最新刊期
      1988年第9卷第2期

        发光的一般问题

      • 半导体微晶电了激发态的量子尺寸效应

        陈一民, 徐叙瑢
        1988, 9(2): 85-92.
        摘要：对禁闭在球形量子阱中的电子-空穴系统计算了6个较低的Wannier激子态随球半径的变化。在球半径很大的情况下,这些态近似为简并的。随着球半径减小,它们一致地向高能移动,并且相互间的裂距越来越大。  
          
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        更新时间：2020-08-11
      • 彭俊彪, 潘金声
        1988, 9(2): 93-104.
        摘要：本文导出了介电球体和无限长圆柱体沉浸在另一极性或非极性介质中的极化本征模矢量和色散关系。计算表明,每一介面振动对应两个振动频率,它们分别局限在两种介质的TO频率(ωTo)和LO频率(ωLO)之间。但是,当介质球沉浸在另一非晶介质中时,每一个介面振动只对应一个振动频率,位于内球介质的ωTo和ωLO之间。我们还将Cds微晶无规地分布在另一非晶介质中的实验结果同计算值进行了比较,两者是基本符合的。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 玻璃介质中CdSxSe1-x微晶的表面声子模

        孙云峰, 周方策, 靳春明
        1988, 9(2): 105-109.
        摘要：通过玻璃介质中的CdSxSe1-x微品的Raman散射,详细观测了表面声子模。表面声子的散射强度随微晶颗粒变小而增强;其Raman频移与微晶尺寸无关。表面声子峰在反Stokes线中同样存在。实验结果与理论计算结果相符合。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 五磷酸镧钕激光晶体发光的温度效应

        马玉蓉, 王冠中, 阎柯柱, 方容川
        1988, 9(2): 137-143.
        摘要：研究了低温下Nd0.9 La0.1 P5O14晶体中,Nd3+离子在0.9,1.05,以及1.35μm附近发光光谱的精细结构及相应的跃迁过程,并与Nd:YAG晶体中Nd3+离子发光光谱及相应的跃迁作了比较。在77K-500K的温度变化范围内,研究了Nd3+在两种晶体中最强的发光线的温度依赖关系,发现相反的变化规律,指出这是与两种晶体的结构及跃迁过程有关。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Ce3+,Mn2+激活氟磷酸钙的发光中心及其相互作用

        周济, 唐明道, 罗晞
        1988, 9(2): 152-158.
        摘要：研究了Ce3+,Mn2+激活的氟磷酸钙(FAP:Ce3+,Mn2+)的发光光谱、激发光谱、漫反射光谱、发光衰减以及顺磁共振谱,首次发现了FAP:Ce3+,Mn2+中Ce3+可以形成两种发光中心;同时也发现在该材料中Mn3+的发光中心与普通卤粉相似,即存在MnⅠ和MnⅡ两种中心;研究表明,由Ce3+中心向Mn2+中心的能量传递具有相当高的效率,传递机制属偶极子-偶极子相互作用;在Ce3+→Mn2+能量传递过程中,MnⅠ中心优先被Ce3+中心敏化。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • GaP:N LED中深能级对退化特性的影响

        苏锡安, 高瑛, 姜锦秀
        1988, 9(2): 159-165.
        摘要：本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究了GaP:N LED's老化过程中深能级的变化。老化条件为:在正偏直流I=800mA下室温老化约650小时。发现GaP:N LED在老化前只存在两个能级△Ex和△Ea,而在老化的过程中观察到一个新能级△Eb逐渐形成。结合老化前后测量的LED's发光光谱、光通、C-V特性及CLI、EBIC和SEI结果,讨论了深能级在GaP:N LED老化过程中对发光效率和退化特性的影响,认为△Eb是限制GaP:N LED发光效率及退化特性的无辐射复合中心。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        有机发光

      • 在Langmuir-Blodgett单分子膜表面内的长程能量转移

        迟力峰, 滕秋克, 田珂, 李铁津, 刘长春, 朱自强
        1988, 9(2): 110-116.
        摘要：本文讨论了二维有序单分子膜内不同分子间的能量转移问题。由于膜内J-聚体的存在,使得分子间的长程(～103Å)能量转移成为可能,从而扩大了给体分子接受能量的面积,靠Foster转移和激子转移的协同作用,提高了能量转移效率。J-聚体成分的增多或减少,直接影响着能量转移效率的高低。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • SrS:Ce3+薄膜蓝色交流电致发光及其特性的研究

