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      1984年第5卷第1期

        论文

      • GD a-Si:H主光致发光带的时间分辨研究

        陈廷杰, 徐俊英, 许继宗, 庄蔚华, 廖显伯
        1984, 5(1): 1-10.
        摘要：本文研究了低温淀积(例如T:<150℃)的GD a-Si:H在77K的时间分辨光致发光谱和荧光衰退。光致发光谱显示非对称形,荧光衰退显示出最初的快衰退,较长时间后为慢衰退。在快衰退范围内可用两个时间常数逐点分析时间分辨光谱,把主发光带分解为两个近似高斯形的发光带,对于Ts=127℃的薄膜,两发光带峰值位置在t=0时分别为1.73和1.58eV。快衰退两带的时间常数分别为10和23ns。文中还初步讨论了这两个发光带的起因。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 磷化镓中铋束缚激子的多声子辐射跃迁

        李旦振, 江炳熙, 钱嘉裕, 王彤涵, 陆锦远
        1984, 5(1): 11-18.
        摘要：在温度4.2K—110K范围内测量了GaP:Bi外延层的光致发光谱。发光谱中只出现Bi束缚激子辐射复合的谱线。由于Bi束缚激子的局域电子态与四周品格存在着相当强的耦合,晶格弛豫引起的多声子辐射复合非常明显,发射光谱呈现相当宽的橙色谱带,且声子伴线“丰富”并彼此重迭。实验结果表明:从4.2K—40K A类线与B类线并存,B类线强度随温度上升而减弱最终难于辨认,77K以上A类线支配着整个光谱。对复杂的发光光谱谱线进行了识别和分类,并借助于电子计算机用曲线拟合法对光谱进行精确分解,首次求出各系列的黄昆因子(Huang-Rhys factor)。较大数值的黄昆因子表明晶格弛豫是强的。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 用Judd-Ofelt理论计算TmP5O14晶体中Tm3+的光谱参数

        苏锵, 王庆元, 武士学, 洪广言, 越淑英
        1984, 5(1): 19-28.
        摘要：根据Judd-Ofelt理论,测得了Tm3+ 在TmP5O14晶体中的强度参数分别为Q2=:1.50×10-20cm2,Q4=1.51×10-20cm2,Q6=0.916×10-20cm2,计算的振子强度Pcal.与实验值Pexp.符合较好,平均根方误差为2.60×10-7。求得Qλ后,计算了J多重激发态之间的振子强度,自发辐射跃迁速率,辐射寿命和荧光分支出,与YAlO3:Tm3+,YAG:Tm3+、Y2O3:Tm3+等晶体和掺Tm3+玻璃的光谱参数进行了比较,并就3H4→3H6,3F4→3H5,1D2→3H4和1G4→3H4的跃迁进行了对比和讨论。观察到Tm3+在不同介质中的Pexp.与强度参数的总和∑τλ=τ2+τ4+τ6存在Pexp=α∑τλ+b的关系。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 掺铜磷酸盐和氟磷酸盐玻璃的光谱研究

        刘慧民, 干福熹
        1984, 5(1): 29-35.
        摘要：本文对掺铜Ca-Al磷酸盐玻璃和、Na-Mg-Ca-Sr-Ba-Al氟磷酸盐玻璃分别作了吸收光谱、ESR谱、激发光谱、荧光光谱和荧光寿命测定。实验结果表明,玻璃中的Cu2+在近红外有一吸收带,属于畸变0h格位中2Eg→2T2g的跃迁。Cu+在紫外区有一吸收带,属于3d10→3d94s1跃迁。用紫外激发,玻璃中Cu+在可见区有一较宽的发光带。磷酸盐玻璃中,荧光峰值位于458nm。氟磷酸盐玻璃中,荧光峰值位于420nm。前者荧光寿命为26μs,后者为60μs。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • LaOBr:Ce,Tb中Ce3+对Tb3+发光的影响

        汪鸿, 施朝淑, 楼立人, 张慰萍, 陆肖璞, 张纪法
        1984, 5(1): 36-43.
        摘要：近年来人们对LaOBr:Tb的合成及其发光特性的研究日益增多。LaOBr:Tb不仅是良好的X光增感屏材料,也是较好的阴极射线发光材料。为了进一步提高它的亮度,降低了b的含量(因Tb很贵),寻求LaOBr中Tb3+发光的敏化剂是很重要的。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Ce2O3·yAl2O3(y=12±4)系光致发光材料的研究

