最新刊期

    1984年第5卷第3期

      发光的一般问题

    • Ⅲ-Ⅴ族化合物中氮束缚激子发光的动力学研究

      张新夷
      1984, 5(3): 1-11.
      摘要:用发光动力学的分析方法,研究了Ⅲ—Ⅴ族化合物中N束缚激子的发光强度与温度的关系,得到的理论公式与实验结果符合得较好。我们的分析指出,由于无辐射能量传递的存在,束缚激子的△J=2跃迁的发光效率低于△J=1跃迁的发光效率,致使低温(T<50K)下束缚激子的发光强度可能随温度的下降而变弱。另外,N杂质对自由激子再俘获的可能性的大小直接影响束缚激子发光的热猝灭过程:束缚激子可能因热离解成自由激子或自由的电子和空穴。我们找到了区分这两类情况的条件。  
        
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      61
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1561524 false
      更新时间:2020-08-11
    • ZnS:Er3+的激光选择激发—一种立方对称Er3+中心

      虞家琪, 海鹰
      1984, 5(3): 12-24.
      摘要:本文首次报导了用激光选择激发技术研究Ⅱ-Ⅵ族化合物中三价稀土离子中心的结果.用激光选择激发技术分辨出ZnS:Er3+中一种具有立方对称的中心,确定了基态和激发态的晶场分裂。根据点电荷模型计算和实验结果,该中心的结构是Er3+离子处于填隙位置,最近邻配位体是四个带正一价电荷的电荷补偿离子.该中心的发射光谱中发现由于发射局域声子产生的声子伴线。  
        
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      49
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1562101 false
      更新时间:2020-08-11

      电致发光

    • Ga1-xAlxAs LED深能级对其发光效率的影响

      胡恺生, 高瑛, 苏锡安, 李殿学
      1984, 5(3): 25-32.
      摘要:本文用DLTS法测量了发光效率不同的三只Ga1-xAlxAs LED的深能级浓度.深度和俘获截面,并计算出电子和空穴的寿命,同时测量了它们的发光光谱和光通.从发光效率正比于载流子寿命的观点出发,分析了实验结果.表明1*与3*LED发光效率比R1大致等于它们的寿命比Rτ,但2*与3*却差别很大,文中从光谱角度作了一些分析,差值有所改进.从载流子寿命分析,找出了△Em=0.28、0.33与0.32eV三个能级是分别影响三个LED效率的主要能级。指出了8800Å的红外峰是使发光效率降低的另一个原因,它可能起因于外延层与村底界面处GaAs的带间复合和通过杂质的复合,要得到高效的LED必须制备出好的Ga1-xAlxAs与GaAs界面,应尽可能使红外峰减少.实验表明,效率高的LED仅有一个深能级(0.28eV),在室温下视察不到明显的红外峰。  
        
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      31
      |
      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1562119 false
      更新时间:2020-08-11
    • 粉末DCEL发光区的随机性

      周连祥, 罗晞, 张惠芬, 孔祥贵
      1984, 5(3): 45-53.
      摘要:粉末DCEL屏(夹心式)的发光区是在紧靠阳极的一个很薄(大约1μm)的区域内,这是至今所有研究者一致的结论。本文作者在实验中证实,粉末DCEL屏的发光区位置具有随机性,通常它可出现在任何难以预料的位置上,比如在靠近阴极或者在发光粉层中间以及靠近阳极,甚至同时在所有上述位置上出现,也有时发光区占据整个的发光粉层。实验还证实,发光区的位置与形成方式,电极材料,电压极性,发光材料和屏的结构等因素有关,发光区出现在紧靠阳极的区域只是一种特定条件下的结果。文章讨论了发光区形成的原因及其规律性,认为发光区的位置取决于发光粉层内电位分布不均匀性的具体情况。  
        
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      140
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1561528 false
      更新时间:2020-08-11
    • 刘彤宇, 陈树良, 刘义俊
      1984, 5(3): 54-59.
      摘要:本文首次报导用ZnxCd1-xSySe1-y四元基质制备黄色ACEL粉末材料.提出了用四元系镧备黄色ACEL材料的设计思想,通过实验,确定了合适的组分x,y值,采用较简便工艺,获得了亮度较高,色度符合使用要求的黄色ACEL粉。测量了此材料在不同使用条件下的发光特性,为应用目标提供了参数。  
        
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      27
      |
      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1561518 false
      更新时间:2020-08-11
    • 生长过程中磷压对MOVPE GaP电致发光谱的影响

      杨锡震, L. Samuelson, H. G. Grimmeiss
      1984, 5(3): 75-82.
      摘要:对在不同磷压下生长的MOVPE GaP二极管的电致发光(EL)谱进行了测量。参照对相应的肖特基势垒样品进行的结技术测量和对衬底进行的光致发光(PL)测量结果,对观测到的几个强度随生长时所用磷压明显变化的EL带的起因作了讨论。将其中相对强度随磷压增加的两个EL带分别试归因于与反位磷PGa的一次和二次离化态有关的辐甜复合;将相对强度随磷压减小而增大的一个EL带归因于与氧有关。  
        
