最新刊期
      1987年第8卷第3期

        发光的一般问题

      • TbxTmyY1-x-yP5O14晶体中Tb3+和Tm3+间的能量转移

        张思远, 白云起
        1987, 8(3): 151-156.
        摘要：本文提出了Tb3+和Tm3+的交叉弛豫机理,计算了交叉弛豫几率,研究了Tm3+对Tb3+离子发光性质的影响,结果指出Tm3+对Tb3+离子的5D3能级的荧光有很强的猝灭作用,对5D4能级的荧光有增强作用,并且给出Tb的荧光强度和Tb3+,Tm3+离子浓度之间的依赖关系。  
          
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        更新时间：2020-08-11
      • 黄世华
        1987, 8(3): 157-162.
        摘要：本文指出,通常用于描述电多极相互作用引起的静态传递模型中时间足够长时施主发光衰减规律的表示式exp[-γt-CA(X0t)3/s)Г(1-3/s)]应该用exp[-γt-CA·A(CA)(X0t)2/sГ(1-3/s)]/(1-CA)来代替;文中还指出,静态有序阶段的时间上限由X0t<In[1+(1-CA)1/s)确定。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 高场电致发光过程的动力学分析

        耿平, 张新夷
        1987, 8(3): 163-173.
        摘要：本文通过对交流(ZnS:Mn,Cu)和直流(ZnS:Mo,Cu(Cu))两种不同结构的粉末发光材料的发光光谱,时间分辨发光光谱,电流波形,发光亮度波形,发光衰减以及发光强度与掺杂浓度的关系等方面的研究,对Mn和Cu这两种不同类型的发光中心的高场电致发光过程进行了分析,并用一个统一的模型对两种不同类塑的发光中心建立了发光动力学方程,由此解得Mn中心和Cu中心的发光强度随时间的变化规律表达式,它们分别包括了Mn中心和Cu中心发光亮度波形的所有情形。我们从动力学分析出发,找到了影响Cu中心和Mn中心发光强度的主要因素,并从理论上预言了提高发光强度的可能途径。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 高密度激发下CdS中束缚激子与激子的散射发光

        刘宪平, 鲍庆成, 田乃良, 李多录, 徐叙瑢, 戴仁崧
        1987, 8(3): 192-198.
        摘要：本文在液氦温度下在CdS中观测到一个新的发光峰,并提出束缚激子与激子非弹性散射发光模型对该峰的产生和特性进行了解释。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • ZnS:Ho3+的光谱特性

        沈永荣, 张宏
        1987, 8(3): 174-181.
        摘要：本工作系统地研究了Ho3+在ZnS中的光谱特性。利用不同激发波长的发射光谱、激发光谱和发光衰减鉴别出29000-14000cm-1范围内的激发谱线和发射谱线所对应的跃迁。共观察到5G5′,5G4,5G5,5G6,3K8,5F2,5F3和5S2八个4f能级的发射和5G6,5G5,3K7,3H6和5G3(3L9)五个4f能级的激发。由发射光强随温度的变化规律,研究了Ho3+的5G5′和5G4,5F3和5S2能级间的多声子弛豫过程以及5G6,3K3,5F2和5F3能级间的热平衡过程。通过近带边激发下的发光行为,提出Ho3+在ZnS中的近带边激发下发光是借助于能量传递过程,不同激发态借助不同的传递途径,而且不同的发光中心也具有不同的传递机制。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • GaAs1-xPx中混晶无序与Fe深中心的性质

        洪蘋, 黄启圣
        1987, 8(3): 182-191.
        摘要：对不同组分的掺FeⅢ-Ⅴ族混晶GaAs1-xPx,测量了Fe深受主中心空穴热发射的非指数恒温暗电容瞬态及DLTS谱。用混晶无序使Fe深能级展宽的模型理论拟合实验结果,得到Fe能级Gauss型展宽的半宽和中心能级的热发射率,并确定出基态空穴跃迁的中心能级的焓变与组分的关系:先是减少,而后增大,与由光电容方法得到的Gibbs自由能变量与组分x的关系明显不同。 进一步讨论表明,上述两种测量方法得到的Fe中心的激活能不同,可能反映Fe中心的键合状态和混晶无序诱导的品格弛豫的影响。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 掺锰磷化铟中1.18eV辐射的施主受主对辐射性质的研究

        阎大卫, B. C. Caveneff
        1987, 8(3): 199-205.
        摘要：通过对掺锰磷化铟的1.18eV辐射的频率响应谱(FRS)及辐射峰随激发强度的位移的研究得到了明确的证据,确认这个光致发光辐射的施主受主对(DAP)复合的性质。一个和Mn2+相关的复合跃迁过程被提出用以解释有关的实验结果。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • InP衬底上GaInAsSb的液相外延生长及其性质的研究

        龚秀英, K. S. Lö, chner, P. Zwicknagl, E. Bauser
        1987, 8(3): 206-215.
        摘要：用内插法和电负性差法估算了GaInAsSb的晶格常数,并用液相外延法在665℃—625℃的温度范围内第一次成功地生长了品格匹配于(100)和(111)B取向的InP衬底的GaInAsSb外延层。测得固体组分的范围为0.46<x<0.51,0.02<y<0.045。主荧光峰为1.34—1.63μm。在n～(1015—1018cm-3的范围内,对于(100)GaInAsSb,μ300k=8410cm2/V·s—12,200cm2/V·s。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • HCl气氛制备的ZnS:Mn粉末DCEL材料

