发光薄膜结晶性及Mn2+分布

        赵丽娟, 杨宝均, 钟国柱, 郑陈玮, 赵国璋
        1996, 17(2): 122-127.
        摘要：本文报导了用MOCVD技术制备的ZnS:Mn电致发光薄膜为立方晶相,结晶取向性好,颗粒大。从高倍率的扫描电镜拍摄的照片观察到薄膜的表面平滑。SIMS测量表明Mn2+在ZnS薄膜纵向分布均匀,但在两侧有起伏,可能的原因是在生长的初终阶段流量的突变使化合物的化学计量比偏离而产生位错,引起原子的局部堆积,并且由于初终阶段ZnS:Mn生长的衬底不同使原子堆积层厚度不同。  
        关键词：MOCVD;电致发光薄膜;结晶性;Mn2+分布   
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        67
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567470 false
        更新时间：2020-08-11

      • SiGe/Si量子阱的低温光荧光和电注入发光

        董文甫, 王启明, 杨沁清, 崔堑, 周钧铭, 黄绮
        1996, 17(2): 128-132.
        摘要：使用Si-MBE生长了阶梯形折射率分布SiGe/Si量子阱材料,在低温下观测到无声子参与的光荧光和电注入发光。阶梯形折射率分布SiGe/Si电子阱结构有利于提高发光效率。讨论了这种结构的光学和电学特性。  
        关键词：SiGe/Si量子阱;光荧光;电注入发光   
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1568037 false
        更新时间：2020-08-11

      • Ni+注入n-GaPDLTS谱中Ni杂质能级的识别

        杨锡震, 陈晓白, 李智, 田强
        1996, 17(2): 133-142.
        摘要：在不同条件下退火的Ni+注入n-GaPDLTS谱中观测到表观激活能在0.60～0.70eV范围内的多个多子峰和少子峰。对各样品掺杂层内的能带弯曲及Ni杂质各荷电状态浓度空间分布在DLTS测量的零偏-反偏过程中的变化进行了计算。结合分析实测各能级热发射率数据,对其中起源于NiGa中心的DLTS峰作出了判断。  
        关键词：GaP;深能极;Ni杂质;DLTS;多重能级杂质   
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        62
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567484 false
        更新时间：2020-08-11

      • GaP的缺陷随温度变化的PAT研究

        张福甲, 张苗, 张旭
        1996, 17(2): 143-147.
        摘要：我们对LEC法制成的掺S的GaP单晶,从室温至1000℃,每隔50℃恒温30分钟,在Ar气保护下进行热处理。用正电子湮没技术(PAT)对样品中的缺陷进行了分析研究。结果指出,随着热处理温度的升高,GaP中的点缺陷组态发生变化。测试结果表明,正电子湮没寿命可分解为两个寿命。其中捕获态寿命τ2随热处理温度的升高,由310ps变为330ps;进而在高温下变为280ps.相应地捕获强度I2随温度而发生变化,它反映出GaP单晶中的空位浓度也在随温度发生变化。  
        关键词：GaP;缺陷;正电子寿命   
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        62
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567430 false
        更新时间：2020-08-11

      • 光通信中的玻璃无源器件的制备与研究

        孟淑华, 文雨水, 王淑荣, 魏文超, 刘大力
        1996, 17(2): 148-152.
        摘要：本文报道了以高质量的BK7光学玻璃为衬底,通过稀释Ag+-Na+离子交换技术,制备出低损耗的表面条波导,并用近场法测量出条波导的模场分布曲线。给出光纤与波导耦合的失配损耗为0.54dB,条波导传输损耗为0.21dB/cm.以及在此工作基础上,成功地研制了适用于大容量相于光通信系统的1×2和1×4单模波导分束器。  
        关键词：条波导;离子交换;耦合   
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        86
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567406 false
        更新时间：2020-08-11

      • 在LPE生长中降温和恒温对InAsPSb外延层组分分布的影响

        王永珍, 金长春, 吕贵进
        1996, 17(2): 153-155.
        摘要：采用LPE技术,生长出InAsPSb外延层,研究了降温、恒温两种方法对外延层组分分布的影响。结果表明,用恒温方法生长时,外延层中P、Sb组分分布较为均匀,在脉冲电流激发下,得到了3.09μm激光输出。  
        关键词：LPE;InAsPSb;降温和恒温;组分分布   
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1568069 false
        更新时间：2020-08-11

      • 有机染料掺杂玻璃的制备及荧光性能

        雷宁, 叶辉, 姜中宏
        1996, 17(2): 156-163.
        摘要：铅-锡-氟磷酸盐玻璃是各种激光染料及非线性染料的理想基质,本文报道了荧光素及吖啶红掺杂铅-锡-氟磷酸盐玻璃的荧光性能,并且将吖啶红掺入有机改性的钛凝胶(TiO2-Ormosil),对两者的荧光性能进行了比较。  
        关键词：铅-锡-氟磷酸盐玻璃;有机改性钛凝胶;荧光素;吖啶红   
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        4
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1568004 false
        更新时间：2020-08-11

