最新刊期
      1987年第8卷第1期

        发光的一般问题

      • Y3Al5O12中晶场造成的Er3+多重态重心的移动

        陈一民, 徐叙瑢
        1987, 8(1): 1-6.
        摘要：计算了由晶场造成的Er3+:Y3Al5O12多重态重心的移动。比较了计入和不计入这种移动,用拉卡参数E1、E2、E3和自旋与轨道相互作用参数ξ拟合Er3+能级的结果。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • CdTe:Li晶体中ALi°受主与电子及激子的相互作用

        刘俊业, 徐叙瑢
        1987, 8(1): 7-13.
        摘要：用两种不同方法实现了在CdTe晶体中Li杂质的低温扩散。其中后一种无Te预扩散的方法是首次报导的。为研究在CdTe:Li中ALi°受主与电子和激子的相互作用,分析了各种发光机制中的动力学过程,观测了(e,ALi°)及(ALi°,X)发光的激发光强度效应。(ALi°、X)束缚激子可以热离解成一个自由电子和一个自由空穴而留下一个中性受主ALi°,其束缚能为Eb=4meV。在不同强度的光激发下,研究了(e,ALi°)辐射复合中电子—声子耦合。当杂质中心不变时,平均声子数N～0.1基本上保持不变,它是杂质中心波函数半径的一个量度。若假定杂质中心上电荷分布为Gaussian形,计算出表征电荷在杂质中心局域程度的常数α～160Å。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • 可变色的ZnSe:Er3+ MIS发光二极管

        田华, 范希武, 许少鸿
        1987, 8(1): 14-17.
        摘要：本文首次利用高场和低场激发下的有效发光中心,设计和制备了随外加电压极性改变而变色的ZoSe:Er3+ MIS发光二极管。这种发光二极管在正向电压激发下得到蓝色发光,而在反向电压激发下得到绿色发光。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 深能级对GaAs1-xPxLED老化过程的影响

        苏锡安, 李晴棉, 孙亚莉
        1987, 8(1): 44-50.
        摘要：用深能级瞬态谱(DLTS)研究了GaAs1-xPx LED在正向电压,I=100mA(J=250A/cm2)大电流下老化750小时左右的过程中深能级浓度、深度、俘获截面的变化。GaAs1-xPx LED中存在三个电子能级:△En1=(0.19±0.01)eV;△En2=(0.20±0.01)eV;△En3=(0.40±0.01)eV。发现老化之后△En1与△En2的能级密度变小,而△En3的能级宽度却有所增大。同时测量了它们的发光光谱、光通,C-V特性和I-V特性。讨论了深能级在GaAs1-xPx LED老化过程中对发光效率与退化特性的影响。认为△En1与△En2对GaAs1-xPx LED的发光效率与退化特性无影响,而△En3是限制GaAs1-xPx LED发光效率和退化特性的有效复合中心。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • GaAs/GaAlAs双异质结发光管退化特性的研究

        张桂成, 吴冠群
        1987, 8(1): 51-56.
        摘要：本文研究了GaAs/GaAlAs双异质结发光管的退化特性。有快、慢二种退化类型。器件的慢退化是由于有源区有暗缺陷(DSD)产生和长大,引起光功率下降。文中研究了老化过程中I-V特性和I-P特性与EL图象的变化规律,并与相同结构的InP/InGaAsP双异质结发光管的退化特性进行了比较,结果表明:它们有着不同的退化机理。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        光致发光

      • Ce3+和Tb3+, Eu3+在六方NaLnF4(Ln=La, Gd或Y)中的发光和能量传递

        那镓, 李有谟
        1987, 8(1): 18-24.
        摘要：本文报道Ce3+掺杂和Ce3+—Tb3+、Ce3+—Eu3+共掺杂的六方NaLnF4(Ln=La,Gd或Y)发光体的研究结果:氟配位环境使Ce3+在300nm附近发射并有很低的猝灭浓度;阳离子缺陷发光中心可能形成于NaGdF4基质中并被Ce3+—Gd3+共同敏化;Ce3+的发光可以因Tb3+掺杂而增强,反过来Ce3+亦会使Tb3+的5D3/5D4发射强度比减小;Ce3+含量增加使Eu3+的5D2/5D1及5D2/5D0发射强度比减小,这与Ce3+的2F5/2→2F7/2跃迁和Eu3+的5D2→D1跃迁能级差匹配而产生共振能量传递有关。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Ce3+在Ln2SO6中的发光(Ln=La, Gd或Y)

        李有谟
        1987, 8(1): 25-30.
        摘要：Ce3+在La2SO6中的发光光谱和激发光谱与在Gd2SO6和Y2SO6中的比较有显著差别。从被Ce3+敏化的中心的激发光谱上观察到在La基质中于300和330nm附近还有二个激发峰,显示出在这三个基质中Ce3+有很接近的激发态情况,从漫反射光谱也得到证实。不过在La2SO6中Ce3+的发光起源于次最低的而不是最低的5d能级。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Tb3+离子在碱土金属正硅酸盐中的发光

        李彬, 白玉白, 张维刚, 周映雪, 李文连, 刘洪楷
        1987, 8(1): 31-36.
        摘要：Tb3+离子激活的Me2SiO4(Me=Ca、Sr、Ba)发光材料是用分析纯试剂合成并加以提纯的BaCO3、SrCO3、CaCO3、H2SiO3、Li2CO3和Tb2(C2O4)3为原料,通过固态反应的合成方法而制成的。由X-光衔射谱,确定了样品的结构。通过荧光测量,探讨了Tb3+离子在碱土金属正硅酸盐中的发光行为。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        与发光有关的实验技术

      • GaN中Zn的均匀掺杂

        谢江峰, 富淑清, 公猛男, 孙亚莉, 张传萍
        1987, 8(1): 37-43.
        摘要：在Ar-HCl-Ga-NH3气相外延生长GaN的过程中,分析了Zn在GaN中分布不均匀的原因,认为除生长出晶体完整性好的n-GaN提供均匀掺杂的必要条件外,Zn气流的合理分布是获得Zn均匀掺入的关键。我们通过设计新的Zn喷口,能在φ25mm的GaN:Zn样品上,得到了Zn的均匀分布,PL、CL、EL均为一种颜色,室温下测定了EL光谱,不同点的峰值偏差小于10Å。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 利用BaF2晶体快速闪烁发光性质改进正电子湮没寿命谱仪

        张天保, 殷定真, 王淑英, 曹玔, 梁家昌
        1987, 8(1): 57-63.
        摘要：测量BaF2晶体闪烁发光长短两种寿命成分的光电子产额,利用它的短成分发光极快的特点研制核辐射探测中的定时探测器,采用于正电子湮没寿命谱仪中使谱仪的时间分辨率由FWHM=270ps(ps:微微秒)改进到190ps(计数效率不改变)或者使计数效率提高10倍(时间分辨率相同)。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        简报、简讯

      • 激子—LO光声子系统

        李光栋, 顾世洧
        1987, 8(1): 64-66.
        摘要：本文采用Huybrechts[1]以及Tokuda[2,3]的拉格朗日乘子法的线性组合算符法,得到了激子的有效哈密顿量和重正化有效质量。用它们计算了激子的结合能,对于电子(空穴)—声子耦合常数大约3的晶体,晶体中激子结合能的计算值与实验值较为接近。  
          
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        更新时间：2020-08-11
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