最新刊期

    1985年第6卷第2期

      发光的一般问题

    • 准一维聚合物中的声学极化子

      班士良, 顾世洧
      1985, 6(2): 85-95.
      摘要:本文讨论准一维聚合物中的一维电子通过形变势与三维声学声子相互作用,对弱耦合和中间耦合情形,导出了极化子基态能量和有效质量。结果表明,在这种混合维数模型中,可形成稳定的极化子。  
        
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      49
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1562213 false
      更新时间:2020-08-11
    • n型砷化镓深能级发光的动力学分析

      葛惟锟, W. K. Ke
      1985, 6(2): 96-109.
      摘要:本文从实验上研究了n型砷化镓中深能级有关的阴极射线致发光的温度猝灭与激发强度的关系以及阴极射线致发光的瞬态特性。采用两种样品;在n型GaAs衬底上用MOCVD外延的n型GaAs(掺S)的样品和在此基础上800℃扩入放射性Cr51的样品。用SI阴极光电倍增管接收阴极射线致发光,利用光子计数和延迟符合技术进行测量。以单能级和双能级两种模型分别计算了发光的稳态强度和衰减动力学过程。  
        
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      77
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1561662 false
      更新时间:2020-08-11
    • 静态模型中激活剂(受主)发光的衰减

      黄世华
      1985, 6(2): 110-115.
      摘要:本文通过敏化剂(施主)和激活剂(受主)间能量传递速率的分布函数,得到了CA<1时静态模型中激活剂发光衰减曲线的表示式:Xe-βt+e-γt d/dt f(t)激活剂发光衰减具有的形式。  
        
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1561635 false
      更新时间:2020-08-11

      其它

    • 真空中加热衬底对ZnSe MIS二极管电致发光的影响

      范希武, 张吉英, 宫廷干, 王新麟, 吕安德, 李维志
      1985, 6(2): 116-122.
      摘要:本文研究了在制备ZnSe MIS二极管的绝缘层时,为了改善IS间的界面接触,在真空中加热ZnSe衬底,其结果虽然使电致发光的均匀性有所改善,却使原来的蓝色电致发光变为红色。文中着重研究了红色电致发光的起源,在液氮温度下出现的二个峰值为5350Å和6320Å的谱带应分别归结为ZnSe晶体中的铜绿(Cu-G)和铜红(Cu-R)发光中心。文中指出,真空中加热的条件,使ZnSe晶体中残留的Cu杂质从非发光中心状态转变为发光中心状态。因此,要改善ZnSe晶体蓝色电致发光的性能,进一步提高ZnSe晶体的纯度是十分重要的。  
        
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      73
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1561643 false
      更新时间:2020-08-11
    • 毫微秒荧光寿命的解卷积处理

      李勤庸, 李庆华, 赵福潭, 曹丽芸
      1985, 6(2): 123-130.
      摘要:本文介绍毫微秒荧光寿命的解卷积原理及实验系统与实验方法,讨论了数据精确性判别并举出若干例子。此外,我们结合实际需要还对数据处理软件进行若干扩充,扩大了数据处理功能。  
        
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      126
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1562219 false
      更新时间:2020-08-11
    • 硒化锌的气相外延生长

      王全坤
      1985, 6(2): 131-136.
      摘要:采用改进的气相外延法在(100)GaAs衬底上外延生长了ZnSe单晶膜。最大生长速率为每小时10μm左右。淀积过程的激活能为10kcal/mol。在77K的温度下测量了外延膜的光致发光,4460Å附近可以观察到很强的蓝色发射。外延膜的电阻率~1.1Ω·cm。  
        
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      65
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1561639 false
      更新时间:2020-08-11
    • 滕秋克, 刘长春, 李铁津
      1985, 6(2): 137-142.
      摘要:利用L-B技术制作L-B功能单分子膜。以两种花菁染料作给体和受体,用硬脂酸单分子膜作隔离夹层。在这种体系中的能量转移是Förster机制,有效距离为~100。  
        
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      80
      |
      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1561656 false
      更新时间:2020-08-11
    • 仿生色素薄膜的荧光光谱研究

      王今堆, 滕秋克, 李铁津, 朱大鸣, 胡旭光
      1985, 6(2): 143-148.
      摘要:本文利用柱层析法从天然产物中提取分离了叶绿素a(Chl-a)和胡罗h素C(Car),并按Langmuir-Blodgett单分子膜技术制备了Chl-a单分子膜、Chl-a与Car的混合单分子膜。实验中还引入了硬脂酸起辅助支撑作用,选用的硬脂酸与Chl-a的摩尔比为10:1。挂膜载片为经过疏水处理的玻璃片。为制作模仿天然光合膜集光天线系统的功能,我们以Car为给体Chl-a为受体,Caf与Chl-a的摩尔比为5:1、50:1和125:1;这里选用的比例远大于集光天线的色素比例。用荧光光谱的测量发现,L-B膜内的色素分子有特殊的集聚态,这种状态有助于实现高效的激子转移。作者指出,由于二维的L-B膜上会发生Frster型和激子型两种能量转移的协同作用,所以在Car与Chl-a的摩尔比125:1时Chl-a的荧光无相应衰减。Chl-a单分子膜的荧光带为677nm和766nm。吸附在层析纸上Chl-a的荧光,仅长波带有明显位移。  
        
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      60
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1562205 false
      更新时间:2020-08-11
    • 叶绿素聚集体的延迟发光

      杨善元
      1985, 6(2): 149-154.
      摘要:石油醚中的叶绿素聚集体在照光后数分钟内会发出微弱的光来。这延迟发光的衰减曲线包含两个相:持续十秒左右的快速相和持续数分钟的慢速相。在四氯化碳中的叶绿素聚集体的延迟发光的衰减曲线和石油醚中的不同。延迟发光的强度在电子供体或递体存在时减弱。当聚集体解聚后,延迟发光现象消失。  
        
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1561652 false
      更新时间:2020-08-11
    • 芳香分子的发光

      袁慧君
      1985, 6(2): 161-171.
      摘要:芳香分子具有属于整个分子的π电子,它决定了芳香分子一般都具有很强的荧光。研究芳香分子的π电子光谱是量子化学的专门课题。常见的理论方法有;Hückel分子轨道理论,Platt环自由电子轨道模型和PPP近似。芳香分子的发光特性决定于分子的结构,例如,分子的刚性、平面性、取代基及其空间特性等等。芳香分子处于蒸汽和单晶状态或溶解在溶剂和固溶体(例如塑料)中,必然发生分子之间的相互作用和能量传递。分子之间的能量传递有多种方式,例如辐射传递、扩散控制过程、激子扩散、共振传递、交换传递和激光的形成与分解等等。  
        
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1562201 false
      更新时间:2020-08-11

      与发光有关的实验技术

    • GaInAsP/InP LED透镜的研制

      邬祥生, 徐少华, 姚文兰, 董荣康
      1985, 6(2): 155-160.
      摘要:带有透镜结构的发光管有利于提高器件的外量子效率和耦合效率。InP衬底对1.3μm波长范围的光发射是透明的,因而可制造带透镜结构器件。本文研究了4%CH3COOH体系腐蚀液和H3PO4:HCI体积比为1:3腐蚀液的腐蚀特性,比较了二者的活化能和腐蚀液的温度,状态和衬底晶向等对腐蚀速率的影响。并用二步腐蚀法在外延片的InP衬底上制成了带有透镜的InAsP/InP发光管。其曲率半径为160—170μm。该器件在彩色录像传输系统中的应用效果良好。  
        
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1562226 false
      更新时间:2020-08-11
    0