最新刊期
      1986年第7卷第3期

        与发光有关的实验技术

      • InP掺杂超晶格的MOCVD生长与表征

        元金山, M. Gal, P. C. Tailer, G. B. Stringfe11ow
        1986, 7(3): 231-237.
        摘要：用常压MOCVD技术生长了InP掺杂超晶格,所用源材料为TMIn和PH3.InP的载流子浓度低为8×1013cm-3,300K迁移率高达5744cm2/V·s.n型掺杂剂是DETe,p型为DMZn,两者在InP中的掺杂浓度均可达~1019cm-3.用不同激发强度下的低温PL谱,时间衰减,时间分辨PL谱和光反射(PR)谱技术表征了InP掺杂超晶格.文中给出了在不同激发强度下InP掺杂超晶格的4KPL谱,该样品由六层(n·p)组成,每层厚度200Å,掺杂浓度分别是1×1018cm-3和2×1018cm-3.发光峰值能量明显低于InP的禁带宽度,当激发强度增加时峰值能量移向高能边,这是真实空间中的间接跃迁特征.总PL信号衰减分成几步,每步都按指数规律,在4K情况下,衰减常数从6×10-8秒到7×10-4秒,具有明显间接带隙材料特征.InP掺杂超晶格中的量子尺寸效应用PR谱技术进行了研究.为描述InPnipi结构中的量子尺寸效应,引进了抛物型势阱模型,实验结果与根据引进模型所进行的计算相符.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 气相外延GaN的拉曼散射

        孙亚莉, 富淑清, 谢江峰, 公猛男
        1986, 7(3): 238-245.
        摘要：测量了在蓝宝石衬底上气相外延生长GaN的拉曼散射谱.除观察到已被确认的两个E2,一个A1(TO)和一个E1(TO)声于振动以外,在734±3cm-1处观察到一个散射峰且从实验上确认其为GaN的纵向光学声子模E1(LO).而且发现其强度与外延层晶体质量密切相关.A1(TO)和高频E2散射峰相对强度变化显示不同生长条件引起的外延层质量的变化.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 低温光致发光微计算机测试系统

        叶平
        1986, 7(3): 287-294.
        摘要：低温光致发光微计算机测试系统(PL-PC)是应用IBM-PC微计算机和先进的具有软件的数据采集系统(Keithley DAS Series 500)等配接到低温光致发光测量设备上,对固体材料的光致发光进行测试.特别是对Ⅲ-V族,Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物的测试显著提高了效率和精度.实现了理想的测量控制、数据采集、数据处理和管理.对数据采集采用光编码器等作直接同步控制,采集精度从10Å-0.04Å可调,采集灵敏度<1mV,对测试结果(数据、谱线、计算结果、测试条件等)可以显示、记录、打印、存储等多种方式任选输出,全部过程在程序控制下进行.应用程序使用BASIC和Soft500写成,采用“菜单”方式,模块结构,使用方便,灵活、稳定、可靠.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        其它

      • 完整大豆叶片中自由基对的相互作用

        金长清, 王锡棣
        1986, 7(3): 246-251.
        摘要：本工作对完整大豆叶片直接地进行了电子自旋共振谱的测量.通过求解薛定格方程,给出IP-700+的数值解析表达式,该式与ESR实验曲线符合的很好.从而证实电子自旋极化理论对大豆叶片中光诱导信号I动力学和线型分析的适用性,以及得到A1是叶绿素A二聚物的判断.  
          
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        更新时间：2020-08-11
      • 孔庆根, 杨远龙, 叶衍铭
        1986, 7(3): 295-299.
        摘要：本文叙述了利用同轴结构Xe1v离子激光器的UVλ=365nm激光作为激发光源的激光感生荧光(LIF)实验系统,对医用X射线ZnCdS:Ag荧光屏的发光性能进行了研究.LIF方法能方便而高灵敏地同时测得荧光光谱与寿命,和传统的紫外灯激发及X射线激发的结果一致,可以完全避免X射线对人体的有害辐射.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 变色片大屏幕显示

        苏水林
        1986, 7(3): 300-306.
        摘要：本文阐述变色片大屏幕显示机使用场合、原理、主要性能、组成部分及设计特点.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        发光的一般问题

      • Ho3+和Er3+在YLiF4晶体中的光谱强度和Ωλ参数

        武士学, 张思远, 王庆元
        1986, 7(3): 252-260.
        摘要：YLiF4晶体作为一种激光基质材料,早已为人们所熟知.早在六十年代末,七十年代初,就有人对掺Ho3+和Er3+的YLiF4晶体的光谱性质和激光行为进行了研究[1].为了深入的研究这种材料的光谱性质,我们计算了YLiF4:Ho3+和YLiF4:Er3+晶体的实验和理论振子强度、振子强度参数Ωλ(λ=2,4,6)、辐射跃迁几率和辐射寿命等参数.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Na5Eu(MO4)4(M=Mo,W)的B(λkq)强度参数和跃迁几率

        P. Porcher, J. Holsa, 黄京根
        1986, 7(3): 261-268.
        摘要：本文应用Judd-Ofelt理论,从实验光谱数据得到了Na5Eu(MO4)4(M=Mo,W)的B(λkq)唯象参数.由这些B(λkq)线—线跃迁强度参数计算得到的5D0,1(ri)→7FJ(rf)的跃迁几率同实验光谱数据得到的跃迁几率较好地相吻合.本文对计算数据和实验结果之向存在的偏差作了讨论.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • YGG:Cr晶体的光谱特性

        尹民, 吴晓忠, 李华, 楼立人, 徐鹏寿, 夏上达
        1986, 7(3): 269-274.
        摘要：本文利用10K下的吸收谱,拟合计算了YGG:Cr的晶场能级,估算了黄昆因子和平均声子能量,讨论了R线随温度的红移和宽化.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • 镓铝砷双异质结红光二极管中红外辐射起因的研究

        罗宗铁, 杨松林, 杜明
        1986, 7(3): 275-280.
        摘要：本文研究了镓铝砷双异质结红光二极管发射光谱中的红外谱带随工作电流及温度的变化规律,并看到器件的发光效率与红外带的强度有明显的联系.通过红外带峰值位置,半值宽度、峰值位置随温度的移动及发光区深能级的测定,认为该谱带来源于衬底.由于有源区厚度的不均匀及限制作用不充分,使注入到有源区中的一部分电子能穿过限制层进入P型GaAs衬底,从而产生红外谱带.指出改善有源区厚度均匀性,增大限制层的势垒高度是降低红外辐射,提高器件发光效率的有效途径.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 1.3μmInGaAsP/InP发光管退化的研究

        张桂成
        1986, 7(3): 281-286.
        摘要：研究了InGaAsP/InP双异质结发光管在老化,存储过程中的退化现象及其影响因素.有快慢二种退化模式,正向I-V特性变坏是产生突然退化的最主要因素,焊料的润湿不良是导致器件退化的原因之一;在70℃,85℃老化及存储过程中,个别器件有源区内有DSD产生并长大,这并不是引起突然退化的原因.  
          
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        更新时间：2020-08-11
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