最新刊期
      1996年第17卷第1期

        发光学一般问题

      • CdSxSe1-x纳米微晶的辐射跃迁过程

        孙聆东, 赵家龙, 靳春明, 窦恺, 陈一民, 黄世华, 虞家琪, 席淑珍, 李磊
        1996, 17(1): 1-5.
        摘要：利用变温吸收光谱和光致发光光谱研究了CdSxSe1-x纳米微晶的辐射跃迁过程.由Varshni公式,拟合了微晶的吸收峰随温度的变化.根据变温发射光谱,研究了发光峰位置和温度的依赖关系,并分析了吸收峰和发光峰随温度变化的快慢.对发光的动力学过程.作了简单的分析.  
        关键词：吸收光谱;发射光谱;辐射中心   
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        更新时间：2020-08-11
      • 王永生, 张雪强, 张光寅, 刘健, 李增发, 熊光楠, 徐征, 徐叙瑢
        1996, 17(1): 6-11.
        摘要：本文研究了BaFCl:Eu2+在不同波长的紫外线辐照和不同的测定温度下的光激励发光性质.通过改变激励方式及激励光的扫描方向,给出了BaFCl:Eu2+光激励发光过程中,两种F色心的浓度比值和光激励截面比值与紫外线辐照波长和测定温度的关系.同时我们还研究了在激励读出过程中,对应两种F色心的光激励发光强度与激励温度的关系,并且给出了相应于F(Cl-)心的热激活能.  
        关键词：光激励发光;紫外线辐照;F色心;光激励截面;温度效应   
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        更新时间：2020-08-11

      • Sm2+掺杂的无机光谱烧孔材料量子效率研究

        宋宏伟, 张家骅, 黄世华, 虞家琪
        1996, 17(1): 12-16.
        摘要：本文由光谱烧孔的发光动力学方程出发,推导了脉冲光烧孔并选通的情况下量子效率的表达式.在77K下测量了以不同功率的560nm脉冲光烧孔并选通的条件下,孔深随烧孔脉冲数目的变化,验证了烧孔的量子效率与选通光强度的关系.在相同的烧孔条件下测量了BaF(Cl,Br):Sm2+与SrF(Cl,Br):Sm2+的孔深随脉冲数目的变化,验证了量子效率与5DJ-7F0跃迁几率的关系.  
        关键词：光谱烧孔;量子效率;跃迁几率   
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        更新时间：2020-08-11

      • 低温下ZnSe-ZnS多量子阱的光致发光光谱和喇曼散射谱

        赵福潭, 李多禄, 苏锡安, 王淑梅, 范希武, Weber T H, Stolz H, Osten W V D
        1996, 17(1): 17-22.
        摘要：本文报导了2K下,在GaAs(100)衬底上用MOCVD方法生长的ZnSe-ZnS多量子阱材料的光致发光光谱和喇曼散射谱.用共振激发、共振喇曼和共振瑞利散射等方法对各发光谱带和喇曼散射峰的来源和机制进行了鉴别.  
        关键词：Znse-ZnS多量子阱;光致发光;喇曼散射;瑞利散射;共振激发   
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        更新时间：2020-08-11

      • 纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光线宽宽化研究

        吕少哲, 孙聆东, 赵家龙, 窦恺, 黄世华, 虞家琪, 向卫东, 丁子上
        1996, 17(1): 23-27.
        摘要：测量了各种温度下玻璃中掺杂纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光光谱,研究了其光致发光带的峰值能量和线宽对温度的依赖关系.考虑CdS微晶的LO声子的相互作用,拟合了其带隙发光带的线宽随温度的变化曲线,获得样品的非均匀线宽.CdS微晶的非均匀线宽主要是由于微晶的尺寸分布引起的.  
        关键词：光致发光;CdS半导体微晶;线宽   
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        更新时间：2020-08-11

      • 混晶GaAs1-xPx：N中Nx发光的声子伴线结构

        俞容文, 郑健生, 肖梅杰, 林之融, 颜炳章
        1996, 17(1): 28-32.
        摘要：本文采用荧光窄化技术,对低组分的GaAs1-xPx:N(x=0.76,0.65)混晶材料中Nx束缚激子的声子伴线进行了研究.在低温下,选择激发Nx带时,我们得到了与GaP:N低温发光谱中类似的声子伴线结构.根据实验结果,给出了混晶中各种声子的能量.另外,对组分为x=0.76的GaAs1-xPx:N混晶样品,我们还首次观察并分析了多声子重现光谱.  
        关键词：Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶;光致发光;声子伴线   
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        更新时间：2020-08-11

