最新刊期
      1993年第14卷第4期

        论文

      • 不同频率声子参与的氟玻璃中Ho3+离子的多声子弛豫

        蒋雪茵, 张志林, 许少鸿
        1993, 14(4): 307-314.
        摘要：测量了掺Ho3+离子的氟玻璃的吸收光谱,激发光谱、发射光谱,10K～660K不同温度下的激发态寿命及氟玻璃的拉曼光谱.根据Judd-ofelt理论计算了辐射跃迁几率,进而计算了不同温度下的无辐射联迁几率.利用Huang-Rhys多声子跃迁理论分析了无辐射跃迁几率与温度的关系.在分析中考虑到不同频率声子的参与,并考虑到黄昆因子,得到与实验很好的符合.由理论和实验的拟合中估计了黄昆因子的大小,讨论了黄昆因子在无辐射跃迁中的作用.  
        关键词：多声子无辐射跃迁;多频模型;黄昆因子   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnSe-ZnS超晶格的通光蚀孔及列阵研究

        张吉英, 孙甲明, 范希武, 姜锦秀, 陈连春
        1993, 14(4): 315-319.
        摘要：用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnSe-ZnS超晶格.用化学腐蚀方法在GaAs衬底上开一个通光窗口,使该窗口上仅剩有1～1.8μm厚的生长层.室温下测量了蚀孔后由于化学腐蚀造成生长层表面差异的ZnSe-ZnS超晶格的吸收光谱.研究了带有生长过渡层和无过渡层的超晶格质量对其吸收光谱性能的影响.发现过渡层的存在保护了超晶格激子吸收性能.在此基础上首次采用新工艺在3×3mm2面积上把GaAs衬底金部腐蚀掉,剩下均匀、光滑的ZnSe-ZnS超晶格层,在其上做出了300×300μm2的列阵,为在ZnSe-ZnS超晶格上实现光学双稳的集成化提供了必要条件.  
        关键词：超晶格;Znse;生长层;GaAs衬底;过渡层;激子吸收;腐蚀坑;吸收光谱;物理研究所   
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        更新时间：2020-08-11

      • 高亮度GaAlAs单异质结红光二极管

        罗宗铁, 何胜夫, 董萍, 李向文, 魏文超, 赵宇
        1993, 14(4): 320-324.
        摘要：本文从工业生产角度对GaAlAs单异质结红光二极管的芯片制作技术作了细致研究.设计出能同时生长多枚外延片的新结构生长舟,选择了合适的管芯参数与生长条件,制定出稳定重复的工艺流程.用本项技术制出的单异质结管芯,发光波长为660nm,平均亮度达到4.5mcd/20mA,最高亮度达6.2mcd.  
        关键词：红光二极管;GaAlAs单异质结   
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        更新时间：2020-08-11

      • 声表面波MIM隧道发光二极管

        蔡益民, 孙承休, 高中林, 俞建华
        1993, 14(4): 325-332.
        摘要：我们在研究MIM隧道发光结(金属-绝缘层-金属)的过程中,首次以表面声波代替表面随机粗糙度的作用,将MIM结制作在声表面波场中,结果使结的发光效率、发光强度、稳定性、均匀性都有改善.本文介绍了结的基本结构,基本工艺,阐明了结的发光机理,讨论了结的Ⅰ-Ⅴ特性曲线和光谱曲线,根据结具有显著的负阻现象,我们设计出了一种新型的开关器件.  
        关键词：MIM隧道结;SPP波;声表面波   
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        更新时间：2020-08-11

      • 煤尘的化学发光

        范立通, 赵春贵
        1993, 14(4): 333-337.
        摘要：在加大氧浓度的环境中测量了三种来自不同矿区煤尘样品的化学发光.结果表明,样品组和对照组之间,以及不同样品组之间(除个别组值外),化学发光的峰值和均值都有显著或非常显著的差异.样品研磨与否和氧浓度的大小对发光有明显影响.本文对煤尘化学发光的机理进行了讨论.  
        关键词：煤尘;化学发光;自由基   
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        更新时间：2020-08-11

      • 掺半导体微晶玻璃的量子限域特性

        费浩生, 张国友, 胡振华, 艾希成, 韩力, 席淑珍, 李磊
        1993, 14(4): 338-342.
        摘要：制备了小于激子玻尔半径的CdSxSe1-x微品玻璃.对线性吸收光谱和饱和吸收的研究表明该材料具有明显的量子限域特性和大的三阶非线性光学效应。  
        关键词：半导体微晶;饱和吸收;非线性光学   
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        更新时间：2020-08-11
      • 孟宪棫, 朱宁, 朱自熙
        1993, 14(4): 343-348.
        摘要：本文首次提出一种制备黄色交流粉末电致发光材料的新方法.在以ZnS为基质的绿色材料的基础上,低温扩散CdS,获得系列黄材料.并测量了晶体结构和发光特性.  
        关键词：磷光体;电致发光;低温扩散   
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        更新时间：2020-08-11

