最新刊期
      1982年第3卷第2期

        发光的一般问题

      • 张新夷
        1982, 3(2): 1-9.
        摘要：我们研究了GaxIn1-xP:N(x=0.99,0.98,0.96)的发光光谱,用Ar+离子激光器的458nm线激发。N的浓度为5×1017cm-3。图1示出了在6K下Ga0.99In0.01P:N的发光光谱。Mariette和Chevallier[1,2]以及Nelson和Holonyak,Jr[3]。认为Nx0带起源于束缚在孤立N中心上激子的辐射复合。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • GaAs中Cr2+离子的发光及杨—泰勒效应

        周映雪
        1982, 3(2): 10-15.
        摘要：在各向同性压力下,观察到77°K时n—GaAs样品中Cr2+离子的光致发光。这个光谱带是由Cr2+离子的激发态5E到基态5T2的跃迁所致。由于Cr2+离子在晶体场中有较强的杨一泰勒效应,时发光光谱产生影响。本文考虑静态杨一泰勒效应计算了发射光潴,估计了杨一泰勒能量,并与实验结果相比较。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • (C5H5NH)2MnxZn1-xCl4和((CH3)4N)2MnxZn1-xCl4中Mn2+的电子顺磁共振

        B. Canny, D. CURIE, 刘洪楷, K. NIKOLIC, C. PORTE
        1982, 3(2): 16-21.
        摘要：对于发绿光的四面体化合物(C5H5NH)2MnCl4和((CH3)4N)2MnCl4人们已做了广泛的研究。但是它们的电子顺磁共振谱仅表现为一些很宽的带而没有精细和超精细结构。在同晶型的(C5H5NH)2MnxZn1-xCl4或((CH3)4N)2MnxZn1-xCl4中掺入低浓度的Mn2+(x=1%),我们可以由(g～值的)角度变化导出自旋哈密顿量的全组参数来。这种四面体的晶格发生了严重的畸变且(在所有的情况下)产生一种C1-对称。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 用“矩”方法分析荧光衰减

        孙炳荣
        1982, 3(2): 34-37.
        摘要：叙述一个用于计算闪光激励荧光发射寿命的方法。许多生物聚合物及生物聚合物复合体的激励态荧光衰减,一般不是一个简单的指数函数,并且发射寿命与仪器的响应时间可比较。“矩”方法可以用于研究分析这种聚合物或复合物激发态单指数或多指数衰减。这一方法的计算用TQ-16计算机来完成。实验结果表明,“矩”方法作为分析衰减曲线的工具是有前途的。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • ZnS:Cu, Nd, Cl薄膜直流电致发光的激发态寿命和光谱强度

        钟国柱, F. J. Bryant
        1982, 3(2): 22-28.
        摘要：在真空中用共蒸发方法制的直流电致发光薄膜ZnS:Cu,Nd,Cl,实验中测量了它的可见和红外发射。本文研究了Nd3+离子的各个激发态的寿命各个辐射波长的发射强度与温度和外加电压的关系,发现导带中参与电致发光激发过程的热电子能量分布遵从玻尔兹曼函数,热电子平均能量是0.16eV左右,这个值和能量转换效率测量结果相一致。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnSexS1-x MIS发光二极管的兰色和紫色电致发光

        范希武, J. Woods
        1982, 3(2): 29-33.
        摘要：在40—290K温度范围内,研究了用高纯ZnSe0.8S0.2和ZnSe0.5S0.5单晶制备的MIS发光二极管在正向电压激发下的电致发光光谱。在室温时,观察到二个强的发射谱带,对于ZnSe0.8S0.2晶体,谱带峰值分别为4460和4554Å,对于ZnSe0.5S0.5晶体,则分别为4128和4276Å。在低温40K时,观察到电致发光光谱的精细结构。研究了这些光谱的温度依赖。根据作者在ZnSe MIS发光二极管中提出的观点[10],讨论了ZnSexS1-x混晶中二个室温谱带的起因。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 分子束外延法生长的Au/ZnSe:Mn/n-Ge直流电致发光单晶膜