        光致发光及其阴极射线发光

      • 稀土铒离子注入多孔硅的发光

        李仪, 周咏东, 李菊生, 蒋红, 金亿鑫
        1996, 17(1): 33-37.
        摘要：稀土离子Er注入多孔硅中.在350keV能量,1×1012~1×1015/cm2剂量范围内,注入后的多孔硅仍保持明亮的可见光发射.退火后,在近红外区测到1.54μm附近Er3+的特征发射.其发射强度比硅单晶对照样品明显增强,实验表明这增强作用来源于多孔硅的表面发光层.电化学制备过程中在表面层中带入的O、C、F等多种杂质可能是Er3+发光增强的原因.  
        关键词：多孔硅;发光;离子注入;铒   
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        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • ZnS:Tb薄膜电致发光的量子效率及过热电子分布

        赵伟明, 唐春玖, 蒋雪茵, 张志林, 许少鸿
        1996, 17(1): 38-42.
        摘要：采用高频溅射的方法制备了高亮度的ZnS:Tb薄膜电致发光器件.测量了发射强度比I(5D3-7F6)/I(5D4-7F4)随激发电压的变化关系、弛豫时间及发光的量子效率,计算了碰撞截面,分析ZnS:Tb的过热电子的分布,并与ZnS:Mn进行了比较.指出了ZnS:Tb效率与ZnS:Mn效率差异的可能原因.  
        关键词：ZnS:Tb;薄膜;电致发光;量子效率;过热电子分布   
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        更新时间：2020-08-11

      • 常压MOCVD制备ZnSe基pin二极管的蓝绿色电致发光

        张吉英, 杨宝均, 范希武, 吕有明, 申德振
        1996, 17(1): 89-90.
        摘要：蓝色电致发光和激光器件的研究已有一段较长的历史.人们曾把GaN,SiC和ZnSe等半导体作为获得蓝色发光的主要材料.对于ZnSe,由于它是直接带隙且正好适于蓝区波段,因此,它是实现全彩色化显示、显像以及提高光存储合适的材料之一.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        与发光有关的实验技术

      • Ga0.51In0.49P的MOCVD生长特性研究

        缪国庆, 朱景义, 李玉琴, 洪春荣, 元金山
        1996, 17(1): 43-46.
        摘要：本文报导了用国产常压MOCVD系统生长GaInP材料.研究GaInP的生长特性,用光致发光、扫描电镜、X光双晶衍射对材料进行表征.发现Ⅴ/Ⅲ比对GaInP的光学特性有很大影响.在温度680℃,Ⅴ/Ⅲ比为90的条件下得到Ga0.51In0.49P外延层的光致发光谱的半高宽为26meV,这是目前报导的最好结果.Ga0.51In0.49P的本征载流子浓度为1.1×1015cm-3,晶格失配为4×10-4.  
        关键词：MOCVD;GaInP生长;Ⅴ/Ⅲ比   
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        更新时间：2020-08-11

      • 生长温度、过冷度对InAsPSb外延层表面形貌影响的研究

        王永珍, 金长春, 吕贵进
        1996, 17(1): 47-51.
        摘要：本文采用恒温液相外延生长方法,研究了InAsPSb四元材料外延层表面形貌与生长温度、过冷度之间的关系.实验结果表明,生长温度、过冷度对外延晶体质量及表面形貌的影响较为明显,同时对其它因素的影响也做了分析.  
        关键词：生长温度;过冷度;InAsPSb;表面形貌   
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        更新时间：2020-08-11

        稀土发光材料

      • 超细Y2O3：Eu荧光粉的阴极射线发光和光致发光

        裴轶慧, 刘行仁
        1996, 17(1): 52-57.
        摘要：本文首次报道由尿素溶胶法制备的球形、超细(120~250nm)高效Y2O3:Eu红色荧光粉的晶体结构及其阴极射线发光和光致发光性质.这种超细颗粒在254nm激发时的发光强度比商用的传统微米样品低.但在中等电压(≤10kV)的电子束激发下,其阴极射线发光强度超过商用微米样品.这种接近纳米的Y2O3:Eu超细颗粒已表现出较强的表面效应.对实验结果进行了分析和讨论.  
        关键词：发光;超细颗粒;Y2O3：EU;荧光粉   
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        更新时间：2020-08-11

        其它

      • 直流溅射电致变色NiOxHy膜的研究

        丘思畴, 戴进, 吴正华, 黄汉尧
        1996, 17(1): 58-63.
        摘要：采用直流溅射Ni(OH)2粉末压实靶制作了电致变色膜.介绍了制膜工艺,用XRD谱研究了着色前、后膜的结构,XPS谱研究Ni、O的结合.谱响应特性和电化学特性表明,膜的电色活性良好.  
        关键词：电致变色;直流溅射;NiOxHy膜   
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        更新时间：2020-08-11