        宣丽, 罗晞
        1987, 8(3): 216-225.
        摘要：本文首次较系统报导了HCl气氛中制备的ZnS:Mn粉末DCEL材料的特性。指出HCl气氛的主要作用,一是使材料结晶更好,二是引进Cl施主能级,使得PL和DCEL亮度提高。本实验还研究了ZnS粉在HCl气氛中灼烧时的相转换特点,以及晶相比对抗老化性能的影响。讨论了晶相比与颗粒表面CuxS导电相性质的关系,认为这是晶相比影响老化的原因。  
          
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        更新时间：2020-08-11
      • 孟立建, 钟国柱
        1987, 8(3): 226-235.
        摘要：采用原子层外延方法(ALE)制备了ZnS:Er3+交流电致发光(ACEL)薄膜,得到了明亮的绿色EL。发现了随Er3+离子浓度增加,对应于4F9/2→4I15/2跃迁的谱线强度增加甚至超过2H11/2→4I15/2跃迁的谱线强度。通过对EL衰减的分析,发现了绿红比随外加电压的变化关系以及EL光谱与温度的关系。在Er3+离子浓度较高时,Er3+离子之间发生明显的能量传递。提出了Er3+离子间的交叉驰豫模型并计算了交叉弛豫速率,同拟合衰减曲线得到的值相比,两者符合得较好。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • MBE生长的掺Be p-GaAs的光荧光谱

        胡天斗, 梁基本, 庄蔚华, 孙殿照, 吴灵犀
        1987, 8(3): 236-244.
        摘要：本文报道利用国产分子束外延(MBE)设备和Be元素生长的p-GaAs的低温光荧光谱,观察到FE,(D°,X),(A°,X),(D+,X)等束缚激子发光,判断外延层有较好的质量。在1.503～1.515eV之间观察8条与缺陷有关的(d,x)发光线。仔细分析了与Be,Ge受主有关的(BA)和(DA)发光现象。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • P型掺杂剂对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响

        张桂成, 李允平
        1987, 8(3): 258-265.
        摘要：本文研究了限制层中掺杂剂对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响。结果表明限制层掺In-Zn合金或掺Mg的器件不易发生p-n结偏位,器件具有单一的长波长光谱峰,正常的I-V特性以及暗结构出现率低的特性,而限制层掺Zn当浓度≥1×1018cm-3时,外延片易发生p-n结偏位,导致器件的异常特性。并观察到在扩散结器件中,在85℃长时间老化过程中,有p-n位置移动现象发生。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        光致发光

      • ARF4(A=Na,K;R=La,Gd,Y,Lu)中Eu2+的光谱结构及其价态稳定性

        石春山, 叶泽人
        1987, 8(3): 245-251.
        摘要：Eu2+在ARF4(A=Na,K;R=La,Gd,Y,Lu)中的荧光光谱结构是由特征的d→f跃迁宽带发射和f→f跃迁尖峰发射组成,低温下线/带强度比明显增强;高纯氩气流中合成的样品,Eu2+的价态是稳定的。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 五磷酸钆中Eu3+的光谱

        于亚勤, 李玫, 张思远
        1987, 8(3): 252-257.
        摘要：本文对GdP5O14:Eu3+(GdPP:Eu,x:0～1)。晶体的紫外可见吸收、激发光谱、荧光光谱、红外吸收光谱和结构进行了测定和分析。给出了GdPP中Eu3+离子的能级图。讨论了Gd3+—Eu3+离子间的能量转移和猝灭。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        与发光有关的实验技术

      • GaAs/AlGaAs量子阱材料的X射线形貌及其发光性能

        冯禹臣, 高大超, 袁祐荣, 江田和生
        1987, 8(3): 266-272.
        摘要：本文介绍了用X射线双品形貌术研究MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料中的生长缺陷、位错及其对发光性能的影响。同时研究了低温下MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料的正交方向的位错。在有应变超品格过渡层高温生长的量子阱材料中,位错及光致发光性能有明显的改善。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        有机发光

      • 2,9-二甲基-1,10-菲咯啉的化学发光研究

        陆明刚, 崔华, 尹方
        1987, 8(3): 273-278.
        摘要：本文阐明了试剂2,9-二甲基-1,10-菲咯啉(称为新铜灵)在金属离子诸如Cu(Ⅱ)、Pb(Ⅱ)、Fe(Ⅲ)和Ni(Ⅱ)作为催化剂各自存在下,可与过氧化氢在碱性溶液中产生一种绿色的化学发光反应。此化学发光反应的机理已在本文中进行讨论,并认为是由于Cu(Ⅱ)与新铜灵生成之络合物在此过程中进行催化反应而致使过氧化氢生成超氧基离子,而此超氧基离子随即与新铜灵试剂作用产生化学发光。此化学发光反应的产物已用薄层色谱法进行分离,并且分别用紫外、红外和荧光分光光度法进行测定。 此外,这种新的化学发光反应已在我们实验室进行了分析应用试验。用此化学发光体系来做Cu(Ⅱ)的测定也在本文中说明。此法测铜的检测下限为8×10-9克/毫升;线性范围是1×10-8到4×10-7克/毫升。对于0.1ppm之铜的测定而言,除适量的Co(Ⅱ),Mn(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)、Cd(Ⅱ)和Cr(Ⅲ)之外,其余外来离子均无干扰。这一分析方法能够满意地用于铝合金中铜的测定。  
          
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        更新时间：2020-08-11
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