最新刊期
      1990年第11卷第2期

        与发光有关的实验技术

      • 一种测量物质折射率的新方法—Eu3+离子发射光谱法

        蒋雪茵, 张志林, 许少鸿
        1990, 11(2): 79-83.
        摘要：本文提出一种利用Eu3+离子发射光谱来测定物质析射率的方法,使可测对象不仅限于晶体和玻璃,而且扩展到粉末样品.用此方法检验几种已知析射率的材料,都得到较好的符合.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 固体材料中稀土离子荧光寿命的研究

        汤又文, 于英宁, 侯耀武, 王文韵
        1990, 11(2): 137-141.
        摘要：本文用激光激发和荧光探测技术测定了Eu2+、Eu3+、Ce3+、Dy3+、Nd3+和Tb3+离子在一些发光材料和激光晶体等固体中的荧光寿命,其寿命值从几十纳秒到几毫秒.为此对寿命测量技术进行了探讨以适应如此宽广的时间范围.从测得的寿命数据解释了材料内激活离子的性质和相互作用.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        非线性光学

      • 掺半导体玻璃波导的导波功率限制

        徐迈, 李燕, 马长虹, 安宁
        1990, 11(2): 84-89.
        摘要：首次利用阳极氧化法在掺半导体玻璃上制备了两端带有抛物耦合喇叭的4微米条宽沟道波导,用光栅耦合器将波长0.532微米的YAG倍频激光耦合进波导中,实现了输出光的功率限制.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 利用掺镁铌酸锂条形光波导中的二次谐波产生445nm的激光

        李振民, 于荣金, 张自芬
        1990, 11(2): 158-159.
        摘要：由于光盘、显示技术等各种应用的需要,可见光波段的半导体激光器成为一个重要研究课题.但目前要直接做成短波长的可见光半导体激光器,还有很大困难;而利用非线性光波导器件,却可获得短波段的激光,并满足小型、高功率密度的要求.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        发光的一般问题

      • 真空热处理对VPE ZnSxSe1-x外延膜发光的影响

        张家骅, 范希武
        1990, 11(2): 90-95.
        摘要：本文测量了经真空热处理的VPE ZnSxSe1-x(X=0.055,0.22)外延膜液氮温度下的光致发光(PL)光谱,观察到一个新的蓝色发光带,并把这一谱带归结为导带中自由电子与束缚在深受主中心上空穴的复合.实验表明,深受主中心是在真空热处理时形成,并与真空热处理时在外延层中产生的Zn空位有关.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 高掺杂Ce3+,Tb3+在正硼酸盐中的发光特性及能量传递

        赵福潭, 邓振波, 曹丽芸, 徐叙瑢
        1990, 11(2): 96-103.
        摘要：本文利用纳秒技术和一般光谱学技术系统地研究了Ce3+,Tb3+离子在LnBO3(Ln=La,Gd和Y)中的发光特性和能量传递机制.发现在La1-xCexBO3中Ce3+离子的浓度在0.1mol以上才出现明显的浓度猝灭.故对敏化剂Ce3+可以高浓度掺杂.本文对高掺杂下材料的发光特性,Ce3+到Tb3+能量传递的规律和机制进行了系统研究.给出了在正硼酸盐中绿色发光材料的最佳配比.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 掺铬硼酸钇铝[Cr3+:YAl3(BO3)4]晶体的常温光谱研究

        陈继明, 罗遵度, 江爱栋
        1990, 11(2): 104-108.
        摘要：本文报道了Cr3+:YAl3(BO3)4(Cr3+:YAB)晶体的常温吸收光谱,荧光光谱和荧光寿命的研究.对其能级、晶场强度参数Dq和拉卡参数做了近似计算,并估算了与激光性能关系密切的光谱学参数.指出它做为声子终端激光晶体材料具有一定的应用前景.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 各向异性表面光学的格林函数公式及其应用

        王寅平, 庄述鹿
        1990, 11(2): 109-116.
        摘要：本文通过对麦克思韦方程组的变换和反演得到各向异性介质的表面光学格林函数.用它计算辐射场可以直接得到s和p偏振波的表示式,因而在计算界面效应时可以自然地引入菲涅耳系数.作为应用,本文计算了当存在界面和薄膜时极化所产生的辐射场.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Cr3+:GGG(Ca,Mg,Zr)和Nd3+,Cr3+:GGG(Ca,Mg,Zr)激光晶体的光谱特性