      • GaP纯绿发光二极管的近红外发光研究

        赵家龙, 高瑛, 刘学彦, 苏锡安, 丁祖昌, 毋必先, 张松斌
        1993, 14(4): 349-354.
        摘要：本文测量了GaP纯绿发光二极管在室温和液氮温度下的近红外发光光谱,观测到许多重叠的宽带发光.按高斯线型对光谱进行拟合,将其分解为6个发光谱峰,讨论了这些深能级发光的来源和它们对GaP发光二极管的发光强度的影响.  
        关键词：近红外发光;深能级;发光二极管   
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        更新时间：2020-08-11

      • BiI3层状半导体超微粒子的光学性质

        靳春明, 周方策, 赵家龙, 窦恺, 黄世华, 虞家琪, 张岩, 肖良质
        1993, 14(4): 355-360.
        摘要：本文研究了BiI3半导体溶胶的光学性质.进一步证实,在BiI3胶体样品中,真实的BiI3半导体微晶粒予的吸收被强的I3-离子吸收掩盖了.通过测量激发光谱,确定了BiI3微晶的吸收位置.用光谱数据计算得到的尺寸分布与电镜结果和理论分析符合得很好.得到的结果表明,BiI3胶体中的BiI3微晶与体材料相比。存在着显著的量子尺寸效应.  
        关键词：超微粒子;量子尺寸效应;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 粒径对表面包覆硬脂酸的TiO2超微粒光学性质的影响

        鲍新努, 邹炳锁, 张岩, 肖良质, 李铁津, 赵家龙, 虞家琪, 赖祖猷, 顾世洧
        1993, 14(4): 361-365.
        摘要：制备了一系列表面包覆硬脂酸的TiO2超微粒,发现表面包覆硬脂酸的TiO2超微粒随着超微粒粒径减小,其表观光学带隙(Eg)降低,即吸收光谱带边红移加大.  
        关键词：粒径;表面包覆硬脂酸的TiO2超微粒;表观光学带隙;吸收光谱带边红移   
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        更新时间：2020-08-11

      • 几种荧光素酯的自然水解和脂酶催化水解反应的研究

        刘海新, 邹湘, 王流芳, 李绪渊, 龚国权, 王义琛
        1993, 14(4): 366-371.
        摘要：本文研究了荧光素的发光条件以及浓度、温度、pH对四种荧光素酯(荧光素二乙酸酯、荧光素二丙酸酯、荧光素二丁酸酯、荧光素二己酸酯)水解反应的影响,讨论了在脂酶存在下荧光素酯的分解反应机理,确定了每种荧光素酯的最佳酶反应条件.实验结果表明,脂酶对荧光素二丙酸酯(FDP)的酶反应效率最好,有应用前景.  
        关键词：荧光素;荧光素酯;脂酶;水解反应   
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        更新时间：2020-08-11
      • 王流芳, 龚国权, 李晴宇, 唐慧安, 侯自杰, 吴安心
        1993, 14(4): 372-377.
        摘要：本文新合成了荧光素单磷酸酯,通过元素分析、红外、热谱确定了其结构,探讨了其生成机理,并将其应用到酸性磷酸酯的荧光分析,深入研究了它与酸性磷酸酯酶之间反应的条件、检测此酶的线性范围、检测限和米氏常效.  
        关键词：荧光素单磷酸酯;酶的测定;荧光分析法   
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        更新时间：2020-08-11

      • 血小板对多形核白细胞化学发光的调控作用

        康建, 徐敏, 初俊杰, 滕白勤, 崔秀云
        1993, 14(4): 378-383.
        摘要：血小板与激活的多形核白细胞(PMN)反应释放腺苷酸,后者对PMN化学发光的调控具有浓度依赖性且呈双相效应.低浓度腺苷酸和低比率血小板可促增PMN化学发光,而高浓度则抑制.PMN激活与否影响血小板释放功能.  
        关键词：多形核白细胞;血小板;活性氧;化学发光;呼吸爆发   
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        更新时间：2020-08-11

        简报

      • GaAs脊型波导Mach-Zehnder干涉调制器

        王立军, 武胜利, R. P. Salathe
        1993, 14(4): 384-386.
        摘要：半导体电光波导调制器是半导体集成光学中具有代表性的器件之一,在光纤通讯、光信息处理等方面有着广阔的应用前景。它能和半导体激光器、探测器、电子线路等各种光、电元件实现单片集成,使设备和系统减少接口,缩小体积,提高可靠性。随着光通讯的发展,半导体调制器件的研究也越来越受到重视,在理论分析、结构设计、材料研制和器件工艺技术等方面也都取得了很大进展。由于GaAs材料具有良好的电、光性能,首先被用于制作GaAs光波导Mach-Zehnder干涉调制器中。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响

        刘宝林, 杨树人, 陈佰军, 王本忠, 刘式墉
        1993, 14(4): 387-390.
        摘要：众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm[1],而InGaAs/InP量子阱激光器又可以实现1.1～1.8μm内任意波长发射[2],并且,InGaAs/InP探测器的响应波长范围为0.93μm～1.65μm[3],因此,它不论对高速电子器件如HBT和HEMT,还是光电子器件如激光器(LD)和探测器(PIN和APD)都具有极重要的意义。  
          
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        更新时间：2020-08-11
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