最新刊期
      1985年第6卷第4期

        发光的一般问题

      • 多声子跃迁的Franck-Condon因子

        W. H. Fonger
        1985, 6(4): 263-268.
        摘要：在位形座标中,表示电子态u和v的两条抛物线水平方向位移(2S)1/2,垂直方向位移pohω。选取横座标(无量纲位形z)单位,使极小值位于原点的抛物线在z=±1处纵座标为0点振动能1/2hω。S即黄-李-Пеяар因子。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 晶格振动对表面电磁波-激子耦合系统色散性质的影响

        张杰, 顾世洧
        1985, 6(4): 269-277.
        摘要：局域在介质表面附近的电磁波与介质中的元激发相互耦合形成另一类的元激发——表面极化激元(polariton),它与半导体的许多光学性质都有关。本文研究了介质中的品格振动对表面电磁波-激子耦合系统色散性质的影响,仔细探讨了共振吸收区附近色散曲线的奇异性质,并对其产生的原因做了分析和讨论。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 体极化子的类相变行为

        王汪, 张开义, 潘金声
        1985, 6(4): 278-293.
        摘要：本文将电子的动量和位置的线性组合作为算符,应用了Bogolyubov不等式,并对哈密顿量进行两次么正变换,对电子-声子耦合常数α的整个区域和温度的尽可能广泛范围计算了体极化子的基态能量,有效质量及电子周围的平均声子数。发现对应一定的温度,当α超过一定值αc 时,极化子将发生相变。并且本文还找到了一个临界温度Tc ,当温度大于Tc 与温度小于Tc 时其相变行为是不同的。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 极性晶体界面附近激子的性质

        曲喆, 潘金声, 何宗强
        1985, 6(4): 294-304.
        摘要：本文利用么正变换方法计算了极性晶体界面附近激子的基态能量,得到了激子基态能量及倒半径随激子质心距界面距离变化的曲线。发现当晶体在真空中时,表面会出现死层,晶体与金属相接触时,界面附近会出现相变。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • LaOBr:Ce3+,Tb3+中Ce3+与Tb3+间能量传递

        赵福潭, 曹丽芸, 徐叙瑢
        1985, 6(4): 305-313.
        摘要：本文利用毫微秒技术在ns秒量级测量了不同浓度组分的LaOBr:Ce3+,Tb3+中Ce3+发射带的衰减常数τCe值和时间分辨光谱,确立了Ce3到Tb3+能量传递过程模型,建立了动力学方程和导出能量传递的计算公式。据此计算出Ce3+到Tb3+的能量传递几率和效率,得出Ce3+,Tb3+的最佳浓度。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • 气相外延ZnSe单晶薄膜的蓝色电致发光

        汤子康, 范希武
        1985, 6(4): 314-321.
        摘要：本文在300℃—700℃温度范围内,在GaAs衬底上气相外延生长了ZnSe单晶薄膜。讨论了衬底温度对外延层电学性质及光学特性的影响。ZnSe外延层经Zn气氛热处理后,发光特性大为改善。用处理后的ZnSe外延膜做成MIS发光二极管,首次得到了室温下气相外延ZnSe单晶薄膜的蓝色电致发光。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnS:Mn,Cu粉末的直流电致发光(DCEL)

        周连祥, 罗晞
        1985, 6(4): 358-368.
        摘要：本文综述了本实验室对粉末DCEL材料的研究结果,文中叙述了直流发光材料和器件方面的研究进展,其中包括材料的制备方法,包铜工艺、ZnS原料,介质的选择原则,形成过程及DCEL机理等。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        阴极射线发光

      • Eu2+激活的BaFCl1-xBrx,BaFCl1-xIx和BaFBr1-xIx体系的发光性质

        林建华, 苏勉曾
        1985, 6(4): 322-328.
        摘要：本文研究了BaFCl1-xBrx,BaFCl1-xIx和BaFBr1-xIx体系中Eu2+的发光光谱和相对发光强度,并讨论了在这些体系中Eu2+的4f65d1能级随组成的变化。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        光致发光

      • Eu3+在M3La2(BO3)4(M=Ca,Sr,Ba)中的发光性质

        裴治武, 苏锵
        1985, 6(4): 329-334.
        摘要：本文报导了M3La2(BO3)4:Eu3+(M=Ca,Sr,Ba)磷光体的制备方法及晶体结构。三种磷光体均属正交晶系。研究了Eu3+离子的光谱特征与基质化合物的关系。发现在三种磷光体中,被Eu3+所取代的La3+离子均只有一种格位,且在此格位上不具备反演操作的对称性;Eu3+在Ca3La2(BO3)4:Eu3+中所处格位的局部对称性最低,属C1,C2和Cs中之一种,在M3La2(BO3)4:Eu3+(M=Sr,Ba)中Eu3+所处格位的局部对称性可能为C2v。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        与发光有光的实验技术

      • LED多功能变色矩阵显示装置软件设计

        高光天, 徐健, 陈炳荣, 鲍刚, 杨忠义
        1985, 6(4): 335-340.
        摘要：本文介绍了单板计算机控制的LED多功能变色矩阵显示装置软件设计方法。本工作不但实现了LED矩阵屏的多功能变色显示而且此方法亦适用于电致发光屏、薄膜屏及其它点阵屏的显示装置。该装置可显示出红、绿、黄三种颜色的汉字、字符,图形及轨迹。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 微型计算机在微弱光谱测试系统中的应用

        梅康柏, 陶崇骝, 王尊立, 丁铁夫, 刘林, 孙秀琴, 王瑞光, 赵胜
        1985, 6(4): 348-357.
        摘要：本文报道了在我们研制的微弱光谱测试系统中微计算机的应用,介绍了数据采集、双机间的DMA传送数据、二维光栅扫描控制、应用微机改善信噪比、应用软件和图形显示等问题。着重讨论如何通过我们所做的研制工作,使性能较低的EG3003微计算机达到OMA系统所要求的水平。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        其它

      • 人胃组织匀浆的荧光

        孟继武, 侯尚公, 唐树延, 徐叙瑢, 刘志广, 郑扶民
        1985, 6(4): 341-347.
        摘要：本文报导了人胃组织匀浆的电子光谱。采用光谱解析法和分子轨道理论分析了匀浆中的发光中心。讨论了人胃组织匀浆的发光特征,并通过与人胃癌组织匀浆荧光光谱的对比分析,观察到了人胃癌组织匀浆的特异光谱。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • HgCdTe材料应用与制备的进展

        王雷, 高鼎三
        1985, 6(4): 369-377.
        摘要：HgCdTe是一种有广泛应用前景的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体光电材料。从投资上看,它已为仅次于Si和GaAs的第三种最重要的半导体。HgCdTe是制作红外探测器的最佳材料。本文简要地介绍了HsCdTe材料的性质以及它的应用和制备进展,着重描述了在红外探测器上的应用。对制备HgCdTe单晶的各种工艺方法作了比较说明,较详细地介绍了滑动液相外延(LPE)制备HgCdTe单晶薄膜技术。  
          
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        更新时间：2020-08-11
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