最新刊期
      1990年第11卷第3期

        发光的一般问题

      • 粉末LaOCl:Eu3+的5D1能级的无辐射跃迁几率

        蒋雪茵, 张志林, 许少鸿
        1990, 11(3): 161-166.
        摘要：本文使用多次漫反射法测得粉末LaOCl:Eu的漫反射吸收谱,结合所测的LaOCl:Eu的激发光谱,直接得出5D1能级的无辐射量子效率,再由所测5D1能级寿命得出它的无辐射跃迁几率。另一方面,使用Ω参数法,即利用Ω参数计算5D1的辐射跃迁几率,然后由所测寿命值计算出无辐射跃迁几率,来验证第一种方法所得结果。两者结果接近,表明前一种方法是简便可行的。  
          
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        更新时间：2020-08-11
      • A. T. Merzlyakov, L. A. Benderski, E. G. Morozov, V. V. Gavrilov
        1990, 11(3): 167-173.
        摘要：For the wide class of phosphors doped with rare earth elements such as Sr3(PO4)2:Eu, BaFCl:Eu, Ba3(PO4)2:Eu, YVO4:Eu, Y3Al54O12:Ce, YPO4:Tb and Y2SiO5:Ce, thermal and optical ionization energies of the trapping centers were determined. It was shown that the difference in optical and thermal energy depth of traps exceeded significantly that in ZnS and might serve as a characteristic of the ionic coupling degree of a compound.For most trapping centers the photothermal mechanism of charge release by optical stimulation was revealed.Complex investigations of Sr3(PO4)2:Eu, Ba3(PO4)2:Eu and Y2SiO5:Ce luminescent properties allowed to reveal that exciton origin of UV-emission detected in these phosphors.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Znse—ZnS应变超晶格的吸收光谱及子能带的计算

        江风益, 范希武, 范广涵
        1990, 11(3): 174-180.
        摘要：我们首次观测到ZnSe—ZnS应变超晶格的n=1,n=2两个子能带的重、轻空穴激子的吸收光谱。根据LCAO理论、应变感应能带结构理论与Kronig-Penney模型,首次计算了ZnSe—ZnS应变超晶格势阱中重、轻空穴子能带。计算结果由实验所测量的吸收光谱所验证。文中指出,这一计算方法同样适用于其它半导体超晶格。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • VPE生长CdS外延膜的光学性质与光学双稳态

        杨宝均, 王寿寅, 李维志, 范希武
        1990, 11(3): 181-185.
        摘要：本文报导了在透明的CaF2衬底上采用气相外延(VPE)方法生长的高质量CdS薄膜。通过对其发射和吸收光谱以及光双稳特性的研究,表明这种外延膜的性质与体单晶相似。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • VPE ZnSxSe1-x外延膜的生长及其光致发光

        张家骅, 范希武
        1990, 11(3): 186-191.
        摘要：本文用气相外延(VPE)法在(100)GaAs衬底上生长了ZnSxSe1-x外延膜,并通过改变ZnS源温度和衬底温度使组分x值控制在0—1范围内。外延膜在77K时的光致发光(PL)光谱的近带边发射峰很强,半高宽较窄,这表明VPE ZnSxSe1-x外延膜的质量较高。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • GaAs0.6P0.4:Te深中心的电声耦合与晶格弛豫

        林东海, 周必忠, 黄景昭, 陈世帛
        1990, 11(3): 205-211.
        摘要：用DLTS技术结合光电容定态谱、瞬态谱、OITS谱研究了GaAs0.6P0.4:Te深中心的光电性质和电声耦合作用,在GaAs0.6P0.4:Te中检测到两种深中心(A和B中心),表观热激活能分别为0.20和0.40eV,光离化阀值分别为0.60和1.31eV。详细研究了B中心的特性,测量了光离化截面谱的温度关系,发现有明显的声于展宽现象和晶格弛豫效应,并在低温(90K)观察到B中心的持续光电导效应。描绘出位形坐标图,说明了实验结果,较好地描述了B中心的特性,确认B中心属于DX中心。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        有机及生物发光

      • 三苯甲烷染料的表面发光

        孟绍贤, K. B. Eisenthal
        1990, 11(3): 192-198.
        摘要：用同步泵浦染料激光器与时间相关单光于计数技术相结合,测量了孔雀绿和结晶紫水溶液的表面发光。在激发波长为608nm时,除了观测到304nm二次谐波外,还观测到了由双光于吸收所产生的荧光。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 高分子添加剂对激光染料荧光的增强效应

        李银妹, 楼立人, 高成岳, 汪月生, 俞超
        1990, 11(3): 199-204.
        摘要：本文研究以水作溶剂的Rh-6G激光染料中加入高分子添加剂——聚乙二醇(分子量为6000)引起的染料荧光的增强效应。通过荧光光谱,吸收光谱与染料浓度,添加剂含量的关系的实验研究,定量地给出了不同添加剂量对荧光的增强作用。表明了荧光增强效应的机理主要是添加剂抑制了二聚物的形成。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • 1.55μm单模激光管的研究

        逄永秀, 府治平, 姚文兰, 奚榕, 龚连根, 黄伟东, 王志忠
        1990, 11(3): 212-217.
        摘要：本文叙述了用液相外延法制得的1.55μm脊波导激光二极管。室温阈值电流100mA,单模线性输出5mW,光谱线宽小于2?,脉冲响应上升时间约为100ps。分析了影响阈值电流的诸因素,如有源层厚度d和掺杂水平等。也讨论了LD的输出模式与器件结构的关系。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • DH激光器的电荷存储效应

        孟耀勇, 张月清, 武胜利
        1990, 11(3): 218-223.
        摘要：在钟形双脉冲激励下,观察了DH激光器的电荷存储效应。用正弦正半周模型描写钟形脉冲,计算了后一个脉冲的阈值电流随脉冲间隔的变化关系。计算结果同实验结果符合得很好。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • In1-xGaxAsyP1-y/InP异质界面晶格失配对外延晶体质量的影响

        刘益春, 张月清, 高瑛, 刘学彦
        1990, 11(3): 224-228.
        摘要：用X-射线双晶衍射,双晶形貌术和光致发光方法综合研究了In1-xGaxAsyP1-y/InP异质界面晶格失配对LPE晶体质量的影响。实验表明,异质界面晶格失配是导致外延层中位错和缺陷增多,杂质凝聚和辐射复合深中心增多的重要因素。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        半导体发光、激光和光电性质

      • 退火处理对SnO2薄膜光致发光性质的影响

        王万录, 廖克俊, 王宏
        1990, 11(3): 229-233.
        摘要：实验研究表明,SnO2薄膜经过退火处理后其光致发光谱有明显的变化。在氧和氮两种不同气氛中进行热处理,其变化也有差异。这种变化主要是由于SnO2膜中氧空位和自由载流于浓度变化所致。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        其它

      • 真空蒸发CdSe1-xTex薄膜的光电导特性

        王庆荣, 具昌南, 吴乐琦
        1990, 11(3): 234-328.
        摘要：本文采用CdSe和CdTe混合物作为真空蒸发源材料,制备了CdSe1-x、Tex(0<X<0.3)光电导薄膜,并在氩气氛中热处理。研究了这种薄膜的结构,光敏性与材料组分及热处理的关系。  
          
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        更新时间：2020-08-11
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