      • 矩阵真空荧光字符显示器

        刘化斌
        1996, 17(1): 68-73.
        摘要：本文给出了X-Y交叉矩阵荧光字符显示屏的基本结构及工作原理,并对它的特性进行研究.讨论了它的亮度与各电极工作电压之间的关系及调制特性.然后,提出了该种显示屏的驱动方案和周边电路的配置方法.最后介绍用该种显示屏制作的HBM-201高亮度显示组件.它的发光亮度在5000cd/m2以上,加滤色片在阳光下清晰可读.  
        关键词：荧光显示;矩阵显示;室外显示   
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        更新时间：2020-08-11

        非线性光学

      • 新面型短程透镜的制备研究

        汪贤秀, 范俊清, 许承杰, 鲁平, 李公羽, 马文生, 韩荣久, 黄巍
        1996, 17(1): 64-67.
        摘要：根据解析理论新的精确公式进行设计并用单点金刚石超精切削加工制备,研制出一种优化的非球凹面短程透镜.透镜含光滑无奇点圆边,与平面连接的边缘曲率半径为无限大.样品制备在45×20×2.5mm3的LiNbO3衬底上,每片有两个孔径8mm、焦距8mm的无球差非球面短程透镜,利用670nm波长的半导体激光器端面耦合入样品一端,在另一端测得焦点光斑半宽度为2.9μm.  
        关键词：新型短程透镜;LiNbO3   
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        更新时间：2020-08-11

      • 不同表压下芪盐单层LB膜二次谐波的研究

        李加, 徐叙瑢, 王永生, 候延冰, 王敬伯, 赵福潭, 张光寅, 张春平, 田建国
        1996, 17(1): 74-78.
        摘要：在不同表压下制备芪盐的单层LB薄膜,测量LB膜的二次谐波信号.在低表压得到增强的二次谐波信号.对比芪盐的透射光谱,认为在LB膜中,芪盐以固相态存在,低表压时的固相态聚集体的吸收峰351nm使四阶非线性极化率x(4)(-2ω;ω,ω,ω,-ω)产生共振增强,四阶光学非线性现象对二次谐波信号产生影响.  
        关键词：LB膜;表压;二次谐波;分子二阶非线性光学极化率(β);聚集体   
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        更新时间：2020-08-11

        有机和生物发光

      • 间甲基和邻氯苯甲酸稀土配合物发光性能的研究

        张洪杰, 马建方, 杨魁跃, 潘利华
        1996, 17(1): 79-83.
        摘要：本文研究了间甲基苯甲酸稀土配合物REL3(RE=Eu,Tb;HL=m-CH2C6H4CO2H)和邻氯苯甲酸稀土配合物REL3·H2O(RE=EU·Tb;HL=ClC6H4CO2H)的荧光性能,测量了配合物的激发和荧光光谱及其寿命,讨论了晶体结构对能级匹配、能量传递等光谱性质的影响.  
        关键词：间甲基苯甲酸;邻氯苯甲酸;铕;铽;荧光   
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        更新时间：2020-08-11

      • Co(1,10-phen·)32+-KIO4-鲁米诺化学发光体系与应用

        李绍卿, 杜小忍, 陈鹰
        1996, 17(1): 84-88.
        摘要：本文研究了Co(1,10-phen·)32+配合物对KIO4氧化鲁米诺所产生的强化学发光反应.以1,10-phen·为配位体时,Co(Ⅱ)的检出限为8×10-8g/L,工作曲线响应浓度范围在1×10-6~1×10-4g/L,测定1×10-4g/LCo(Ⅱ)离子的相对标准偏差为2.5%.配合物化学发光法检测啤酒、维生素B12针剂中微量Co(Ⅱ)可获得满意结果.  
        关键词：配合物;化学发光;鲁米诺;Co;1;10-邻菲罗啉   
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        更新时间：2020-08-11

      • 新型稀土电子输运材料Tb(AcA)3·phen

        孙刚, 李文连, 赵宇, 于沂, 虞家琪, 钟国柱, 赵旭
        1996, 17(1): 91-92.
        摘要：Kido等人在文献[1]中报导,在研究有机电致发光(OEL)器件时发现,斓系化合物不能很好地传输载流子.但是,我们在实验中却现Tb(AcA)3phen·不仅是一种很好的OEL发射材料.而且具有很强的电子输运能力.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 用聚合物作空穴输运层的纯Tb3+发射发光二极管

        孙刚, 赵宇, 李文连, 于沂, 虞家琪, 钟国柱, 赵旭
        1996, 17(1): 93-95.
        摘要：在上一篇文章中[1],我们报导了以Tb(AcA)3,·phen作为发射层,以TPB作为空穴输运层的双层有机电致发光(OEL)器件.虽然获得了Tb3+的绿色EL发射谱,但光谱的430nm处有一蓝色谱带,这个蓝色EL谱带应该来源于TPB空穴传导层.  
          
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        更新时间：2020-08-11
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