最新刊期
      1982年第3卷第3期

        论文

      • Ⅱ—Ⅵ族化合物中的补偿

        金亿鑫
        1982, 3(3): 1-11.
        摘要：本文综述了Ⅱ一Ⅳ族化合物中补偿研究的进展和为降低补偿效应对于导电类型转换的影响所做的努力。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Nephelauxetic效应研究

        张思远
        1982, 3(3): 12-18.
        摘要：本文对Nephelauxetic效应的产生原因进行了研究讨论,指出了这种效应的主要依赖因素是i(键的离子化程度),M(配位数)和R(中心金属离子和配位体间的平均键长)。向时,也指出了产生正,反Nephelauxetic效应的条件。讨论了稀士系列化合物的能级移动规律和合理的解释了固体中光潜线的红移和蓝移。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • CdS单晶中的绿色电致发光和光致发光

        范希武, J. Woods
        1982, 3(3): 19-27.
        摘要：在50-290K温度范围内,研究了在正向电压激发下,用高纯CdS单晶制备的MIS发光二极管的电致发光光谱。在室温时,发射光谱分别由峰值为5135±25Å和5300±15Å的二个绿色谱带所组成,而在低温下,观测到有很多结构的光谱。在50K时,自由和束缚激子的发射实际上占有统治地位。文中提出,在室温时,谱峰为5135±25Å的谱带是与受导带自由电子散射的自由激子的发射有关;而谱峰为5300±15Å的谱带归结为与同时发射二个纵光学声子的自由激子的发射有关。比较了刚生长的高阻CdS单晶以及在熔融镉中热处理的低阻CdS单晶的光致发光光谱。在熔融镉中的热处理抑制了自由到束缚(HES)和束缚到束缚(LES)的边缘发射,也抑制了I2束缚激子谱线,但是增强了自由激子的发射,在电场激发下,也使自由激子的发射增强。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 可变色的钕和铒注入的ZnS发光二极管

        F. J. Bryant, 钟国柱
        1982, 3(3): 28-32.
        摘要：利用离子注入技术制备ZnS发光二极管,当激发参数改变时,电致发光给出不同的发射颜色。一种类型ZnS发光二极管是将Nd离子注入到ZnS的一个表面,而Er离子注入到另一个表面,两而的电极做成条状并彼此交错,仪当反向偏压时才给出电致发光,因而外加电压改变极性时,二极管将是绿色(Er3+)或橙色(Nd3+)发光。第二种类型ZnS发光二极管是将Er和Nd离子注入到ZnS的同一表面,但是不同的深度,当外加电压的大小改变时,二极管发光颜色可以从绿色到橙色或者从橙色到绿色。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Scapolite中S2-中心的电子顺磁共振研究

        刘洪楷, B. Canny
        1982, 3(3): 33-40.
        摘要：对发光的天然晶体Scapolite中S2-分子中心进行了顺磁共振研究。仔细地测量了共振g-张量主值的角度变化,从而使我们能够确定S-S键轴和p-函数方向在晶体中的取向。超精细线和超超精细线的研究表明晶体中S2-中心的存在以及S2-中心的电子自旋和两个近邻Cl-离子核自旋的相互作用。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 叶绿素a齐聚物的n值判定及其光谱特证

        唐树延, 黄立业, 金长清, 陈连春, 孟继武, 金昌根
        1982, 3(3): 41-45.
        摘要：光合作用是绿色植物利用太阳能将二氧化碳和水有效地转化为有机物质的过程。大体上可以把它分成原初过程、电子传递、光合磷酸化和碳同化四个阶段。其中,光能吸收、传递和转化的过程,称为原初过程,它是光合作用研究的关键的第一步。一般认为原初反应是在光合单位(PSU)里进行的[1,2],其中叶绿素起着十分重要的作用[2,3,4]。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • YAG基质中Ce对Tb3+离子发光特性的影响

        王志华, 赵书云, 魏建江, 齐东娟, 吴渊
        1982, 3(3): 46-53.
        摘要：实验中发现,在YAG:Tb中加入痕量Ce后,可以使Tb3+离子5D4→7F跃迁显著增强,因而,改变了发射光谱的能量分布,提高了发光亮度,改善了电流和电压特性,揭示了改进和提高商用P53磷光体发光特性的可能性。实验表明,这种增强作用是由于Ce3+→Tb3+离子的能量传递所致。讨论了Ce3+→Tb3+能量传递机理,分析了传递过程。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • KMgF3中Eu2+的f-f跃迁及其影响因素

        石春山, 叶泽人, 卢洪德, 苏锵
        1982, 3(3): 54-61.
        摘要：研究了KMgF3多品粉末中Eu2+的f-f跃迁及温度、浓度和卤离子等对这种跃迁的影响。发现了荧光光谱的某些规律性。提出了掺溴离子的KMgF3:Eu2+用作高压汞灯材料的可能性。  
          
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        更新时间：2020-08-11
      • 寿传忠
        1982, 3(3): 62-71.
        摘要：Y2O2S:Eu荧光粉用附加ZnO的方法使其获得具有低能量电子激发发光的能力,发现了用湿法沉淀法附加ZnO的方法比之机械混合附加ZnO的方法使荧光粉具有更低的阈值电压和较高的低能量电子激发的亮度。ZnO的加入对荧光粉的发光具有二重性,较低阳极电压时,ZnO对维持低能量电子激发发光作用是主要的,而在较高阳极电压时,ZnO冲淡Y2O2S:Eu荧光粉的发光强度,阻碍最高发光亮度的获得,因此有一个最佳的ZnO附加量,它将完全取决于使用的阳极电压。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管的特性研究

        水海龙, 张桂成, 邬祥生, 陈启玙, 徐少华, 杨易, 陈瑞璋, 胡道珊
        1982, 3(3): 72-77.
        摘要：用液相外延技术生长的三层和四层InGaAsP/InP双异质结材料,制成了1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管。光功率输出(100mA)>1.0mW,最高2mW,尾纤输出功率(N.A.0.23,芯径60μ)>50μW。文中描述了器件的特性参数,还讨论了光功率的饱和特性和退化特性。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 用低压组件驱动直流电致发光数字屏

        杨忠义, 孙瑞增, 史其武, 黄伟东
        1982, 3(3): 78-82.
        摘要：粉末电致发光显示器件是较为理想并正在发展中的一种固体平板显示器件。国内外都在研制,并已经在一些场合逐步得到了实际应用。我国粉末交流电致发光器件经过二十多年的研究工作,到目前为止,除了长春物理研究所及几所大学研制外,还有几家工厂生产这种器件。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 1982年SID国际讨论会情况和在美参观访问的汇报

        许少鸿, 孟宪信
        1982, 3(3): 83-95.
        摘要：信息显示学会(英文简称SID)每年召开一次国际讨论会,会址一般在美国。1982年的讨论会是5月10日到14日在美国加利福尼亚州的圣地亚哥(San Diego)举行的。会期五天,有两天会议叫Seminar,即讨论班性质的,作各方面的动态报告和基础知识介绍,类似我国的综述报告。有三天是会议正式工作报告,主要讲最近工作和各方面进展。  
          
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        更新时间：2020-08-11
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