最新刊期
      1981年第2卷第2期

        电致发光

      • 高场下的电致发光

        徐叙瑢
        1981, 2(2): 1-11.
        摘要：高场下的电子过程主要有隧穿效应及过热电子的有关行为。着重叙述了过热电子的特征,高场下电致发光的起源及性质,电致发光材料及器件的研究现状及存在的问题等。  
          
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        86
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1561079 false
        更新时间：2020-08-11

      • ZnS:Cu,Eu,Br粉末ACEL的老化

        朱自熙, 孟宪棫
        1981, 2(2): 78-81.
        摘要：退火的处理方法对ZnS:Cu,Eu,Br粉末ACEL材料的老化性能有明显的改善,但处理时颗粒表面必须包有过剩的铜,否则将破坏发光性能。若用氰化钾洗去表面过剩的铜后,再进行包铜退火处理,发光亮度部分恢复,老化性能改善。我们认为处理后老化性能改善的原因,不是改善了发光中心的条件,可能是改善了Cu2S相的条件,因而抑制了离子的迁移。  
          
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        51
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1560684 false
        更新时间：2020-08-11

      • ZnS:Cu,Eu,Br交流粉末材料的加热发光

        孟宪棫
        1981, 2(2): 82-84.
        摘要：本文以ZnS:Cu,Eu,Br交流粉末材料做为样品,对比了老化前后及包铜退火处理前后的加热发光曲线。老化后没有出现新的释光峰,仅表现在加热发光曲线所限面积缩小。这与老化过程中离子的迁移,浅陷阱浓度减少有关。处理的材料,老化前后曲线面积差别较小,估计这可能是在处理过程中改变了Cu2S相及表面状态,抑制了离子的迁移,改变了场的分布和初电子注入的条件,因而改善了老化。  
          
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        39
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1561091 false
        更新时间：2020-08-11

        发光的一般问题

      • 高掺杂半导体的带尾结构及其对载流子瞬态分布的影响

        郭长志, 李国华, 张敬明, 郑宝贞
        1981, 2(2): 12-33.
        摘要：本文从理论上分析了稳态和瞬态情况半导体自发发射光谱峰值与载流子在能带中的分布极大值之间的关系;载流子分布极大值位于带尾中的条件;载流子分布极大值在带尾中随注入水平变化的快慢与带尾形状以及载流子是否达到准平衡分布的关系。建立了从稳态和瞬态发射光谱的峰值移动规律定量地确定带尾态密度分布的新方法,并得出了在掺双性硅的GaAs,自发发光的瞬态过程中不存在准费米能级的重要结论。实验上系统地测量了掺有不同杂质、不同掺杂浓度和补偿度的GaAs同质结和异质结样品在不同注入水平下在300K和77K的稳态和瞬态时间分辨光谱。实验结果与理论预期相当符合,并据此探讨了带尾对发光瞬态响应时间的影响。  
          
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        68
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1561083 false
        更新时间：2020-08-11

      • 镓铝砷LED中的深能级及其对光电特性的影响

        胡恺生, 高瑛, 苏锡安, 刘学彦, 温庆祥
        1981, 2(2): 34-44.
        摘要：众所周知,杂质缺陷对半导体器件性能有很大的影响,所以引起人们极大的兴趣。所谓深能级,一般是指不易离化、电离能超过几个kT的能级。象半导体中Cu,Fe,Co,Ni过渡金属,氧,空位及其络合物都能形成电离能较大的深能级。  
          
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        55
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1560702 false
        更新时间：2020-08-11

        阴极射线发光

      • 郭常新, 张慰萍, 施朝淑
        1981, 2(2): 45-57.
        摘要：共掺杂痕量的Tb3+,能使Y2O2S:RE3+ (RE3+=Eu3+、Sm3+、Dy3+等)磷光体的阴极射线和254nm紫外光激发下发光效率明显增强,此类增强的特点是:Tb3+浓度低(几十ppm),增强倍数高(1—6倍)和被敏化离子种类多。对一定浓度的痕量Tb3+,Sm3+和Dy3+浓度在10-5—10-2范围内,增强倍数为常数,而Eu3+随着浓度的增加、增强倍数逐渐减小,这表明Tb3+→RE3+不是共振能量传递。从激发光谱和Tb3+各条谱线强度变化的比例可判断能量传递不是光的再吸收。根据阴极射线激发后的热释光曲线以及增强倍数与温度(室温到液氮温度)关系实验,提出了能量传递模型。认为是Tb3+加入后形成等电子陷阱。它对空穴有大的俘获截面,并可以束缚一个激子。Tb3+→RE3+不是空穴类型的能量传递,而是在热扰动下束缚激子变为自由激子后引起的激子能量传递。  
          
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        25
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1561073 false
        更新时间：2020-08-11

        光致发光

      • 高纯度砷化镓外延薄膜剩余受主杂质的研究

        陈廷杰, 吴灵犀, 徐寿定, 孟庆惠, 于鯤, 李永康
        1981, 2(2): 58-63.
        摘要：本文用光致发光法(4.2°K和1.8°K)研究高纯度LPE-GaAs和VPE-GaAs的剩余受主杂质。实验结果表明,高纯LPE-CaAs的剩余受主杂质为C、Si、Ge,而在AsCl3-Ga-H2系统中生长的高纯VPE-GaAs的剩余受主杂质为C、Zn、Si、Ge。但是在AsCl3-Ga-N2系统中生长的高纯VPE-GaAs只检测到受主杂质碳。本文还研究某些生长条件对杂质引入的影响。  
          
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        80
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1560674 false
        更新时间：2020-08-11

      • 高效紫外发射荧光粉

        蒋昌武, 何喜庆, 孙聚堂, 吴琳琍
        1981, 2(2): 73-77.
        摘要：紫外发射荧光粉的种类很多,国内外已有许多报导,这类材料在光致发光方面主要是用于低压水银荧光灯中,它是用一种较短波长的紫外线(主要是254nm)激发而产生另一种较长波长紫外线的发光材料。众所周知,铅激活的硅酸钡(BaSi2O5:Pb)是一种有效的紫外发射材料,并广泛地应用于诱杀害虫的黑光灯中。  
          
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        70
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1560689 false
        更新时间：2020-08-11

      • 铕螯合物及其溶液的光致发光

        袁惠君, 孙家镔
        1981, 2(2): 85-91.
        摘要：噻吩甲酰三氟丙酮合铕,2、4、6-三甲基吡啶络合物〔(TTA)4·E·(2、4、6-Me3Py)·H〕Ⅰ和噻吩甲酰三氟丙酮合铕,4-甲基吡啶络合物〔(TTA)4·(4-MePy)·H〕(Ⅱ)属于β-二酮类化合物。β-二酮类化合物在有机溶剂和塑料中具有很高的溶解度,它可以制成无定形透明发光体,并且在晶态、溶液及塑料中具有较高的光输出,因此引起人们的注意。  
          
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        62
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        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1561067 false
        更新时间：2020-08-11

        与发光有关的实验技术

      • 涂相征, 万寿科, 何登龙
        1981, 2(2): 64-72.
        摘要：介绍一种低温液相外延技术,可在650℃在GaAs衬底上生长晶格匹配和组份可重复的In1-xGaxAs1-yPy层。给出对外延层进行场发射扫描电镜观察、电子探针、X光双晶衍射、俄歇电子谱和光荧光测量得到的结果。结果表明外延层具有平坦的异质结界面和良好的晶体特性。同时研究了异质结界面的粗糙度和组份梯度变化区域的宽度和晶格失配率的关系。  
          
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        42
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1560696 false
        更新时间：2020-08-11
      0