        線红, 钟国柱
        1988, 9(2): 117-124.
        摘要：本文采用了SnO2/Y2O3/ZnS/SrS:Ce3+/ZnS/Y2O3/Al这种多层结构制备了SrS:Ce3+薄膜器件,并得到了较亮的蓝色交流电致发光。在5KHz正弦交流电压的激发下,该器件的最大亮度为100cd/m2左右。讨论了衬底温度与薄膜结晶完整性的关系,认为衬底温度在300—400℃之间有利于获得良好的结晶状态。本文还对SrS:Ce3+薄膜的光谱特性进行了讨论,比较了CeF3和CeCl3分别掺杂时,SrS薄膜的发光特性发现CeCl3掺杂较CeF3掺杂好。同时还看到,SrS:Ce3+薄膜的ACEL亮度和效率较ZnS:Ce3+薄膜要高,认为可能的原因是SrS基质提供了一种适合Ce3+激发的环境。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnS:ErF3电致发光薄膜2H11/2,4S3/2→4I15/2发光的猝灭过程

        李长华, 孟立建, 宋航, 钟国柱
        1988, 9(2): 125-131.
        摘要：本文通过ZnS:ErF3交流电致发光薄膜发光光谱和发光衰减特性研究了Er3+离子2H11/2,3S3/2发光的猝灭过程,实验结果表明由于Er3+离子间多极矩相互作用,一个激发的Er3+离子从2H11/2态无辐射弛豫到4F9/2态,同时另一个激发的Er3+离子从4F7/2或4F5/2+4F3/2态跃迁到2H9/2或4G11/2态的交叉弛豫过程是2H11/2,4S3/2发光浓度猝灭的一个主要机制,交叉弛豫几率随着掺杂浓度的增加而增大,根据在固定掺杂浓度下2H11/2,4S3/2、4F9/2发光衰减时间不随激发密度而改变的实验结果,排除了处于激发的Er3+离子之间直接能量传递的可能性,这结果与扩散限制的能量传递理论相符。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        光致发光

      • a-Si:H/a-SiNx:H超晶格薄膜光致发光性质的研究

        王万录, 廖克俊
        1988, 9(2): 132-136.
        摘要：本文报道了a-Si:H/a-SiNx:H超晶格薄膜光致发光某些性质的研究。实验发现,这种超晶格薄膜光致发光的强度和峰值能量随交替层a-Si:H厚度,测量温度及光照时间等而变化。同时还发现,在阴、阳两极上,利用GD法沉积的样品,发光强度和峰值能量也有所不同。文中对这些实验结果作了初步解释。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        与发光有关的实验技术

      • 测量分子荧光寿命的一种新方法

        林美荣, 李湘正, 陈文驹
        1988, 9(2): 144-151.
        摘要：分子的荧光寿命,通常可用脉冲荧光法进行测量。若荧光寿命接近或小于仪器响应时间时,则观测到的荧光衰变曲线是真实的荧光衰变曲线与仪器响应函数卷积的结果。为此须采用解卷积方法来求得荧光寿命。解卷积运算不仅其计算过程繁重,而且计算结果受检测仪器响应函数的准确度的影响很大。 本工作提出一种新的测量荧光寿命的方法。该方法是根据观测的荧光衰变曲线的峰值所对应的时间tmax随荧光寿命的增大而单调地变大的关系,选用一些已知寿命的荧光物质作为标准样品,测量标准样品的tmax～τ关系曲线,然后测量待测样品的tmax,据此求出荧光寿命τ。这种方法简便、准确可毋须进行解卷积运算。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 光纤通信用的发光管非线性P-I特性分析研究

        郑广富, 张季熊
        1988, 9(2): 166-174.
        摘要：本文综合分析了作者从制造光纤通信用的GaAs-GaAlAs发光二极管(LED)到应用这些LED制作端机系统所遇到的P-I非线性特性。文中深入地讨论了P-I非线性特性产生的原因及它对光信号失真的影响,并提出了解决办法。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 应用于塑料光纤系统的LED的温度特性及其补偿

        吴冠群, 陈莲勇, 余进
        1988, 9(2): 175-181.
        摘要：本文介绍了塑料光纤系统的特点,光源和探测器的温度特性以及温度补偿方法,并指出塑料光纤系统是当前传输距离50米以内应用最活跃的光通信系统和光纤传感器系统。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        简报

      • 金属和半导体表面吸附分子的荧光猝灭

        张兵临, 陈晓东
        1988, 9(2): 182-184.
        摘要：本文提出了分子吸附于金属或半导体表面呈现荧光猝灭现象的新的理论解释,认为荧光猝灭现象是由于处于激发态的吸附分子和等离子体振荡之间能量迁移的结果。文中并提出了“受迫等离激元”概念。  
          
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        更新时间：2020-08-11
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