      • 2-芳基苯并噻唑荧光性能的研究

        于贵, 李文连, 孟宪信, 苏锡安
        1996, 17(2): 164-168.
        摘要：本文合成了四种2-芳基苯并噻唑类化合物,研究了它们多品粉末的发光,对其发光机理进行了探讨,分析了取代基和共轭程度对激发光谱、发射光谱及Stokes位移的影响。  
        关键词：2-芳基苯并噻唑;共轭程度;荧光性能   
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        86
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        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567450 false
        更新时间：2020-08-11

        研究快报

      • ZnS:Mn2+超微粒的制备及光学性质研究

        孙聆东, 靳春明, 候尚公, 陈一民, 窦恺, 黄世华, 虞家琪
        1996, 17(2): 169-171.
        摘要：近年来,半导体超微粒的合成及光学性质研究迅速发展成为活跃的领域.已经采用化学方法成功地将纳米半导体超微粒分散于玻璃、液体或高分子材料中.  
          
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        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1568014 false
        更新时间：2020-08-11
      • 栗红玉, 申德振, 张吉英, 范希武, 杨宝均
        1996, 17(2): 172-174.
        摘要：近年来,半导体超晶格的光双稳器件由于功耗低、体积小、易于集成优点,引起国内外人们的广泛重视,特别是经优化的F-P腔光双稳器件,其反射式光双稳比透射式光双稳有很多的优点.  
          
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567441 false
        更新时间：2020-08-11

      • 在Al2O3衬底上GaN的APMOCVD生长

        缪国庆, 元金山, 朱景义, 李玉琴, 洪春荣
        1996, 17(2): 175-177.
        摘要：含氮Ⅱ一Ⅴ族化合物(包括GaN、AIN、InN和GaAIN)是直接带隙半导体材料,它们的禁带宽度可以从1.9eV到6.2eV,是目前最重要的蓝光半导体材料,不仅适合制作从可见光到紫外波段的光电器件,例如蓝光发光二极管、激光器和光电探侧器,而且可用于制作耐高温、大功率的电子器件.特别是利用APMOCVD技术在蓝宝石衬底上制备GaIV单晶膜取得突破性进展,并且制作了高亮度发光二极管后[1],Ⅱ-Ⅴ族含氮化合物半导体材料受到广泛重视.  
          
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        56
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1568050 false
        更新时间：2020-08-11

      • 有机薄膜电致发光的稳定性

        张志林, 蒋雪茵, 许少鸿, 高桥寿明, 长友隆男, 大本修
        1996, 17(2): 178-180.
        摘要：解决有机电致发光的稳定性是这一领域的重要课题。我们在相继报道了高亮度的蓝色及绿色器件后[1,2]。  
          
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        83
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        3
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1568058 false
        更新时间：2020-08-11

      • 金刚石薄膜的场致电子发射

        姬荣斌, 张志林, 蒋雪茵, 赵伟明, 许少鸿
        1996, 17(2): 181-182.
        摘要：现代信息技术日新月异的发展对显示技术提出了越来越高的要求,平板式场致发射器件的研究显得十分迫切,引起了研究者广泛的兴趣。金刚石薄膜是八十年代以来发展起来的一种具有优良的物理、化学性质的新型功能材料。  
          
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        72
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1566972 false
        更新时间：2020-08-11

      • C-藻蓝蛋白的电致发光

        夏安东, 付绍军, 潘海斌, 张新夷, 朱晋昌, 蒋丽金
        1996, 17(2): 183-186.
        摘要：藻胆蛋白(phycobiliProteins)是藻类光合作用过程中最重要的拍光色素之一,它具有吸收太阳光能并将其高效地(几乎100%)转移到光合反应中心的功能[1].它在可见光区的吸收光谱主要归因于与脱辅基蛋白共价相连的线性四吡咯发色团[2].  
          
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        77
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1567460 false
        更新时间：2020-08-11

      • 掺杂非醚聚苯基喹噁啉薄膜电致发光的研究

        邓振波, 黄京根, 董树忠, 王建宝, 张博, 陆访, 孙恒慧
        1996, 17(2): 187-190.
        摘要：聚合物薄膜电致发光(PTFEL)器件的主要特点是制造方便、设备简单、成本低廉并且可以通过改变材料体系、掺杂或调节工作电压来改变发光颜色.目前蓝色发光已达到相当的程度[1,2],即彩色化的前景比无机材料的要光明得多[3].  
          
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        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1566980 false
        更新时间：2020-08-11
      0