最新刊期
      1994年第15卷第3期

        发光的一般问题

      • 常压MOCVD法生长的p型ZnSe及其光电特性

        吕有明, 杨宝均, 张吉英, 关郑平, 陈连春, 孙甲明, 申德振, 范希武
        1994, 15(3): 180-184.
        摘要：本文通过常压MOCVD方法,利用NH3气作为受主掺杂源,在(100)方向的GaAs衬底上生长了ZnSe:N膜。通过测量77K温度下光致发光光谱。观测到了由于掺氮引起的自由到束缚发射(FA)和深中心复合(SA).在低掺杂浓度下FA起主要作用,随着NH3气浓度增加,FA和SA带的强度随之增强,在重掺杂下SA带成为主要,同时带的半宽度展宽。室温下霍尔测量的结果表明。低掺杂浓度下ZnSe:N膜呈高阻态,而在高掺杂浓度下外延膜呈现P型电导,载流子浓度P～1016cm3.利用p-ZnSe/n-GaAs构成异质pn结,观测到了二极管的整流特性,进一步证实p型ZnSe的实现。  
        关键词：MOCVD;p型ZnSe;光致发光;霍尔测量   
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        更新时间：2020-08-11

      • MOCVD系统外延生长Ⅲ－Ⅴ族化合物时Ⅴ/Ⅲ比的计算偏差

        傅竹西, 林碧霞
        1994, 15(3): 185-189.
        摘要：本文分析了在生长Ⅲ-Ⅴ族半导体时MOCVD系统中反应气体的输运过程,认为进入反应室的Ⅲ族元素有机金属反应气体的数量是与MOCVD管道系统的结构以及反应气体的扩散系数有关的,并从理论上导出了计算公式。由于MOCVD系统中Ⅲ族元素反应气体的输运特点,实际的Ⅴ/Ⅲ比通小于根据目前方法所计算出的数值。此结果不仅说明生长时的Ⅴ/Ⅲ比高于固态组份比的一种原因,同时也可以解释为什么在生长同种材料时,不同研究者所报导的Ⅴ/Ⅲ比不同。这一结果有利于找出生长时的Ⅴ/Ⅲ比与固态组份间的确定关系。  
        关键词：MOCVD;外延生长;Ⅴ/Ⅲ比;计算偏差   
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        更新时间：2020-08-11

      • X射线辐照下BaFxCl2－x:Eu2+的热释发光性质

        王永生, 熊光楠, 徐叙瑢, 张光寅
        1994, 15(3): 209-214.
        摘要：本文研究了在不同温度下,经互射线辐照后BaFxCl2－x:Eu2+的热释发光性质。给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系,讨论了两种温度辐照下,BaFxCl2－x:Eu2++(X=0.90,…,1.15)热释发光产生差异的原因。  
        关键词：X射线辐照;热释发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • BaFClxBr1－x:Sm2+中5D2→7F0跃迁几率及其对烧孔效率的影响

        宋宏伟, 张家骅, 黄世华, 虞家琪
        1994, 15(3): 215-220.
        摘要：本文以BaFClxBr1－x:Sm2+中5D2→7F0的跃迁几率随x变化为中心对BaFClxBr1－x:Sm2+体系4f5d带的激发光谱、5D2→7F0跃迁的荧光衰减随温度的变化特性、5D2→7F0的跃迁几率等进行了研究。从而得出结论:在BaFClxBr1－x:Sm2+中,随Br含量的增大,4f5d带与5D2能级更加接近,使7F0→5D2的吸收截面增大,从而可能提高在5D2:能级烧孔的效率。  
        关键词：吸收截面;跃迁几率;烧孔效率   
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        更新时间：2020-08-11

