最新刊期
      1989年第10卷第1期

        光致发光及阴极射线发光

      • 氢化非晶碳薄膜的光致发光线型及其激发能量依赖关系

        阎珂柱, 方容川, 王和照
        1989, 10(1): 1-5.
        摘要：本文报道了氢化非晶碳薄膜在2.9-4.5eV光激发下的发光谱。它的光致发光谱是无结构的不对称宽带,半宽度约为0.8eV。在低于3.56eV的光激发下,谱带的峰值能量随激发能量的降低明显红移。在安德森带结构和指数分布的带尾态密度的基础上,考虑了尾态中粒子的两种跃迁过程,实验的PL谱就可得到解释。并用这个简单模型计算了这种材料的光致发光谱特征。  
          
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        更新时间：2020-08-11
      • 肖志国, 唐明道, 邓振波
        1989, 10(1): 37-45.
        摘要：本文报道了首次合成的稀土离子激活的BaMg2Si2O7:Eu3+和BaMg2Si2O7:Tb3+光致发光材料,通过正交设计实验,确定了基质的最佳配比、烧结温度,探讨了影响材料发射强度的一些因素,测定了两种材料的发射光谱和激发光谱,对其发光性能也进行了分析和研究。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        发光的一般问题

      • 钡钇氟化物中Eu2+离子的激发光谱和发射光谱

        刘行仁, 吴渊
        1989, 10(1): 6-10.
        摘要：在298和77K下分别研究BaYF5(BaF2·YF3)中Eu2+的激发和发射光谱。Eu2+的发射光谱中,除了一个属5d-4f跃迁的宽发射带外,还有一组6PJ→8S7/2的4f-4f跃迁窄谱线发射。它们的发射强度与Eu2+的浓度和温度有关。由於Eu2+从4f7基态跃迁到4f65d1态产生两个宽的激发带,4f65d(eg)和4f65d(t2g)。实验证实,Eu2+的6PJ→8S7/2的窄谱线发射主要来自高能级的t2g激发能弛豫的结果。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 在ZnSxSe1-x单晶中本征缺陷的研究

        黄锡珉
        1989, 10(1): 11-16.
        摘要：本文用气相法生长ZnSxSe1-x(x=0.03)单晶,解理得到(110)面晶片。在组分分压(Zn或S/Se或Se)下300-800℃范围内进行热处理,在4.2K激子发射光谱中观察到与VZn(Zn空位)有关的I1deep谱线强度的变化。当热处理温度低于300℃时,未观察到I1deep谱线强度的变化。在300℃以上热处理样品中均观察到I1deep谱线强度的变化。由此研究了VZn浓度随热处理条件的变化。提供了分别控制本征VZn缺陷和掺杂的实验依据。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心发射的影响

        彭星国, 范希武, 张吉英
        1989, 10(1): 17-23.
        摘要：本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 用ODLTS法研究ZnSe:Ga晶体中的自激活深能级

        彭星国, 范希武, 王寿寅, 张吉英
        1989, 10(1): 24-29.
        摘要：本文用光学深能级瞬态谱(ODLTS)方法研究了ZnSe:Ga晶体中的自激活(SA)深受主能级。首次用ODLTS技术测量了ZnSe:Ga晶体中与SA中心相应的深受主能级为0.65eV。文中还研究了该深受主中心在晶体中的空间分布。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • ZnS:TbF3,ErF3,HoF3ACTFEL的亮度与跃迁几率的关系

        梁力恒, 钟国柱
        1989, 10(1): 30-36.
        摘要：测量了低浓度下ZnS:TbF3,ErF3和ZnS:TbF3,HoF3交流电致发光薄膜(ACTFEL)中的Tb3+,Er3+,HO3+主要发射峰的相对积分强度,并与Tb3+,Er3+,Ho3+主要发射能级的辐射跃迁几率及高浓度时的发光特性进行了比较,发现稀土氟化物掺杂的ZnS薄膜电致发光(ACTFEL)的最大亮度,不完全取决于稀土离予本身的辐射跃迁几率,而主要取决于稀土离子主要发射能级激发态的运动。本文首次给出了Tb3+离子在ZnS中的强度参数Ω2=3.2×10-19cm2,Ω4=1.6×10-19cm2,Ω6=2.6×10-19cm2,并应用这组Ωλ参数估算了Tb3+离子的交叉弛豫(cross-relaxation)几率。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • InGaAsP/InP双异质结发光管频响特性的研究

