最新刊期
      1995年第16卷第4期

        研究快报

      • 玻璃中的ZnS:Mn2+超微粒发光的量子尺寸效应

        陈一民, 向卫东, 孙聆东, 靳春明, 杨桦, 王中才, 黄世华, 虞家琪
        1995, 16(4): 262-264.
        摘要：自从Bhargava等[1]报道了化学反应合成的ZnS:Mn2+纳米微粒的光学性质,掺杂半导体纳米微粒发光性质的研究受到了极大的重视。掺杂纳米微粒有可能成为新的一类发光材料.本文报导用熔融法制备的ZnS:Mn2+玻璃在光学性质上的量子尺寸效应。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 光纤编码器的研制

        李晴棉, 戚文钧, 李向文, 徐迈, 高淑琴
        1995, 16(4): 365-367.
        摘要：近年来随着光纤技术的发展,各种光纤传感器日臻完善。我们先后制作出光纤微压力传感器、光纤液位传感器、光纤高温传感器以及用于化学溶液的浓度测量等系列光纤传感器。由于社会和生产的需要,在我所过去研究工作的基础上,又研制出光纤编码器的实验样机。本文阐述研制的光纤编码器的工作原理、设计制作及技术指标。并对其应用范围进行讨论。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 利用共溅射方法实现硅基材料上的纳米Ge的可见光发射

        元光, 宋航, 金亿鑫, 张宝林, 周天明, 宁永强, 蒋红, 李树伟
        1995, 16(4): 368-370.
        摘要：如何实现硅基材料的发光,一直是很受重视的一个研究方向。以往是通过硅基外延生长直接带隙材料或锗硅超晶格的途径实现Si基材料发光。90年代初发倪的多孔硅发光[1],引起人们的广泛关注,对多孔硅的制备工艺、发光特性、机理和定性以及可能的应用等方面进行了广泛的研究。但至今尚没有阐明发光机理,而且多孔硅存在结构脆弱、对环境敏感、不易实现电注入等问题。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 用Z-扫描技术研究ZnCdse－ZnSe多量子阶中的光学非线性

        马靖, 王淑梅, 申德振, 范希武
        1995, 16(4): 371-373.
        摘要：由于非常大的激子束缚能使得宽禁带Ⅱ-Ⅳ族半导体多量子阱在室温下表现出明显的激子效应,进而产生巨大的激子光学非线性川。以往的非线性测量方法有的灵敏度不 高,有的实验做起来非常复杂或是数据处理很困难,Z一扫描技术正是克服了这两个缺点,并能同时给出非线性折射率系数的大小和符号。本文利用Z一扫描技术在室温下研究了ZnCdSe-ZnSe/GaAs多量子阱中的三阶非线性。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        论文

      • 杨宇, 黄醒良, 刘晓晗, 黄大鸣, 蒋最敏, 龚大卫, 张翔九, 赵国庆
        1995, 16(4): 285-292.
        摘要：采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。  
        关键词：Si分子束外延;SiGe/Si量子阱;结构;发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 应变(Ge)5/(Si)5超晶格的光学增益

        董文甫, 王启明
        1995, 16(4): 293-297.
        摘要：本文采用具有驰豫展宽的半导体激光器密度矩阵理论计算了(Ge)5/(Si)5超晶格的线性光增益和异质结激光器的国值电流密度,从理论上定量地比较了(Ge)5/(Si)5超晶格和GaAs体材料的线性光增益和阈值电流密度。  
        关键词：(Ge)5/(Si)5超晶格;光增益   
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        更新时间：2020-08-11

      • GdOBr:Eu荧光谱的高压研究

        李宏年, 赵绪义, 刘慎薪, 池元斌, 王立中
        1995, 16(4): 298-305.
        摘要：本文在室温下测量了GdOBr:Eu的常压和高压荧光谱,光谱范围在13000～21500cm-1之间,压力至12GPa.常压下,清晰可辨的荧光谱线共有43条,这些谱线由Eu3+4f6组态内5D0-2至7F0-5的跃迁产生。由荧光谱线得到26个晶场能级(Stark能级).谱线绝大部分随压力红移,少数几条谱线随压力先蓝移后红移。所有谱线的强度随压力升高而减弱。7F0-5的能级随压力的变化规律比较复杂,而5D0-5各能级均随压力的升高几乎线性地降低。  
        关键词：GdOBr:Eu;高压;荧光谱;晶场能级   
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        更新时间：2020-08-11

      • 杜仲胶的高压喇曼散射光谱研究

        赵瑾, 唐树延, 陈淑良
        1995, 16(4): 306-311.
        摘要：测定了常压到5.45GPa压力范围内杜仲胶(反式聚异成二烯)的激光喇曼散射光谱,讨论了相关碳骨架原子团喇曼振动模式随压力线性变化的规律。从聚合物分子链的化学结构、化学键性质分析了产生不同压力效应的原因。同时,对高压下喇曼谱带强度的变化和某些弱谱带的出现进行了讨论。  
        关键词：喇曼散射光谱;杜仲胶;反式聚异戊二烯;高压   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnSe:A1深能级的研究

        王吉丰, 黄锡珉, 张志舜
        1995, 16(4): 312-316.
        摘要：为研究ZnSe中的本征缺陷和A1在ZnSe中的深能级行为,首先测量了Znse单晶体中的深能级,发现只存在Ec-0.33eV一个电子陷阱。然后,通过热扩散的方法,在300℃～700℃温度范围内把A1掺杂到ZnSe单晶体中,结果发现存在Ec-0.33eV和Ec-0.70eV两个电子陷阱。本文从缺陷化学角度对ZnSe中的本征缺陷和Ec-0.70eV深能级的结构及起源进行了讨论。  
        关键词：ZnSe:A1;DLTS方法;电于陷阱;本征缺陷   
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        更新时间：2020-08-11

