最新刊期
      1987年第8卷第2期

        发光的一般问题

      • SO和LO声子对GaAs-Ga1-xAlxAs量子阱中激子束缚能的影响

        阮航宇, 潘金声
        1987, 8(2): 67-77.
        摘要：本文考虑了电—声子耦合作用,应用么正变换方法计算了GaAs-Ga1-xAlxAs量子阱中的激子束缚能;得到了激子束缚能随阱宽变化的曲线。当考虑激子声子相互作用后,激子相对于电子极化子和空穴极化子的第一子带底的束缚能小于相应的裸激子的束缚能量。  
          
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        27
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1562553 false
        更新时间：2020-08-11

        有机发光

      • 郭世英, 寿涵森, 虞群, 吴世康, 袁慧君
        1987, 8(2): 78-83.
        摘要：本工作对一种新型荧光闪烁体染料——4-二甲胺基—4'硝基芪(DMANS)在不同介质中的光谱行为和能量转移进行了研究,发现介质的极性大小以及介质和染料间的能量转移对该闪烁体染料的荧光量子产率和闪烁发光延迟具有重大影响。研究对选择基体材料和合理组成闪烁材料配方有一定的参考价值。  
          
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        74
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1561941 false
        更新时间：2020-08-11

      • 有机稀土铕的螯合物的发光和能量传递的研究

        寿涵森, 虞群, 叶建平, 郭世英
        1987, 8(2): 84-91.
        摘要：本文应用荧光光谱和瞬时时间分辨光谱研究了稀土铕有机螯合物,以及在二苯酮做为三线态敏化剂存在时,对能量的吸收、传递和发光的过程,探讨了有机配位体与稀土离子的能级、三线态敏化剂和配位体分子的性质对发光的影响。  
          
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        58
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1561950 false
        更新时间：2020-08-11

      • 四苯基卟吩激发—重态衰变的“外部重原子效应”的研究

        郭础, 冯扬波
        1987, 8(2): 92-99.
        摘要：考查了在有芳烃卤代物RX(如氯苯、溴苯和碘苯)存在时,四苯基卟吩TPP的荧光衰变现象。基于荧光衰变动力学分析,发现:在RX和TPP之间生成复合物是引起重原子效应的一个基本步骤。荧光衰变的动力学参数则进一步表明:可观察的外部重原子效应主要是由于发生分子间电荷转移相互作用而引起的。  
          
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        100
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1562559 false
        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • ZnSe晶体质量对其蓝色电致发光的影响

        张吉英, 范希武, 杨宝均
        1987, 8(2): 100-105.
        摘要：本文研究了ZnSe晶体的纯度与结晶完整性对其蓝色电致发光的影响。文中比较了用三种不同纯度的ZnSe原料生长的单晶,还比较了同一晶体上的单晶和孪晶在77K时的电致发光(EL)光谱,并发现了随着ZnSe晶体的纯度以及完整性的提高,其深中心发射受到抑止,而与自由激子有关的发射得到增强,从而有助于增强ZnSe晶体室温蓝带的强度。  
          
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        62
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1562547 false
        更新时间：2020-08-11

      • GaP中1.71eV发光带的研究

        冯建东, 林振金, 杨锡震
        1987, 8(2): 121-128.
        摘要：本文研究了GaP中普遍出现的1.71eV光致发光(PL)宽带。这是一个与多个杂质能级有关的发光带,由吸收谱和光致发光激发谱(PLE)检测到在价带上方0.37—0.089eV范围内与该发光带有关的深能级。时间分辨谱测量表明。随着衰减过程的延续,谱峰移向低能方向,说明该带起源于D—A对复合。讨论了该发光带与背景Cu杂质有关的可能性及其发光机制和激发途径。  
          
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        56
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1562540 false
        更新时间：2020-08-11

