最新刊期
      1990年第11卷第4期

        发光的一般问题

      • OMVPE硒化锌薄膜的生长与激光特性

        杨宝均, 田华
        1990, 11(4): 239-248.
        摘要：本文叙述了在GaAs衬底上用有机金属气相外延(OMVPE)法生长单晶ZnSe薄膜的方法。研究了生长温度,硒锌比对外延膜光电性能的影响。发现生长温度在285℃可以得到表面光亮、结晶性好、低阻、高迁移率、深中心浓度低的外延层。以光泵浦作激发研究了OMVPE ZnSe薄膜的受激发射性质并测量其光学增益。利用ZnSe/GaAs的自然解理面形成的光反馈腔制成了激光器。该激光器的工作温度可以延续到150K。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 高密度激发下CdS单晶的自由激子发光

        吕有明, 范希武
        1990, 11(4): 255-263.
        摘要：本文首次在77K温度的电致发光光谱上,观测到了自由激子和自由激子(Ex-Ex)散射的发射带P。根据半经典理论,得到CdS单晶在高激发密度下的激子有效温度高于晶格温度。并且在77K温度下,通过氮分子激光器3371Å谱线的激发,观察到了Ex-Ex散射的P带的受激发射现象。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 正硅酸锌中能量传递的激子机理

        В. А. Круг, Е. Г. Морозов, А. Т. Мерзляков
        1990, 11(4): 264-269.
        摘要：在α型正硅酸锌中,用接近吸收边(Eg～5.5eV)的光能激发,发现了激子能量传递到发光中心的某些特征。在一个弛豫状态上,激子扩散的激活能估计为0.075eV,激子在自局域化前通过的扩散体积为0.5×10-19cm-3。实验确定的磷光体中能量传递的参数可实用于选择最佳颗粒尺寸分布。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • BaMgF4中Gd3+的光谱以及Gd3+和Tb3+离子之间的能量传递

        刘行仁, 石士考, 吴渊
        1990, 11(4): 277-285.
        摘要：本文在室温下研究了BaMgF4氟化物中Gd3+和Tb3+离子的荧光光谱以及它们之间的能量传递。在BaMgF4中Gd3+可以直接将激发能传递给Tb3+离子:在Tb3+(4f75d)-Gd3+(4f)-Tb3+(4f8)能量输运过程中,Gd3+离子可起中间体作用。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • LaOX:Ho3+体系的荧光光谱及其配位场解析

        杨频, 李思殿, 王越奎
        1990, 11(4): 286-294.
        摘要：合成了LaOX:Ho3+磷光体(X-=Cl-,Br-),测定了该体系在室温和液氮温度下的荧光光谱;基于双层点电荷配位场模型,计算了Ho3+离子在LaOX系列基质中的配位场微扰能级,给出其荧光光谱的理论归属;这套能级与实测光谱吻合较好,并对5I8→5G6超灵敏跃迁激发带的“鞍形”结构、5I8→5G6及(5S2,5F4)→5I8跃迁峰的温度效应提出合理解释。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 关于ZnSe—ZnS应变超晶格P型导电机理的探讨

        江风益, 范希武, 杨爱华, 范广涵
        1990, 11(4): 295-299.
        摘要：本文利用变温Hall测量,证实了我们用MOCVD法生长的No.87—39A ZnSe-ZnS应变超品格(SLS)具有P型导电特性。文中试图从应变超晶格的临界厚度,电学参数、能带结构等方面解释ZnSe-ZnS SLS反型的原因。文中指出,这时的受主能级可能处于ZnS层靠近界面附近,这些受主能级的位置比ZnSc阱中满带顶能量低。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • 周连祥, 张奇
        1990, 11(4): 249-254.
        摘要：实验结果表明,不同形成电压的样品的起始亮度和工作寿命按高低的排列顺序随工作电压的增加表现出有规律的变化。还发现形成电压不问的DCEL器件在AC条件下的发光特性随工作电压的提高逐渐趋向一致,形成电压的影响逐渐消失。这一现象被解释为是由于在AC条件下也存在类似于在直流(DC)条件下的形成过程,即Cu+迁移过程。老化过程也是形成过程的继续。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 高功率单模GaAlAs/GaAs激光器