        光致发光

      • MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究

        王小军, 郑联喜, 王启明, 庄婉如, 黄美纯, 郑婉华
        1994, 15(3): 190-200.
        摘要：本文中利用MOCVD方法得到了高质量的InGaAs/GaAs应变层量子阱材料,4.3nm量子阱10KPLFWHM仅为3.49meV.通过对样品荧光谱在变激发强度,变温时的峰位、峰形研究,我们发现,合金组分起伏散射是样品低温荧光谱展宽的主要原因,因而是MOCVD生长中应该首先解决的问题,实验结果还表明,在讨论低温PL谱形时,必需考虑光生载流子由随机起伏势中高能位置向低能位置的迁移过程。  
        关键词：光致荧光谱;应变量子阱;金属有机化学气相淀积   
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        更新时间：2020-08-11

      • BaFCl0.5Br0.5:Sm2+的荧光特性分析

        宋宏伟, 张家骅, 黄世华, 虞家琪
        1994, 15(3): 201-208.
        摘要：本文是对无机光谱烧孔的典型材料BaFCl0.5Br0.5:Sm2+的发光动力学过程进行的探索。通过实验得到了5D2、5D1、5D0→7F0的荧光强度、荧光衰减曲线随温度的变化关系,对5D2→4f5d带的热激活、5DJ间的无辐射弛豫,5DJ→7F0的辐射跃迁等过程进行了分析。  
        关键词：辐射跃迁;无辐射跃迁;热激活   
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        更新时间：2020-08-11

        与发光有关的实验技术

      • 荧光粉相对亮度测量的色修正

        关中素
        1994, 15(3): 221-225.
        摘要：由于很难将光接收器的相对光谱灵敏度S(λ)调到与CIE标准观察者V(λ)完全一致,不同荧光份又具有不同的相对光谱功率分布,因此测量荧光粉的相对亮度与测量其它光度量一样,必须进行色修正。本工作针对实际使用的光接收器和相对光谱功率分布不同的几种荧光粉的相对亮度计算了色修正系数。  
        关键词：荧光粉;相对亮度;色修正系数;相对光谱灵敏度;相对光谱功率分布   
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        更新时间：2020-08-11

      • 用酶联免疫－化学发光法测定ANT的实验研究

        张丽民, 贺广彩, 陈杞, 董长安, 龚贻芬
        1994, 15(3): 253-256.
        摘要：本文报道了酶联免疫-化学发光法测定ANT的实验研究。兔抗ANT抗血清滴度1/500～1/104,ANT检测范围0～10μg/ml.  
        关键词：酶联免疫－化学发光;ANT;TNT   
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        更新时间：2020-08-11

        有机和生物发光

      • 用光伏效应研究有机薄膜电致发光器件中的接触性质

        刘祖刚, 张志林, 沈悦, 赵伟明, 蒋雪茵, 许少鸿
        1994, 15(3): 226-232.
        摘要：首次发现了有机薄膜电致发光器件的光生伏特效应,通过对器件的光电流响应谱的详细研究,分析了不同结构的有机发光器件中的有机半导体之间,以及有机半导体与电极材料之间的半导体接触性质,发现有机发光材料Alq3,有机空穴传输材料daimine与金属铝电极之间形成阻挡接触,是电致发光器件发光和产生光电效应的根本原因,而双层器件中有机层Alq3与diamine之间的结是双层器件产生高发光效率的原因,正是这种结在双层器件中起了局限载流子和激子的作用,使发光亮度大为提高,结合分区掺杂实验结果,给出了较完善的能带模型。  
        关键词：电致发光;有机;薄膜器件;光伏特性;光电流;Schottky结   
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        更新时间：2020-08-11
      • 周庆复, 董晓阳, 周圣泽, 沈淑引, 许慧君
        1994, 15(3): 237-241.
        摘要：本文报道了电子给体二甲氧基蒽(DMA)和电子受体蒽醌(AQ)以双酚A(BA)和对苯二酚(OP)连接起来的双发色团分子的合成和光谱性质研究,并根据光谱数据和荧光光谱,讨论了激发态复合物形成的结构因素和溶剂效应。  
        关键词：二甲氧基蒽;蒽配;分子内激发态复合物;溶剂效应   
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        更新时间：2020-08-11
      • 孙聚堂
        1994, 15(3): 242-248.
        摘要：合成了掺杂三价铽离子的邻苯二甲酸锶发光材料。测定了材料的热稳定性、晶体结构及紫外吸收光谱、激发光谱和发射光谱。研究了晶体中邻苯二甲酸根单线态Sл、л1*、Sn、л1*跃迁吸收和由三线态Tл、л1*、Tn、л1*到铽(Ⅲ)离子5D4能级的能量传递机理。  
        关键词：邻苯二甲酸;锶;铽;发光材料;晶体结构   
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        更新时间：2020-08-11