        王全坤, 三岛友义, 高桥清
        1982, 3(2): 38-42.
        摘要：用分子束外延法制成了具有Au/ZnSe:Mn/n-Ge结构的电致发光单晶膜,最低起亮电压为6V。在直流12.8V和14.7A/cm2的驱动下发光亮度为73fL、最大量子效率为4.3×10-5(10.8V,3A/cm2)  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • InGaAsP/InP双异质结发光管退化特性的研究

        张桂成, 水海龙
        1982, 3(2): 65-70.
        摘要：在室温(15～35℃),大气气氛中研究了InGaAsP/InP双异质结发光二极管的退化特性。有二种慢退化类型,连续工作104小时后,InGaAsP/InP发光二极管的电学参数、光学参数(除原有暗结构的B型慢退化器件,老化初期光功率下降10～20%外)均无明显变化。用红外电视选行扫描仪观察了老化过程中发光区的EL图象。研究了该器件的退化特性与EL图象的变化规律,找出了它们的对应关系。用扩展缺陷模型解释了InGaAsP/InP双异质结发光管的退化机理。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • GaInAsP/InP双异质结发光管材料的研究

        邬祥生, 杨易, 李允平
        1982, 3(2): 71-76.
        摘要：用二相法液相外延生长了GaInAsP/InP双异质结材料。已制得用于光通讯的、小面积的、输出功率>1mW(工作电流100mA)的发光二极管。讨论了外延工艺和影响材料性质的因素。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        其它

      • 苏勉曾, 徐晓林, 阮慎康, 龚曼玲
        1982, 3(2): 43-56.
        摘要：二价铕激活的氟氯化钡是一种高效率的X射线发光材料。Stevels和Pingault[1]曾研究过BaFCl:Eu2+在X射线激发下的发光性质。E.I.Du Pont公司用BaFCl:Eu2+制成X射线照像用增感屏[2]。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • RExPr1-xP5O14晶体生长及其光谱

        于亚勤, 王庆元, 程广金, 孙长英, 刘书珍, 陈明玉, 苗秀琴
        1982, 3(2): 57-64.
        摘要：水热法生长了RExPr1-xP5O14单品,RE=La,Ce,Nd,Eu,Gd,Yb,Tm,Y,(x=0.1)单晶的最大线度为2cm。我们研究了原料的合成,观察了吸收,荧光,红外光谱,并计算了22400～16380cm-1范围内的Pr3+离子的振子强度。热重分析观察到在867～930℃有弱的分解。X射线衍射分析指出:结构为单斜晶系,空间群为P21/C;晶胞参数为a=8.73Å,b=9.04Å,c=13.02Å,β=90.5°  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 用镓铝砷负阻发光二极管试制医院的床位呼唤器

        付德惠, 赵彦民
        1982, 3(2): 84-89.
        摘要：npnp-Ga1-xAlxAs负阻发光二极管〔符号:SLED〕是一种新型属于多功能半导体发光元件,它兼具发光和负阻的伏安电特性,具有存储功能。本受介绍了把这种元件和发光二极管结合在一起第一次制成固体化显示的医院床位呼唤器。它具有寿命长、可靠性高、体积小、耗电少、可寄存呼唤信号、光色柔和、线路简单等多方面优点,这些使它优于先前采用继电器、小电珠[1]、电灯泡、或荧光数字管[2]等元件所组成的床位呼唤器。  
          
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        更新时间：2020-08-11

        与发光有关的实验技术

      • GaP台面腐蚀研究

        丁祖昌, 吴国贤, 华伟民, 曹光胜
        1982, 3(2): 77-83.
        摘要：高效GaP绿色发光二极管制造中,器件的隔离和台面制作具有十分重要意义。本文介绍了用于GaP发光器件的隔离和台面制作的碱性铁氰化钾化学腐蚀技术。观察了腐蚀温度,腐蚀时间对腐蚀深度和表面形貌间关系。结果表明:碱性铁氰化钾对GaP台面腐蚀是一种优良的腐蚀剂,具有较高的腐蚀速率(2微米/分),并可获得光滑无凹坑或少凹坑的腐蚀面。对出现的实验现象从机理上作了解释。  
          
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        更新时间：2020-08-11
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