最新刊期
      1989年第10卷第2期

        发光的一般问题

      • 三价铈离子5d态的晶场参数和能级位移

        张思远, 任金生, 毕宪章
        1989, 10(2): 101-105.
        摘要：本文计算了LaF3,LuF3,CaF2,SrF2和BaF2中Ce3+离子5d态的晶场参数,计算结果和实验符合很好,同时讨论了5d态能级中心在晶体中的下降原因。  
          
        162
        |
        67
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1563316 false
        更新时间：2020-08-11

      • 准零维CdSxSe1-x微晶材料的光学性质

        孙云峰, 周方策, 靳春明, 潘金声, 虞家琪
        1989, 10(2): 106-109.
        摘要：通过玻璃基体中CdSxSc1-x微晶的光谱测量,看到了CdSxSe1-x微晶的带隙随尺寸变小而变宽,表现出明显的量子尺寸效应。同时,详细观测了玻璃基体对微晶的压力影响,结果表明这种材料中的压力是不可忽略的。  
          
        115
        |
        39
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1562921 false
        更新时间：2020-08-11

      • Bi3+和Eu3+在Ca2SiO4中的发光和能量传递

        李彬, 田一光, 白玉白, 周映雪
        1989, 10(2): 110-116.
        摘要：用高温固态反应合成了Ca2SiO4:Bi3+,Ca2SiO4:Eu3+和Ca2SiO4:Eu3+,Bi3+发光体。讨论了不同掺杂量和掺杂种类时Bi3+对Eu3+的5D0-7F1,5D0-7F2发射的影响规律。实验发现,Ca2SiO4:Bi3+在紫外线激发下发出明亮的蓝色光,Ca2SiO4:Eu3+,Bi3+中的Bi3+能将激发能传递给Eu3+,使Eu3+的5D0-7F1和5D0-7F2两种跃迁都大大加强,同时,Bi3+也发出鲜艳的紫色光。  
          
        99
        |
        49
        |
        9
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1562912 false
        更新时间：2020-08-11

      • 高密度激发下ZnTe晶体中与自由激子有关的发射

        郑著宏, 范希武
        1989, 10(2): 117-122.
        摘要：在77—300K温度范围内,用N2分子激光器的3371Å谱线激发未故意掺杂的p型ZnTe晶体,得到了与自由激子有关的发射。发现随着激发密度的增加,其发光光谱的峰值位置红移而谱带的半宽度展宽,这些结果可以用Ex—e和Ex—Ex的相互作用来解释。  
          
        106
        |
        45
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1562885 false
        更新时间：2020-08-11

      • Y3Ga5O12:Cr3+激光晶体的发光特性

        文根旺, 刘颂豪
        1989, 10(2): 123-129.
        摘要：在10K—300K温度范围内测量了Cr3+:Y3Ga5O12晶体对应于2E→4A2与4T2→4A2跃迁谱峰的荧光寿命。得出2E、2T1与4T2态的辐射寿命分别为965.8μs、130.7μs与88.6μs。理论拟合的标准相对误差为2.85%。分析了荧光的热猝灭机理,导出了荧光寿命和辐射量子效率的温度依赖关系。  
          
        107
        |
        56
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1563304 false
        更新时间：2020-08-11

      • GaAs/AlGaAs异质结的界面束缚二维激子效应

        袁祐荣, 周济, 曹望和, 冯禹臣
        1989, 10(2): 130-139.
        摘要：本文讨论了GaAs/AlGaAs异质结界面的H线发光及其性能。用双晶X射线衍射及皮秒光致发光证明了H线与界面质量密切相关,并且有相似于激子跃迁的寿命行为。用限制于异质结界面势阱的二维电子(或空穴)与分布于GaAs边的三维空穴(或电子)组成的二维激子效应,解释了H线的实验结果。并讨论了不同外延生长的异质结与界面有关的发光行为。  
          
        107
        |
        112
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1562891 false
        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • ZnS:Ho3+和ZnS:HoF3交流电致发光薄膜发光特性的研究

        宋航, 李长华, 钟国柱
        1989, 10(2): 140-146.
        摘要：利用高真空条件,分舟蒸发制备ZnS:Ho3+和ZnS:HoF3绿色交流电致发光薄膜屏。讨论了ZnS:Ho3+及ZnS:HoF3薄膜的发光特性和光谱差异。确定其激发机理为热电子直接碰撞激发,以及660nm的发射在低浓度下来自于5F3→5I7的跃迁。并认为在两种材料中,由于热电子在外电场中的加速过程中受到不同散射中心的散射,改变了热电子的统计分布,从而直接引起两种材料发射光谱的明显差异。  
          
        105
        |
        39
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1563310 false
        更新时间：2020-08-11

      • 同质白色ACEL粉末材料的研究

        孙焕英, 刘彤宇
        1989, 10(2): 147-151.
        摘要：本文利用在ZnS中同时掺入Cu:Mn=0.25的激活剂,从而制得同质发白光的ACEL粉。其CIE坐标为x=0.343,y=0.385。  
          
        112
        |
        54
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1563291 false
        更新时间：2020-08-11

      • CaS:Ce和ZnS:Mn, Cu粉末DCEL包铜化学反应过程

        金弼, 罗晞, 崔国军, 雷力
        1989, 10(2): 152-161.
        摘要：本文研究了CaS:Ce和ZnS:Mn,Cu粉末DCEL材料的包铜化学反应过程,发现了一些包铜量随包铜温度、包铜时间、铜盐浓度等因素的变化规律和电导率随包铜量的变化规律,并对这些规律进行了探讨,同时根据一些补助实验和化学的反应基本原理提出了包铜化学反应过程的初步模型。  
          
        94
        |
        42
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1563296 false
        更新时间：2020-08-11

        其它

      • 电子束管中的涂屏技术

        小泽隆二, 徐叙瑢
        1989, 10(2): 162-169.
        摘要：在用PVA-发光粉泥浆技术涂制电视显象管的发光屏中PVA(AD)树脂的光反应是将发光粉粘结在底板上的关键环节。包有树脂的这些颗粒组成有最佳颗粒层数的发光屏(例如,1.4层)。在发光颗粒表面散射的紫外光只有当PVA-发光粉泥浆的pH值被调到7附近时才可能到达发光颗粒层的底面。在底板上被散射紫外光的强度决定于颗粒的光学不均匀性,而这个不规则性对球形颗粒是最大。紫外光的强度及其光程断面和高质量的发光粉是制备优良发光屏的保证。  
          
        121
        |
        109
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1562907 false
        更新时间：2020-08-11

        论文

      • Ce3+—高分子络合物发光的激发过程

        李文连, 三岛隆之, 足立吟也, 塩川二朗
        1989, 10(2): 170-175.
        摘要：本文研究了Ce3+-PMMA及Ce3+—PMA18·C·6两个高分子络合物发光材料的荧光激发过程以及激发过程与高分子结构的关系。通过荧光寿命、荧光光谱以及时间分辨光谱分析表明,在Ce3+—PMMA络合物体系中,Ce3+的荧光发射主要是来自高分子配体的能量传递,而对于Ce3+—PMA18·C·6粉末络合物体系,Ce3+发光的能量主要是来自入射光的直接激发。文章对上述两个稀土高分子络合物的激发机制的差异也做了较为详细地描述。  
          
        102
        |
        61
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1562899 false
        更新时间：2020-08-11
      0