最新刊期
      1985年第6卷第1期

        论文

      • ZnSe MIS二极管蓝色电致发光的空间分布

        范希武, 张吉英, 张志舜, 王寿寅, 吕安德, 李维志, 姜锦秀, 孙要武
        1985, 6(1): 1-6.
        摘要：本文研究了用ZnS多晶薄膜作绝缘层时制备的ZnSe MIS二极管,在正向电压激发下的蓝色电致发光的空间分布,在光学显微镜下观察到电致发光呈稀疏的点状分布。为了了解发光点的起因,用扫描电镜观测了二极管的二次电子像(SEI),束感生电流像(EBICI)和吸收电流像(AEI)。一个重要的发现是二极管的电致发光点(ELS)和EBICI有相当好的对应关系。文中指出了发光点的存在与绝缘层(Ⅰ)的引入有关。绝缘层一半导体(I-S)界面较大的能带失配和较差的结合,从而产生较多的无辐射复合中心,是产生稀疏发光点可能的原因。文中根据对发光点起因的分析,提出用ZnSe多晶薄膜取代ZnS多晶薄膜作绝缘层来铡备ZnSe MIS二极管。当用显微镜观察时,电致发光点呈密集分布,而用肉眼观察时是均匀的蓝色发光。文中还指出了进一步改进电致发光空间分布的可能途径。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 中子辐照高掺硅砷化镓的光致发光研究

        林昭(火回), 张丽珠, 陈昆, 许惠英, 张伯蕊, 秦国刚, 尹庆民
        1985, 6(1): 7-12.
        摘要：研究了高掺硅的n型GaAs在中子辐照前后和150℃-500℃等时热退火以后的光致发光光谱。观察到在中子辐照后积分发光强度降低为辐照前的1/36。在退火温度超过250℃时,积分发光强度显著增长,当退火温度达400℃以上时,在带边峰的低能侧出现能量为1.35eV、1.30eV和1.26eV的发光峰。假设250℃退火阶段对应于较大的空位团分解为较小的空位团,400℃退火阶段对应于较小的空位团分解出VGa,可以较好地解释实验现象。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • C-ZnSe:Ga MS发光二极管室温蓝带的发光特性

        宫廷干, 王新麟, 张吉英, 范希武, 李维志
        1985, 6(1): 13-17.
        摘要：测量了在77K和290K温度下,Au-ZnSe MIS,Au-ZnSe:Ga MIS,C-ZnSe:Ga MS和C-ZnSe MIS二极管的电致发光光谱,得到了以Au作势垒电极时通常有二个室温蓝带,而以C作势垒电极时只有一个室温低能蓝带。在77K—290K温度范围内,研究了C-ZnSe:Ga MS二极管在正向电压激发下的电致发光光谱随温度的变化。结果表明:室温低能蓝带的起因,在低温下可以归结为同时发射二个纵光学声子的自由激子的发射。文中指出,在C-ZnSe:Ga MS二极管上,观测不到室温高能蓝带,是由于晶体的吸收。由此可见,C-ZnSe:Ga MS结的室温蓝色电致发光的效率比Au-ZnSe MIS结的低得多。  
          
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        更新时间：2020-08-11
      • 祁长鸿, 干福熹
        1985, 6(1): 18-26.
        摘要：对不同玻璃基质中的Tb3+、Er3+和Tm3+离子的辐射跃迁和无辐射跃迁速率进行了计算和测量,并讨论了基质玻璃对跃迁特性的影响。研究了Ce3+对Er3+、Tm3+,Tb3+的敏化作用,得出Ce3+对Er3+离子的敏化作用是弱的,而Ce3+对Tm3+和Tb3+是较强的,并对敏化机理进行了讨论。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 半导体激光器微分外量子效率及内量子效率的测量

        张月清, 朱有才, 李殿英, 杨清玉, 史若桦
        1985, 6(1): 27-32.
        摘要：内量子效率和微分外量子效率是半导体激光器的主要物理参数。H. S. Sommer(1978)曾提出一新的测量方法。  
          