        汤晓, 邱元武, 朱小维, 吴天刚, 应质峰
        1990, 11(2): 117-121.
        摘要：本文分析了Cr3+:GGG(Ca,Mg,Zr)的荧光谱和吸收谱,测算到Cr3+离子在4T2g-2Eg的能级间距为ΔE≈70cm-1,晶场强度Dq/B=2.50.说明由于GGGa(Ca,Mg,Zr)晶格扩大减弱了晶场,可望实现Cr3+:GGG(Ca,Mg,Zr)室温下的调谐及Nd3+:Cr3+:GGG(Ca,Mg,Zr)中Cr3+→Nd3+能量的转移.最后从理论上阐明了Cr3+在晶体GGG(Ca,Mg,Zr)中的能级结构.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Sr9Ca(PO4)6Cl2:Eu2+晶体中的两种发光中心

        王彦吉, 赵纬, 苏勉曾, 宋增福
        1990, 11(2): 122-125.
        摘要：Sr9Ca(PO4)6Cl2:Eu2+是一种性能良好效率较高的发光材料.作者合成并生长了Sr9Ca(PO4)6Cl:Eu2+的单晶体.从晶体的结构测定和光谱学研究,确证了晶体中存在有两种发光中心,即Eu(Ⅰ)中心和Eu(Ⅱ)中心.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • 窄台衬底内条形半导体激光器

        张晓波, 邹峥, 杜国同, 高鼎三
        1990, 11(2): 126-131.
        摘要：研制了一种新型结构双异质结半导体激光器,这种激光器是利用非平面衬底液相外延的特点,使电流阻挡层和四层双异质结构在腐蚀成窄台的衬底上一次外延完成生长,内条形电流通路在外延生长中自然形成.工艺特别简单,且具有良好线性输出和稳定基横模式振荡等特点.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 1.55μm InGaAsP/InP LED的研究

        逄永秀, 龚连根, 府治平, 黄伟东, 姚文兰, 奚榕, 王志忠
        1990, 11(2): 132-136.
        摘要：本文报导了1.55μm InGaAsP/InP LED的制造工艺和性能测量.在100mA正向电流下,LED与多模光纤和单模光纤耦合后的出纤功率分别为20～30μW和2—4μW.讨论了获得准确p-n结位置的方法.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        有机及生物发光

      • 韩士田, 刘彦钦, 谢虹, 郭础
        1990, 11(2): 142-148.
        摘要：本文报导共价链相连的X-P-Y“三合板”型化合物在二甲基甲酰胺(DMF)和苯溶液中的发光特性.结果发现:引入取代基X=Cl—,CH3O—和Y=苯、硝基苯对中心卟啉的吸收和荧光光谱均无明显影响,仅其峰值频率将因溶剂不同而有所偏移.此外,由Cl—取代的卟啉—苯的荧光强度总比CH3O—取代时高;若将Y取代基由苯改换为硝基苯时,将使CH3O—P—Y化合物的荧光增强,但在Cl—P—Y化合物中则出现相反的趋势.不论在何种化合物中,在Y取代基中的苯环上引入NO2—基后,均可使其消光系数减小,而且当硝基在邻位取代时,这一效应更为显著.所有这些变化规律均不因溶剂不同而异.如果我们认为X—P—Y化合物的发光强度变化和其中心的卟啉大环上的π电子云密度偏移有规律性的关联,那么上述的一些取代基效应是可以理解的.进而,我们认为:本文所报导的事实将有助于充实巧妙设计高效利用太阳能的分子体系的科学依据.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 叶绿素C的光学性质

        孟继武, 侯尚公, 杨军, 曹锦荣
        1990, 11(2): 149-157.
        摘要：本文采用Hückel分子轨道(HMO)近似方法,定量计算了叶绿素C(Chlc)分子的能级、π-键级及π-电荷密度.分析了Chlc的电子光谱及Chlc与氧之间的敏化荧光.  
          
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        更新时间：2020-08-11
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