最新刊期
      1986年第7卷第4期

        发光的一般问题

      • 介电界面系统的电-声子相互作用

        潘金声
        1986, 7(4): 307-323.
        摘要：本文应用体极化电荷和面极化电荷产生的宏观电势导出了极化本征矢量遵从的积分和微分方程。证明了极化本征矢量应按正文中的正交归一关系(18)归一化,并导出了双层界面系统的极化本征模的哈密顿量及其与荷电粒子相互作用哈密顿量的算符表示形式。证明了电子与P-偏振SO声子的相互作用可用电子与有效频率为ωeff,±SO的SO声子的相互作用耦合常数α±SO表征;电子与P-偏振LO声子相互作用在性质上是电子与它所在的介质的体LO声于的相互作用,但被面效应减弱了。  
          
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        更新时间：2020-08-11
      • 黄京根, P. Porcher
        1986, 7(4): 324-329.
        摘要：本文将“三参数理论”模型,应用到Scheelite相关结构的Na5Eu(MO4)4(Scheelite结构)和Gd2(MO4)3:Eu3+(畸变Scheelite结构)。从拟合Na5Eu(MO4)4唯象(Bqk)参数,得到MO42-基团中有效电荷g(M)和g(O)分别为+1.2和-0.8。以上述拟合得到的有效电荷,应用“三参数模型”,计算了Gd2(MO4)3:Eu3+的晶场参数和Stark能级,计算值同光谱实验结果相当吻合。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnSxSe1-x单晶的霍尔迁移率

        黄锡珉
        1986, 7(4): 330-335.
        摘要：用Vah der Pauw法在77～300K温度范围内测试了n-ZnSxSe1-x(x=0.15)单晶的霍尔迁移率,共最大值为2150cm2/V·s迁移率随温度变化的实验结果与载流子散射的几种理论模型曲线相比较,得出在120K附近为界,在高温区中极化的光学声子散射限定迁移率;在低温区中光学声子散射和离化本征受主散射的混合模型或离化本征受主散射限定迁移率。认为离化本征受主是一次电离的Zn空位。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 气相外延ZnSe单晶膜室温蓝色发射的复合过程

        范希武, 汤子康, 马力
        1986, 7(4): 336-343.
        摘要：随着激发密度的增加,ZnSe外延单晶膜的室温蓝带Es′(～4650Å)表现出红移和展宽,其行为与77K时得到的相一致。在200-300K温度范围内,测得Es′谱带的热激活能为19meV,它与ZnSe晶体自由激子的束缚能20meV十分接近。上述结果从实验上进一步证明了ZnSe外延单晶膜室温蓝带Es′起源于受导带中自由电子散射的自由激子的衰减。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 高掺杂InGaAsP材料的荧光光谱和Moss-Burstein移动

        李玉璋, 郑宝真, 彭怀德, 唐骏, 庄蔚华
        1986, 7(4): 344-348.
        摘要：本文研究了77K下,n型InGaAsP材料的阴极荧光。利用导带到类受主能级跃迁的模型,考虑到高掺杂样品带尾效应的影响,计算了高掺杂样品阴极荧光光谱随掺杂浓度变化的Moss-Burstein移动。理论计算结果与实验值较好地符合。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • 原料纯度对VPE ZnSe单晶薄膜发光和电学性能的影响

        汤子康, 范希武, 李维志
        1986, 7(4): 349-356.
        摘要：本文叙述了原料纯度对ZnSe外延膜的发光和电学性能的影响。随原料纯度提高,ZnSe外延膜的电阻率增大,同时PL光谱中与自由激子发射有关的Es带不断增强。这就表明,在我们实验条件下,ZnSe外延层的电导载流子主要来自于原料中施主杂质的污染而不是本征施主,当衬底温度较低时,原料中施主杂质的污染要比衬底中的Ga自扩散重要得多。随着原料纯度的提高,ZnSe外延膜电阻率增加,正是由于原料中施主杂质的减少。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        光致发光

      • 黄京根, 胡建国, 王惠琴, 余兴海, 马礼敦, 何志强
        1986, 7(4): 357-366.
        摘要：本文研究CeMSAl11O19-SrAl12O19和CeMeAl11O19-SrMgAl10O17体系固溶体的发光性质。发现在CeMgAl11O19-SrAl12O19体系中,能形成完全的固溶体,随着SrAl12O19含量的增加,晶胞常数a线性地减小,c保持不变,Ce3+的Nephelauxetic效应和晶场强度减弱,Ce3+最低5d激发带边能量呈指数形式变化,Ce3+的发射能量线性地高移。在CeMgAl11O19-SrMgAl10O17体系中,不能形成完全的固溶体。固溶体终端组成大约为0.3CeMgAl11O19-0.1SrMgAl10O17。在这种固溶体中,晶胞常数α和c则随SrMgAl10O17含量分别线性地减小和增大。样品制备中添加H3BO3,引起固溶体晶僻特性改变,大大提高Ce3+的发光强度。但当H3BO3量超过0.4(摩尔比)时,硼将进入晶格,反而减弱Ce3+的发光。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        其它

      • 外延生长条件对GaN形貌影响的研究

        公猛男, 谢江峰, 孙亚莉, 富淑清, 张传平
        1986, 7(4): 367-376.
        摘要：在Ga-HCl-NH3-Ar系统中,做了多种生长参量变化对GaN晶体形貌影响的规律实验。结果表明,在其它生长条件固定的情况下,HCl的流量在15.8～21ml/min的范围内时,GaN晶体表面的生长坑大小与深度随HCl流量的增加而增大,反之则减小。而当HCl流量小于15.8ml/min时,生长的GaN膜逐渐成为多坑与多晶状。当大于21ml/min时,GaN膜的表面则逐渐出现丘锥体及多晶。经霍耳测量,样片的电子迁移率平均在116cm2/V·s左右,最高的可达462cm2/V·s。在HCl流量15.8～21ml/min的范围内,能重复生长出理想的n-GaN。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 闭管热氧化法生长GaAs自体氧化膜的AES和XPS分析

        戴国瑞, 姜秀英, 钟战天, 沈光地, 邢益荣
        1986, 7(4): 377-382.
        摘要：本文首次利用AES和XPS分析了闭管热氧化法生长GaAs自体氧化膜及其界面组成,其主要成分是Ga2O3和元素As,少量的As2O3分布在氧化层的外侧,从而推断出As2O3是本反应的氧化剂。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnSe单晶薄膜的MOCVD法生长

        范广涵, J. I. Davies, J. O. Williams
        1986, 7(4): 383-392.
        摘要：本文研究了常压MOCVD法制备宽禁带材料ZnSe的生长机制。通过经验公式和烟雾实验,从理论上和实验上分析了反应室的气流状态。观测了滞流层厚度及生长速率与位置、气流速度及衬底温度的关系。实现了反应器设计最优化,在热壁、常压、DEZ源的系统中也生长出高质量的ZnSe单晶外延层。  
          
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        更新时间：2020-08-11
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