        李玉东, 李玉德, 苏士昌, 刘式墉, 高鼎三
        1990, 11(4): 314-318.
        摘要：本文报告了隐埋双脊衬底大光腔结构GaAlAs/GaAs激光器的制备和特性,获得CW光输出的最高功率可达80mW。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 两种非晶碳化硅薄膜发光二极管

        陈治明, 孙国胜, 高勇
        1990, 11(4): 319-326.
        摘要：利用硅烷与甲烷的混合气在射频电场下的等离子体反应,淀积不同导电类型的非晶碳化硅薄膜,制成了p-i-n结注入型和均匀材料的碰撞电离型两种大面积发光二极管。本文报导这两种非晶发光器件的结构设计及光谱特性,并对器件的发光机现进行了讨论。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        光致发光及阴极射线发光

      • 掺钛宝石的光谱研究

        张秀荣, 柴跃, 祁长鸿
        1990, 11(4): 270-276.
        摘要：用IFUS(Induction Field Up-shift Method)方法生长了浓度高,光学质量好的Ti:Al2O3单晶,通过测量Ti3+离子的吸收,激发,荧光光谱以及荧光寿命,分析研究了Ti:Al2O3单晶的发光特性和发光谱随温度的变化,(τFluo=3.1μs,300K;β=[Ti3+]/[Ti]=0.999,αm/αr=380,α488nm=9.5cm-1。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Ca5(PO4)3F:Ce,Mn荧光粉的老化性能研究

        周济, 唐明道, 罗晞
        1990, 11(4): 306-313.
        摘要：通过对一系列Ca5(PO4)3F:Ce和Ca5(PO4)3F:Ce,Mn(以下简称FAP:Ce和FAP:Ce,Mn)样品在荧光灯中和在强紫外光(185nm+254nm)辐照下,发光效率衰减规律及样品漫反射光谱的变化的研究,并与普通卤粉((F,Cl)AP:Sb,Mn)进行对比,发现了该材料的老化速率与样品组分的关系,即随着材料中Ce浓度的增大和氧空位的增多,老化速率变快。并根据Ryan老化理论,对材料老化的物理机制进行了初步的推测。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        有机及生物发光

      • 胡继明, 陈观铨, 曾云鹗
        1990, 11(4): 300-305.
        摘要：本文以Nd:YAG泵浦的染料激光器为激发光源,门控光学多道分析仪为检测器,自制的触发器和荧光盒组装成一台激光诱导时间分辨光谱装置。采用此装置研究了在表面活性剂Triton X-100存在下铕、钐-二苯甲酰甲烷-三正辛基氧化膦(Eu、Sm-DBM-TOPO)体系的激光诱导发光光谱特性和荧光衰减动力学特性。讨论了荧光发射过程中的能量传递机制。拟定出测定痕有铕和钐的时间分辨光谱方法,用于高纯稀土氧化物等样品中痕量铕和钐的测定,结果满意。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 碘掺杂聚对苯撑的EPR和σdc

        王刘坤, 金长清, 王敬伯
        1990, 11(4): 327-334.
        摘要：本文对聚对苯撑及其掺碘的样品进行了电子顺磁共振和直流电导率的研究,并分别给出了σdc和EPR谱室温线宽ΔHpp对碘浓度N(I)的变化关系。由于掺杂而诱导的单极化子和双极化子态之间产生极化子跃迁,利用这种跃迁过程解释了此材料的导电性质。从电子顺磁共振的实验结果发现,电子顺磁共振信号与掺碘浓度呈现一种新的现象。试图探讨未掺杂及掺杂的聚对苯撑材料中自旋产生的原因。我们提出了在掺碘后的聚对苯撑材料中,由于碘在材料中以不同形式存在,影响单极化子和双极化子的形成,导致单极化子态和双极化子态之间相互转化的概念。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 异丙醇-ClO--H2O2化学发光新体系研究

        吕小虎, 陆明刚
        1990, 11(4): 335-338.
        摘要：本文首次报道异丙醇-ClO--H2O2新体系的化学发光,对影响该化学发光反应的因素进行了研究,并探讨了该发光新体系的分析应用和反应机理。  
          
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        更新时间：2020-08-11
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