        刘沃垣, 章复中, 郑慕周
        1984, 5(1): 44-49.
        摘要：较仔细地研究了Ce2O3·yAl2O3(y=12±4)系光致发光材料,考察了各种(Al3+/Ce3+比值(8～15)、添加不同的助熔剂(H3BO3、CaF2、LiF、BaF2、MgO和这些化合物的某种组合)以及合成荧光粉的反应温度对材料的光致发光性质的影响,测定了在254nm激发下该材料的发射光谱。结果表明,在(Al3+/Ce3+)=10～11时λmax=454nm附近发光强度最高,在化学计量比成分为CeAl11O18的化合物中添加助熔荆,即使烧结温度降低100～200℃,光致发光性质仍有所改善,特别是添加(5m/0 CaF2+5m/o H3BO3)的材料,在1600℃还原性气氛中烧结3小时可获得最佳性能,其发光强度为CaWO4:Pb的121%。确定了该系统荧光粉的晶体结构,这些材料中的主要相为铅铁氧体六方结构,化学计量比成分为CeAl12O19.5,a=5.561,c=21.980,Dx=4.09g/cm3,Z=2。这类材料是在紫外线激发下有效地发射蓝光的荧光粉,其发光性能对原材料纯度不十分敏感,可以用化学纯的原料代替光谱纯。因此,它的成本较低,有可能在荧光灯中获得实际应用。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Ce2O3·yAl2O3(y=12±4)系光致发光材料的研究

        刘沃垣, 章复中, 郑慕周
        1984, 5(1): 44-49.
        摘要：较仔细地研究了Ce2O3·yAl2O3(y=12±4)系光致发光材料,考察了各种(Al3+/Ce3+比值(8～15)、添加不同的助熔剂(H3BO3、CaF2、LiF、BaF2、MgO和这些化合物的某种组合)以及合成荧光粉的反应温度对材料的光致发光性质的影响,测定了在254nm激发下该材料的发射光谱。结果表明,在(Al3+/Ce3+)=10～11时λmax=454nm附近发光强度最高,在化学计量比成分为CeAl11O18的化合物中添加助熔荆,即使烧结温度降低100～200℃,光致发光性质仍有所改善,特别是添加(5m/0 CaF2+5m/o H3BO3)的材料,在1600℃还原性气氛中烧结3小时可获得最佳性能,其发光强度为CaWO4:Pb的121%。确定了该系统荧光粉的晶体结构,这些材料中的主要相为铅铁氧体六方结构,化学计量比成分为CeAl12O19.5,a=5.561,c=21.980,Dx=4.09g/cm3,Z=2。这类材料是在紫外线激发下有效地发射蓝光的荧光粉,其发光性能对原材料纯度不十分敏感,可以用化学纯的原料代替光谱纯。因此,它的成本较低,有可能在荧光灯中获得实际应用。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 深能级杂质对InGaAsP/InP发光管输出功率饱和性的影响

        王德宁, 水海龙
        1984, 5(1): 50-58.
        摘要：本文从文献测得InGaAsP材料中存在着较大的俘获截面、较高的深能级杂质(或缺陷)浓度的事实出发,应用了文献(13)所提出的深能级引起的多声子非辐射复合模型,在此模型基础上,使用了一系列与多声子复合有关的关系式,从理论和实验上证实了考虑多声子复合对LED输出功率饱和性影响的必要性。讨论了深能缀杂质(或缺陷)的能级及其浓度对注入电流I与载流子寿命τ、内量子效率qηi,输出功率间关系的影响。也讨论了温度的影响。研究了各参数闯相互关系,并找出了影晌饱和性的原因所在。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • P-Ga(1-x)InxAsyP1-y/InP材料的扩散长度测量

        杨林宝, 龚连根, 江玲娣
        1984, 5(1): 59-63.
        摘要：用激光扫描和电荧光衰减法测定了液相外延片p-Ga1-xInxAsyP1-y/InP(x=0.74,y=0.61)的少子扩散长度Im,并对这二种测试结果进行了比较,结果符合得很好。从这二种独立的实验结果获得表面复合速率S。S为6-7×104cm/s,扩散长度Lm为1.6～2.2μm。此外对p-Gε1-xInxAsyP1.y与InP衬底间的少数载流子行为进行了讨论。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Langmuir薄膜及其应用前景

        吴光恒
        1984, 5(1): 64-77.
        摘要：Langmuir薄膜近年来引起人们越来越大的兴趣。由于这种薄膜制备方式上的特点,使之具有其他薄膜技术无法实现的独到之处。本文对这一薄膜的制备方法、结构,电学性质、光电导和能量传递以及应用前景等几方面给予综述。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 半导体激光器的光强—电流特性图示测量

        肖宗耀, 方文, 陈莲勇
        1984, 5(1): 78-80.
        摘要：本文描述一种半导体激光器的L—I特性图示测量方法。采用短三角形脉冲电流作激光器的扫描驱动电源。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 晶体场理论引论

        虞家琪
        1984, 5(1): 81-94.
        摘要：晶体场哈密顿量的球谐函数表示 把一个离子放到晶体里,它的哈密顿量包括两部份,H=HF+HC。其中HF是自由离子哈密顿量;HC是由于该离子和晶体中其它离子相互作用而产生的,相互作用的本质是很复杂的,在晶体场理论中往往只考虑其他离子的静电场和该离子电子的相互作用。  
          
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        更新时间：2020-08-11
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