最新刊期
      1983年第4卷第4期

        一般的发光问题

      • 硫化锌中Sm3+的发光中心

        沈永荣, 卢家琪
        1983, 4(4): 1-13.
        摘要：本工作研究了Sm3+离子在立方和六角两种结构硫化锌中的光谱。实验上,采用不同激发条件下的高分辨光谱、时间分辨光谱和激发光谱,同时配合低温退火处理实验,鉴别出硫化锌中Sm3+具有两种不同的发光中心。采用发光方法,第一次对稀土离子在硫化锌中的C3v对称发光中心进行分析。在中间耦合自由离子能级基础上利用不可约张量方法和Wigner-Eckart定理进行晶体场计算,得到的晶体场参数实验值和点电荷模型计算的晶体场参数值相符合。  
          
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        47
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1562008 false
        更新时间：2020-08-11

      • ZnS:Mn2+,Sm3+中Mn2+、Sm3+中心之间能量传递的分时光谱研究

        许武, 张新夷
        1983, 4(4): 14-22.
        摘要：前一阶段我们比较系统地研究了ZnS:Mn2+,Sm3+材料中Mn2+中心和Sm3+中心之间的能量传递。通过测量ZnS:Mn2+、ZnS:Sm3+和ZnS:Mn2+,Sm3+三种材料的发射光谱、激发光谱、选择激发发光光谱,证实了Mn2+中心和Sm3+中心之间存在偶极—偶极相互作用的无辐射能量传递。为了进一步研究Mn2+中心和Sm3+中心之间的相互作用及其物理特点,我们又仔细测量了上述三种不同类型材料的分时光谱,这不仅可以更清楚地了解激发停止后Mn2+中心和Sm3+中心之间的相互作用,而且有效地解决了Mn2+中心发射光谱和Sm3+中心某些特征光谱线交叠引起的测量发光衰减的困难。  
          
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        35
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1561415 false
        更新时间：2020-08-11

      • ZnS:Sm3+的Ω参数

        黄世华
        1983, 4(4): 23-30.
        摘要：由于稀土离子在ZnS中掺杂浓度低,通常用以获得Ω参数的吸收光潜法不能应用。讨论了用发射光谱或激发态寿命获得Ω的方法及其适用范围。用拟合发射谱线相对强度的方法得到了ZnS:Sm3+的Ω参数。  
          
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        66
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1560996 false
        更新时间：2020-08-11

      • TbxY1-xP5O14晶体的发光理论和浓度效应

        张思远, 白云起, 王庆元, 武士学
        1983, 4(4): 31-39.
        摘要：本文利用Judd-Ofelt理论求得TbP5O14晶体的振子强度参数Ωλ,计算了5D3、5D4到7FJ能级的电偶极和磁偶极辐射跃迁几率及5D3-5D4和7F6-7F0能级对间的多极矩耦合的迁移几率。讨论了5D3、5D4能级发射强度的浓度效应,并给出了发射强度的表达式和强度随浓度和激发光引起的基态到激发态的跃迁几率的变化图。  
          
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        39
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1561420 false
        更新时间：2020-08-11

        光致发光

      • 非晶半导体光致发光的温度依赖关系

        方容川, 王冠中, 杨明, 吴志强, 姜文娣
        1983, 4(4): 40-46.
        摘要：研究了a-Si:H,a-Si:H,F,a-Si:H,Cl以及a-Si:H,Cl,O等非晶硅薄膜光致发光的温度依赖关系。测量了各种样品的无辐射跃迁激活能ε,并试图寻求激活能ε与样品的制备条件和结构之间的关系;同时从发光强度的温度相关性确定了带尾态密度分布参数T0,以及T0与发光光谱形状之间的关系。并将实验结果与瞬态光电导的数据进行了比较。  
          
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        61
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1561000 false
        更新时间：2020-08-11

      • 卤磷酸钙荧光粉中CaSb2O6:Mn的光谱研究

        唐明道, 田华, 刘雁, 于宝贵, 冯禹晨, 关中素
        1983, 4(4): 47-53.
        摘要：CaSb2O6:Mn是卤磷酸钙荧光粉(以下简称卤粉)中的杂质相,它对卤粉的发光性能和老化性能都有不良影响,这方面的研究已有较多论述。有关CaSb2O6:Mn的光谱研究尚不多。1951年曾发现在卤粉中增加Sb量时出现绿色发光。1955年R.Bernara曾描述了在520nm具有辐射的CaSb2O6:Mn的发光性质。  
          
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        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1562013 false
        更新时间：2020-08-11

        阴极射线发光

      • ZnO:Zn低能电子发光的亮度饱和

        葛世潮
        1983, 4(4): 54-62.
        摘要：本文讨论了ZnO:Zn低能电子发光亮度饱和的物理原因。指出,在Vg=Va(通常数字显示的情况)的条件下,亮度饱和的主要原因是ZnO:Zn次级电子发射和阴极发射疲劳;若取Vg=Va,则饱和亮度成倍提高,这时热猝灭将是亮度饱和的主要因素。同时指出,对于一定的输入功率,存在着一个与最佳效率相对应的最佳阳极电流密度;低阳极电流密度,高阳极电压往往是低效率的。作者根据本文的研究结果,制成了饱和亮度高达37,000cd/m2的发光管和饱和亮度为22,000cd/m2、能在5,000至10,000cd/m2稳定工作的高亮度数字显示管。后者配上适当的滤光片、在阳光直接照射或照度高达100,000lux的条件下仍能清晰地阅读。  
          
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1561411 false
        更新时间：2020-08-11

        其它

      • ZnS:I单晶降阻条件的选择

        金少刚, 吕安德, 范希武, 杨宝均, 华玉林, 冯淑芬
        1983, 4(4): 63-68.
        摘要：本文叙述了对碘化学输运法生长的ZnS:I单晶扩散Al杂质,制备低阻ZnS:I晶体的实验方法。在制备低阻ZnS:I单晶过程中,根据晶体内含I的浓度选择热退火条件,可较重复地得到Al浓度在10-1g/g量级,电阻率在10—102Ω·cm范围的低阻ZnS单晶。讨论认为,在ZnS:I单晶退火过程中,I的存在有助于Al杂质的扩散。  
          
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1561398 false
        更新时间：2020-08-11

      • ZnS单晶生长层线区结构的X射线衍射分析

        刘维娜
        1983, 4(4): 69-76.
        摘要：汽相生长的ZnS·Cu单晶交流电致发光线的疏密与生长层线的疏密相对应。用X射线周转晶体法对1050℃汽相生长的ZnS晶体结构进行了分析。结果表明,生长层线疏密不同,结构差别很大,层线区的结构特点是层错的无规分布。ZnS·Cu单晶交流电致发光线的产生与结构中层错的无规分布有关。  
          
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1561407 false
        更新时间：2020-08-11

        与发光有关的实验技术

      • MO-CVD法和Ⅱ-Ⅵ族材料的制备

        范广涵, 胡光
        1983, 4(4): 77-89.
        摘要：本文评述了金属有机化合物化学汽相淀积(MO-CVD)法的原理、特点及应用。着重讨论了Ⅱ-Ⅵ族材料的MO-CVD法的制备。  
          
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1561393 false
        更新时间：2020-08-11
      0