      • p-GaAs,p-InP与Cr/Au系界面的互扩散及其电学特性

        张桂成, 俞志中, 程宗权, 蒋惠英
        1987, 8(2): 129-134.
        摘要：本文用AES,SEM等方法研究了p-GaAs/Cr/Au和p-InP/Cr/Au体系界面,在热处理过程中的互扩散现象。用SEM观察了热处理后的表面形貌。并给出了合金化温度对比接触电阻(ρc)的影响。结果表明:对p-GaAs/Cr/Au体系在450℃热处理过程中未发生明显的互扩散,Cr层对Au的内扩散有较好的阻挡作用。该系的ρc=6～8×10-5Ω·cm2。在GaAlAs/GaAs DHLED器件中用Cr/Au作p面电极材料,在高电流密度下经5000小时工作后,器件的I-V特性未发生退化,表明该电极的热稳定性好,而p-InP/Cr/Au体系在蒸发和热处理过程中,已有明显的互扩散发生,ρc值也较高,该系不宜作p-InP/InGaAsP发光器件的p面电极材料。  
          
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        75
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1561964 false
        更新时间：2020-08-11

        光致发光

      • 稀土硼酸盐玻璃的合成及其发光性质

        李卓棠, 吴佩芳, 蒋雪茵, 张志林, 许少鸿
        1987, 8(2): 106-111.
        摘要：本文系统合成了各种浓度的稀土硼酸盐玻璃,发现其中八种稀土离子(Ce3+、Pr3+、Sm3+、Eu3+、Tb3+、Dy3+、Er3+、Tm3+)在可见区发光。文章研究了它们的激发光谱和发射光谱,测量它们的相对发光强度,并计算出各种样品的色坐标。  
          
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        49
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1562532 false
        更新时间：2020-08-11

      • 氟硼酸锶铕的合成与发光的研究

        范景晖, 张家明, 苏勉曾
        1987, 8(2): 112-120.
        摘要：本文研究了铕激活氟硼酸锶荧光体合成的反应机理,确定了该荧光体生成的最佳反应条件。在高于730℃时焙烧SrCo3、SrF2、H3BO3、NH4F和EuCl3的混合物,主要得到SrF0.1B4O6.95:Eu产物,当焙烧温度低于730℃时,可能形成一种弱发光的SrB6O10:Eu产物,经过870-900℃第二次焙烧,可以使SrB6O10比较完全地转变为SrB4O7晶型,焙烧气氛对产物的发光强度有一定的影响,粒状活性炭的存在(也就是在CO+CO2气氛)对焙烧最为有利。本文还测定了激活剂铕最佳浓度是每摩尔基质0.01mole铕,当高于0.015mole时发生浓度猝灭现象。用X射线衍射法、热重分析法和Sr2+、F-离子化学分析等手段,测定了荧光体的化学组成,它的一般式可写为:(1-x)SrO·xSrF2·2B3O3·yEu 0.02≤x≤0.05 0.005≤y≤0.015  
          
        98
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        70
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1562526 false
        更新时间：2020-08-11

        与发光有关的实验技术

      • 双异质结AlxGa1-xAs/GaAs发光管中与氧有关能级的测量

        吴征, 周炳林, 张桂成
        1987, 8(2): 135-141.
        摘要：用DLTS和单次脉冲瞬态电容技术研究了液相外延生长的双异质结AlxGa1-xAs/GaAs发光管,掺Si的n-Al0.05Ga0.95As有源层中的深能级。着重分析了一个与氧有关的电子陷阱,其发射激活能为EC-ED=0.29eV。我们发现该电子陷阱随正向注入脉冲宽度tp的增加DLTS峰向低温移动,即在确定的温度下发射率随tp的增加而增加。用DLTS首次测得该能级的俘获瞬态谱,发现俘获峰随反向撤空脉冲宽度tR的增加向低温端移动,即在确定的温度下俘获率随tR的增加而增加,并且俘获激活能从△Eσ=0.28eV变化到0.26eV,用位形坐标图讨论了引起变化的原因。  
          
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        66
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1561935 false
        更新时间：2020-08-11

      • Sr2B5O9Cl发光材料X射线粉末衍射数据的测定

        李梅, 高大超, 吴佩芳, 柯立平
        1987, 8(2): 142-150.
        摘要：用衍射仪收集了Sr2B5O9Cl发光材料的X射线粉末衍射图谱(CuKα),给出了d值大于0.8247的173条衍射线的衍射数据和指标。验证了Peters所给的46条衍射线,补充了其遗漏的9条较弱衍射线和高角度118条衍射线。确认Sr2B5O9Cl多品粉末发光材料属四方晶系,空间群是P42212,晶胞参数α=11.362,c=6.500。  
          
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        33
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1561957 false
        更新时间：2020-08-11
      0