        张桂成, 沈彭年
        1989, 10(1): 46-53.
        摘要：本文研究了光纤通信用1.3μmInGaAsP/InP双异质结发光管的频响特性。结果表明:器件有源区掺杂浓度;有源层厚度;注入电流;光谱特性;P-n结特性等因素,对发光管的频响特性有重要影响。老化前有源区DSD的存在与否对频响无明显关系。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        有机及生物发光

      • 凝聚相中叶绿素A荧光偏振光谱线型分析

        陈连春, 唐树延, 徐叙瑢
        1989, 10(1): 54-81.
        摘要：本文报导了用氩离子激光器488nm线偏振光激发时叶绿素A(Chla)己烷溶液在12.5K下偏振荧光的实验结果。在波数为11200～20000cm-1范围内得到了完整的偏振荧光数据,并用计算机对仪器响应进行了校正。若把Chla单体、二聚体和齐聚体均视为荧光性杂质中心,则多中心荧光偏振度公式可写成:P(λ)= 。用该公式进行了数值模拟计算,得到几种典型的P(λ)谱图,发现每一个高斯分量Ii同P(λ)函数的一个峰,谷或肩呈现明显的对应关系。据此对chla的荧光偏振光谱的线型进行了分析和讨论。Chla单体、二聚体和齐聚体的不同激发态的荧光发射分量,均表现为Pλ曲线上的峰、谷或肩。实验结果与数值模拟计算预期的线型完全一致。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 香豆素440/荧光素钠/藏红混合染料体系的光谱研究

        李莉, 王文韵
        1989, 10(1): 62-68.
        摘要：通过对C440/Fl.Na/Saf.-T三元混合染料体系的荧光光谱研究,了解到这三种染料之间有较充分的能量转移。又通过对C440/Fl.Na和Fl.Na/Saf.-T两个混合染料体系的荧光寿命测量,讨论了分子间能量转移过程和机理,并做了一些定量的分析。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        与发光有关的实验技术

      • 一种测量GaAs-GaAlAs行波激光放大器增益特性的实验方法

        张月清, 秦志新, 王立军, 武胜利, 李殿英
        1989, 10(1): 69-73.
        摘要：本文报导了一种测量光耦合效率η的新实验方法。这个方法是建立于p-n结短路光电流原理上的。本文推导出适合于行波激光放大器的光耦合效率的公式。短路光电流用一检流计测量,利用公式获得光耦合效率的实验值。利用实验所测光耦合效率,测量了行波激光放大器的增益随注入电流变化的规律,其结果和实验符合。另外本文还介绍了在脉冲注入电流条件下测行波半导体激光放大器增益的实验方法。  
          
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        更新时间：2020-08-11
      • 王玉田
        1989, 10(1): 82-96.
        摘要：本文着重介绍了MBE[(GaAs)l(Ga1-xAlxAs)m]n/GaAs(001)一维超晶格的X射线双晶衍射测量方法。根据卫星峰的出现,证明超晶格的存在。基于超晶格的台阶模型和X射线衍射的运动学理论,推导出超晶格多结构参数的计算方法。并对X射线双晶给出的其他信息做了必要的讨论。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        其它

      • 会务信息的电致发光矩阵大屏幕显示

        罗勤
        1989, 10(1): 74-81.
        摘要：本文概述了长春物理研究所为人民大会堂研制的交流(AC)、直流(DC)电致发光(EL)矩阵大屏幕会务信息显示的结果。其中,ACEL矩阵屏幕尺寸为2.5×3m2,由30块0.46×0.46m2的单元屏拼接而成。平均亮度20尼特,对比度10:1;DCEL矩阵屏幕为:1m2,行列数120×144,平均亮度45尼特,对比度大于10:1。在环境照度60lux条件下,观察距离分别为65m、20m。并从分析EL矩阵的显示特性出发,阐明了显示系统的设计要点,控制、匹配电路和亮度、对比度的关系;还给出了部分驱动电路结构和系统的应用结果。  
          
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        更新时间：2020-08-11
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