最新刊期

    1983年第4卷第1期

      发光的一般问题

    • ZnSe晶体中Mn2+离子的能级

      蒋雪茵, 卢家琪, 杨宝钧, 冯淑芬, 海鹰
      1983, 4(1): 1-6.
      摘要:研究了ZnSe:Mn的光导激发谱.室温下观察列两个峰:4600Å和5380Å.还研究了4400Å及5200Å激发下光导与温度的关系.根据这些实验认为:Mn2+离子的第一激发态4T1,非常接近导带.理论上导出了5200Å激发下光导对温度的依赖.调节参数将理论与实验进行拟合.从选定参数中得出:Mn2+4T1态位于导带下0.054eV.4400Å激发下光导与况度的关系用陷阱的作用解释.陷阱深度估计为0.4eV.  
        
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      更新时间:2020-08-11

      电致发光

    • ZnS:Cu,Nd,Cl薄膜电致发光出现受激发射的可能性

      钟国柱
      1983, 4(1): 7-10.
      摘要:ZnS:Cu,Nd,Cl具有很好的直流电致发光,而且钕离子是一个稳定的发光中心,加之薄膜发光器件有两个平行电极,可以形成一个谐振腔.本文探讨了ZnS:Cu,Nd,Cl薄膜电致发光出现受激发射的可能性.在实验上发现,来自4F3/24I9/24I11/2能级之间的跃迁中某些谱线强度随外加电压的增加而非常迅速地增加,这很可能是能级之间出现粒子数反转,并在适当谐振条件下产生了受激发射.  
        
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      更新时间:2020-08-11

      阴极射线发光

    • 铽激活的磷酸钇钆的发光

      黄竹坡, 宦国禾
      1983, 4(1): 11-18.
      摘要:用固相反应法合成了铽激活的磷酸钇钆体系的试样,测定了在阴极射线、紫外线和X射线激发下,体系基质组成和激活剂含量的改变对其发光性质的影响,讨论了Tb3+浓度猝灭的机理.  
        
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      更新时间:2020-08-11

      光致发光

    • Eu3+激活的硼钒酸钇的光致发光

      王义辉, 李玫, 王庆元, 程广金, 孙长英, 李有谟
      1983, 4(1): 19-27.
      摘要:找出了合成Eu3+激活的硼钒酸钇铕发光粉的适宜条件和发光最佳化学组分,它是(Y0.94Eu0.06)(V0.69B0.31)O3.7.对其发光光谱的温度依赖关系的研究指出,发光最佳温度在350℃左右.发光的这种温度依赖关系与基质和Eu3+对能量的吸收,以及基质向Eu3+能量传递效率的提高有关.此外,试验结果还表明,在365nm激发下,少显Gd2O3、Zn2GeO4·GeO2:Mn2+等添加剂的加入提高了样品的发光亮度.  
        
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      更新时间:2020-08-11
    • 五磷酸铈、锰晶体的发光

      洪广言, 李有谟, 越淑英, 姚益民
      1983, 4(1): 28-33.
      摘要:本文用蒸发溶液法生长了一系列CeP5O14:Mn晶体,测定了它们的组成和结构.测定了晶体的吸收光谱,激发光谱和发射光谱,观察到Ce3+→Mn2+之间的能量转移和在此体系中锰离子在545nm附近和665nm附近两个波段同时进行发射,并随着锰含量的增加,665nm的荧光强度下降而545nm的强度增加.  
        
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      更新时间:2020-08-11

      其它

    • 多铝酸钡镁:铕(Ⅱ)磷光体合成方法的改进

      胡建国, 王惠琴, 余兴海, 徐燕
      1983, 4(1): 34-37.
      摘要:二价铕激活的多铝酸钡镁(Ba3-x-yMgxEuy)Al14O24磷光体,是一种新的高效率光致发光材料.它在253.7nm紫外光激发下,发射出峰值波长在450nm左右的带谱,量子效率接近100%,已被认为是高光效、高显色性三基色荧光灯的良好的蓝色成分.它的合成、性质和应用我们已作了报导. 该磷光体合成时,常用BaF2或MgF2为原料.我们的试验结果表明,在合成中引入F-对提高磷光体的发光亮度、降低反应温度确有较大效果;但是磷光体中残留的氟,使得荧光灯的光衰很大.经过分析和试验,采用BaCO3、MgCO3为原料,用适量的HBO3作为助熔剂,使磷光体的发光亮度和荧光灯的光衰二者都得到较满意的结果.  
        
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      更新时间:2020-08-11
    • 荧光粉色度的分光测定法

      姚志中
      1983, 4(1): 38-51.
      摘要:色度表征了颜色的品质,是荧光粉的重要特性.色度的分光测定法,是色度的基础测定法.本篇文章,把单色仪的分光功能数学抽象成了狭缝宽度的函数,按系统工程原理,研究了荧光粉色度的分光测定法.  
        
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      更新时间:2020-08-11
    • GaAlAs快速边发光管发射端面沉积Al2O3抗反射层的研究

      黎锡强, 孙炳玉
      1983, 4(1): 52-60.
      摘要:本文报导了在快速DH GsAs-GaAlAs边发光管发射端面上溅射沉积Al2O3抗反射层的研究,涂层厚度与输出光功率的提高密切相关,层厚接近λ/4值时,在200mA下光功率输出的提高达~80%.  
        
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      更新时间:2020-08-11
    • p型Ga0.47In0.53AS接触层的生长

      邬祥生, 李允平, 杨易
      1983, 4(1): 61-64.
      摘要:用过冷法在632-630℃生长了掺Zn的p型Ga0.47In0.53As接触层.研究了液相中Ga组分和Zn组分对GaxIn1-xAs/InP异质结晶格失配的影响,用一次外延技术生长了GaxIn1-xAs作接触层的GaInAsP/InP双异质结.  
        
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      更新时间:2020-08-11

      与发光有关的实验技术

    • 激光化学微加工技术

      郑永成
      1983, 4(1): 65-74.
      摘要:本文综述了激光化学微加工技术的原理及某些特性,并指出其可能的应用及发展前景.  
        
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      更新时间:2020-08-11
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