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        更新时间：2020-08-11
      • 李文连, 周映雪, 刘洪楷
        1985, 6(1): 33-40.
        摘要：本文描述了碱土硫代镓酸盐化合物在用Dy3+离子作激活剂时具有较高的阴极射线辐射效率(～9%);最佳浓度为3×10-2(mole/mole)。发现在Sr1+xMxGa2S4:Dy体系中,当x=0～1、M为Ca时效率下降幅度最小。M为Mg、Ba时下降幅度较大。还观测到,SrGa2S4:Dy与BaGa2S4:Dy的光致发光特性的明显差异;对于Dy3+的I575/I472比率,Ba化合物显著大于sr亿合物,Dy3+激活的CaGa2S4、SrGa2S4、及BaGa2S4的激发光谱也很不相同,本文对这些亦做了定性地解释。此外,本文还讨论了不同碱金属阳离子和卤素阴离子电荷补偿剂的效应。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • DyxTbyY1-x-yP5O14晶体的荧光性质

        白云起, 孙长英, 张思远
        1985, 6(1): 41-45.
        摘要：研究了DyxTbgY1-x-yP5O14晶体的荧光特征,Dy3+离子对Tb3+离子5D3能级的猝灭作用和对5D4能级的敏化作用,讨论了Tb3+离子和Dy3+离子浓度间的关系及对荧光强度和荧光寿命的影响。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 三价铕激活的(Y,La)2O2S二元体系的发光

        连锡山, 黄竹坡, 郭凤瑜
        1985, 6(1): 46-54.
        摘要：为了寻找新的荧光粉基质料材,本文研究了在阴极射线、紫外线和X射线激发下,三价铕激活的(Y,La)2O2S二元体系的发光亮度、发射光谱和发光颜色等发光特性随组成变化的规律,并研究了三价铕离子浓度对(Y0.9La0.1)2O2S体系发光性能的影响。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • InGaAsP/InP边发光管特性的研究

        张桂成, 徐少华, 程宗权, 陈瑞璋, 龚连根, 杨林宝
        1985, 6(1): 55-59.
        摘要：用液相外延技术生长的外延片,制成了SiO2条形限制的InGaAsP/InP边发光管,100mA下光功率1mW,最高值1.3mW,发射波1.31μm,半宽860A。研究了外延材料特性(如p-n结位置,有源层厚度和浓度)对器件光功率,光谱特性,和Ⅰ-Ⅴ特性的影响。有源层厚度(d)对光功率和光谱半宽有重要影响,p-n结不偏位的器件,光谱特性为单一的长波长发射蜂,具有正常的Ⅰ-Ⅴ特性。p-n偏离有源层的器件,光谱特性除长波长发射峰外,尚有9700A的InP发射峰,其Ⅰ-Ⅴ特性具有异常特性,导通电压>0.9V。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnS晶体3C⇔2H结构转变的LAUE衍射图中“奇异点”的标定

        高大超, 刘维娜
        1985, 6(1): 60-67.
        摘要：在ZnS晶体3C⇔2H结构转变的X—射线Laue衍射分析中,为了解释一维无序造成的异常衍射现象,本文推导了Laue衍射图曲线晶带的“奇异点”计算公式。并应用此公式,计算了ZnSLaue衍射照片上数条晶带上的“奇异点”,计算值与实验值完全吻合。另外,本文还对“奇异点”的形成、特点、标定的意义以及计算公式适用范围进行了讨论。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 晶体场理论引论(七)(八)

        虞家琪
        1985, 6(1): 68-78.
        摘要：实验上发现晶体中稀土离子的光谱大部分来自4fN组态内电子的跃迁,多数具有电偶极跃迁的性质。对自由离子来说,宇称选择定则要求电偶极跃迁只能发生在不同宇称的能级之间。因此4fN组态内的电偶极跃迁是禁戒的。为了解释晶体中稀土离子4fN组态的电偶极跃迁,必须假设有某种非中心对称的相互作用,使4fN组态的态和具有相反宇称的态混杂,从而产生电偶极跃迁。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        简讯

      • 一种新型琥珀色CRT显示荧光材料

        李文连, 周映雪, 邵铁峰, 刘洪楷
        1985, 6(1): 79.
        摘要：我们在研究稀土离子激活的ZnS系列磷光体的制备及发光性能的基础上,最近又研制出Sm3+离子激活的碱土金属硫化物荧光材料。采用所谓“硫化助熔剂法”(即在烧结荧光粉过程中不另通H2S或CS2气体)的固相合成方法,研制出了新型CRT用显示材料。  
          
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        更新时间：2020-08-11
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