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      52
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1561511 false
      更新时间:2020-08-11
    • ZnS中Er3+的正向注入电致发光

      虞家琪, 赵天仁, 李文连
      1984, 5(3): 94-96.
      摘要:已报导的三价稀土离子(RE3+)和二价锰离子发光的电致发光器件,都是激发机理为碰撞激发的高场发光器件[1,2]。我们研究了znS:RE2+的带边激发光谱,由此提出了实现正向注入下三价稀土离子电致发光的发光器件的设想,这种器件的必要条件是在存在三价稀土离子的区域同时注入电子和空穴。在离子注入的ZnS:Er3+发光二极管上观察到了这种发光,实验证明不是碰撞激发,而是正向注入产生的发光。  
        
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1562126 false
      更新时间:2020-08-11

      光致发光

    • 液相外延GaAs/AlGaAs异质结量子限制效应的光致发光现象

      袁祐荣, J. L. Merz
      1984, 5(3): 33-44.
      摘要:在轻掺杂或不掺杂的GaAs/AlGaAs异质结LPE晶体中,在1.4K的温度下发现了一条新的、由于量子限制效应而出现的PL光谱线—H线。处于GaAs PL光谱的激子跃迁和最浅受主(C)跃迁之问的此H线是一条较宽(半宽~9meV)、拖有一长波方向尾的、而且其峰值能量随激发强度的增加而以对数线性方式移向激子线的高能端(移动超过8meV)的光谱线。H线与温度有密切的关系。随着温度的上升,H线移向较低能的受主跃迁边(达到2meV)而且发光强度很快下降,并在约14K处消失。阶梯蚀刻样品的PL实验证明了H线来源于GaAs/AlGaAs异质结的界面。一个异质结界面的能带不连续模型及其存在的类三角势阱的量子限制效应作用较满意地解释了H线的产生及变化的发光现象,实验表明,H线与此势阱限制的束缚载流子有密切的关系。  
        
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1561535 false
      更新时间:2020-08-11
    • Zn2GeO4·GeO2:Mn2+的合成及发光

      王义辉
      1984, 5(3): 60-67.
      摘要:提供了一个制备Zn2GeO4·GeO2:Mn2+发光粉的方法。指出了加入过量GeO2能降低反应温度,加速反应过程,大大提高发光亮度的原因。测定了该粉的光致和阴极射线发光亮度及光谱.结果表明影响Mn2+谱带位移的主要因素是氧锰键长及其共价性大小。  
        
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1562111 false
      更新时间:2020-08-11

      其它

    • Zn在Ga1-xAlxAs中的扩散规律

      公猛男, 赵彦民
      1984, 5(3): 68-74.
      摘要:本文论述了在720℃~750℃的温度下,Zn在Ga1-xAlxAs,GaAs中的扩散。研究了结深x1,随片子表面Al组份x值的变化规律。实验表明在同一扩散条件下,Ga1-xAlxAs与GaAs两种材料的结深xj并不相同。在此基础上获得了Al组份x=0.34的最佳扩散条件。  
        
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1562106 false
      更新时间:2020-08-11
    • ZnP2在GaP表面的定压箱法扩散

      张福甲, 李思渊, 胡建治
      1984, 5(3): 83-88.
      摘要:理论计算给出了带盖砂磨石英箱内扩散源蒸汽的泄漏率和箱子容积、缝隙宽度,蒸汽分子在缝隙中运动的相互关系。实验证实了ZnP2作为GaP LED高表面浓度扩散源的定压箱法扩散是可采用的。用设计加工的石英箱,对样片进行了多次定压箱法扩散,其结果与闭管扩散一致,且具有良好的重复性。  
        
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1561541 false
      更新时间:2020-08-11
    • 晶体场理论引论(五)

      虞家琪
      1984, 5(3): 97-104.
      摘要:用行列式波函数方法处理晶体场中能级的分裂,计算矩阵元时要还原到单电子情况,电子数目越多就越麻烦,也给不出计算矩阵元的一般表达式。自然要找更一般的方法,能给出分析表达式,便于处理多电子的复杂情况,这就是不可约张量方法。  
        
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1562115 false
      更新时间:2020-08-11

      与发光有关的实验技术

    • 一种实用的多功能的函数拟合程序

      李庆华, 李勤庸, 张新夷
      1984, 5(3): 89-93.
      摘要:研制了函数拟合程序.本程序主要特点在于可键盘或联机输入实验数据.利用计算机图示功能,手动、或自动拟合,以寻求最佳。本系统能打印出拟合后各参数的最佳值。并能在数字绘图仪上分别画出实验数据和理论曲线或光谱分解后的各分立子谱带。  
        
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      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1562095 false
      更新时间:2020-08-11
    0