最新刊期
      1985年第6卷第3期

        论文

      • 球形阴极射线发光材料—(Zn,Cd)S的制备和特性

        Richard Williams
        1985, 6(3): 173-178.
        摘要：在粉末荧光材料的生产中要特别注意粒度大小的分布,只要用适当的方法就能制备出非常均匀的ZnS和(Zn,Cd)S球形颗粒,这种材料是从水溶液中均相沉淀出来的.在合成过程中要严格保持体系温度的恒定和反应物浓度的均匀一致.下面将讨论(Zn,Cd)S的制备方法和颗粒的物理特性.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        发光的一般问题

      • LaOBr:Er3+,Tm3+红外跃迁的研究

        杨明, 金东明, 张慰萍, 姜文娣, 王冠中, 方容川
        1985, 6(3): 179-185.
        摘要：对在基质LaOBr中分别加入Er3+和Tm3+稀土离子时的红外光谱强度随Er3+和Tm3+离子浓度的变化规律进行了研究.通过对在基质LaOBr中同时加入Er3+和Tm3+稀土离子对它们的发光强度随着浓度的变化呈现不同规律的研究,证实了发生于Er3+和Tm3+稀土离子之间的能量转移是影响Er3+和Tm3+红外发光的重要因素.并且,这种能量转移过程是以共振传递的方式进行的.另外,通过对Er3+的4S3/2能级寿命的测量,给出这种能量转移的直接证据.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 若丹明6G溶液体系的荧光量子效率

        何迪洁, 倪忠强
        1985, 6(3): 222-229.
        摘要：本文对八种若丹明6G溶液的荧光量子效率进行了测量,并着重讨论了染料若丹明6G溶液体系的量子效率的溶剂效应.在研究中发现:若丹明6G溶渡的荧光量子效率与溶液极性(ε-1)/(2ε+1)之间存在线性关系,体系的荧光量子效率随溶剂极性的增加而下降.由于染料分子与成氢键溶剂作用愈强,能量散逸愈快将是导致这一结果的主要原因.这一规律也适用于ANS染料溶液体系中.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • 在ZnSxSe1-x单晶中自由激子光谱的研究

        黄锡珉, 野末泰夫, 井垣谦三
        1985, 6(3): 186-191.
        摘要：在高纯ZnSxSe1-x单晶的自由激子激发光谱中首次观察到过热激子能量弛豫的振荡结构.激发光谱的结构,激子的寿命与ZnSxSe1-x三元系的组分x密切有关.x=0.125和x=0.02样品相比较,随着X的增加而增加自由激子的发光效率,同时在激发光谱的振荡结构中增加光滑成分和背景,亦即减少光学声子形式的能量弛豫,增加声学声子形式的能量弛豫.这些现象归结于在混晶中非均匀势垒引起的激子迁移率的减小.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnS:Tm薄膜电致发光的激发过程

        马力, 钟国柱, 许少鸿
        1985, 6(3): 192-199.
        摘要：利用电子束蒸发方法制得ITO-Y2O3-ZnS:Tm3+-Y2O3-Al结构的薄膜可以得到蓝色电致发光.本文首次报导了ZnS:Tm3+薄膜与ZnS:Er3+、ZnS:Tb3+薄膜电致发光的激发过程有所不同.Tm3+离子的激发可以通过某些杂质中心到Tm3+离子的能量传递来实现.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 化学蒸汽输运法生长完整硫化锌单晶

        杨宝均, 冯淑芬, 杨玉芹
        1985, 6(3): 200-208.
        摘要：用化学蒸汽输运法(VT),以碘为输运剂,在封闭的生长安瓶内,生长温度900℃,蒸发源与生长中的晶体间温差(△T)为5—6℃,在园锥形安瓶顶端以取向的单晶作子晶,可以生长成完整的ZnS单晶.在大管径的安瓶中对流控制的质量输运可以快速长成具有大晶面,中间有空隙的梨晶.用控制对流并适当降低△T值在低蒸气过饱和下可以生出1厘米3以上量级无孪生的单晶.ZnS单晶为立方结构,位错密度104·cm-2n型导电,电阻率8×1012Ω·cm.晶体具有蓝色CRL、PL及EL,用掺有锰的多晶在同样条件下可以生长出ZnS:Mn2+单晶.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 条形几何尺寸对光通信用GaAs-GaAlAs边发光管性能的影响

        逄永秀, 潘慧珍, 龚连根, 吴冠群, 王德宁, 吴陈周
        1985, 6(3): 239-245.
        摘要：本文阐述了条形几何尺寸对GaAs-GaAlAs边发光管性能的影响.计算了不同条宽的侧向电流分布和光场分布情况.计算与实验结果很好相符.通过合理的折衷,在100mA的低注入电流下获得了性能良好的边发光二极管,其标准尾纤的输出功率大于100μW,光带宽超过120MHz.是三次群光通信较为理想的光源器件.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        其它

      • GaAlAs-GaAs半导体激光器增益参数的研究

        张月清, 朱有才, 李殿英, 杨清玉
        1985, 6(3): 209-215.
        摘要：通过对半导体激光器发射光谱的计算可获得激光器的增益谱.本文研究了不同电流注入下激光器的增益特性;激光器的峰值增益系数Gmax在阈值电流以下随注入电流的增大而提高,也随结温的升高而下降.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 异质结光晶体管

        张权生, 付淑云
        1985, 6(3): 246-258.
        摘要：本文介绍了异质结光晶体管的工作原理,概述了GaAlAs/GaAs和InGaAsP/InP两种系列异质结光晶体管的研制现状.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        光致发光

      • 一些三价稀土离子在碘氧化镧中的发光

        李有谟, 芦洪德, 李继文, 苗秀琴
        1985, 6(3): 216-221.
        摘要：本文报导了碘氧化镧的合成和一些稀土离子在其中的发光.碘氧化镧是一具有低声子能量的基质,发光光谱表明一些稀土离子如Er3+等的较高激发态的辐射跃迁可以被观察到.碘氧化镧在240nm处有一较强吸收,并能把能量传递给其它稀土发光中心,这是基质敏化的一个较好例子.而Eu3+在这基质中发光很弱,对此作了简单讨论.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • LnxRE1-xP5O14(LRPP)晶体的光谱研究

        于亚勤, 王庆元, 刘书珍
        1985, 6(3): 230-238.
        摘要：研究了50多种LnxRE1-xP5O14(Ln3+:Pr3+,Nd3+,Er3+,RE:La3+→Lu3+,Y3+,Sc3+)晶体的紫外可见吸收光谱,荧光光谱和红外吸收光谱.计算了室温下Pr3+,Er3+离子的振子强度.讨论了晶体的荧光寿命.  
          
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        更新时间：2020-08-11
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