最新刊期
      1988年第9卷第1期

        其它

      • 稀土离子掺杂Ⅲ-Ⅴ族半导体的发光

        周济, 袁祐荣
        1988, 9(1): 1-12.
        摘要：稀土离子掺杂Ⅲ-Ⅴ族半导体的发光是近年来开展起来的新的研究领域.在GaAs,InP和GaP等材料中,用离子注入、LPE、MBE、MOCVD以及单晶生长等方法掺杂Er、Yb和Nd等稀土离子,得到了尖锐稀土离子的特征发光.这些发光来自占据正常立方格点和非立方格点的稀土离子的内部4f能级跃迁,其发光行为与掺杂条件关系很大.这种稀土一半导体材料已开始用来制备具有稳定发射波长的发光和激光器件.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        发光的一般问题

      • 极性超晶格中电子—声子的相互作用

        田明真, 潘金声
        1988, 9(1): 13-25.
        摘要：本文在Wendler、潘金声研究双层极性晶体时得出的声子振动极化场所满足的微分、积分方程及归一化条件的基础上,讨论周期性排列的层状极性晶体中声子振动极化场所满足的微分、积分方程,得到了SO声子的色散关系,SO声子和LO声子极化强度矢量.用声子产生、湮灭算符表出了声子振动能量及电子—声子的相互作用哈密顿量.  
          
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        更新时间：2020-08-11
      • O. L. Malta, P. A. Santa-Cruz, G. F. de Sá
        1988, 9(1): 46-53.
        摘要：我们提出并讨论了在含分散银粒的氟硼酸盐玻璃中等离子体激光的吸收峰位置随氧化铈浓度而在相当宽的光谱范围内变化的实验观测.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 镧磷玻璃中Eu3+5D1的辐射和无辐射弛豫速率

        陈述春, 戴凤妹
        1988, 9(1): 54-59.
        摘要：本文测定了La-磷玻璃中Eu3+离子的5D1和5D0态的时间分辨荧光光谱.并在77-300K的温度范围内确定了5D1→5D0的弛豫速率.在这个材料中,5D1→5D0的弛豫速率随温度的变化不明显、这个速率值为W21)=15.5×104秒-1,比在某些晶体中大一个数量级.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 硼玻璃中Sm3+离子的衰减及交叉弛豫

        张志林, 蒋雪茵, 李卓棠, 吴佩芳, 许少鸿
        1988, 9(1): 60-64.
        摘要：本文从Sm3+的衰减特性及能级跃迁性质两个方面研究Sm3+离子间的相互作用.一方面研究不同浓度Sm3+的衰减性质,利用Hirayama的理论确立相互作用的性质,另一方面研究相关能级的跃迁性质,从而证实由衰减所得结论的合理性.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • 申德振, 范希武
        1988, 9(1): 26-32.
        摘要：本文测量了在77K和正向脉冲电流密度为50～500mA/mm2的激发下,ZnSe MIS二极管的电致发光光谱.首次在高电流密度激发下的ZnSe晶体的电致发光光谱上,观测到自由激子与自由激子间(Ex-Ex)的散射.本中根据自由激子的动能分布,讨论了2LO声子协助的自由激子伴线的形状,发现当激发电流密度增高时,自由激子的有效温度大于晶格温度,这可归结为激子与激子间的非弹性散射.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • DCEL材料的包铜新工艺

        宣丽, 罗晞
        1988, 9(1): 40-45.
        摘要：通过包铜过程的分析,了解到包铜反应主要是表面化学吸附反应,ZnS颗粒表面状况对生成的CuxS性质影响很大,据此设计了淬火包铜工艺,并得到形成功率较低,抗老化性能好的DCEL粉.本文初步分析了淬火生成的CuxS相,认为它的初态处于一种高度无序状击,经一段时间可自然发生某种相变.新相比较稳定,从而可能抑制由Cu+迁移造成的老化.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        光致发光

      • ZnSe:Al发光光谱的研究

        王吉丰, 黄锡珉, 张志舜
        1988, 9(1): 33-39.
        摘要：本文用热扩散的方法在Zn饱和蒸气压下,把Al掺杂到高纯ZnSe单晶中,通过77K下的光致发光光谱研究了Al杂质的发光行为,讨论了施主一受主对发射强度、自激活中心发射强度随掺杂温度的变化规律以及与Zn饱和蒸气压的关系.本文首次报道了在300℃～900℃温度范围内进行Al掺杂的ZnSe的发光规律.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        有机发光

      • 塑料闪烁体基质到溶质的能量传递

        袁慧君
        1988, 9(1): 65-68.
        摘要：本文研究了以聚苯乙烯为基质,添加具有不同光谱荧光性质溶质的二元塑料闪烁体的发光.测量了闪烁体的激发光谱,荧光光谱,γ射线,X射线和紫外线激发的相对发光强度及其与溶质浓度的关系,测量了聚苯乙烯吸收波长和溶质吸收波长激发下的发光衰减及其与溶质浓度的关系.讨论了基质到溶质的能量传递机制.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 某些稠环芳香碳氢化合物的荧光寿命测量

        侯耀武, 于英宁, 李莉, 明长江, 王文韵
        1988, 9(1): 69-73.
        摘要：应用时间相关单光子计算仪器,测量了八个对荧光光谱学和生物化学重要的稠环芳烃.所有溶液在测量前均通高纯氮除氧,对所有化合物都使用337nm激发波长,对荧蒽还在351nm激发,以验证上述两组作者所给数值之间的分歧.我们的实验对于荧蒽在337nm激发给出荧光寿命39ns,在351nm激发给出36ns,表明两个激发波长不应导致寿命数值的实质性差异.我们对其余稠环芳烃所测得的寿命值或者与文献相符,或者看起来是合理的.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 卟啉和金属卟啉的荧光寿命

        王秀兰, 李莉, 于英宁, 侯耀武, 羊彦衡, 王文韵
        1988, 9(1): 74-78.
        摘要：在单光子计数仪器上测量了一系列卟啉自由碱和金属卟啉的荧光寿命.在光动力治癌疗法中用作光敏剂的HPD缓冲溶液呈现双指数荧光褒减.τ=3ns的短寿命组分是聚集态HPD的表征,而τ=14ns的长寿命组分是单体HPD的表征,HP缓冲溶液却呈现单指数衰减.有七个卟啉或其金属络合物的寿命是初次报导.某些卟啉化合物的实测寿命与计算值符合良好.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        与发光有关的实验技术

      • 1.3-2.0μm光参量振荡的实验研究

        潘忠汉, 崔益本, 吴维平, 鲁士平, 祁红星, 吴路生
        1988, 9(1): 79-84.
        摘要：本文首先阐述光参量振荡器的调谐原理及其温度调谐的计算.接着讨论研制光参量振荡器的若干技术问题.最后给出信号单谐光参量振荡的实验结果.波长谐范围为1.3—2.0μm.当波长调谐到1.9μm且工作重复率为10PPS时,输出能量为0.37mJ/脉冲.  
          
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        更新时间：2020-08-11
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