      • 对碘酚对鲁米诺化学发光增强的试验研究

        杨世杰, 陈光荣, 张伟, 张培因, 孙成文, 陈滴, 麦荫乔, 孙红, 程锦
        1994, 15(3): 249-252.
        摘要：本文报道了由过氧化物酶催化鲁米诺与过氧化氢发光反应的增强发光研究。合成了增强剂对碘酚,并用对碘酚对鲁米诺与过氧化氢发光反应的光增强作用进行了试验,已经证实增强发光反应可将过氧化物酶的最低检测浓度降低到10-12～10-13mol/L水平。  
        关键词：增强发光;鲁米诺;对碘酚   
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        更新时间：2020-08-11

      • 8－羟基喹啉稀土螯合物有机薄膜电致发光研究

        彭俊彪, 孙润光, 马於光, 刘式墉
        1994, 15(3): 263-266.
        摘要：自1989年C.W.Tang的高性能有机电致发光(Electro-luminescence,即EL)器件工作发表以来[1],有机薄膜EL有可能成为一种新型的大面积平板显示器件.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        非线性光学

      • 刘志斌, 张新夷, 田宏健, 许慧君, 周庆复, 艾希成, 张岩, 费浩生
        1994, 15(3): 233-236.
        摘要：利用简并四波混频(DFWM)方法测量二元分子卟啉酞菁的三阶非线性极化系数X(3)值。得到二元分子卟啉酞菁的X(3)值比它们单元分子卟啉、酞菁的X(3)值大,二元分子卟啉酞菁的X(3)值起初是随链长的增加而增加(Xn=3(3) >Xn=2(3)),链长增至n=3时,X(3)值达到最大值。当链长进一步增加时,二元分子卟啉酞菁的(X(3)值反而下降(Xn=3(3)>Xn=4(3) >Xn=5(3))。这同二元分子中卟啉、酞菁分子由柔性链连接有关。本文对结果给出可能的解释。  
        关键词：二元分子卟啉酞菁;三阶光学非线性;简并四波混频   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnSe－ZnS量子阱的光学非线性

        张希清, 范希武, 申德振, 杨爱华, 陈连春, 吕有明, 陈一民
        1994, 15(3): 257-259.
        摘要：半导体量子阱及超晶格材料具有室温激子效应以及强的光学非线性从而得到人们广泛的重视。利用半导体量子阱和超晶格可以制备出高速度、低闭值、小尺寸及室温工作的半导体激光器、光双稳器件等一系列光电子器件.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • C60LB薄膜覆盖离子交换玻璃波导的光功率限制

        郑杰, 李亚军, 孙润光, 梁国栋, 李多禄, 徐迈
        1994, 15(3): 260-262.
        摘要：集成光学光波导是光学非线性相互作用的理想结构,与块状结构相比,波导结构能够把光束限制在微米量级的尺寸范围,形成了光束在光波导中无衍射传播并造成作用在波导媒质上的光功率密度成数量级增长,使非线性相互作用所要求的长相互作用距离和高功率密度二因素得到满足.  
          
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        更新时间：2020-08-11
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