最新刊期
      1986年第7卷第2期

        发光的一般问题

      • 晶体中稀土离子能级的计算理论和方法

        张思远
        1986, 7(2): 139-147.
        摘要：本文评述了晶体中稀土离子的主要物理作用及能级计算的主要参数和数学方法。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 液氦温度(4.2K)下LaOBr:Ce3+,Tb3+粉末的电子顺磁共振研究

        王敬伯, 徐征, 陈福韬
        1986, 7(2): 148-160.
        摘要：本文研究了LaOBr:Ce+3,Tb3+粉末在液氦温度(4.2K)下的电子顺磁共振,并且进行了晶体场理论计算,理论与实验结果符合得较好,这表明Ce,Tb离子取代了基质中La离子形成发光中心。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • GaP:(Bi,N)晶体中束缚激子的辐射复合及能量转移

        张冬, 江炳熙, 林秀华
        1986, 7(2): 161-170.
        摘要：本文研究了在4.2K—147K温度范围内GaP:(Bi,N)晶体的光致发光光谱的精细结构,积分强度及其随温度的变化,并将它们与GaP:Bi,GaP:N光谱进行比较。首次发现在GaP:(Bi,N)晶体中激发能量从孤立N中心和NNi对(i≥3)中心到Bi中心的转移,增大了Bi束缚激子态的浓度,使Bi发射带增强。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • CaS:Ce,Tb中Tb3+到Ce3+的能量传递

        周映雪, 李文连, 邵铁峰, 刘洪楷, 许少鸿
        1986, 7(2): 171-177.
        摘要：本文通过发射光谱、激发光谱和发光的衰减特性,研究了三价稀土离子Ce3+和Tb3+在CaS基质中的相互作用。实验结果表明,在CaS中Tb3+敏化了Ce3+的发光,监测Ce3+的发光(505nm),在激发光谱中出现Tb3+中心特征辐射的激发带。而且在CaS:Ce、Tb中,Ce3+中心的发光衰减变慢,衰减后期的慢成份正是反映了能量施主Tb3+的衰减特性,证明在CaS:Ce、Tb中存在着Tb3+到Ce3+的能量传递。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 氮化镓外延单晶中束缚激子辐射复合的偏振特性

        张凤玲, 鲍庆成, 戴仁崧
        1986, 7(2): 178-183.
        摘要：研究发现,氮化镓外延单晶中束缚于中性施主中心和受主中心上的束缚激子BED°和BEA°的复合发光,具有偏振特性。这种偏振特性,会随激发光的强度发生变化。当激发光的强度在104W/cm2和106W/cm2间变化时,偏振度首先以二次方的规律随激发光强的增强而增加,而后超于饱和。本文首先用单轴晶体中介电函数的各向异性解释了荧光固有偏振度的起因,继而采用束缚激子间相互作用的电偶极子模型解释了荧光偏振度随激发光光强的变化规律。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • 退火对Er3+离子注入ZnSe晶体电致发光的影响

        1986, 7(2): 184-192.
        摘要：本文研究了低阻ZnSe晶体在室温下经Er3+离子注入后,退火对它的电学及电致发光性能的影响。文中指出,经N2气保护退火所制备的ZnSe:Er3+二极管具有MIS结构,I层是由于晶格损伤造成的。文中根据对I层起因的分析,首次提出和实现了在熔融锌中退火可使品格损伤墓本消除,从而制备了掺Er的ZnSeMS二极管,在反向电压下得到Er3+离子的特征发光。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 硒化锌晶体背景深能级的光电容谱

        杨锡震, 潘维, 喀蔚波, 刘玉梁, 范希武
        1986, 7(2): 193-199.
        摘要：对用国产硒化锌(ZnSe)晶体制成的Au-ZnSe肖特基势垒进行了光电容测量。光子能量hv在0.57～0.61eV范围内的激发光引起单指数型电容瞬变过程。hv在0.67～1.0eV范围内的激发光引起的电容瞬变过程呈现双指数行为。回归分析结果表明样品中存在六个深能级,分别位于导带下方0.55,0.66,0.92,1.19,1.38和1.S2eV处。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 五磷酸铈晶体中Ln3+对Ce3+发光强度的影响

        洪广言, 越淑英
        1986, 7(2): 200-206.
        摘要：采用蒸发溶液法生长出一系列Ce0.9Ln0.1P5O14晶体。研究了晶体中Ln3+对Ce3+发光强度的影响。观察到,La3+,Lu3+和Y3+起稀释作用,使Ce3+的发光强度降低;加入一定量的Pr3+或Gd3+能使Ce3+的发光增强;Nd3+,Sm3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+或Tm3+等离子与Ce3+的能级有重叠,它们之间存在着竞争吸收或能量转移,从而使Ce3+的发光减弱。本文发现Eu3+和Yb3+对Ce3+有严重的猝灭作用。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 铅激活二硅酸钡合成条件的研究

        常天林, 龚曼玲, 范景晖, 苏勉曾
        1986, 7(2): 207-213.
        摘要：在一定量的激活剂PbO2和助熔剂BaCl2,BaSO4存在下,通过碳酸钡和二氧化硅之间的固相反应制备光致发光材料二硅酸钡铅BaSi2O5:Pb2+。为了使获得的产品是具有上述化学计量的化合物,以及具有最好的发光性能,我们用正交设计方法安排了一系列条件试验。试验结果指出,在合成二硅酸钡铅发光材料的反应中,反应温度和SiO2/BaCO3的摩尔比是最重要的因素。反应温度应高于1100℃,SiO2/BaCO3的摩尔比应在2.3—2.8之间。其它重要因素有:激活剂PbO2加入量在0.04—0.17摩尔之间对产物发光强度均无明显影响,以0.08摩尔为最好。由于PbO2在高温时分解及挥发,实际进入晶体的Pb2+量仅为0.8%(摩尔百分)。助熔剂BaCl2及BaSO4的加入量分别以0.16摩尔及0.17摩尔为最好。灼烧时间以5小时为最好。根据最佳条件所制备得到BaSi2O5:Pb2+发光材料在254nm激发下,它的发射光谱峰值为351.9nm,半高宽为39nm,它的发光强度为国内同类商品的111%,为日本东芝SPD-8S的108%。用它制作紫外荧光灯管时,涂敷性能也较好。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 提高InGaAsP/InP DH面发光管输出光功率的研究

        黎锡强, 孙炳玉
        1986, 7(2): 214-220.
        摘要：用改进了的射频溅射仪,对InGaAsP/InPDH面发光管窗口沉积Al2O3抗反射层,以提高光功率的输出。本文采用了两种涂层途径,其一是对单个发光管窗口直接涂层,另一则是对发光管管芯片上窗口涂层,并对二者作了比较。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        与发光有关的实验技术

      • 时间相关单光子计数中几个基础问题

        乐中道, 赵福潭, 李勤庸, 曹丽芸, 林久令
        1986, 7(2): 221-230.
        摘要：本文详细讨论了时间相关单光子计数技术中几个基本物理过程和数理统计原理,实际测量中要注意的几个问题和性能的基本估价。  
          
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        更新时间：2020-08-11
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