      • 模折射率透镜的研制

        鲁平, 许承杰, 范俊清
        1995, 16(4): 317-320.
        摘要：本文报道在K7玻璃衬底上制作光波导模折射率透镜的实验结果,包括透镜的设计、制备及性能的测量。  
        关键词：集成光学;光波导;透镜   
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        更新时间：2020-08-11

      • 有损耗波导中非线性TE波的数值模拟

        赵安平, 于荣金, 洪佩智
        1995, 16(4): 321-324.
        摘要：本文发展了一种以有限元技术为基础的数值方法,用它分析有损耗波导中的非线性TE模。在这种方法中,非线性有损耗波导中TE波与功率有关的复传播常数和局城电场分布,可从这种波导直接得到,没有任何近似。作为这种方法的应用,计算了非线性有损耗波导系统中TE0模的功率色散关系和电场分布。  
        关键词：非线性有损耗波导;TE波;有限元法   
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        更新时间：2020-08-11

      • 多孔硅微秒光致发光衰减

        李清山, 李鹏, 马王蓉, 方容川
        1995, 16(4): 325-329.
        摘要：在微秒范围内测量了多孔硅的光致发光衰减,研究了衰减参数与发光波长、样品制备条件的关系,发现衰减参数与发射波长有关,但不依赖于样品制备条件。用发光三层模型解释了实验结果。  
        关键词：多孔硅;微秒发光衰减   
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        更新时间：2020-08-11

      • GaN:Zn发光的显微观察

        李晴棉, 徐迈, 马仁祥, 孙亚莉, 李奉民
        1995, 16(4): 330-336.
        摘要：利用扫描电子显微镜(SEM)观察了气相外延GaN:Zn晶片的表面形貌、Zn浓度分布和阴极射线发光微区光谱及其MIS结构的电致发光微区光谱。研究表明,Zn杂质掺入GaN可以形成四种能量位置的发光中心;它们的形成与Zn浓度和晶体的微区结构有关;二者的不均匀决定了发光的不均匀性。  
        关键词：GaN:Zn;发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 增强金属-氧化物-金属隧道结的光发射

        江孟蜀, 许世杰, 郑克勤
        1995, 16(4): 337-342.
        摘要：本文报道通过改进制作工艺将A1-A12O3-Au隧道结的耐压增加到5.3V,发光外量子效率增加到8.2×10-4,均高过迄今见到的关于该类结的最高耐压和最高效率的报道。我们观测到了该发光结上的Au膜厚度对发射光谱形状的影响,并对此作出了解释;还对该光谱中的截止频率和峰值的存在给出了理论解释。  
        关键词：金属-氧化物-金属隧道结;表面等离极化激元;表面粗糙度   
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        更新时间：2020-08-11

      • 聚(2,5－二丁氧基对苯乙炔)电致发光性能的研究

        刘承美, 过俊石, 谢洪泉
        1995, 16(4): 343-349.
        摘要：本文对以聚(2,5-二丁氧基对苯乙炔)为发光层的聚合物电致发光二极管的电致发光性能和影响其性能的因素进行了研究。其发光峰值波长为590um,起亮电压为12V,最大亮度可达112cd/m2.热处理温度和时间影响其发光强度和峰值波长,一般以200℃,真空处理3.5h为宜。还原气氛(N2+H2)下的热处理有利于电致发光性能的提高。器件在空气中具有一定的使用寿命。其量子效率可达0.16%光子/电子。并研究了器件制备工艺对性能的影响,初步探讨了聚合物电致发光机理。  
        关键词：电致发光;二极管;聚(2;5-二丁氧基对苯乙炔);功能高分子   
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        更新时间：2020-08-11

      • 8-羟基喹啉铝电致发光薄膜的电学特性

        张立功, 具昌南, 范翊, 吕安德, 元金山, 马于光
        1995, 16(4): 350-353.
        摘要：用真空蒸发沉积方法制备了一种由8-羟基@4铝(发射层)/二胺(空穴输运层)双层有机膜构成的直流薄膜电致发光(EL)器件。获得了发射峰位于520um的绿色EL.EL光谱极相似于8-羟基喹啉铝粉末的光致发光(PL)光谱。发现当首次对该器件结构施加正向偏压激发电致发光时,出现一个形成过程。实验发现与电致发光形成过程相对应的转变电压可能同有机薄膜的品质及电极蒸发条件有关。  
        关键词：有机电致发光;8-羟基喹啉铝;薄膜   
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        更新时间：2020-08-11
      • 曾海燕, 杨燕生, 黄世华
        1995, 16(4): 354-361.
        摘要：通过分析邻菲绕啉与Tb(Ⅱ)、Eu(Ⅱ)水杨酸二元、三元配合物的多种谱留数据、证实由于邻菲绕啉的最低三重态与Tb(Ⅱ)、Eu(Ⅱ)离子的第一激发态能级差的不同,使得邻菲绕啉够增强Eu(Ⅱ)离子的水杨酸二元配合物的荧光强度而减弱Tb(Ⅱ)离子的水杨酸二元配合物的荧光强度。  
        关键词：邻菲绕啉;水杨酸;铽;铕;荧光   
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        更新时间：2020-08-11
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